JP6225033B2 - 微粒子センサ - Google Patents
微粒子センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6225033B2 JP6225033B2 JP2014001921A JP2014001921A JP6225033B2 JP 6225033 B2 JP6225033 B2 JP 6225033B2 JP 2014001921 A JP2014001921 A JP 2014001921A JP 2014001921 A JP2014001921 A JP 2014001921A JP 6225033 B2 JP6225033 B2 JP 6225033B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- discharge
- pad
- heater
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
Description
この特許文献1に開示された微粒子センサは、絶縁セラミックからなる第1〜第5の複数の絶縁性のセラミック層を積層したセンサユニットを有している。このセンサユニットは、これら複数の絶縁性のセラミック層の層間に第1のグランドパターン及び第2のグランドパターンを配すると共に、センサの基準電位とされる第2のグランドパターンとの間でのコロナ放電を生じさせる先端部を含む放電パターン(放電電極)を、第2のセラミック層の表面にパターン印刷により形成している(特許文献1の図6参照)。
しかるに、コロナ放電でイオンを生成するために、放電電極には、基準電位に対して、直流で一定または脈流(パルス電圧など)の高電圧の放電電位が印加されるため、上述の各電極パッドが互いに近接していると、放電電極の放電部でコロナ放電が発生する前に、放電電極に導通する電極パッドとこれに近接する他の電極パッドとの間で、火花放電が発生して、放電電極の放電部で適切にコロナ放電(気中放電)を生じさせ得ないという問題があった。
また、セパレータ沿面距離は、放電電位パッド及び放電電位端子と、別電位パッド及び別電位端子との間の、セパレータの表面(例えば、セパレータの内側面など)に沿って測った最小の沿面距離をいう。
また、セラミック体の両主面に形成した放電電位パッド及び別電位パッドに、それぞれ放電電位端子及び別電位端子が接触するので、セパレータ内において、これらの端子並びにこれに接続する放電電位リード線及び別電位リード線の配置及び配線のスペースを確保し易く、セパレータ沿面距離も大きくしやすい。加えて、放電電位端子及び別電位端子で、セラミック構造体を挟むので、このセラミック構造体をセパレータ内に適切に保持することができる。
また、ヒータ部のリード部や発熱部がセラミック体内に配置されているので、これらと放電電極体との間の火花放電も確実に防止できる。
しかも、補助電極リード部及び補助電極部もセラミック体内に配置されているので、これらと放電電極体との間の火花放電も確実に防止できる。
本実施形態に係る微粒子センサ1について、図面を参照して説明する。本実施形態の微粒子センサ1は、図1に示すように、車両AMに搭載したエンジンENGの排気管EPに装着され、排気管EP内を流通する排気ガスEG(被測定ガス)中のススなどの微粒子Sを検知する。
微粒子センサ1は、長手方向HNに延びる板状で、気中放電により、イオンを生成するセラミック素子100を備える。このほか、このセラミック素子100を絶縁しつつ保持し、かつ、センサGND電位SGNDとされる主体金具50及びこれに結合する部材、主体金具50等と絶縁し、かつ、これらを囲んで保持し、排気管EPに取り付けられて、シャーシGND電位CGNDとされる取り付け金具90及びこれに結合する部材等を備える。
取り付け金具90の後端側GKには、金属製で筒状の外筒95が固設されている。具体的には、取り付け金具90の後端部90kに、外筒95の先端部95sが外嵌され、レーザ溶接により一体とされている。
具体的には、主体金具50は、径方向外側に膨出する円環状のフランジ部51を有しており、また、内筒80も先端部分が円環状のフランジ部81となっている。そして、これらフランジ部51,81同士が重なるように、主体金具50の後端部50kに、内筒80の先端部80sが外嵌され、レーザ溶接により一体とされている。また、一体とされた主体金具50及び内筒80は、両者のフランジ部51,81が、先端側GSに位置する第1絶縁スペーサ60と後端側GKに位置する第2絶縁スペーサ61とに挟まれて、取り付け金具90内に配置されている。さらに、第2絶縁スペーサ61の後端側GKには、スリーブ62が配置されている。取り付け金具90の最後端部90kkとスリーブ62との間には、線パッキン63が配置され、取り付け金具90の最後端部90kkは、径方向内側に屈曲して加締められている。
さらに、内側プロテクタ45の先端部分には、取り入れた排気ガスEG(被測定ガス)を排出するための丸型の排出口45Oが形成されており、この排出口45Oを含む内側プロテクタ45の先端部分は、外側プロテクタ40の先端部分の開口43から外部に突出している。
図6において、排気ガスEGは、排気管EP内を、図中、左から右に向けて流通している。この排気管EP内を流通する排気ガスEGが、微粒子センサ1の外側プロテクタ40及び内側プロテクタ45の周囲を通ると、その流速が、内側プロテクタ45の排出口45Oの外側で上昇し、いわゆるベンチュリ効果により、排出口45O付近に負圧が生じる。すると、この負圧により、内側プロテクタ45内に取り入れられた取入排気ガスEGIが排出口45Oから排出される。これと共に、外側プロテクタ40の外側導入孔40I周囲の排気ガスEGが、この外側導入孔40Iから外側プロテクタ40内に取り入れられ、さらに、内側プロテクタ45の内側導入孔45Iを通じて、さらに内側プロテクタ45内に取り入れられる。
そして、内側プロテクタ45内の取入排気ガスEGIは、排出口45Oから排出されるので、内側プロテクタ45内には、後端側GKの内側導入孔45Iから先端側GSの排出口45Oに向けて流れる取入排気ガスEGIの気流が生じる。
また、絶縁ホルダ70の後端側GKには、絶縁体からなる第1セパレータ71が、さらに、その後端側GKには、同じく絶縁体からなる第2セパレータ72が、長手方向HNに並んで配置され、いずれも内筒80の内側に収容されている。
なお、第1セパレータ71の挿通孔71c内において、放電電位端子73は、セラミック素子100の後述する放電電位パッド113(図4,図5参照)に接触している。また、第2セパレータ72の第2挿通孔72b内において、補助電位端子75は、セラミック素子100の補助電位パッド125に、第1ヒータ端子76は、セラミック素子100の第1ヒータパッド136に、第2ヒータ端子77は、セラミック素子100の第2ヒータパッド137に、それぞれ接触している。
このシャーシGND接続金具83は、外筒95の小径部96と共に加締めによって径方向内側に縮径され、グロメット84及びシャーシGND接続金具83は、外筒95の小径部96内に固定されている。これにより、排気管EP及び取付用ボスBOに導通する取り付け金具90、外筒95及びシャーシGND接続金具83は、いずれもシャーシGND電位CGNDとされる。なお、このシャーシGND電位CGNDは、車両AMに搭載されたバッテリ(不図示)のGND電位と共通にされている。
さらに具体的には、セラミック基体101は、アルミナグリーンシート由来のアルミナからなる板状の3つのセラミック層102,103,104が重なったセラミック体である。さらに、詳細には、これらの層間に印刷形成されアルミナからなる2つの絶縁被覆層105,106が介在している。これらは、図5に示すように、セラミック層102,絶縁被覆層105,セラミック層103,絶縁被覆層106,セラミック層104が、この順に積層されている。そして、セラミック層102とセラミック層103の層間、さらに詳しくは、絶縁被覆層105とセラミック層103の間に放電電極体110が配置されている。また、セラミック層103とセラミック層104の層間、さらに詳しくは、セラミック層103と絶縁被覆層106の間に補助電極体120が、絶縁被覆層106とセラミック層104の間にヒータ部130が、それぞれ配置されている。そして、これらが一体化してセラミック素子100(セラミック構造体)が形成されている。
放電電極体110のうち、リード部111と、このリード部111が接続する針状電極部112のうち後端側GKの埋設部112Aとは、絶縁被覆層105及びセラミック層102で被覆されて、セラミック基体101(セラミック体)内に、具体的には、セラミック層102とセラミック層103の層間に埋設された体内部である。
なお、補助電極体120の補助電極部122は、セラミック基体101の第1セラミック部101Aのうち、第2セラミック部101Bの第2先端101BSよりも長手方向HN先端側GSの内部(セラミック層103とセラミック層104の層間)に埋設されている。
また、第1ヒータリード部132及び第2ヒータリード部133は、その後端側GKの端部134,135から、セラミック層104を貫通するスルーホール104h2を通じて、セラミック層104の他方の表面104S2上、即ち、セラミック基体101の後端側部101Kにおける他方の主面101S2上に形成された第1ヒータパッド136及び第2ヒータパッド137に、それぞれ導通している。なお、前述したように、第1ヒータパッド136には、第1ヒータ端子76が、第2ヒータパッド137には、第2ヒータ端子77が、それぞれ接触し導通する。
また、放電電位パッド113と、これ以外の補助電位パッド125、第1ヒータパッド136及び第2ヒータパッド137とは、セラミック基体101の後端側部101Kにおいて、長手方向HNに互いに離間して配置されている。具体的には、放電電位パッド113は、補助電位パッド125、第1ヒータパッド136及び第2ヒータパッド137よりも、長手方向HN先端側GSに配置されている。
イオン源15をなすセラミック素子100のうち、放電電極体110、補助電極体120及びヒータ部130は、それぞれ前述した放電電位リード線161、補助電位リード線162、第1ヒータリード線163及び第2ヒータリード線164を通じて、図2において図示外の回路部190(図1参照)に接続されている。また、前述した放電電位リード線161及び補助電位リード線162を芯線とする三重同軸ケーブル(トライアキシャルケーブル)の同軸二重の外部導体のうち、内側の外部導体も、回路部190に接続され、セラミック素子100(イオン源15)の周囲に配置された内側プロテクタ45は、前述したように、センサGND電位SGND(基準電位)とされている。
一方、補助電位パッド125には、補助電位端子75を通じて、補助電位PV3が印加され、第1ヒータパッド136には、第1ヒータ端子76を通じて、第1ヒータ電位Vhtが印加される。また、第2ヒータパッド137は、第2ヒータ端子77を通じて、シャーシGND電位CGND(第2ヒータ電位)とされる。
また、放電電位パッド113には、放電電位端子73が接触して導通し、別電位パッド125,136,137には、それぞれ補助電位端子75、第1ヒータ端子76及び第2ヒータ端子77(以下、別電位端子75,76,77ともいう)が接触して導通している。このため、これら放電電位端子73と別電位端子75,76,77とが互いに近接していた場合にも、これを保持するセパレータの表面に沿って火花放電が生ずることがある。
そして、上述のような火花放電が生じると、針状先端部112Sで適切にコロナ放電を生じさせ得ない。
これにより、この微粒子センサ1では、放電電位パッド113及びこれに接触する放電電位端子73と、別電位パッド125,136,137及びこれに接触する別電位端子75,76,77との間の、セラミック基体101(セラミック体)の表面に沿った最小の沿面距離であるセラミック体沿面距離L1(図4参照)が、大きくされている。具体的には、セラミック体沿面距離L1は、放電電位パッド113から、セラミック基体101の主面101S1と、主面101S1及び主面101S2を結ぶ側面101S3と、主面101S2とを通って、別電位パッド136(または137)に至る最短の沿面距離である。
このうち、第1セパレータ71は放電電位パッド113に接触して導通する放電電位端子73を、第2セパレータ72は別電位パッド125,136,137に接触して導通する別電位端子75,76,77を、それぞれ互いに絶縁しつつ保持している。
これにより、この微粒子センサ1では、放電電位パッド113及び放電電位端子73と、別電位パッド125,136,137及び別電位端子75,76,77との間の、セパレータ71,72の表面(第1セパレータ71の表面(挿通孔71cの内側面など)及び第2セパレータの表面(第2挿通孔72bの内側面など))に沿った最小の沿面距離であるセパレータ沿面距離L2(図2,図3参照)が、大きくされている。なお、図2,図3では、破線で示すセパレータ沿面距離L2を簡略に描いたが、セパレータ沿面距離L2は、実際には、例えば、第1セパレータ71の挿通孔71cの内側面のうち、放電電位端子73が接触している部位から第1セパレータ71の表面を進み、さらに、第2セパレータ72の表面を進んで、第2セパレータ72の第2挿通孔72bの内側面のうち、別電位端子76(または77)が接触している部位に至る最短の沿面距離である。
また、ヒータ部130のリード部132,133や発熱部131がセラミック基体101内に配置されているので、これらと放電電極体110との間の火花放電も確実に防止できる。
しかも、補助電極リード部121及び補助電極部122もセラミック基体101内に配置されているので、これらと放電電極体110との間の火花放電も確実に防止できる。
例えば、実施形態では、セラミック素子100(セラミック構造体)が、放電電極体110以外に、補助電極体120及びヒータ部130を有し、別電位パッドとして、補助電位パッド125、第1ヒータパッド136及び第2ヒータパッド137の3つを有する構成を示した。
しかし、セラミック素子100としては、補助電極体120及びヒータ部130のうち、いずれか一方を有する構成としても良い。
EG 排気ガス(被測定ガス)
CGND シャーシGND電位(第2ヒータ電位)
SGND センサGND電位
PV2 放電電位
PV3 補助電位
Vht 第1ヒータ電位
S 微粒子
CP イオン
CPF 浮遊イオン
GS 先端側
GK 後端側
HN 長手方向
1 微粒子センサ
15 イオン源
40 外側プロテクタ
45 内側プロテクタ(基準電位部材,捕集極)
50 主体金具
71 第1セパレータ(セパレータ)
72 第2セパレータ(セパレータ)
73 放電電位端子
75 補助電位端子(別電位端子)
76 第1ヒータ端子(別電位端子)
77 第2ヒータ端子(別電位端子)
80 内筒
90 取り付け金具
95 外筒
100 セラミック素子(セラミック構造体)
100K (セラミック素子の)後端部
101 セラミック基体(セラミック体)
101S1,101S2 主面
101K 後端側部
102,103,104 セラミック層
105,106 絶縁被覆層
110 放電電極体
111 リード部(体内部)
112 針状電極部
112A 埋設部(体内部)
112B 露出部
112S 針状先端部
113 放電電位パッド
120 補助電極体
121 補助電極リード部
122 補助電極部
125 補助電位パッド(別電位パッド)
130 ヒータ部
131 発熱部
132 第1ヒータリード部
133 第2ヒータリード部
136 第1ヒータパッド(別電位パッド)
137 第2ヒータパッド(別電位パッド)
161 放電電位リード線
161t (放電電位リード線の)端部
162 補助電位リード線(別電位リード線)
162t (補助電位リード線の)端部
163 第1ヒータリード線(別電位リード線)
163t (第1ヒータリード線の)端部
164 第2ヒータリード線(別電位リード線)
164t (第2ヒータリード線の)端部
L1 セラミック体沿面距離
L2 セパレータ沿面距離
Claims (6)
- 気中放電によりイオンを生成するイオン源と、
上記イオン源の周囲に配置されて基準電位とされる基準電位部材とを備え、
上記イオンを用いて、被測定ガス中の微粒子を検知する微粒子センサであって、
上記イオン源は、
絶縁性のセラミックからなり、長手方向に延びる形状のセラミック体と、
上記セラミック体外に露出する露出部、及び、上記露出部に導通し、上記セラミック体内を上記長手方向後端側に延びる体内部を含み、直流で一定または脈流の放電電位が印加されて、上記基準電位部材と上記露出部との間に、上記気中放電を生じる放電電極体と、
上記セラミック体のうち、上記放電電極体の上記露出部よりも上記長手方向後端側の後端側部の表面上に形成され、上記放電電極体の上記体内部に導通し、上記放電電位とされる放電電位パッドと、
上記セラミック体のうち、上記後端側部の表面上に形成され、上記放電電位よりも上記基準電位に近いまたは上記基準電位に等しい別電位とされる1または複数の別電位パッドとを有する
セラミック構造体を備え、
上記放電電位とされ、上記放電電位パッドに接触して導通する放電電位端子を、自身の端部に含む放電電位リード線と、
上記別電位とされ、上記別電位パッドに接触して導通する別電位端子を、自身の端部に含む1または複数の別電位リード線と、
絶縁材からなり、上記セラミック構造体のうち上記放電電位パッド及び上記別電位パッドを含む上記長手方向後端側の後端部を、上記長手方向に直交する径方向から包囲すると共に、上記放電電位端子及び上記別電位端子を収容して、上記放電電位端子及び上記別電位端子を互いに絶縁した状態で、かつ、上記放電電位端子を上記放電電位パッドに、上記別電位端子を上記別電位パッドに、それぞれ接触させた状態で保持するセパレータとを備え、
上記セラミック構造体、上記放電電位端子、上記別電位端子及び上記セパレータは、
上記放電電位パッドに上記気中放電のための上記放電電位を印加した際に、上記放電電極体の上記露出部に上記気中放電を生じる状態において、上記放電電位パッド及びこれに接触する上記放電電位端子と、上記別電位パッド及びこれに接触する上記別電位端子との間の、上記セラミック体の表面に沿ったセラミック体沿面距離、及び上記セパレータの表面に沿ったセパレータ沿面距離が、いずれも火花放電が生じない大きさである形態及び配置とされてなる
微粒子センサ。 - 請求項1に記載の微粒子センサであって、
前記セラミック体は、少なくとも自身の前記後端側部において2つの主面を有する板状であり、
前記放電電位パッドは、上記2つの主面のうち、一方の主面上に形成され、
前記別電位パッドは、他方の主面上に形成されてなる
微粒子センサ。 - 請求項2に記載の微粒子センサであって、
前記放電電位パッドと前記別電位パッドとは、前記セラミック体の前記長手方向に互いに離間して配置され、
前記セパレータは、
上記長手方向に並ぶ、前記放電電位端子を保持する第1セパレータと、前記別電位端子を保持する第2セパレータとを含む
微粒子センサ。 - 請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の微粒子センサであって、
前記別電位とされる前記別電位端子として、
第1ヒータ電位とされる第1ヒータ端子、及び、
第2ヒータ電位とされる第2ヒータ端子を有し、
上記別電位端子を自身の端部に含む前記別電位リード線として、
上記第1ヒータ端子を自身の端部に含む第1ヒータリード線、及び、
上記第2ヒータ端子を自身の端部に含む第2ヒータリード線を備え、
前記セラミック構造体は、
上記別電位端子が接触する前記別電位パッドとして、
上記第1ヒータ端子が接触する第1ヒータパッド、及び、
上記第2ヒータ端子が接触する第2ヒータパッドを含み、かつ、
上記第1ヒータパッドに導通し、上記セラミック体内に配置された第1ヒータリード部、
上記第2ヒータパッドに導通し、上記セラミック体内に配置された第2ヒータリード部、及び、
上記セラミック体内に配置され、上記第1ヒータリード部と上記第2ヒータリード部とにそれぞれ導通し、これらの間の通電により発熱して、前記放電電極体の前記露出部を加熱する発熱部を含む、
ヒータ部を有する
微粒子センサ。 - 請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の微粒子センサであって、
捕集電位とされ、前記イオン源で生成された前記イオンのうち、前記微粒子に付着しなかった浮遊イオンを捕集する捕集極と、
前記別電位端子であり、補助電位とされる補助電位端子と、
前記別電位リード線であり、上記補助電位端子を自身の端部に含む補助電位リード線とを備え、
前記セラミック構造体は、
前記別電位パッドであり、前記セラミック体の表面上に形成され、上記補助電位端子が接触する補助電位パッドを含み、かつ、
上記補助電位パッドに導通し、上記セラミック体内に配置された補助電極リード部、及び、
上記補助電極リード部に導通し、上記セラミック体内に配置され、上記補助電位とされて上記捕集極による上記浮遊イオンの捕集を補助する補助電極部を含む、
補助電極体を有する
微粒子センサ。 - 請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の微粒子センサであって、
前記セラミック構造体は、一体焼結により形成されてなる
微粒子センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014001921A JP6225033B2 (ja) | 2014-01-08 | 2014-01-08 | 微粒子センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014001921A JP6225033B2 (ja) | 2014-01-08 | 2014-01-08 | 微粒子センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015129712A JP2015129712A (ja) | 2015-07-16 |
JP6225033B2 true JP6225033B2 (ja) | 2017-11-01 |
Family
ID=53760532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014001921A Expired - Fee Related JP6225033B2 (ja) | 2014-01-08 | 2014-01-08 | 微粒子センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6225033B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10900459B2 (en) * | 2016-12-15 | 2021-01-26 | Denso Corporation | Ignition control system and ignition control device |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6626649B2 (ja) * | 2015-07-17 | 2019-12-25 | 日本特殊陶業株式会社 | 微粒子センサ |
JP6523978B2 (ja) * | 2016-01-22 | 2019-06-05 | 日本特殊陶業株式会社 | 微粒子センサ、及び、微粒子検知システム |
JP6630581B2 (ja) | 2016-02-01 | 2020-01-15 | 日本特殊陶業株式会社 | 微粒子検知システム |
JP6626406B2 (ja) | 2016-05-24 | 2019-12-25 | 日本特殊陶業株式会社 | 微粒子センサ |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009032262A1 (en) * | 2007-08-30 | 2009-03-12 | Ceramatec, Inc. | Ceramic particulate matter sensor with low electrical leakage |
JP5667102B2 (ja) * | 2012-02-21 | 2015-02-12 | 日本特殊陶業株式会社 | 微粒子センサ |
JP5829556B2 (ja) * | 2012-03-15 | 2015-12-09 | 日本特殊陶業株式会社 | 微粒子検知システム |
-
2014
- 2014-01-08 JP JP2014001921A patent/JP6225033B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10900459B2 (en) * | 2016-12-15 | 2021-01-26 | Denso Corporation | Ignition control system and ignition control device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015129712A (ja) | 2015-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6255244B2 (ja) | 微粒子センサ | |
JP6225033B2 (ja) | 微粒子センサ | |
JP6285353B2 (ja) | 微粒子センサ | |
US10401273B2 (en) | Particle detection system | |
JP6523978B2 (ja) | 微粒子センサ、及び、微粒子検知システム | |
JP6412470B2 (ja) | 微粒子センサ | |
JP6196936B2 (ja) | 微粒子検知システム | |
JP6728076B2 (ja) | 微粒子センサ | |
JP2013170950A (ja) | 微粒子検知システム | |
JP6329494B2 (ja) | 微粒子センサ、及び、微粒子検知システム | |
JP6626406B2 (ja) | 微粒子センサ | |
JP6596386B2 (ja) | 微粒子検知システム | |
JP6464050B2 (ja) | 微粒子センサ | |
JP6603612B2 (ja) | 微粒子センサ | |
JP6626649B2 (ja) | 微粒子センサ | |
JP6630581B2 (ja) | 微粒子検知システム | |
JP6454237B2 (ja) | 微粒子センサ | |
JP6397705B2 (ja) | 粒子検知システム | |
JP2017146146A (ja) | 微粒子検知システム | |
JP2017026369A (ja) | 微粒子センサ | |
JP6962763B2 (ja) | 微粒子センサおよび微粒子センサの製造方法 | |
JP2020134351A (ja) | 微粒子センサ | |
JP2018194308A (ja) | 微粒子センサ | |
JP2017129501A (ja) | 微粒子検知システム | |
JP2019052969A (ja) | 微粒子センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170704 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170718 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170912 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171006 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6225033 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |