JP6221585B2 - Vapor deposition mask and method of manufacturing vapor deposition mask - Google Patents

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Description

本発明は、所望のパターンで蒸着を行うために用いられる蒸着マスクに係り、とりわけ、高精細なパターンでの蒸着を精度良く行うことができる蒸着マスクに関する。また、本発明は、高精細なパターンでの蒸着を精度良く行うことができる蒸着マスクの製造方法に関する。   The present invention relates to a vapor deposition mask used for performing vapor deposition with a desired pattern, and more particularly, to a vapor deposition mask capable of performing vapor deposition with a high-definition pattern with high accuracy. The present invention also relates to a method for manufacturing a vapor deposition mask capable of performing vapor deposition with a high-definition pattern with high accuracy.

従来、所望のパターンで配列された貫通孔を含む蒸着用マスクを用い、所望のパターンで薄膜を形成する方法が知られている。そして、昨今においては、例えば有機ＥＬ表示装置の製造時において有機材料を基板上に蒸着する場合等、極めて高精細なパターンでの蒸着を精度良く行うことが要望されている。なお、蒸着用マスクは、一般的に、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングによって金属板に貫通孔を形成することにより、製造され得る。   2. Description of the Related Art Conventionally, a method of forming a thin film with a desired pattern using a deposition mask including through holes arranged in a desired pattern is known. In recent years, for example, when an organic material is vapor-deposited on a substrate at the time of manufacturing an organic EL display device, it is desired to perform vapor deposition with an extremely high-definition pattern with high accuracy. In general, the evaporation mask can be manufactured by forming a through hole in a metal plate by etching using a photolithography technique.

一方、特許文献１では、金属層とめっき層とを有した蒸着マスクを次のようにして製造することが提案されている。まず、レジストパターンをマスクとして、金属板の一方の面上にめっき層を所望のパターンで形成する。次に、金属板の他方の面に形成されたレジストパターンをマスクとして、当該金属板を他方の面からエッチングして貫通孔を形成する。図１２に示すように、特許文献１に開示された製造方法で製造された蒸着マスク１２０において、貫通孔１２５は、めっき層１４０のパターンにて画成される。フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングは、深さ方向だけでなく金属板１３５の板面に沿った方向への浸食（サイドエッチング）を必然的にともなう。したがって、エッチングのみによって金属板に貫通孔を形成した蒸着マスクと比較して、特許文献１の製造方法で製造された蒸着マスク１２０では、貫通孔１３０を高精細に形成することができる。   On the other hand, Patent Document 1 proposes manufacturing a vapor deposition mask having a metal layer and a plating layer as follows. First, a plating layer is formed in a desired pattern on one surface of a metal plate using a resist pattern as a mask. Next, using the resist pattern formed on the other surface of the metal plate as a mask, the metal plate is etched from the other surface to form a through hole. As shown in FIG. 12, in the vapor deposition mask 120 manufactured by the manufacturing method disclosed in Patent Document 1, the through hole 125 is defined by the pattern of the plating layer 140. Etching using a photolithography technique necessarily involves erosion (side etching) in the direction along the plate surface of the metal plate 135 as well as in the depth direction. Therefore, compared with the vapor deposition mask in which the through hole is formed in the metal plate only by etching, the vapor deposition mask 120 manufactured by the manufacturing method of Patent Document 1 can form the through hole 130 with high definition.

特開２００５−３１４７８７号公報JP 2005-314787 A

図１２に示すように、特許文献１の製造方法で製造された蒸着マスクは、めっき層が蒸着処理を施される被処理基板１９２に対面するようにして配置される。しかしながら、めっき層の表面は、厳密には平坦とはならい。電気めっきにおいては、電気力線がめっきエリアの外周部に集中する。このため、めっき膜厚がめっきエリアの外周部で相対的に厚く、中央部で薄くなる傾向が生じる。したがって、図１４に示すように、厚み方向に沿った断面における二つの貫通孔の間に位置するめっき層１４０の一部分の中において、両側が厚くなる。また、１枚の蒸着マスクにおいては、外周部に位置するめっき層が厚くなる。めっき層の膜厚分布を均一化するための様々な工夫もされているが、めっき層の膜厚を完全に均一にすることは現状不可能である。   As shown in FIG. 12, the vapor deposition mask manufactured by the manufacturing method of patent document 1 is arrange | positioned so that a plating layer may face the to-be-processed substrate 192 to which a vapor deposition process is performed. However, strictly speaking, the surface of the plating layer is not flat. In electroplating, lines of electric force concentrate on the outer periphery of the plating area. For this reason, the plating film thickness tends to be relatively thick at the outer peripheral portion of the plating area and thin at the central portion. Therefore, as shown in FIG. 14, both sides are thick in a part of the plating layer 140 located between the two through holes in the cross section along the thickness direction. Moreover, in one vapor deposition mask, the plating layer located in an outer peripheral part becomes thick. Various attempts have been made to make the film thickness distribution of the plating layer uniform, but it is currently impossible to make the film thickness of the plating layer completely uniform.

そして、厚さの均一性に欠けるめっき層のみを介して蒸着マスクが被処理基板に接触すると、蒸着マスクと被処理基板との相対位置関係が安定しない。例えば、蒸着マスクが、局所的に、被処理基板に対して傾斜する或いは被処理基板との間に隙間を形成する。特に、一枚の蒸着マスク内において、めっき層の厚みがばらつくと、被処理基板に接する面が同一平面でなくなるので、蒸着マスクと被処理基板との間の隙間が顕著となる。この場合、高精細なパターンでの蒸着を精度良く行うことはできない困難となる。   And if a vapor deposition mask contacts a to-be-processed substrate only through the plating layer lacking in the uniformity of thickness, the relative positional relationship of a vapor deposition mask and a to-be-processed substrate will not be stabilized. For example, the evaporation mask is locally inclined with respect to the substrate to be processed or a gap is formed between the evaporation mask and the substrate to be processed. In particular, if the thickness of the plating layer varies within a single vapor deposition mask, the surface in contact with the substrate to be processed is not coplanar, and the gap between the vapor deposition mask and the substrate to be processed becomes significant. In this case, it becomes difficult to perform high-definition pattern deposition with high accuracy.

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、高精細なパターンでの蒸着を精度良く行うことができる蒸着マスク、並びに、高精細なパターンでの蒸着を精度良く行うことができる蒸着マスクの製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and a deposition mask capable of performing deposition with a high-definition pattern with high accuracy, and performing deposition with a high-definition pattern with high accuracy. It aims at providing the manufacturing method of the vapor deposition mask which can be performed.

ところで、本件発明者らが特許文献１に開示された蒸着マスクの製造方法およびこの製造方法によって得られる蒸着マスクについて、検討を重ねたところ、次の不具合が生じ得ることが知見された。   By the way, when the inventors of the present invention have repeatedly studied the method for manufacturing a vapor deposition mask disclosed in Patent Document 1 and the vapor deposition mask obtained by the method, it has been found that the following problems may occur.

蒸着処理において、蒸着材料は、蒸着マスクの板面への法線方向（以下、厚み方向とも呼ぶ）だけでなく、厚み方向に対して傾斜した方向にも進む。一方、特許文献１では、めっき層が、レジストパターンを利用して形成される。したがって、めっき層の断面形状は矩形形状となり、めっき層は、正面方向に切り立った側面を有するようになる。したがって、めっき層近傍となる被処理基板上の領域、言い換えると、蒸着マスクの貫通孔の周縁近傍に対面する被処理基板上の領域には、十分な量の蒸着材料が到達しにくくなる。この現象は、シャドウとも呼ばれ、予定した蒸着領域内で蒸着膜の膜厚が大きく変動する、さらには、予定した蒸着領域の周縁部に蒸着材料を付着させることができない、言い換えると所望のパターンでの蒸着を行うことができないといった不具合として現れる。   In the vapor deposition process, the vapor deposition material proceeds not only in a normal direction to the plate surface of the vapor deposition mask (hereinafter also referred to as a thickness direction) but also in a direction inclined with respect to the thickness direction. On the other hand, in patent document 1, a plating layer is formed using a resist pattern. Therefore, the cross-sectional shape of the plating layer is a rectangular shape, and the plating layer has side surfaces that are sharp in the front direction. Therefore, it is difficult for a sufficient amount of the vapor deposition material to reach a region on the substrate to be processed in the vicinity of the plating layer, in other words, a region on the substrate to be processed that faces the vicinity of the periphery of the through hole of the vapor deposition mask. This phenomenon is also called a shadow, and the film thickness of the deposited film fluctuates greatly within the planned deposition area. Further, the deposition material cannot be attached to the peripheral edge of the planned deposition area, in other words, a desired pattern. It appears as a problem that vapor deposition cannot be performed.

また、特許文献１の製造方法において、めっき層の厚みは、めっき層を形成する工程の条件によって変動する。めっき層の厚みが異なれば、同一の条件で蒸着処理を行っても、同様の成膜を行うことができなくなる。すなわち、ロット間で蒸着膜の構成が異なってしまうといった不具合が生じる。   Moreover, in the manufacturing method of patent document 1, the thickness of a plating layer changes with the conditions of the process of forming a plating layer. If the thickness of the plating layer is different, the same film formation cannot be performed even if the vapor deposition process is performed under the same conditions. That is, the problem that the structure of a vapor deposition film differs between lots arises.

さらに、めっき層の厚みが、局所的または全体的に厚くなると、シャドウの問題が生じる。   Further, when the thickness of the plating layer is locally or entirely thick, a shadow problem occurs.

本件発明が、これらの不具合にも対処することができれば好ましい。   It is preferable that the present invention can cope with these problems.

本発明による第１の蒸着マスクは、
第１金属層と、
厚み方向における一方の側から前記第１金属層に積層された第２金属層と、を備え、
前記第１金属層及び前記第２金属層を貫通する複数の貫通孔が形成され、
隣り合う二つの貫通孔を横切る厚み方向に沿った断面において、前記第２金属層のうちの前記二つの貫通孔の間に位置する部分の前記一方の側を向く一側面は、両端において、厚み方向における最も一方の側に位置し、且つ、前記両端の間の少なくとも一部分において、厚み方向における他方の側へ凹んでいる。 The first vapor deposition mask according to the present invention comprises:
A first metal layer;
A second metal layer laminated on the first metal layer from one side in the thickness direction,
A plurality of through holes penetrating the first metal layer and the second metal layer are formed,
In a cross section along the thickness direction crossing two adjacent through holes, one side surface of the second metal layer facing the one side of the portion located between the two through holes has a thickness at both ends. It is located on the most one side in the direction and is recessed to the other side in the thickness direction in at least a part between the both ends.

本発明による第２の蒸着マスクは、
第１金属層及び
厚み方向における一方の側から前記第１金属層に積層された第２金属層と、を備え、
前記第１金属層及び前記第２金属層を貫通する複数の貫通孔が形成され、
隣り合う二つの貫通孔を横切る厚み方向に沿った断面において、前記第２金属層のうちの前記二つの貫通孔の間に位置する部分の前記他方の側を向く他側面は、前記他方の側に膨出した面となっている。 The second vapor deposition mask according to the present invention comprises:
A first metal layer and a second metal layer laminated on the first metal layer from one side in the thickness direction,
A plurality of through holes penetrating the first metal layer and the second metal layer are formed,
In the cross section along the thickness direction crossing two adjacent through holes, the other side surface of the second metal layer facing the other side of the portion located between the two through holes is the other side. It has a bulging surface.

本発明による第３の蒸着マスクは、
第１金属層及び
厚み方向における一方の側から前記第１金属層に積層された第２金属層と、を備え、
前記第１金属層及び前記第２金属層を貫通する複数の貫通孔が形成され、
隣り合う二つの貫通孔を横切る厚み方向に沿った断面において、前記第２金属層のうちの前記二つの貫通孔の間に位置する部分の前記他方の側を向く他側面は、その両端をそれぞれ含む一対の端部領域において、前記第１金属層に覆われることなく前記貫通孔の内面を形成している。 A third vapor deposition mask according to the present invention comprises:
A first metal layer and a second metal layer laminated on the first metal layer from one side in the thickness direction,
A plurality of through holes penetrating the first metal layer and the second metal layer are formed,
In the cross section along the thickness direction crossing two adjacent through holes, the other side surfaces of the second metal layer facing the other side of the portion located between the two through holes are respectively connected to both ends thereof. The inner surface of the through hole is formed without being covered with the first metal layer in a pair of end regions including the first end region.

本発明による第４の蒸着マスクは、
第１金属層及び
厚み方向における一方の側から前記第１金属層に積層された第２金属層と、を備え、
前記第１金属層及び前記第２金属層を貫通する複数の貫通孔が形成され、
隣り合う二つの貫通孔を横切る厚み方向に沿った断面において、前記第２金属層の前記二つの貫通孔の間に位置する部分は、その両端において厚み方向における最も一方の側に位置するよう、少なくとも一部分において湾曲している。 A fourth vapor deposition mask according to the present invention comprises:
A first metal layer and a second metal layer laminated on the first metal layer from one side in the thickness direction,
A plurality of through holes penetrating the first metal layer and the second metal layer are formed,
In the cross section along the thickness direction crossing two adjacent through holes, the portion located between the two through holes of the second metal layer is located on the most one side in the thickness direction at both ends thereof. Curved at least in part.

本発明による第１〜４の蒸着マスクのいずれかにおいて、前記一側面は、両端をそれぞれ画成する一対の外側面と、一対の外側面の間に位置し且つ厚み方向における他方の側へ凹んだ凹面と、を含むようにしてもよい。   In any one of the first to fourth vapor deposition masks according to the present invention, the one side surface is located between a pair of outer surfaces that define both ends, and the pair of outer surfaces, and is recessed to the other side in the thickness direction. And a concave surface.

本発明による第１〜４の蒸着マスクのいずれかにおいて、前記一対の外側面は、厚さ方向に直交する同一仮想平面上に位置していてもよい。   In any one of the first to fourth vapor deposition masks according to the present invention, the pair of outer surfaces may be located on the same virtual plane orthogonal to the thickness direction.

本発明による第１〜４の蒸着マスクのいずれかにおいて、隣り合う二つの貫通孔を横切る厚み方向に沿った断面において、前記第２金属層のうちの前記二つの貫通孔の間に位置する部分の前記他方の側を向く他側面は、前記他方の側に膨出した面となっていてもよい。   In any one of the first to fourth vapor deposition masks according to the present invention, a portion located between the two through holes in the second metal layer in a cross section along the thickness direction across two adjacent through holes. The other side surface facing the other side may be a surface bulging to the other side.

本発明による第１〜４の蒸着マスクのいずれかにおいて、隣り合う二つの貫通孔を横切る厚み方向に沿った断面において、前記第２金属層のうちの前記二つの貫通孔の間に位置する部分の前記他方の側を向く他側面は、その両端をそれぞれ含む一対の端部領域において、前記第１金属層に覆われることなく前記貫通孔の内面を形成していてもよい。   In any one of the first to fourth vapor deposition masks according to the present invention, a portion located between the two through holes in the second metal layer in a cross section along the thickness direction across two adjacent through holes. The other side surface facing the other side may form the inner surface of the through hole without being covered with the first metal layer in a pair of end region including both ends thereof.

本発明による第１〜４の蒸着マスクのいずれかにおいて、隣り合う二つの貫通孔を横切る厚み方向に沿った断面において、前記端部領域内の前記他側面は、対応する側の端に接近するにつれて、厚み方向における前記他方の側から前記一方の側へ向かうようにしてもよい。   In any one of the first to fourth vapor deposition masks according to the present invention, in the cross section along the thickness direction crossing two adjacent through holes, the other side surface in the end region approaches the end on the corresponding side. Accordingly, the direction from the other side in the thickness direction may be directed to the one side.

本発明による第１〜４の蒸着マスクのいずれかにおいて、前記第１金属層は、厚み方向に沿った断面において前記貫通孔内に突出した周状の張り出し部を、当該貫通孔の内面を形成する部分の厚み方向における前記一方の側の端部と前記他方の側の端部との間に含むようにしてもよい。   In any one of the first to fourth vapor deposition masks according to the present invention, the first metal layer forms a circumferential projecting portion protruding into the through hole in a cross section along the thickness direction, and forms an inner surface of the through hole. You may make it include between the edge part of the said one side in the thickness direction of the part to carry out, and the edge part of the said other side.

本発明による蒸着マスクの製造方法は、
金属板の一方の側の面上に形成されたレジストパターンをマスクとして前記一方の側の面から前記金属板をエッチングして凹部を形成する工程と、
前記レジストパターンが設けられた状態の前記金属板を前記一方の側からめっきして前記凹部の表面上にめっき層を形成する工程と、
前記金属板の他方の側の面上に形成されたレジストパターンをマスクとして前記他方の側の面から前記金属板をエッチングする工程と、を備える。 The method of manufacturing a vapor deposition mask according to the present invention includes:
Etching the metal plate from the surface on the one side using the resist pattern formed on the surface on one side of the metal plate as a mask, and forming a recess;
Plating the metal plate provided with the resist pattern from the one side to form a plating layer on the surface of the recess; and
Etching the metal plate from the surface on the other side using a resist pattern formed on the surface on the other side of the metal plate as a mask.

本発明による蒸着マスクの製造方法の前記他方の側の面から前記金属板をエッチングする工程において、前記金属板に貫通孔を形成してもよい。   In the step of etching the metal plate from the surface on the other side of the method for manufacturing a vapor deposition mask according to the present invention, a through hole may be formed in the metal plate.

本発明による蒸着マスクの製造方法は、
前記金属板の一方の側の面上に形成された前記レジストパターンを除去する工程と、
前記金属板の前記一方の側の面から前記レジストパターンが除去された後に、前記金属板の一方の側の面上に形成された前記めっき層をマスクとして前記一方の側から前記金属板をエッチングする工程と、をさらに備えるようにしてもよい。 The method of manufacturing a vapor deposition mask according to the present invention includes:
Removing the resist pattern formed on one side of the metal plate;
After the resist pattern is removed from the surface on the one side of the metal plate, the metal plate is etched from the one side using the plating layer formed on the surface on the one side of the metal plate as a mask. And a step of performing.

本発明の蒸着マスク、並びに、本発明の蒸着マスクの製造方法によって製造された蒸着マスクによれば、高精細なパターンでの蒸着を精度良く行うことができる。   According to the vapor deposition mask of the present invention and the vapor deposition mask manufactured by the vapor deposition mask manufacturing method of the present invention, it is possible to perform vapor deposition with a high-definition pattern with high accuracy.

図１は、本発明の一実施の形態を説明するための図であって、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例を示す概略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing an embodiment of the present invention and showing an example of a vapor deposition mask device including a vapor deposition mask. 図２は、図１に示す蒸着マスク装置を用いて蒸着する方法を説明するための図である。FIG. 2 is a view for explaining a method of vapor deposition using the vapor deposition mask apparatus shown in FIG. 図３は、図１に示された蒸着マスクを示す部分平面図である。FIG. 3 is a partial plan view showing the vapor deposition mask shown in FIG. 図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 図５は、蒸着マスクの製造方法の一例を説明するための図であって、図４に対応する断面を示す図である。FIG. 5 is a view for explaining an example of a method for manufacturing a vapor deposition mask, and is a view showing a cross section corresponding to FIG. 4. 図６は、蒸着マスクの製造方法の一例を説明するための図であって、図４に対応する断面を示す図である。FIG. 6 is a view for explaining an example of a method for manufacturing a vapor deposition mask, and is a view showing a cross section corresponding to FIG. 4. 図７は、蒸着マスクの製造方法の一例を説明するための図であって、図４に対応する断面を示す図である。FIG. 7 is a view for explaining an example of a method for manufacturing a vapor deposition mask, and is a view showing a cross section corresponding to FIG. 4. 図８は、蒸着マスクの製造方法の一例を説明するための図であって、図４に対応する断面を示す図である。FIG. 8 is a view for explaining an example of a method for manufacturing a vapor deposition mask, and is a view showing a cross section corresponding to FIG. 4. 図９は、蒸着マスクの製造方法の一例を説明するための図であって、図４に対応する断面を示す図である。FIG. 9 is a view for explaining an example of a method for manufacturing a vapor deposition mask, and is a view showing a cross section corresponding to FIG. 4. 図１０は、蒸着マスクの製造方法の一変形例を説明するための図であって、図４に対応する断面を示す図である。FIG. 10 is a view for explaining a modified example of the method for manufacturing the vapor deposition mask, and is a view showing a cross section corresponding to FIG. 4. 図１１は、蒸着マスクの製造方法の一変形例を説明するための図であって、図４に対応する断面を示す図である。FIG. 11 is a view for explaining a modified example of the method of manufacturing the vapor deposition mask, and is a view showing a cross section corresponding to FIG. 4. 図１２は、図４に対応する図であって、従来の蒸着マスクを示す図である。FIG. 12 is a view corresponding to FIG. 4 and showing a conventional vapor deposition mask. 図１３は、図８に対応する図であって、図１２の蒸着マスクを説明するための図である。FIG. 13 is a view corresponding to FIG. 8 and for explaining the vapor deposition mask of FIG. 図１４は、図１１に対応する図であって、図１２の蒸着マスクを説明するための図である。FIG. 14 is a diagram corresponding to FIG. 11 for explaining the vapor deposition mask of FIG. 図１５（ａ）は、図１１の前の状態を示す図であり、図１５（ｂ）は、図１４の前の状態を示す図である。FIG. 15A is a diagram showing the state before FIG. 11, and FIG. 15B is a diagram showing the state before FIG.

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings attached to the present specification, for the sake of illustration and ease of understanding, the scale, the vertical / horizontal dimension ratio, and the like are appropriately changed and exaggerated from those of the actual product.

図１〜図９は本発明による一実施の形態を説明するための図である。以下の実施の形態およびその変形例では、有機ＥＬディスプレイ装置を製造する際に有機発光材料を所望のパターンでガラス基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスクの製造方法を例にあげて説明する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられる蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法に対し、本発明を適用することができる。   FIGS. 1-9 is a figure for demonstrating one Embodiment by this invention. In the following embodiments and modifications thereof, a method for manufacturing a vapor deposition mask used for patterning an organic light emitting material on a glass substrate in a desired pattern when manufacturing an organic EL display device will be described as an example. . However, the present invention is not limited to such an application, and the present invention can be applied to a vapor deposition mask used for various purposes and a method for manufacturing the vapor deposition mask.

なお、本明細書において、「板」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念であり、したがって、例えば「金属板」は、「金属シート」や「金属フィルム」と呼ばれる部材と呼称の違いのみにおいて区別され得ない。   In the present specification, the terms “plate”, “sheet”, and “film” are not distinguished from each other only based on the difference in names. For example, “a plate” is a concept that includes a member that can be called a sheet or a film. Therefore, for example, a “metal plate” is distinguished from a member called “a metal sheet” or “a metal film” only by a difference in the name. Can't be done.

また、「板面（シート面、フィルム面）」とは、対象となる板状（シート状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となる板状部材（シート状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。また、板状（シート状、フィルム状）の部材に対して用いる法線方向とは、当該部材の板面（シート面、フィルム面）に対する法線方向のことを指す。   In addition, “plate surface (sheet surface, film surface)” means a target plate-like member (sheet-like) when the target plate-like (sheet-like, film-like) member is viewed as a whole and globally. It refers to the surface that coincides with the plane direction of the member or film-like member. Moreover, the normal direction used with respect to a plate-like (sheet-like, film-like) member refers to the normal direction with respect to the plate | board surface (sheet surface, film surface) of the said member.

さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。   Furthermore, as used in this specification, the shape and geometric conditions and the degree thereof are specified. For example, terms such as “parallel”, “orthogonal”, “identical”, length and angle values, etc. Without being bound by meaning, it should be interpreted including the extent to which similar functions can be expected.

まず、製造方法対象となる蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例について、主に図１〜図４を参照して説明する。ここで、図１は、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例を示す斜視図であり、図２は、図１に示す蒸着マスク装置の使用方法を説明するための図である。図３は、蒸着マスクを示す平面図であり、図４は、蒸着マスクの縦断面図である。   First, an example of a vapor deposition mask device including a vapor deposition mask to be a manufacturing method will be described mainly with reference to FIGS. Here, FIG. 1 is a perspective view showing an example of a vapor deposition mask apparatus including a vapor deposition mask, and FIG. 2 is a view for explaining a method of using the vapor deposition mask apparatus shown in FIG. FIG. 3 is a plan view showing the vapor deposition mask, and FIG. 4 is a longitudinal sectional view of the vapor deposition mask.

蒸着マスク装置１０は、フレーム１５と、フレーム１５に架張された（張った状態で固定された）蒸着マスク２０と、を有している。蒸着マスク２０は、平板状に形成され、一対の主面として厚み方向における一方の側に位置する第１面２０ａ及び他方の側に位置する第２面２０ｂを有している。蒸着マスク２０には、第１面２０ａと第２面２０ｂとの間を貫通する多数の貫通孔２５が形成されている。この蒸着マスク装置１０は、図２に示すように、蒸着マスク２０の第１面２０ａが、蒸着処理を施される被処理基板、例えばガラス基板９２に対面するようにして蒸着装置９０内に支持され、基板への蒸着材料の蒸着に使用される。   The vapor deposition mask device 10 includes a frame 15 and a vapor deposition mask 20 that is stretched around the frame 15 (fixed in a stretched state). The vapor deposition mask 20 is formed in a flat plate shape, and has a first surface 20a located on one side in the thickness direction and a second surface 20b located on the other side as a pair of main surfaces. The vapor deposition mask 20 has a large number of through holes 25 penetrating between the first surface 20a and the second surface 20b. As shown in FIG. 2, the vapor deposition mask device 10 is supported in the vapor deposition device 90 such that the first surface 20a of the vapor deposition mask 20 faces a substrate to be processed, for example, a glass substrate 92. And used to deposit a deposition material on a substrate.

なお、厚み方向とは、蒸着マスク２０の板面への法線方向である。そして、本実施の形態の説明において、厚み方向における一方の側とは、蒸着マスク２０を蒸着処理に使用する際に、ガラス基板９２に対面する側であり、厚み方向における他方の側とは、蒸着マスク２０を蒸着処理に使用する際に、ガラス基板９２とは反対側（つまり、るつぼ９４の側）を向く側である。   The thickness direction is a normal direction to the plate surface of the vapor deposition mask 20. In the description of the present embodiment, the one side in the thickness direction is the side facing the glass substrate 92 when the vapor deposition mask 20 is used for the vapor deposition treatment, and the other side in the thickness direction is When the vapor deposition mask 20 is used for vapor deposition, it is the side facing the side opposite to the glass substrate 92 (that is, the crucible 94 side).

蒸着装置９０内では、不図示の磁石からの磁力によって、蒸着マスク２０とガラス基板９２とが密着するようになる。蒸着装置９０内には、この蒸着マスク装置１０を挟んだガラス基板９２の下方に、蒸着材料（一例として、有機発光材料）９８を収容するるつぼ９４と、るつぼ９４を加熱するヒータ９６とが配置されている。るつぼ９４内の蒸着材料９８は、ヒータ９６からの加熱により、気化または昇華してガラス基板９２の表面に付着するようになる。上述したように、蒸着マスク２０には多数の貫通孔２５が形成されており、蒸着材料９８はこの貫通孔２５を介してガラス基板９２に付着する。この結果、蒸着マスク２０の貫通孔２５の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８がガラス基板９２の表面に成膜される。   In the vapor deposition apparatus 90, the vapor deposition mask 20 and the glass substrate 92 come into close contact by a magnetic force from a magnet (not shown). In the vapor deposition apparatus 90, a crucible 94 for accommodating a vapor deposition material (for example, an organic light emitting material) 98 and a heater 96 for heating the crucible 94 are disposed below the glass substrate 92 sandwiching the vapor deposition mask apparatus 10. Has been. The vapor deposition material 98 in the crucible 94 is vaporized or sublimated by heating from the heater 96 and adheres to the surface of the glass substrate 92. As described above, a large number of through holes 25 are formed in the vapor deposition mask 20, and the vapor deposition material 98 adheres to the glass substrate 92 through the through holes 25. As a result, the vapor deposition material 98 is formed on the surface of the glass substrate 92 in a desired pattern corresponding to the position of the through hole 25 of the vapor deposition mask 20.

図１に示すように、本実施の形態において、蒸着マスク２０は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。蒸着マスク２０は、規則的な配列で貫通孔２５が形成された有効領域２２と、有効領域２２を取り囲む周囲領域２３と、を含んでいる。周囲領域２３は、有効領域２２を支持するための領域であり、基板へ蒸着されることを意図された蒸着材料が通過する領域ではない。例えば、有機ＥＬディスプレイ装置用の有機発光材料の蒸着に用いられる蒸着マスク２０においては、有効領域２２は、有機発光材料が蒸着して画素を形成するようになる基板（ガラス基板９２）上の区域、すなわち、作製された有機ＥＬディスプレイ装置用基板の表示面をなすようになる基板上の区域に対面する、蒸着マスク２０内の領域のことである。ただし、種々の目的から、周囲領域２３に貫通孔や凹部が形成されていてもよい。図１に示された例において、各有効領域２２は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。   As shown in FIG. 1, in the present embodiment, the vapor deposition mask 20 has a substantially rectangular shape in a plan view, more precisely, a substantially rectangular shape in a plan view. The vapor deposition mask 20 includes an effective area 22 in which the through holes 25 are formed in a regular arrangement, and a surrounding area 23 surrounding the effective area 22. The surrounding area 23 is an area for supporting the effective area 22 and is not an area through which a deposition material intended to be deposited on the substrate passes. For example, in the vapor deposition mask 20 used for vapor deposition of the organic light emitting material for the organic EL display device, the effective region 22 is a region on the substrate (glass substrate 92) where the organic light emitting material is deposited to form a pixel. That is, it is a region in the vapor deposition mask 20 that faces an area on the substrate that forms the display surface of the produced substrate for the organic EL display device. However, through holes and recesses may be formed in the peripheral region 23 for various purposes. In the example shown in FIG. 1, each effective region 22 has a substantially rectangular shape in plan view, more precisely, a substantially rectangular shape in plan view.

図示された例において、複数の有効領域２２は、蒸着マスク２０の一辺と平行な一方向に沿って所定の間隔を空けて配置されるとともに、前記一方向と直交する他方向に沿って所定の間隔を空けて配置されている。図示された例では、一つの有効領域２２が一つの有機ＥＬディスプレイ装置に対応するようになっている。すなわち、図１に示された蒸着マスク装置１０（蒸着マスク２０）によれば、多面付蒸着が可能となっている。ただし、図示された例に限られず、蒸着マスク２０が、一方向に沿って一列に配列された複数の有効領域２２を含み、且つ、蒸着マスク装置１０が、その長手方向（一方向）に直交する方向に配列されてフレーム１５に取り付けられた複数の蒸着マスク２０を有するようにしてもよい。   In the illustrated example, the plurality of effective regions 22 are arranged at a predetermined interval along one direction parallel to one side of the vapor deposition mask 20 and have a predetermined value along another direction orthogonal to the one direction. They are spaced apart. In the illustrated example, one effective area 22 corresponds to one organic EL display device. That is, according to the vapor deposition mask apparatus 10 (deposition mask 20) shown in FIG. 1, vapor deposition with multiple surfaces is possible. However, not limited to the illustrated example, the vapor deposition mask 20 includes a plurality of effective regions 22 arranged in a line along one direction, and the vapor deposition mask apparatus 10 is orthogonal to the longitudinal direction (one direction). A plurality of vapor deposition masks 20 arranged in the direction to be attached and attached to the frame 15 may be provided.

図３に示すように、図示された例において、各有効領域２２に形成された複数の貫通孔２５は、格子配列にて配列されている。すなわち、複数の貫通孔２５は、当該有効領域２２において、互いに直交する二方向に沿って、すなわち図３におけるｘ軸方向およびｙ軸方向に沿って、それぞれ所定のピッチで配列されている。図３に示された例では、ｙ軸方向に隣り合う二つの貫通孔２５の離間間隔が、ｘ軸方向に隣り合う二つの貫通孔２５の離間間隔よりも狭くなっている。したがって、図示された蒸着マスク２０を用いた蒸着処理では、ｘ軸方向よりもｙ軸方向に沿って蒸着材料を高精度に付着させていくことの方が、難易度が高くなる。   As shown in FIG. 3, in the illustrated example, the plurality of through holes 25 formed in each effective region 22 are arranged in a lattice arrangement. That is, the plurality of through holes 25 are arranged at predetermined pitches in the effective region 22 along two directions orthogonal to each other, that is, along the x-axis direction and the y-axis direction in FIG. In the example shown in FIG. 3, the spacing between the two through holes 25 adjacent in the y-axis direction is narrower than the spacing between the two through holes 25 adjacent in the x-axis direction. Therefore, in the vapor deposition process using the illustrated vapor deposition mask 20, it is more difficult to attach the vapor deposition material along the y-axis direction with higher accuracy than in the x-axis direction.

図３及び図４に示すように、蒸着マスク２０は、第１金属層３０と、厚み方向における一方の側から第１金属層３０に積層された第２金属層４０と、を含んでいる。第１金属層３０は、金属製薄板である金属板３５からなる層であり、互いに対向する第１面３０ａ及び第２面３０ｂを有している。第１金属層３０の第１面３０ａは、厚み方向における一方の側を向き、第１金属層３０の第２面３０ｂは、厚み方向における他方の側を向いている。一方、第２金属層４０は、多数の孔４１を画成するパターンにて、第１金属層３０の第１面３０ａ上に設けられている。後述する製造方法において、第２金属層４０は、めっき処理によって、形成される。   As shown in FIGS. 3 and 4, the vapor deposition mask 20 includes a first metal layer 30 and a second metal layer 40 laminated on the first metal layer 30 from one side in the thickness direction. The 1st metal layer 30 is a layer which consists of the metal plate 35 which is a metal thin plate, and has the 1st surface 30a and the 2nd surface 30b which mutually oppose. The first surface 30a of the first metal layer 30 faces one side in the thickness direction, and the second surface 30b of the first metal layer 30 faces the other side in the thickness direction. On the other hand, the second metal layer 40 is provided on the first surface 30 a of the first metal layer 30 in a pattern that defines a large number of holes 41. In the manufacturing method described later, the second metal layer 40 is formed by plating.

第１金属層３０には、第２金属層４０の各孔４１に通じる孔３１が形成されている。第１金属層３０の孔３１及び第２金属層４０の孔４１が接続することにより、貫通孔２５が形成されている。図４に示すように、図示された例では、一つの貫通孔２５に対して、孔３１及び孔４１がそれぞれ一つずつ形成されている。すなわち、一つの孔３１と、当該孔３１に対応して設けられた孔４１とが接続することにより、各貫通孔２５が形成されている。なお、後述する製造方法において、第１金属層３０の孔３１は、金属板３５の第２面３５ｂ上に形成されたレジストパターン６２をマスクとして、第２面３５ｂの側から金属板３５をエッチングすることにより形成される。   The first metal layer 30 is formed with holes 31 that communicate with the holes 41 of the second metal layer 40. The through hole 25 is formed by connecting the hole 31 of the first metal layer 30 and the hole 41 of the second metal layer 40. As shown in FIG. 4, in the illustrated example, one hole 31 and one hole 41 are formed for each through-hole 25. That is, each through hole 25 is formed by connecting one hole 31 and a hole 41 provided corresponding to the hole 31. In the manufacturing method described later, the holes 31 of the first metal layer 30 are etched from the second surface 35b side using the resist pattern 62 formed on the second surface 35b of the metal plate 35 as a mask. It is formed by doing.

図３は、厚み方向における他方の側から蒸着マスク２０を示す平面図である。第１金属層３０に形成された孔３１の大きさは、第２金属層４０に形成された孔４１の大きさよりも大きくなっている。とりわけ図３に示すように、厚み方向からの観察において、孔３１の内周縁３１ａは、孔４１の内周縁４１ａから離間して内周縁４１ａの外方を延びている。すなわち、厚み方向からの観察において、孔３１の内周縁３１ａは、孔４１の内周縁４１ａを内包している。したがって、図３に示すように、厚み方向における他方の側から蒸着マスク２０を観察した場合、第２金属層４０が、貫通孔２５内に、周状に観察されるようになる。   FIG. 3 is a plan view showing the vapor deposition mask 20 from the other side in the thickness direction. The size of the hole 31 formed in the first metal layer 30 is larger than the size of the hole 41 formed in the second metal layer 40. In particular, as shown in FIG. 3, in observation from the thickness direction, the inner peripheral edge 31 a of the hole 31 is spaced apart from the inner peripheral edge 41 a of the hole 41 and extends outward from the inner peripheral edge 41 a. That is, in observation from the thickness direction, the inner peripheral edge 31 a of the hole 31 includes the inner peripheral edge 41 a of the hole 41. Therefore, as shown in FIG. 3, when the vapor deposition mask 20 is observed from the other side in the thickness direction, the second metal layer 40 is observed circumferentially in the through hole 25.

一方、図４は、隣り合う二つの貫通孔２５を横切る厚み方向に沿った蒸着マスク２０の断面図である。具体的には、図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った蒸着マスク２０の断面図である。図４に示すように、厚み方向における他方の側から一方の側へ向けて、すなわち、蒸着マスク２０の第２面２０ｂの側から第１面２０ａの側へ向けて、厚み方向に沿った各位置における蒸着マスク２０の板面に沿った断面での各孔３１の断面積は、しだいに小さくなっていく。言い換えると、厚み方向に沿った断面において、厚み方向に沿った各位置における蒸着マスク２０の板面に沿った各孔３１の幅は、蒸着マスク２０の第２面２０ｂの側から第１面２０ａの側に向けて、しだいに小さくなっていく。とりわけ図示された例では、蒸着マスク２０の第２面２０ｂの側から第１面２０ａの側に向け、各孔３１の断面積は、小さくなるように変化し続けている。図４に示すように、孔３１の壁面３１ｂは、その全領域において厚み方向と非平行な方向に延びており、厚み方向に沿った他方の側に向けて露出している。   On the other hand, FIG. 4 is a cross-sectional view of the vapor deposition mask 20 along the thickness direction across two adjacent through holes 25. Specifically, FIG. 4 is a cross-sectional view of the vapor deposition mask 20 taken along line IV-IV in FIG. As shown in FIG. 4, from the other side in the thickness direction toward one side, that is, from the second surface 20b side of the vapor deposition mask 20 toward the first surface 20a, The cross-sectional area of each hole 31 in the cross section along the plate surface of the vapor deposition mask 20 at the position gradually decreases. In other words, in the cross section along the thickness direction, the width of each hole 31 along the plate surface of the vapor deposition mask 20 at each position along the thickness direction is the first surface 20a from the second surface 20b side of the vapor deposition mask 20. It gradually gets smaller toward the side. In particular, in the illustrated example, the cross-sectional area of each hole 31 continues to change so as to decrease from the second surface 20b side of the vapor deposition mask 20 toward the first surface 20a side. As shown in FIG. 4, the wall surface 31 b of the hole 31 extends in a direction non-parallel to the thickness direction in the entire region, and is exposed toward the other side along the thickness direction.

同様に、図４に示すように、厚み方向における他方の側から一方の側へ向けて、すなわち、蒸着マスク２０の第２面２０ｂの側から第１面２０ａの側へ向けて、厚み方向に沿った各位置における蒸着マスク２０の板面に沿った断面での各孔４１の断面積は、しだいに小さくなっていく。言い換えると、厚み方向に沿った断面において、厚み方向に沿った各位置における蒸着マスク２０の板面に沿った各孔４１の幅は、蒸着マスク２０の第２面２０ｂの側から第１面２０ａの側に向けて、しだいに小さくなっていく。とりわけ図示された例では、蒸着マスク２０の第２面２０ｂの側から第１面２０ａの側に向け、各孔４１の断面積は、小さくなるように変化し続けている。図４に示すように、孔４１の壁面４１ｂは、その全領域または端部を除く概ね全領域において厚み方向と非平行な方向に延びており、厚み方向に沿った他方の側に向けて露出している。   Similarly, as shown in FIG. 4, from the other side in the thickness direction toward one side, that is, from the second surface 20b side of the vapor deposition mask 20 toward the first surface 20a in the thickness direction. The cross-sectional area of each hole 41 in the cross section along the plate surface of the vapor deposition mask 20 at each position along the position gradually decreases. In other words, in the cross section along the thickness direction, the width of each hole 41 along the plate surface of the vapor deposition mask 20 at each position along the thickness direction is the first surface 20a from the second surface 20b side of the vapor deposition mask 20. It gradually gets smaller toward the side. In particular, in the illustrated example, the cross-sectional area of each hole 41 continues to change so as to decrease from the second surface 20b side of the vapor deposition mask 20 toward the first surface 20a side. As shown in FIG. 4, the wall surface 41 b of the hole 41 extends in a direction non-parallel to the thickness direction in the entire region or almost the entire region except the end, and is exposed toward the other side along the thickness direction. doing.

図４に示された隣り合う二つの貫通孔２５を横切る厚み方向に沿った断面において、第２金属層４０の二つの貫通孔２５の間に位置する部分は、その両端において厚み方向における最も一方の側に位置するよう、少なくとも一部分において湾曲している。図示された例において、第２金属層４０は、薄い層として形成されており、厚み方向における他方の側に向けて凸となるように、そのほぼ全長に亘って湾曲した形状となっている。結果として、図４に示された断面において、第２金属層４０のうちの二つの貫通孔２５の間に位置する部分の一方の側を向く一側面４６は、厚み方向に直交する方向（すなわち、蒸着マスク２０の板面に沿った方向）での両端において、厚み方向における最も一方の側に位置し、且つ、当該両端の間の少なくとも一部分において、厚み方向における他方の側へ凹んでいる。   In the cross section along the thickness direction crossing two adjacent through holes 25 shown in FIG. 4, the portion located between the two through holes 25 of the second metal layer 40 is the most in the thickness direction at both ends. Is curved at least in part so as to be located on the side. In the illustrated example, the second metal layer 40 is formed as a thin layer, and has a curved shape over substantially the entire length so as to protrude toward the other side in the thickness direction. As a result, in the cross section shown in FIG. 4, one side face 46 facing one side of the portion located between the two through holes 25 of the second metal layer 40 has a direction orthogonal to the thickness direction (that is, In the both ends in the direction along the plate surface of the vapor deposition mask 20, it is located on the most side in the thickness direction, and at least a part between the both ends is recessed toward the other side in the thickness direction.

このような蒸着マスク２０では、蒸着マスク２０の二つの貫通孔２５の間となる領域において、蒸着マスク２０の第２金属層４０の一側面４６のうちの各貫通孔２５に隣接する部位が、厚み方向において最も一方の側に位置する。すなわち、図４に示すように、二つの貫通孔２５の間となる領域において、蒸着マスク２０の第１面２０ａをなす第２金属層４０のうちの貫通孔２５に隣接する両側縁部のみが、図４に二点鎖線で示すように蒸着処理を行う際に、ガラス基板９２に接触するようになり、当該両側縁の間となる部位は、ガラス基板９２から厚み方向における他方の側へ離間する。このような蒸着マスク２０によれば、蒸着処理の間、蒸着マスク２０の第１面２０ａが、貫通孔２５の周縁となる部位において、ガラス基板９２に安定して密着することができる。これにより、蒸着マスク２０とガラス基板９２との間に隙間が形成されてしまうといった不具合が解消され、高精細なパターンでの蒸着をガラス基板９２上に精度良く実施することができる。   In such a vapor deposition mask 20, in a region between the two through holes 25 of the vapor deposition mask 20, a portion adjacent to each through hole 25 in one side surface 46 of the second metal layer 40 of the vapor deposition mask 20 is It is located on the most side in the thickness direction. That is, as shown in FIG. 4, in the region between the two through holes 25, only the side edges adjacent to the through holes 25 in the second metal layer 40 forming the first surface 20 a of the vapor deposition mask 20 are present. 4, when performing the vapor deposition treatment as shown by a two-dot chain line, the portion that comes into contact with the glass substrate 92 and that is between both side edges is separated from the glass substrate 92 to the other side in the thickness direction. To do. According to such a vapor deposition mask 20, the first surface 20 a of the vapor deposition mask 20 can be stably adhered to the glass substrate 92 at a portion that becomes the periphery of the through hole 25 during the vapor deposition process. Thereby, the problem that a gap is formed between the vapor deposition mask 20 and the glass substrate 92 is eliminated, and vapor deposition with a high-definition pattern can be performed on the glass substrate 92 with high accuracy.

とりわけ図４に示された例では、後述する製造方法に起因して、蒸着マスク２０の二つの貫通孔２５の間となる領域において、第２金属層４０の一側面４６が、両端をそれぞれ画成する一対の外側面４７ａと、一対の外側面４７ａの間に位置し且つ厚み方向における他方の側へ凹んだ凹面４７ｂと、を含んでいる。このような蒸着マスク２０によれば、図４に二点鎖線で示すように蒸着処理の間、蒸着マスク２０の第１面２０ａが、貫通孔２５の周縁に位置する第２金属層４０の外側面４７ａにおいてガラス基板９２の表面に接触することが可能となる。結果として、高精細なパターンでの蒸着をより精度良く安定して実施することができる。   In particular, in the example shown in FIG. 4, one side 46 of the second metal layer 40 defines both ends in a region between the two through holes 25 of the vapor deposition mask 20 due to a manufacturing method described later. A pair of outer surfaces 47a formed and a concave surface 47b located between the pair of outer surfaces 47a and recessed to the other side in the thickness direction are included. According to such a vapor deposition mask 20, the first surface 20 a of the vapor deposition mask 20 is outside the second metal layer 40 positioned at the periphery of the through-hole 25 during the vapor deposition process as shown by a two-dot chain line in FIG. 4. It becomes possible to contact the surface of the glass substrate 92 at the side surface 47a. As a result, vapor deposition with a high-definition pattern can be carried out more accurately and stably.

また、図４に示された例では、蒸着マスク２０の二つの貫通孔２５の間となる領域において第２金属層４０の一側面４６の両端をなす一対の外側面４７ａは、厚さ方向に直交する同一の仮想面上、すなわち、蒸着マスク２０の板面と平行な或る仮想面上に位置する。より厳密には、後述する製造方法に起因して、蒸着マスク２０に含まれる外側面４７ａは、同一面上、より具体的には、第１金属層３０の形成に用いられた金属板３５の第１面３５ａ上に位置するようになる。このような蒸着マスク２０によれば、図４に二点鎖線で示すように蒸着処理の間、蒸着マスク２０の第１面２０ａが、貫通孔２５の周縁に位置する第２金属層４０の外側面４７ａにおいてガラス基板９２の表面に面接触することが可能となる。結果として、高精細なパターンでの蒸着をさらに精度良く安定してガラス基板９２上に行うことができる。   In the example shown in FIG. 4, the pair of outer side surfaces 47 a forming both ends of one side surface 46 of the second metal layer 40 in the region between the two through holes 25 of the vapor deposition mask 20 are arranged in the thickness direction. It is located on the same virtual plane orthogonal, that is, on a certain virtual plane parallel to the plate surface of the vapor deposition mask 20. More precisely, due to a manufacturing method described later, the outer surface 47a included in the vapor deposition mask 20 is on the same surface, more specifically, the metal plate 35 used for forming the first metal layer 30. It comes to be located on the 1st surface 35a. According to such a vapor deposition mask 20, the first surface 20 a of the vapor deposition mask 20 is outside the second metal layer 40 positioned at the periphery of the through-hole 25 during the vapor deposition process as shown by a two-dot chain line in FIG. 4. It is possible to make surface contact with the surface of the glass substrate 92 at the side surface 47a. As a result, vapor deposition with a high-definition pattern can be performed on the glass substrate 92 more accurately and stably.

また、図４に示された断面において、第２金属層４０が湾曲した薄い層として形成されていることから、第２金属層４０のうちの二つの貫通孔２５の間に位置する部分の他方の側を向く他側面４８は、他方の側に膨出した面となっている。そして、図４に示された断面において、第２金属層４０のうちの二つの貫通孔２５の間に位置する部分の他方の側を向く他側面４８は、その両端をそれぞれ含む一対の端部領域４９ａにおいて、第１金属層３０に覆われることなく貫通孔２５の内面、すなわち、孔４１の壁面４１ｂを形成している。図４に示されているように、端部領域４９ａ内の他側面４８は、対応する側の端に接近するにつれて、厚み方向における他方の側から一方の側へ向かうようになっている。   Further, in the cross section shown in FIG. 4, since the second metal layer 40 is formed as a curved thin layer, the other of the portions located between the two through holes 25 of the second metal layer 40. The other side surface 48 facing toward the other side is a surface bulging toward the other side. In the cross section shown in FIG. 4, the other side surface 48 facing the other side of the portion located between the two through holes 25 of the second metal layer 40 is a pair of end portions each including both ends thereof. In the region 49 a, the inner surface of the through hole 25, that is, the wall surface 41 b of the hole 41 is formed without being covered with the first metal layer 30. As shown in FIG. 4, the other side surface 48 in the end region 49a is directed from the other side to the one side in the thickness direction as it approaches the corresponding end.

ところで、図２に示すようにして蒸着マスク装置１０が蒸着装置９０に収容された場合、図４に二点鎖線で示すように、蒸着マスク２０の第２面２０ｂが蒸着材料９８を保持したるつぼ９４側に位置し、蒸着マスク２０の第１面２０ａがガラス基板９２に対面する。したがって、蒸着材料９８は、次第に断面積が小さくなっていく孔３１を通過してガラス基板９２に付着する。蒸着材料９８は、るつぼ９４からガラス基板９２に向けて蒸着マスク２０内を厚み方向に沿って移動するだけでなく、図４に一点鎖線で示すように、厚み方向に対して大きく傾斜した方向に移動することもある。このとき、従来技術の欄で説明したように、めっき層１４０が厚みを有する矩形形状からなり切り立った側面を有する場合には、図１２に示すように、斜めに移動する蒸着材料９８は、蒸着マスク２０に付着してガラス基板９２まで到達しにくくなる。また、ガラス基板９２上の貫通孔２５に対面する領域内のうち、貫通孔２５の周縁に対面するガラス基板９２上の領域には、蒸着材料９８が到達しにくくなる。この現象は、シャドウとも呼ばれ、予定した蒸着領域内で蒸着膜の膜厚が大きく変動する、さらには、予定した蒸着領域の周縁部に蒸着材料を付着させることができない、言い換えると所望のパターンでの蒸着を行うことができないといった不具合として現れる。   By the way, when the vapor deposition mask apparatus 10 is accommodated in the vapor deposition apparatus 90 as shown in FIG. 2, the crucible in which the second surface 20b of the vapor deposition mask 20 holds the vapor deposition material 98 as shown by a two-dot chain line in FIG. Located on the 94 side, the first surface 20 a of the vapor deposition mask 20 faces the glass substrate 92. Therefore, the vapor deposition material 98 adheres to the glass substrate 92 through the holes 31 whose cross-sectional area gradually decreases. The vapor deposition material 98 not only moves in the vapor deposition mask 20 along the thickness direction from the crucible 94 toward the glass substrate 92, but also in a direction greatly inclined with respect to the thickness direction as indicated by a dashed line in FIG. 4. Sometimes it moves. At this time, as described in the section of the prior art, when the plating layer 140 has a rectangular shape with a thickness and has a side surface that stands up, as shown in FIG. It becomes difficult to reach the glass substrate 92 by adhering to the mask 20. Further, the vapor deposition material 98 is less likely to reach the region on the glass substrate 92 facing the peripheral edge of the through hole 25 in the region facing the through hole 25 on the glass substrate 92. This phenomenon is also called a shadow, and the film thickness of the deposited film fluctuates greatly within the planned deposition area. Further, the deposition material cannot be attached to the peripheral edge of the planned deposition area, in other words, a desired pattern. It appears as a problem that vapor deposition cannot be performed.

一方、第２金属層４０の他側面４８が上述した図４の形状となっている本実施の形態によれば、孔４１をなす壁面が厚み方向に対して大きく傾斜しているので、斜め方向に進む蒸着材料９８も、蒸着膜の形成に効率的に使用することができる。したがって、蒸着材料の利用効率（成膜効率：ガラス基板９２に付着する割合）を高めて高価な蒸着材料を節約することが可能となる。また、高価な蒸着材料を用いた成膜を所望の領域内に安定してむらなく実施することができる、すなわち、シャドウの発生を効果的に抑制することができる。   On the other hand, according to the present embodiment in which the other side surface 48 of the second metal layer 40 has the shape of FIG. 4 described above, the wall surface forming the hole 41 is greatly inclined with respect to the thickness direction. The vapor deposition material 98 proceeding to can also be efficiently used for forming a vapor deposition film. Therefore, it is possible to increase the utilization efficiency of the vapor deposition material (deposition efficiency: ratio of adhering to the glass substrate 92) and save an expensive vapor deposition material. Further, film formation using an expensive vapor deposition material can be performed stably and uniformly in a desired region, that is, generation of shadows can be effectively suppressed.

また、図示された蒸着マスク２０では、ｙ軸方向に沿って、貫通孔２５がより短い離間間隔で配置されている。そして、ｙ軸方向に沿って隣り合う二つの貫通孔２５の壁面は、金属板３５の第１面３５ａと第２面３５ｂとの間で合流している。後述するように、この孔３１は、金属板３５を第２面３５ｂの側からエッチングすることによって形成されている。そして、孔３１を形成する際、隣り合う二つの孔３１の間に、金属板３５の第２面３５ｂが残存しないようにしている。このような孔３１によって貫通孔２５が形成された蒸着マスク２０においては、次に説明するように、蒸着材料９８の利用効率の改善およびシャドウの発生の回避を効果的に実現することができる。   Further, in the illustrated vapor deposition mask 20, the through holes 25 are arranged at shorter intervals along the y-axis direction. And the wall surface of the two through-holes 25 adjacent along the y-axis direction merges between the first surface 35 a and the second surface 35 b of the metal plate 35. As will be described later, the hole 31 is formed by etching the metal plate 35 from the second surface 35b side. When the hole 31 is formed, the second surface 35 b of the metal plate 35 is not left between the two adjacent holes 31. In the vapor deposition mask 20 in which the through holes 25 are formed by such holes 31, as described below, it is possible to effectively realize improvement in the utilization efficiency of the vapor deposition material 98 and avoidance of generation of shadows.

エッチングによって形成される孔又は凹部の壁面は、一般的に、浸食方向に向けて凸な放物線に沿った曲面となる。したがって、エッチングによって形成された孔または凹部の壁面は、エッチングの開始側となる領域において切り立ち、エッチングの開始側とは反対側となる領域、すなわち孔または凹部の最も深い側においては、厚み方向に対して比較的に大きく傾斜するようになる。そして、図示された蒸着マスク２０では、ｙ軸方向に隣り合う二つの孔３１の壁面３１ｂが、エッチングの開始側において、合流しているので、貫通孔２５の大部分をなす孔３１の壁面３１ｂを厚み方向に対して大きく傾斜させることができる。また、初めから厚みが薄くなっている金属板をエッチングして形成された孔と比較しても、図示された孔３１の壁面３１ｂは、エッチングの開始側となる切り立った部分を含まないようになるので、壁面の傾斜角度θ１を十分に大きくすることができる。これにより、ここで説明した蒸着マスク２０を用いた場合、ｙ軸方向に高精細なパターンでの蒸着を安定して高精度に実現し、同時に、蒸着材料９８の利用効率の改善およびシャドウの発生の回避を実現することが可能となる。 The wall surface of the hole or the recess formed by etching is generally a curved surface along a parabola that is convex toward the erosion direction. Therefore, the wall surface of the hole or recess formed by etching is cut off in the region that is the etching start side, and in the region opposite to the etching start side, that is, the deepest side of the hole or recess is the thickness direction. With a relatively large inclination. In the illustrated vapor deposition mask 20, the wall surfaces 31 b of the two holes 31 adjacent in the y-axis direction merge on the etching start side, so that the wall surface 31 b of the hole 31 that makes up most of the through hole 25. Can be greatly inclined with respect to the thickness direction. Further, even when compared with a hole formed by etching a metal plate whose thickness has been reduced from the beginning, the wall surface 31b of the illustrated hole 31 does not include a cut-out portion on the etching start side. since, it is possible to increase the inclination angle theta 1 of the wall sufficiently. Thereby, when the vapor deposition mask 20 described here is used, vapor deposition with a high-definition pattern in the y-axis direction is stably realized with high accuracy, and at the same time, the utilization efficiency of the vapor deposition material 98 is improved and the generation of shadows is achieved. Can be avoided.

さらに、図示された例においては、後述する製造方法に起因して、厚み方向に沿った断面での、二つの孔３１の壁面３１ｂの先端縁が合流する合流部分３２の外輪郭が、面取された形状となっている。上述したように、一般的に、エッチングで形成される孔または凹部の壁面は、エッチングによる主たる進行方向に向けて凸となる曲面状となる。したがって、エッチングで形成された二つの孔を単純に部分的に重ね合わせると、図４に点線で示すように、合流部分３２は、エッチングの開始側となる厚み方向における他方の側へ向けて、尖った形状となる。これに対して図示された蒸着マスク２０では、合流部分３２における尖った部分が面取されている。図４から理解されるように、この面取によって、貫通孔２５の壁面がより大きく厚み方向に対して傾斜するようになる。これにより、より効果的に蒸着材料９８の利用効率を改善し且つ所望のパターンでの蒸着を高精度且つ安定して実施することができる。   Further, in the illustrated example, due to the manufacturing method described later, the outer contour of the joining portion 32 where the tip edges of the wall surfaces 31b of the two holes 31 join in the cross section along the thickness direction is chamfered. It has become a shape. As described above, generally, the wall surface of the hole or the recess formed by etching is a curved surface that is convex toward the main traveling direction by etching. Therefore, when the two holes formed by etching are simply partially overlapped, as shown by the dotted line in FIG. 4, the merged portion 32 is directed toward the other side in the thickness direction which is the etching start side, It has a sharp shape. On the other hand, in the illustrated vapor deposition mask 20, the sharp portion in the merging portion 32 is chamfered. As can be understood from FIG. 4, the chamfering causes the wall surface of the through hole 25 to be largely inclined with respect to the thickness direction. Thereby, the utilization efficiency of the vapor deposition material 98 can be improved more effectively, and vapor deposition with a desired pattern can be carried out with high accuracy and stability.

上述したように、本実施の形態では、貫通孔２５が各有効領域２２において所定のパターンで配置されている。一例として、蒸着マスク２０（蒸着マスク装置１０）が携帯電話やデジタルカメラ等のディスプレイ（２〜５インチ程度）を作製するために用いられる場合、貫通孔２５の配列ピッチを、３０μｍ以上４０μｍ以下とすることも可能となる。なお、カラー表示を行いたい場合には、貫通孔２５の配列方向（前述の一方向）に沿って蒸着マスク２０（蒸着マスク装置１０）とガラス基板９２とを少しずつ相対移動させ、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料および青色用の有機発光材料を順に蒸着させていってもよい。また、蒸着マスク２０（蒸着マスク装置１０）が携帯電話のディスプレイを作製するために用いられる場合、各貫通孔２５の配列方向（上述の一方向）に沿った幅（スリット幅）は、１０μｍ以上１３μｍ以下程度とすることができる。   As described above, in the present embodiment, the through holes 25 are arranged in a predetermined pattern in each effective region 22. As an example, when the vapor deposition mask 20 (vapor deposition mask device 10) is used for manufacturing a display (about 2 to 5 inches) such as a mobile phone or a digital camera, the arrangement pitch of the through holes 25 is 30 μm or more and 40 μm or less. It is also possible to do. When color display is to be performed, the vapor deposition mask 20 (vapor deposition mask device 10) and the glass substrate 92 are moved relative to each other along the arrangement direction of the through holes 25 (one direction described above), and the red color is displayed. An organic light emitting material, a green organic light emitting material, and a blue organic light emitting material may be deposited in this order. Further, when the vapor deposition mask 20 (vapor deposition mask device 10) is used for manufacturing a display of a mobile phone, the width (slit width) along the arrangement direction (one direction described above) of each through-hole 25 is 10 μm or more. It can be about 13 μm or less.

なお、蒸着マスク装置１０のフレーム１５は、矩形状の蒸着マスク２０の周縁部に取り付けられている。フレーム１５は、蒸着マスク２０が撓んでしまうことがないように蒸着マスクを張った状態に保持する。蒸着マスク２０とフレーム１５とは、例えばスポット溶接により互いに対して固定されている。   The frame 15 of the vapor deposition mask device 10 is attached to the peripheral edge of the rectangular vapor deposition mask 20. The frame 15 holds the deposition mask in a stretched state so that the deposition mask 20 is not bent. The vapor deposition mask 20 and the frame 15 are fixed to each other, for example, by spot welding.

蒸着マスク装置１０は、高温雰囲気となる蒸着装置９０の内部に保持される。したがって、蒸着マスク２０およびフレーム１５は、蒸着フレームの撓みや熱応力の発生を防止するため、熱膨張率が低い同一の材料によって作製されていることが好ましい。この観点から、蒸着マスク２０の第１金属層３０及びフレーム１５は、例えば、３６％Ｎｉインバー材を用いることができる。また、第２金属層４０は、後述する製造方法を採用する場合、第１金属層３０をなす金属板３５のエッチング液に対する耐性を有した材料、例えば、金、金合金、ニッケル・りん合金、ニッケル・タングステン合金等を用いることができる。   The vapor deposition mask device 10 is held inside a vapor deposition device 90 that is in a high temperature atmosphere. Therefore, the vapor deposition mask 20 and the frame 15 are preferably made of the same material having a low coefficient of thermal expansion in order to prevent the vapor deposition frame from being bent or generating thermal stress. From this viewpoint, for example, 36% Ni invar material can be used for the first metal layer 30 and the frame 15 of the vapor deposition mask 20. When the second metal layer 40 employs a manufacturing method to be described later, a material having resistance to the etching solution of the metal plate 35 forming the first metal layer 30, such as gold, gold alloy, nickel / phosphorus alloy, A nickel / tungsten alloy or the like can be used.

以上のような蒸着マスク２０によれば、隣り合う二つの貫通孔２５を横切る厚み方向に沿った断面において、第２金属層４０のうちの二つの貫通孔２５の間に位置する部分の一側面４６が、両端において、厚み方向における最も一方の側に位置し、且つ、両端の間の少なくとも一部分において、厚み方向における他方の側へ凹んでいる。このような蒸着マスク２０によれば、蒸着処理の間、蒸着マスク２０の第１面２０ａが、貫通孔２５の周縁となる部位において、ガラス基板９２に安定して密着することができる。これにより、蒸着マスク２０とガラス基板９２との間に隙間が形成されてしまうといった不具合が解消され、高精細なパターンでの蒸着をガラス基板９２上に精度良く実施することができる。   According to the vapor deposition mask 20 as described above, one side surface of the portion of the second metal layer 40 located between the two through holes 25 in the cross section along the thickness direction crossing the two adjacent through holes 25. 46 is located at one end on the most side in the thickness direction at both ends, and is recessed to the other side in the thickness direction at least at a part between both ends. According to such a vapor deposition mask 20, the first surface 20 a of the vapor deposition mask 20 can be stably adhered to the glass substrate 92 at a portion that becomes the periphery of the through hole 25 during the vapor deposition process. Thereby, the problem that a gap is formed between the vapor deposition mask 20 and the glass substrate 92 is eliminated, and vapor deposition with a high-definition pattern can be performed on the glass substrate 92 with high accuracy.

次に、このような蒸着マスク２０の製造方法について、主に図５〜図９を用いて説明する。以下に説明する蒸着マスク２０の製造方法では、帯状に延びる長尺の金属板３５が供給され、この長尺金属板３５にめっき層および貫通孔２５が形成され、さらに長尺の金属板３５を断裁することによって枚葉状の蒸着マスク２０が得られる。   Next, the manufacturing method of such a vapor deposition mask 20 is demonstrated mainly using FIGS. In the manufacturing method of the vapor deposition mask 20 described below, a long metal plate 35 extending in a strip shape is supplied, a plating layer and a through-hole 25 are formed on the long metal plate 35, and a long metal plate 35 is further formed. By cutting, a sheet-like vapor deposition mask 20 is obtained.

より具体的には、蒸着マスク２０の製造方法は、帯状に延びる長尺の金属板３５を供給する工程と、金属板３５の第１面３５ａ上に形成された第１レジストパターン６１をマスクとして第１面３５ａの側から金属板３５をエッチングして第１凹部３６ａを形成する工程と、第１レジストパターン６１が設けられたままの状態の金属板３５を第１面３５ａの側からめっき処理して第１凹部３６ａの表面上にめっき層からなる第２金属層４０を形成する工程と、金属板３５の第２面３５ｂ上に形成された第２レジストパターン６２をマスクとして第２面３５ｂの側から金属板３５をエッチングする工程と、を含んでいる。以下に説明する製造方法では、第２凹部３６ｂが金属板３５の第１面３５ａまで到達することにより、金属板３５に貫通孔２５が形成される。また、以下に説明する製造方法では、第１凹部３６ａを形成する工程の前に、金属板３５の第１面３５ａ上に第１レジストパターン６１を形成する工程が実施され、第２凹部３６ｂを形成する工程の前に、金属板３５の２面３５ｂ上に第２レジストパターン６２を形成する工程が実施される。また、第１凹部３６ａを形成する工程の前に、金属板３５の第２面３５ｂを封止する工程が実施される。以下において、各工程の詳細を説明する。   More specifically, the manufacturing method of the vapor deposition mask 20 includes a step of supplying a long metal plate 35 extending in a strip shape, and a first resist pattern 61 formed on the first surface 35a of the metal plate 35 as a mask. Etching the metal plate 35 from the first surface 35a side to form the first recess 36a, and plating the metal plate 35 with the first resist pattern 61 still provided from the first surface 35a side Then, the step of forming the second metal layer 40 made of a plating layer on the surface of the first recess 36a and the second surface 35b using the second resist pattern 62 formed on the second surface 35b of the metal plate 35 as a mask. Etching the metal plate 35 from the side. In the manufacturing method described below, the through hole 25 is formed in the metal plate 35 when the second recess 36 b reaches the first surface 35 a of the metal plate 35. Further, in the manufacturing method described below, a step of forming the first resist pattern 61 on the first surface 35a of the metal plate 35 is performed before the step of forming the first recess 36a, and the second recess 36b is formed. Prior to the forming step, a step of forming the second resist pattern 62 on the two surfaces 35b of the metal plate 35 is performed. Moreover, the process of sealing the 2nd surface 35b of the metal plate 35 is implemented before the process of forming the 1st recessed part 36a. Details of each step will be described below.

まず、図５に示すように、金属板３５の第１面３５ａ上に第１レジストパターン６１が形成されるとともに、金属板３５の第２面３５ｂ上に第２レジストパターン６２が形成される。一具体例として、次のようにしてネガ型のレジストパターン６１，６２が形成される。まず、金属板３５の第１面３５ａ上（図５の紙面における下側の面上）および第２面３５ｂ上に感光性レジスト材料を塗布し、金属板３５上にレジスト膜を形成する。次に、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させないようにしたガラス乾板を準備し、ガラス乾板をレジスト膜上に配置する。その後、レジスト膜をガラス乾板越しに露光し、さらにレジスト膜を現像する。以上のようにして、金属板３５の第１面３５ａ上に第１レジストパターン６１を形成し、金属板３５の第２面３５ｂ上に第２レジストパターン６２を形成することができる。   First, as shown in FIG. 5, the first resist pattern 61 is formed on the first surface 35 a of the metal plate 35, and the second resist pattern 62 is formed on the second surface 35 b of the metal plate 35. As a specific example, negative resist patterns 61 and 62 are formed as follows. First, a photosensitive resist material is applied on the first surface 35 a of the metal plate 35 (on the lower surface of the paper in FIG. 5) and the second surface 35 b to form a resist film on the metal plate 35. Next, a glass dry plate is prepared in which light is not transmitted to a region to be removed of the resist film, and the glass dry plate is disposed on the resist film. Thereafter, the resist film is exposed through a glass dry plate, and the resist film is further developed. As described above, the first resist pattern 61 can be formed on the first surface 35 a of the metal plate 35, and the second resist pattern 62 can be formed on the second surface 35 b of the metal plate 35.

次に、図６に示すように、エッチング液に対する耐性を有した材料、例えば樹脂によって、第２レジストパターン６２とともに金属板３５の第２面３５ｂが被覆される。すなわち、エッチング液に対する耐性を有した材料によって、金属板３５の第２面３５ｂ上に封止層６３が形成される。   Next, as shown in FIG. 6, the second surface 35 b of the metal plate 35 is covered together with the second resist pattern 62 with a material having resistance to the etching solution, for example, resin. That is, the sealing layer 63 is formed on the second surface 35b of the metal plate 35 by a material having resistance to the etching solution.

その後、図７に示すように、金属板３５上に形成された第１レジストパターン６１をマスクとして、エッチング液（例えば塩化第二鉄溶液）を用いて、第１面３５ａの側から金属板３５をエッチングする。例えば、エッチング液が、搬送される長尺の金属板３５の第１面３５ａに対面する側に配置されたノズルから、第１レジストパターン６１越しに金属板３５の第１面３５ａに向けて噴射される。この結果、図７に示すように、金属板３５のうちの第１レジストパターン６１によって覆われていない領域で、まず、エッチング液による浸食が進む。ただし、図７に示すように、エッチング液により浸食は、金属板３５のうちのエッチング液に触れている部分において行われていく。したがって、浸食は、金属板３５の厚み方向だけでなく金属板３５の板面に沿った方向にも進む。したがって、金属板３５の第１面３５ａの形成された第１凹部３６ａは、第１レジストパターン６１の裏面に対面する位置まで広がる。第１凹部３６ａの深さ（図８における深さｄ１）は、５μｍ以下とすることが好ましい。以上のようにして、第１面３５ａの側から金属板３５に多数の第１凹部３６ａが形成される。 Thereafter, as shown in FIG. 7, the first resist pattern 61 formed on the metal plate 35 is used as a mask and an etching solution (for example, ferric chloride solution) is used to form the metal plate 35 from the first surface 35a side. Etch. For example, the etching solution is sprayed from the nozzle disposed on the side facing the first surface 35 a of the long metal plate 35 to be conveyed toward the first surface 35 a of the metal plate 35 through the first resist pattern 61. Is done. As a result, as shown in FIG. 7, first, erosion by the etching solution proceeds in a region of the metal plate 35 that is not covered with the first resist pattern 61. However, as shown in FIG. 7, the erosion with the etching solution is performed in a portion of the metal plate 35 that is in contact with the etching solution. Therefore, erosion proceeds not only in the thickness direction of the metal plate 35 but also in the direction along the plate surface of the metal plate 35. Accordingly, the first recess 36 a formed with the first surface 35 a of the metal plate 35 extends to a position facing the back surface of the first resist pattern 61. The depth of the first recess 36a (depth d 1 in FIG. 8) is preferably 5 μm or less. As described above, a large number of first recesses 36a are formed in the metal plate 35 from the first surface 35a side.

次に、図８に示すように、めっき処理が施される。めっき処理は、例えば、電解めっき処理とすることができる。めっきされて第２金属層４０を形成すべき材料は、上述のとおりである。めっき処理により、金属板３５の露出した表面に、すなわち、金属板３５に形成された第１凹部３６ａの表面に、めっきされた材料からなる第２金属層４０が形成される。   Next, as shown in FIG. 8, a plating process is performed. The plating process can be, for example, an electrolytic plating process. The material to be plated to form the second metal layer 40 is as described above. By the plating process, the second metal layer 40 made of the plated material is formed on the exposed surface of the metal plate 35, that is, on the surface of the first recess 36 a formed in the metal plate 35.

図８に示すように、めっき処理の条件は、第２金属層４０が第１凹部３６ａからはみ出さない条件、言い換えると、第２金属層４０が第１凹部３６ａ内に収まる条件とすることが好ましい。例えば、第２金属層４０の厚みｔ１が、第１凹部３６ａの浸食深さｄ１以下とすることが好ましい。また、第１レジストパターン６１の露出した裏面（厚み方向における他方の側となる面）の一部が、第２金属層４０によって覆われていないようにすることが好ましい。このようなめっき処理の条件にて第２金属層４０を形成した場合、上述した図７の第２金属層４０を形成することができる。 As shown in FIG. 8, the conditions for the plating treatment are such that the second metal layer 40 does not protrude from the first recess 36a, in other words, the condition that the second metal layer 40 is contained in the first recess 36a. preferable. For example, it is preferable that the thickness t 1 of the second metal layer 40 be equal to or less than the erosion depth d 1 of the first recess 36a. Moreover, it is preferable that a part of the exposed back surface (the surface on the other side in the thickness direction) of the first resist pattern 61 is not covered with the second metal layer 40. When the second metal layer 40 is formed under such plating conditions, the above-described second metal layer 40 in FIG. 7 can be formed.

すなわち、図４及び図７に示された断面において、第２金属層４０の二つの貫通孔２５の間に位置する部分は、その両端において厚み方向における最も一方の側に位置するよう、少なくとも一部分において湾曲する。また、上述した第２金属層４０の一側面４６は、一対の外側面４７ａと、一対の外側面４７ａの間を連結する凹面４７ｂと、を有するようになる。そして、各外側面４７ａは、第１レジストパターン６１の裏面によって形成される。したがって、各外側面４７ａは、金属板３５の第１面３５ａと同一平面上に位置するようになる。このような第２金属層４０によれば、上述したように、蒸着処理時に、蒸着マスク２０の貫通孔２５の周縁となる部分と、ガラス基板９２との間の密着状態が確保され、高精細なパターンでの蒸着をガラス基板９２上に精度良く実施することができる。   That is, in the cross section shown in FIG. 4 and FIG. 7, at least a part of the portion located between the two through holes 25 of the second metal layer 40 is located on the most side in the thickness direction at both ends. Curved at. In addition, the one side surface 46 of the second metal layer 40 described above has a pair of outer side surfaces 47a and a concave surface 47b that connects between the pair of outer side surfaces 47a. Each outer surface 47 a is formed by the back surface of the first resist pattern 61. Accordingly, each outer surface 47a is positioned on the same plane as the first surface 35a of the metal plate 35. According to such a second metal layer 40, as described above, during the vapor deposition process, a close contact state between the peripheral portion of the through hole 25 of the vapor deposition mask 20 and the glass substrate 92 is ensured, and high definition. It is possible to perform deposition with a simple pattern on the glass substrate 92 with high accuracy.

これに対して、上述した特許文献１（特開２００５−３１４７８７号公報）に開示された方法では、図１２に示すように、第１凹部を形成することなく、レジストパターン１６１の開口によって露出した金属板１３５上にめっき層１４０が形成される。すなわち、第１レジストパターン６１によって断面形状が整形され、これにより断面形状が安定する本実施の形態とは異なり、特許文献１に開示されためっき層１４０の厚みは、めっき処理の僅かな条件の相違に起因して変動する。そして、めっき層１４０の厚みが厚くなると、シャドウが発生する。加えて、蒸着処理時にガラス基板１９２上に発生するシャドウ領域の大きさが、使用される蒸着マスク１２０に応じて変化する。また、めっき層１４０の表面が平坦面とならならず、さらに、めっき層１４０の厚みに面内分布が生じてしまう。このように平面性の悪い蒸着マスク１２０を用いた場合、蒸着処理時に、蒸着マスク１２０とガラス基板１９２との間に隙間が生じ、高精細なパターンでのガラス基板１９２上への蒸着が困難となる。   On the other hand, in the method disclosed in Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2005-314787) described above, as shown in FIG. 12, the first recess is not formed and the resist pattern 161 is exposed. A plating layer 140 is formed on the metal plate 135. That is, unlike the present embodiment in which the cross-sectional shape is shaped by the first resist pattern 61 and the cross-sectional shape is thereby stabilized, the thickness of the plating layer 140 disclosed in Patent Document 1 has a slight condition of the plating process. Fluctuates due to differences. Then, when the thickness of the plating layer 140 is increased, a shadow is generated. In addition, the size of the shadow region generated on the glass substrate 192 during the vapor deposition process varies depending on the vapor deposition mask 120 used. Further, the surface of the plating layer 140 does not become a flat surface, and further, an in-plane distribution occurs in the thickness of the plating layer 140. When the vapor deposition mask 120 having poor planarity is used as described above, a gap is generated between the vapor deposition mask 120 and the glass substrate 192 during the vapor deposition process, and it is difficult to perform vapor deposition on the glass substrate 192 with a high-definition pattern. Become.

さらに、図８に示された本実施の形態では、サイドエッチングを見込んで、第１レジストパターン６１の開口部の幅ｗ１を、二つの貫通孔２５の離間間隔（言い換えると、当該二つの貫通孔２５の間に形成すべき第２金属層４０の幅）ｗ２よりも小さくすることができる。その一方で、特許文献１の方法では、図１３に示すように、第１レジストパターン１６１の開口部の幅ｗ２１を、二つの貫通孔２５の間に形成すべきめっき層１４０の幅ｗ２２と同一にする必要がある。そして、第１レジストパターン１６１の開口幅ｗ２１が広くなる特許文献１の方法では、第１レジストパターン１６１の金属板１３５への密着状態が安定せず、これにより、蒸着マスク１２０を所定の形状に形成することが難しくなることもある。その一方で、本実施の形態では、第１レジストパターン６１の開口幅ｗ１が狭くなり、第１レジストパターン６１の金属板３５への密着状態が改善される。これにより、本実施の形態によれば、特許文献１に開示された従来技術と比較して、蒸着マスク２０を精度良く作製することができ、これにより、高精細なパターンでの蒸着をガラス基板９２上に精度良く実施することができる。 Further, in the present embodiment shown in FIG. 8, in consideration of side etching, the width w 1 of the opening of the first resist pattern 61 is set to the spacing between the two through holes 25 (in other words, the two through holes). it can be smaller than the width) w 2 of the second metal layer 40 to be formed between the hole 25. On the other hand, in the method of Patent Document 1, as shown in FIG. 13, the width w 21 of the opening of the first resist pattern 161 is set to the width w 22 of the plating layer 140 to be formed between the two through holes 25. Must be the same. In the method of Patent Document 1 in which the opening width w 21 of the first resist pattern 161 is widened, the adhesion state of the first resist pattern 161 to the metal plate 135 is not stable, thereby forming the vapor deposition mask 120 in a predetermined shape. It may be difficult to form. On the other hand, in the present embodiment, the opening width w1 of the first resist pattern 61 is narrowed, and the adhesion state of the first resist pattern 61 to the metal plate 35 is improved. Thereby, according to this Embodiment, compared with the prior art disclosed by patent document 1, the vapor deposition mask 20 can be produced with a sufficient precision, Thereby, vapor deposition with a high-definition pattern is carried out to a glass substrate. 92 can be implemented with high accuracy.

次に、図９に示すように、封止層６３を取り除く。封止層６３は、例えばアルカリ系剥離剤により、除去することができる。なお、アルカリ系剥離剤を用いて封止層６３を除去する場合、アルカリ系剥離剤によって第１レジストパターン６１が金属板３５から剥がれしまうことを防止する必要がある。例えば、アルカリ系剥離剤の使用に先立って、金属板３５の第１面３５ａの側に第１レジストパターン６１を覆うようにして保護膜を設けておく。この保護膜は、次に説明する二回目のエッチングが終了した後に、取り除く。或いは、金属板３５の第１面３５ａの側に保護膜を設けることに代えて、封止層６３として、アルカリ系剥離剤を用いることなく剥がし取ることができる粘着性の保護フィルムを用いるようにしてもよい。   Next, as shown in FIG. 9, the sealing layer 63 is removed. The sealing layer 63 can be removed with, for example, an alkaline release agent. In addition, when removing the sealing layer 63 using an alkaline stripping agent, it is necessary to prevent the first resist pattern 61 from being peeled from the metal plate 35 by the alkaline stripping agent. For example, prior to the use of the alkaline release agent, a protective film is provided on the first surface 35 a side of the metal plate 35 so as to cover the first resist pattern 61. This protective film is removed after the second etching described below is completed. Alternatively, instead of providing a protective film on the first surface 35a side of the metal plate 35, an adhesive protective film that can be peeled off without using an alkaline release agent is used as the sealing layer 63. May be.

封止層６３が取り除かれた後、金属板３５に対して第２回目のエッチングを行う。第２回目のエッチングにおいて、金属板３５は第２面３５ｂの側のみからエッチングされ、第２面３５ｂの側から第２凹部３６ｂの形成が進行していく。金属板３５の第１面３５ａの側には、エッチング液に対する耐性を有した第１レジストパターン６１及び第２金属層４０が被覆されているからである。エッチングによる浸食は、金属板３５のうちのエッチング液に触れている部分において行われていく。従って、浸食は、金属板３５の厚み方向のみに進むのではなく、金属板３５の板面に沿った方向にも進んでいく。この結果、図９に示すように、エッチングが金属板３５の厚み方向に進んで第２凹部３６ｂが第１レジストパターン６１まで到達するだけでなく、隣り合って形成される二つの第２凹部３６ｂが、第２レジストパターン６２の裏側にて合流するようになる。   After the sealing layer 63 is removed, the second etching is performed on the metal plate 35. In the second etching, the metal plate 35 is etched only from the second surface 35b side, and the formation of the second recess 36b proceeds from the second surface 35b side. This is because the first resist pattern 61 and the second metal layer 40 having resistance to the etching solution are coated on the first surface 35 a side of the metal plate 35. Etching by etching is performed in the portion of the metal plate 35 that is in contact with the etching solution. Therefore, the erosion does not proceed only in the thickness direction of the metal plate 35 but also proceeds in the direction along the plate surface of the metal plate 35. As a result, as shown in FIG. 9, the etching proceeds in the thickness direction of the metal plate 35 so that the second recess 36 b reaches the first resist pattern 61, and two second recesses 36 b formed adjacent to each other. However, they merge at the back side of the second resist pattern 62.

隣り合う二つの第２凹部３６ｂが合流してなる合流部分３２が第２レジストパターン６２から離間して、第２レジストパターン６２の下方にずれる。このとき、合流部分３２でのエッチングによる浸食は、それまでのサイドエッチングによる方向とは異なり、厚み方向にも進むようになる。これにより、それまで厚み方向における他方の側へ向けて尖っていた合流部分３２が、厚み方向における他方の側からエッチングされ、図４に示すように面取される。   A joining portion 32 formed by joining two adjacent second recesses 36 b is separated from the second resist pattern 62 and shifted below the second resist pattern 62. At this time, the erosion by the etching at the merging portion 32 proceeds in the thickness direction, unlike the direction by the side etching so far. Thereby, the merging portion 32 that has been pointed toward the other side in the thickness direction is etched from the other side in the thickness direction, and is chamfered as shown in FIG.

また、上述したように、エッチングによって形成される凹部の壁面は、一般的に、浸食方向に向けて、本例では、厚み方向における他方の側から一方の側へ向けて凸となる放物線に沿った曲面状となる。このため、金属板３５の第２面３５ｂの側において第２凹部３６ｂの壁面が切り立つようになる。ただし、隣り合う二つの第２凹部３６ｂが、合流することによって、都合よく、この切り立った壁面が除去されるようになる。これにより、第２凹部３６ｂの壁面が厚み方向に対してなす傾斜角度θ１を増大させることができる。 Further, as described above, the wall surface of the recess formed by etching is generally along a parabola that is convex toward the erosion direction, in this example, from the other side to the one side in the thickness direction. It becomes a curved surface. For this reason, the wall surface of the 2nd recessed part 36b comes to stand up in the 2nd surface 35b side of the metal plate 35. FIG. However, when the two adjacent second recesses 36b join together, the stubby wall surface is conveniently removed. Thus, the wall surface of the second recess 36b can be increased inclination angle theta 1 which forms with respect to the thickness direction.

以上のようにして、金属板３５の第２面３５ｂの側からのエッチングが進行して、第２凹部３６ｂが第１レジストパターン６１及び第２金属層４０まで到達することにより、金属板３５に貫通孔２５が形成され、また、金属板３５が第１金属層３０なすようになる。その後、金属板３５からレジストパターン６１，６２が除去され、第１金属層３０及び第２金属層４０を含む蒸着マスク２０が作製される。   As described above, the etching from the second surface 35b side of the metal plate 35 proceeds and the second recess 36b reaches the first resist pattern 61 and the second metal layer 40. The through hole 25 is formed, and the metal plate 35 forms the first metal layer 30. Thereafter, the resist patterns 61 and 62 are removed from the metal plate 35, and the vapor deposition mask 20 including the first metal layer 30 and the second metal layer 40 is manufactured.

以上のようにして、蒸着マスク２０が得られる。そして、各蒸着マスク２０に対してフレーム１５を取り付けることにより、蒸着マスク装置１０が得られる。なお、フレーム１５は、蒸着マスク２０の第１面２０ａに取り付けられてもよいし、蒸着マスク２０の第２面２０ｂに取り付けられてもよい。   As described above, the vapor deposition mask 20 is obtained. And the vapor deposition mask apparatus 10 is obtained by attaching the flame | frame 15 with respect to each vapor deposition mask 20. As shown in FIG. The frame 15 may be attached to the first surface 20a of the vapor deposition mask 20 or may be attached to the second surface 20b of the vapor deposition mask 20.

以上のような本実施の形態による蒸着マスク装置の製造方法によれば、めっき層からなる第２金属層４０を形成する工程の前に、金属板３５の第１面３５ａ上に形成されたレジストパターン６１をマスクとして第１面３５ａの側から金属板３５をエッチングして第１凹部３６ａを形成する。次に、レジストパターン６１が形成された状態の金属板３５を第１面３５ａの側からめっきして第１凹部３６ａの表面上に第２金属層４０を形成する。このような本実施の形態による製造方法によれば、蒸着マスク２０の第１面２０ａ上において、貫通孔２５の周縁が、めっき層からなる第２金属層４０によって画成される。この第２金属層４０は、第１面３５ａの側から金属板３５に形成した第１凹部３５ａと、貫通孔２５の内壁を形成する部分において相補的な形状を有することになる。なお、金属板の両側からそれぞれエッチングにより凹部を形成し、この凹部が通じてなる貫通孔を作製することも可能である。ただし、エッチングのみで形成される貫通孔と比較して、金属板３５の第１面３５ａの側から行うエッチングの量を格段に少なくすることができる。すなわち、第１凹部３５ａの深さｄ１を浅くすることができ、これにより、第１凹部３５ａは側方向への大きな浸食をきたすことなく形成されるようになる。結果として、第１凹部３５ａを極めて優れた寸法精度にて作製することが可能となる。一方、エッチングで形成された凹部からなる貫通孔では、凹部を形成するためのエッチングにおいて側方向への侵食が比較的に大きく生じるため、微細な孔を開ける上で制約を受ける。これにたいして本実施の形態によればこのような制約が少ないので、より微細な孔を開けることができる。また、本実施の形態によれば、図３に示された平面視における孔４１のコーナーＲを小さくすることもできる。以上のようにして、貫通孔２５の寸法精度及び位置精度を大幅に向上させることができ、これにより、高精細なパターンでの蒸着をガラス基板９２上に精度良く実施することができる。 According to the method of manufacturing the vapor deposition mask device according to the present embodiment as described above, the resist formed on the first surface 35a of the metal plate 35 before the step of forming the second metal layer 40 made of a plating layer. Using the pattern 61 as a mask, the metal plate 35 is etched from the first surface 35a side to form a first recess 36a. Next, the metal plate 35 on which the resist pattern 61 is formed is plated from the first surface 35a side to form the second metal layer 40 on the surface of the first recess 36a. According to such a manufacturing method according to the present embodiment, the peripheral edge of the through hole 25 is defined by the second metal layer 40 made of a plating layer on the first surface 20 a of the vapor deposition mask 20. The second metal layer 40 has a complementary shape in a portion where the first recess 35 a formed in the metal plate 35 from the first surface 35 a side and the inner wall of the through hole 25 are formed. It is also possible to form recesses by etching from both sides of the metal plate and to produce through holes through which these recesses pass. However, the amount of etching performed from the first surface 35a side of the metal plate 35 can be remarkably reduced as compared with the through hole formed only by etching. That is, it is possible to reduce the depth d 1 of the first recess 35a, thereby, the first recess 35a is to be formed without causing a significant erosion of the lateral direction. As a result, the first recess 35a can be manufactured with extremely excellent dimensional accuracy. On the other hand, in a through-hole composed of a recess formed by etching, lateral erosion occurs in the etching for forming the recess, which causes a relatively large erosion. On the other hand, according to this embodiment, since there are few such restrictions, a finer hole can be formed. Moreover, according to this Embodiment, the corner R of the hole 41 in planar view shown by FIG. 3 can also be made small. As described above, the dimensional accuracy and position accuracy of the through-hole 25 can be greatly improved, and thereby vapor deposition with a high-definition pattern can be performed on the glass substrate 92 with high accuracy.

また、本実施の形態による製造方法によれば、上述した形状を有する第２金属層４０を精度良く形成することができる。また、第２金属層４０の一側面４６をなす外側面４７ａの平面性を大幅に改善することができる。このような蒸着マスク２０を用いた蒸着処理では、蒸着マスク２０の第１面２０ａが、貫通孔２５の周縁となる部位において、ガラス基板９２に安定して密着することができる。これにより、蒸着マスク２０とガラス基板９２との間に隙間が形成されてしまうといった不具合が解消され、高精細なパターンでの蒸着をガラス基板９２上に精度良く実施することができる。   In addition, according to the manufacturing method according to the present embodiment, the second metal layer 40 having the above-described shape can be formed with high accuracy. In addition, the planarity of the outer surface 47a forming one side 46 of the second metal layer 40 can be greatly improved. In the vapor deposition process using such a vapor deposition mask 20, the first surface 20 a of the vapor deposition mask 20 can be stably adhered to the glass substrate 92 at a site that is the periphery of the through hole 25. Thereby, the problem that a gap is formed between the vapor deposition mask 20 and the glass substrate 92 is eliminated, and vapor deposition with a high-definition pattern can be performed on the glass substrate 92 with high accuracy.

なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、図面を参照しながら、変形の一例について説明する。以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いており、重複する説明を省略する。   Note that various modifications can be made to the above-described embodiment. Hereinafter, an example of modification will be described with reference to the drawings. In the drawings used in the following description, the same reference numerals as those used for the corresponding parts in the above-described embodiment are used, and redundant descriptions are omitted.

まず、上述した実施の形態において、第１凹部３６ａを形成する工程および第２金属層４０を形成する工程の後に、第２面３５ｂの側から金属板３５をエッチングして第１面３５ａまで到達する第２凹部３６ｂを形成することによって、金属板３５を貫通する貫通孔２５を形成する例を説明したが、この例に限られない。   First, in the above-described embodiment, after the step of forming the first recess 36a and the step of forming the second metal layer 40, the metal plate 35 is etched from the second surface 35b side to reach the first surface 35a. Although the example which forms the through-hole 25 which penetrates the metal plate 35 by forming the 2nd recessed part 36b to perform was demonstrated, it is not restricted to this example.

図１０に示すように、第２凹部３６ｂの形成工程を、第２凹部３６ｂが第１面３５ａに到達する前に終了し、次に、図１１に示すように、第１面３５ａの側から金属板３５をエッチングして第２凹部３６ｂに通じる第３凹部３６ｃを形成するようにしてもよい。この変形例では、第３凹部３６ｃを形成する工程の前に、第２凹部３６ｂを封止する工程と、第１レジストパターン６１を取り除く工程と、が実施される。第２凹部３６ｂを封止する工程において、第２凹部３６ｂは、エッチング液に対して耐性を有した材料、例えば樹脂からなる封止層６４によって、厚み方向における他方の側から封止される。この際、第２レジストパターン６２を取り除かれていてもよい。封止層６４は、第３凹部３６ｃの形成後、除去される。   As shown in FIG. 10, the process of forming the second recess 36b is completed before the second recess 36b reaches the first surface 35a, and then, as shown in FIG. 11, from the side of the first surface 35a. The metal plate 35 may be etched to form a third recess 36c that communicates with the second recess 36b. In this modification, the step of sealing the second recess 36b and the step of removing the first resist pattern 61 are performed before the step of forming the third recess 36c. In the step of sealing the second recess 36b, the second recess 36b is sealed from the other side in the thickness direction by a sealing layer 64 made of a material resistant to the etching solution, for example, resin. At this time, the second resist pattern 62 may be removed. The sealing layer 64 is removed after the formation of the third recess 36c.

この変形例によって形成された蒸着マスク２０では、密接配置された貫通孔２５の間に位置する第１金属層３０、すなわち図３におけるｙ軸方向に配列された貫通孔２５の間に位置する第１金属層３０の断面形状を増大させることができる。これにより、蒸着マスク２０の剛性が向上される。この結果、例えばフレーム１５への架張時における蒸着マスク２０の変形を効果的に抑制し、高精細なパターンでの蒸着をガラス基板９２上に精度良く実施することができる。なお、図１１に示すように、この変形例に係る蒸着マスク２０において、第１金属層３０は、厚み方向に沿った断面において貫通孔２５内に突出した周状の張り出し部３３を、当該貫通孔２５の内面を形成する孔３１の厚み方向における一方の側の端部と他方の側の端部との間に含むようになる。張り出し部３３は、孔３１の内周縁３１ａを画成する。この張り出し部３３は、貫通孔２５内への突出量は僅かであることから蒸着材料９８の通過を大きく妨げることがない一方で、蒸着マスク２０の剛性の向上に役立つ。また、金属板３５の第２面３５ｂのレジストパターン６２がない部分にレジスト残渣や異物などがあるとエッチングされずに金属層が残ってしまい、欠陥となるが、変形例では第３の凹部３６ｃをエッチングで形成する際に残った金属層を除去することができるので、欠陥を低減することができる。   In the vapor deposition mask 20 formed by this modification, the first metal layer 30 located between the closely arranged through holes 25, that is, the first metal layer 30 located between the through holes 25 arranged in the y-axis direction in FIG. The cross-sectional shape of one metal layer 30 can be increased. Thereby, the rigidity of the vapor deposition mask 20 is improved. As a result, for example, deformation of the vapor deposition mask 20 at the time of stretching on the frame 15 can be effectively suppressed, and vapor deposition with a high-definition pattern can be performed on the glass substrate 92 with high accuracy. As shown in FIG. 11, in the vapor deposition mask 20 according to this modification, the first metal layer 30 includes a circumferential projecting portion 33 protruding into the through hole 25 in a cross section along the thickness direction. It is included between the end on one side and the end on the other side in the thickness direction of the hole 31 forming the inner surface of the hole 25. The overhang portion 33 defines an inner peripheral edge 31 a of the hole 31. Since the protruding portion 33 has a small amount of protrusion into the through hole 25, the protruding portion 33 does not greatly hinder the passage of the vapor deposition material 98, but helps to improve the rigidity of the vapor deposition mask 20. Further, if there is a resist residue or foreign matter in the portion of the second surface 35b of the metal plate 35 where the resist pattern 62 is not present, the metal layer remains without being etched, which becomes a defect, but in the modified example, the third recess 36c. Since the metal layer remaining when the film is formed by etching can be removed, defects can be reduced.

これに対して、上述した特許文献１（特開２００５−３１４７８７号公報）に開示された製造方法では、この第３凹部３６ｃの形成工程を追加する変形例を実質的に採用することができない。図１４には、図１１に示された変形例と同程度の高さの金属板３５が残存するように第２凹部１３６ｂの形成工程を終了し、その後、第２凹部１３６ｂの側から金属板１３５を封止層１６４で封止した状態にて、第１面１３５ａの側から金属板１３５をエッチングして第２凹部１３６ｂに通じる第３凹部１３６ｃを形成した様子を示している。図１４に示された蒸着マスク１２０では、第２金属層１４０上に位置する第１金属層１３０が、厚み方向における一方の側（第２金属層１４０の側）において大きく浸食されている。   On the other hand, in the manufacturing method disclosed in Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2005-314787) described above, it is not possible to substantially adopt a modified example in which the step of forming the third recess 36c is added. In FIG. 14, the formation process of the second recess 136b is finished so that the metal plate 35 having the same height as the modification shown in FIG. 11 remains, and then the metal plate is formed from the second recess 136b side. In a state where 135 is sealed with the sealing layer 164, the metal plate 135 is etched from the first surface 135a side to form a third recess 136c leading to the second recess 136b. In the vapor deposition mask 120 shown in FIG. 14, the first metal layer 130 located on the second metal layer 140 is greatly eroded on one side in the thickness direction (the side of the second metal layer 140).

ここで図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、第２凹部３６ｂ，１３６ｂの形成が終了し且つ第３凹部３６ｃ，１３６ｃの形成を開始する前の状態を示している。図１５（ａ）に示すように、上述した本実施の形態の変形例においては、第２金属層４０が法線方向における他方の側に突出し、第１金属層３０内に入り込んでいる。したがって、本実施の形態およびその変形例においては、第２金属層４０の端部上に位置する第１金属層３０の厚みは、図１５（ｂ）に示された特許文献１に開示された製造方法で得られる第２金属層１４０の端部上に位置する第１金属層１３０の厚みと比較して、大幅に薄くすることができる。この結果、図１４に示された蒸着マスク１２０では、第２金属層１４０上に位置する第１金属層１３０が、厚み方向における一方の側（第２金属層１４０の側）において大きく浸食されることになる。また、本実施の形態及びその変形例においては、第２凹部３６ｂの底部から金属板３５の第１面３５ａまでの距離ｄ２（図１５（ａ）参照）を、特許文献１に開示された製造方法にて形成された第２凹部３６ｂの底部から金属板３５の第１面３５ａまでの距離ｄ１０２（図１５（ｂ）参照）よりも大きく設定して、蒸着マスクの剛性を効果的に改善することができる。   Here, FIGS. 15A and 15B show a state before the formation of the second recesses 36b and 136b is completed and before the formation of the third recesses 36c and 136c is started. As shown in FIG. 15A, in the above-described modification of the present embodiment, the second metal layer 40 protrudes to the other side in the normal direction and enters the first metal layer 30. Therefore, in the present embodiment and its modifications, the thickness of the first metal layer 30 located on the end of the second metal layer 40 is disclosed in Patent Document 1 shown in FIG. Compared with the thickness of the 1st metal layer 130 located on the edge part of the 2nd metal layer 140 obtained with a manufacturing method, it can be made very thin. As a result, in the vapor deposition mask 120 shown in FIG. 14, the first metal layer 130 located on the second metal layer 140 is greatly eroded on one side (the second metal layer 140 side) in the thickness direction. It will be. In the present embodiment and its modification, the distance d2 (see FIG. 15A) from the bottom of the second recess 36b to the first surface 35a of the metal plate 35 is disclosed in Patent Document 1. The distance d102 (see FIG. 15B) from the bottom of the second recess 36b formed by the method to the first surface 35a of the metal plate 35 is set to be larger, thereby effectively improving the rigidity of the vapor deposition mask. be able to.

第２金属層１４０上に位置する第１金属層１３０が、厚み方向における一方の側（第２金属層１４０の側）において大きく浸食されると、第１金属層１３０と第２金属層１４０との接触面積が小さくなり、第１金属層１３０と第２金属層１４０との密着状態が著しく不安定となる。また、第１金属層１３０の幅が狭くなるので、蒸着マスクの剛性が低下することになる。さらに、張り出し部１３３の貫通孔１２５内への突出量が大きくなり、シャドウが発生し、蒸着材料の利用効率も著しく低下する。これらのことから、短ピッチで貫通孔が配列された蒸着マスクを製造する際に、特許文献１（特開２００５−３１４７８７号公報）に開示された製造方法に対して第１の変形例を適用することは実質的に不可能となる。   When the first metal layer 130 located on the second metal layer 140 is greatly eroded on one side in the thickness direction (the second metal layer 140 side), the first metal layer 130, the second metal layer 140, , The contact area between the first metal layer 130 and the second metal layer 140 becomes extremely unstable. Moreover, since the width | variety of the 1st metal layer 130 becomes narrow, the rigidity of a vapor deposition mask will fall. Furthermore, the protruding amount of the protruding portion 133 into the through hole 125 is increased, a shadow is generated, and the utilization efficiency of the vapor deposition material is significantly reduced. For these reasons, the first modification is applied to the manufacturing method disclosed in Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2005-314787) when manufacturing a deposition mask in which through holes are arranged at a short pitch. It is virtually impossible to do.

なお、第３凹部３６ｃを形成する工程を設ける場合、第３凹部３６ｃの形成工程が、第２凹部３６ｂの形成工程の前に実施されるようにしてもよい。具体的には、第２金属層４０の形成工程の後に、第１レジストパターン６１の除去工程、第３凹部３６ｃの形成工程、金属板３５及び第２金属層４０を厚み方向における一方の側から封止する工程、封止層６３の除去工程、第２凹部３６ｂの形成工程が、順に実施されるようにしてもよい。また、第２凹部３６ｂを形成する際のエッチングによる金属板３５の浸食量が、第３凹部３６ｃを形成する際のエッチングによる金属板３５の浸食量よりも多いことから、第３凹部３６ｃの形成工程と第２凹部３６ｂの形成工程とが金属板３５の両側から同時に並行して行われ、その後、第２凹部３６ｂの形成工程のみが引き続き行われるようにしてもよい。   In addition, when providing the process of forming the 3rd recessed part 36c, you may make it implement the formation process of the 3rd recessed part 36c before the formation process of the 2nd recessed part 36b. Specifically, after the step of forming the second metal layer 40, the step of removing the first resist pattern 61, the step of forming the third recess 36c, the metal plate 35 and the second metal layer 40 from one side in the thickness direction. The step of sealing, the step of removing the sealing layer 63, and the step of forming the second recess 36b may be sequentially performed. In addition, since the erosion amount of the metal plate 35 by etching when forming the second recess 36b is larger than the erosion amount of the metal plate 35 by etching when forming the third recess 36c, the formation of the third recess 36c is performed. The step and the step of forming the second recess 36b may be performed simultaneously from both sides of the metal plate 35, and then only the step of forming the second recess 36b may be continued.

また、上述した実施の形態において、金属板３５の第１面３５ａへの第１レジストパターン６１の作製と、金属板３５の第２面３５ｂへの第２レジストパターン６２の作製との両方が、同時に並行して実施される必要はなく、レジストパターン６１，６２の一方が、他方に先行して作製されるようにしてもよい。第１レジストパターン６１は、第１凹部３６ａの形成工程の前に実施されればよく、第２レジストパターン６２は、第２凹部３６ｂの形成工程の前に実施されればよい。   In the above-described embodiment, both the production of the first resist pattern 61 on the first surface 35a of the metal plate 35 and the production of the second resist pattern 62 on the second surface 35b of the metal plate 35 are performed. It is not necessary to carry out simultaneously in parallel, and one of the resist patterns 61 and 62 may be produced prior to the other. The first resist pattern 61 may be performed before the step of forming the first recess 36a, and the second resist pattern 62 may be performed before the step of forming the second recess 36b.

さらに他の変形例として、蒸着マスク２０に形成される貫通孔２５のパターンを変更してもよい。上述の実施の形態で説明した貫通孔２５の配列パターンは例示に過ぎず、種々のパターン、例えば千鳥配列及びストライプパターンにて貫通孔２５が配列された蒸着マスク２０を製造してもよい。   As yet another modification, the pattern of the through holes 25 formed in the vapor deposition mask 20 may be changed. The arrangement pattern of the through holes 25 described in the above embodiment is merely an example, and the deposition mask 20 in which the through holes 25 are arranged in various patterns, for example, a staggered arrangement and a stripe pattern, may be manufactured.

なお、以上において上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。   In addition, although the some modification with respect to embodiment mentioned above was demonstrated above, naturally, it is also possible to apply combining several modifications suitably.

１０ 蒸着マスク装置
１５ フレーム
２０ 蒸着マスク
２０ａ 第１面
２０ｂ 第２面
２２ 有効領域
２３ 周囲領域
２５ 貫通孔
３０ 第１金属層
３０ａ 第１面
３０ｂ 第２面
３１ 孔
３１ａ 内周縁
３１ｂ 壁面
３２ 合流部分
３３ 張り出し部
３５ 金属板
３５ａ 第１面
３５ｂ 第２面
３６ａ 第１凹部
３６ｂ 第２凹部
３６ｃ 第３凹部
４０ 第２金属層
４１ 孔
４１ａ 内周縁
４１ｂ 壁面
４６ 一側面
４７ａ 外側面
４７ｂ 凹面
４８ 他側面
４９ａ 端部領域
６１ 第１レジストパターン
６２ 第２レジストパターン
６３ 封止層
６４ 封止層
９０ 蒸着装置
９２ ガラス基板
９４ るつぼ
９６ ヒータ
９８ 蒸着材料 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Deposition mask apparatus 15 Frame 20 Deposition mask 20a 1st surface 20b 2nd surface 22 Effective area | region 23 Peripheral area | region 25 Through-hole 30 1st metal layer 30a 1st surface 30b 2nd surface 31 Hole 31a Inner peripheral edge 31b Wall surface 32 Merge part 33 Overhang portion 35 Metal plate 35a First surface 35b Second surface 36a First recess 36b Second recess 36c Third recess 40 Second metal layer 41 Hole 41a Inner peripheral edge 41b Wall surface 46 One side surface 47a Outer side surface 47b Concave surface 48 Other side surface 49a End Partial region 61 First resist pattern 62 Second resist pattern 63 Sealing layer 64 Sealing layer 90 Vapor deposition apparatus 92 Glass substrate 94 Crucible 96 Heater 98 Vapor deposition material

Claims (11)

第１金属層と、
厚み方向における一方の側から前記第１金属層に積層された第２金属層と、を備え、
前記第１金属層及び前記第２金属層を貫通する複数の貫通孔が形成され、
隣り合う二つの貫通孔を横切る厚み方向に沿った断面において、前記第２金属層のうちの前記二つの貫通孔の間に位置する部分の前記一方の側を向く一側面は、両端において、厚み方向における最も一方の側に位置し、且つ、前記両端の間の少なくとも一部分において、厚み方向における他方の側へ凹んでいる、蒸着マスク。 A first metal layer;
A second metal layer laminated on the first metal layer from one side in the thickness direction,
A plurality of through holes penetrating the first metal layer and the second metal layer are formed,
In a cross section along the thickness direction crossing two adjacent through holes, one side surface of the second metal layer facing the one side of the portion located between the two through holes has a thickness at both ends. The vapor deposition mask which is located on the most one side in the direction and is recessed to the other side in the thickness direction in at least a part between the both ends. 前記一側面は、両端をそれぞれ画成する一対の外側面と、一対の外側面の間に位置し且つ厚み方向における他方の側へ凹んだ凹面と、を含む、請求項１に記載の蒸着マスク。   2. The vapor deposition mask according to claim 1, wherein the one side surface includes a pair of outer side surfaces respectively defining both ends, and a concave surface located between the pair of outer side surfaces and recessed to the other side in the thickness direction. . 前記一対の外側面は、厚さ方向に直交する同一仮想平面上に位置している、請求項２に記載の蒸着マスク。   The vapor deposition mask according to claim 2, wherein the pair of outer side surfaces are located on the same virtual plane orthogonal to the thickness direction. 隣り合う二つの貫通孔を横切る厚み方向に沿った断面において、前記第２金属層のうちの前記二つの貫通孔の間に位置する部分の前記他方の側を向く他側面は、前記他方の側に膨出した面となっている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の蒸着マスク。   In the cross section along the thickness direction crossing two adjacent through holes, the other side surface of the second metal layer facing the other side of the portion located between the two through holes is the other side. The vapor deposition mask as described in any one of Claims 1-3 which becomes the surface bulged in. 隣り合う二つの貫通孔を横切る厚み方向に沿った断面において、前記第２金属層のうちの前記二つの貫通孔の間に位置する部分の前記他方の側を向く他側面は、その両端をそれぞれ含む一対の端部領域において、前記第１金属層に覆われることなく前記貫通孔の内面を形成している、請求項１〜４のいずれか一項に記載の蒸着マスク。   In the cross section along the thickness direction crossing two adjacent through holes, the other side surfaces of the second metal layer facing the other side of the portion located between the two through holes are respectively connected to both ends thereof. The vapor deposition mask according to any one of claims 1 to 4, wherein an inner surface of the through hole is formed without being covered with the first metal layer in a pair of end region regions included. 隣り合う二つの貫通孔を横切る厚み方向に沿った断面において、前記端部領域内の前記他側面は、対応する側の端に接近するにつれて、厚み方向における前記他方の側から前記一方の側へ向かう、請求項５に記載の蒸着マスク。   In the cross-section along the thickness direction crossing two adjacent through holes, the other side surface in the end region moves from the other side in the thickness direction to the one side as it approaches the corresponding end. The vapor deposition mask of Claim 5 which goes. 第１金属層と、
厚み方向における一方の側から前記第１金属層に積層された第２金属層と、を備え、
前記第１金属層及び前記第２金属層を貫通する複数の貫通孔が形成され、
隣り合う二つの貫通孔を横切る厚み方向に沿った断面において、前記第２金属層の前記二つの貫通孔の間に位置する部分は、その両端において厚み方向における最も一方の側に位置するよう、少なくとも一部分において湾曲している、蒸着マスク。 A first metal layer ;
A second metal layer laminated on the first metal layer from one side in the thickness direction,
A plurality of through holes penetrating the first metal layer and the second metal layer are formed,
In the cross section along the thickness direction crossing two adjacent through holes, the portion located between the two through holes of the second metal layer is located on the most one side in the thickness direction at both ends thereof. A deposition mask that is curved at least in part. 前記第１金属層は、厚み方向に沿った断面において前記貫通孔内に突出した周状の張り出し部を、当該貫通孔の内面を形成する部分の厚み方向における前記一方の側の端部と他方の側の端部との間に含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の蒸着マスク。 The first metal layer includes a circumferential projecting portion projecting into the through hole in a cross section along the thickness direction, an end portion on the one side in the thickness direction of the portion forming the inner surface of the through hole, and the other side. The vapor deposition mask as described in any one of Claims 1-7 included between the edge parts by the side of this . 金属板の一方の側の面上に形成されたレジストパターンをマスクとして前記一方の側の面から前記金属板をエッチングして凹部を形成する工程と、
前記レジストパターンが設けられた状態の前記金属板を前記一方の側からめっきして前記凹部の表面上にめっき層を形成する工程と、
前記金属板の他方の側の面上に形成されたレジストパターンをマスクとして前記他方の側の面から前記金属板をエッチングして前記金属板を貫通する貫通孔を形成する工程と、を備え、
前記金属板の一方の側の面上のレジストパターンは、前記貫通孔が形成されるようになる領域の少なくとも中心を被覆するパターンにて形成され、
前記金属板の他方の側の面上のレジストパターンは、前記貫通孔が形成されるようになる領域の少なくとも中心を露出させるパターンにて形成される、蒸着マスクの製造方法。 Etching the metal plate from the surface on the one side using the resist pattern formed on the surface on one side of the metal plate as a mask, and forming a recess;
Plating the metal plate provided with the resist pattern from the one side to form a plating layer on the surface of the recess; and
Forming a through hole penetrating the metal plate by etching the metal plate from the other side surface using a resist pattern formed on the other side surface of the metal plate as a mask, and
The resist pattern on the surface on one side of the metal plate is formed with a pattern covering at least the center of the region where the through hole is to be formed,
The method of manufacturing a vapor deposition mask, wherein the resist pattern on the surface on the other side of the metal plate is formed in a pattern that exposes at least a center of a region where the through hole is to be formed. 前記他方の側の面から前記金属板をエッチングする工程において、前記金属板に貫通孔を形成する、請求項９に記載の蒸着マスクの製造方法。   The manufacturing method of the vapor deposition mask of Claim 9 which forms a through-hole in the said metal plate in the process of etching the said metal plate from the said other side surface. 前記金属板の一方の側の面上に形成された前記レジストパターンを除去する工程と、
前記金属板の前記一方の側の面から前記レジストパターンが除去された後に、前記金属板の一方の側の面上に形成された前記めっき層をマスクとして前記一方の側から前記金属板をエッチングする工程と、をさらに備える、請求項９に記載の蒸着マスクの製造方法。 Removing the resist pattern formed on one side of the metal plate;
After the resist pattern is removed from the surface on the one side of the metal plate, the metal plate is etched from the one side using the plating layer formed on the surface on the one side of the metal plate as a mask. The manufacturing method of the vapor deposition mask of Claim 9 further equipped with the process to do.
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