JP2015148002A - Vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation body, and manufacturing method for organic semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、蒸着マスク、蒸着マスク準備体、及び有機半導体素子の製造方法に関する。 The present invention relates to a deposition mask, a deposition mask preparation, and a method for manufacturing an organic semiconductor element.
有機EL素子を用いた製品の大型化或いは基板サイズの大型化にともない、蒸着マスクに対しても大型化の要請が高まりつつある。そして、金属から構成される蒸着マスクの製造に用いられる金属板も大型化している。しかしながら、現在の金属加工技術では、大型の金属板にスリットを精度よく形成することは困難であり、スリットの高精細化への対応はできない。また、金属のみからなる蒸着マスクとした場合には、大型化に伴いその質量も増大し、フレームを含めた総質量も増大することから取り扱いに支障をきたすこととなる。 With the increase in size of products using organic EL elements or the increase in substrate size, there is an increasing demand for increasing the size of vapor deposition masks. And the metal plate used for manufacture of the vapor deposition mask comprised from a metal is also enlarged. However, with the current metal processing technology, it is difficult to accurately form a slit in a large metal plate, and it is not possible to cope with the high definition of the slit. Further, in the case of a vapor deposition mask made of only metal, the mass increases with an increase in size, and the total mass including the frame also increases, resulting in trouble in handling.
このような状況下、特許文献1には、スリットが設けられた金属マスクと、金属マスクの表面に位置し蒸着作製するパターンに対応した開口部が縦横に複数列配置された樹脂マスクとが積層されてなる蒸着マスクが提案されている。特許文献1に提案がされている蒸着マスクによれば、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たすことができ、また、高精細な蒸着パターンの形成を行うことができるとされている。
Under such circumstances,
本発明は、上記特許文献1に記載されているような金属マスクと樹脂マスクとが積層された蒸着マスクのさらなる改良を目的とし、蒸着マスクを用いた製造過程における歩留まりの向上や、品質の向上が可能な蒸着マスク、蒸着マスク準備体、さらには、蒸着マスクを用いた有機半導体素子の製造方法を提供することを主たる課題とする。
The present invention aims to further improve a vapor deposition mask in which a metal mask and a resin mask as described in
上記課題を解決するための本発明は、蒸着作製するパターンに対応する開口部が設けられた樹脂マスクの一方の面上に、前記開口部と重なるスリットが設けられた金属マスクが積層されてなる蒸着マスクであって、前記樹脂マスクと前記金属マスクとが接している部分に対応する前記樹脂マスクの他方の面の少なくとも一部が粗面状態となっていることを特徴とする。 In order to solve the above problems, the present invention is formed by laminating a metal mask provided with a slit overlapping the opening on one surface of a resin mask provided with an opening corresponding to a pattern to be deposited. It is a vapor deposition mask, Comprising: At least one part of the other surface of the said resin mask corresponding to the part which the said resin mask and the said metal mask contact | connect is a rough surface state, It is characterized by the above-mentioned.
また、前記粗面状態となっている部分が、前記蒸着マスクの外周に位置していてもよい。 Moreover, the part which is the said rough surface state may be located in the outer periphery of the said vapor deposition mask.
また、前記粗面状態は、算術平均粗さ(Ra)が200nm以上となっている状態、及び高さが5μm以上の微細凸部が複数個存在している状態の何れか一方の状態、又は双方の状態であってもよい。 Further, the rough surface state is any one of a state in which an arithmetic average roughness (Ra) is 200 nm or more and a state in which a plurality of fine protrusions having a height of 5 μm or more exist, or Both states may be used.
また、上記課題を解決するための本発明は、蒸着作製するパターンに対応する開口部が設けられた樹脂マスクの一方の面上に、前記開口部と重なるスリットが設けられた金属マスクが積層されてなる蒸着マスクを得るための蒸着マスク準備体であって、樹脂板の一方の面上にスリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、前記樹脂板と前記金属マスクとが接している部分に対応する前記樹脂板の他方の面の少なくとも一部が粗面状態となっていることを特徴とする。 Further, the present invention for solving the above-described problem is that a metal mask provided with a slit overlapping the opening is laminated on one surface of the resin mask provided with an opening corresponding to a pattern to be deposited. A vapor deposition mask preparation for obtaining a vapor deposition mask comprising: a metal mask provided with a slit on one surface of a resin plate, and a portion where the resin plate and the metal mask are in contact with each other At least a part of the other surface of the resin plate corresponding to is in a rough surface state.
また、上記課題を解決するための本発明は、有機半導体素子の製造方法であって、フレームに蒸着マスクが固定されたフレーム付き蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を含み、前記蒸着パターンを形成する工程において、前記フレームに固定される前記蒸着マスクが、蒸着作製するパターンに対応する開口部が設けられた樹脂マスクの一方の面上に、前記開口部と重なるスリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、前記樹脂マスクと金属マスクとが接している部分に対応する樹脂マスクの他方の面の少なくとも一部が粗面状態となっていることを特徴とする。 In addition, the present invention for solving the above-described problem is a method for manufacturing an organic semiconductor element, including a step of forming a vapor deposition pattern on a vapor deposition object using a vapor deposition mask with a frame in which the vapor deposition mask is fixed to the frame. In the step of forming the vapor deposition pattern, the vapor deposition mask fixed to the frame has a slit overlapping the opening on one surface of the resin mask provided with an opening corresponding to the pattern to be vapor deposited. The provided metal masks are laminated, and at least a part of the other surface of the resin mask corresponding to a portion where the resin mask and the metal mask are in contact with each other is in a rough state.
本発明の蒸着マスクによれば、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たし、かつ、蒸着マスクを用いた製造過程における歩留まりや、品質を向上せしめることができる。また、本発明の蒸着マスク準備体によれば、上記の効果を奏する蒸着マスクを得ることができる。また、本発明の有機半導体素子の製造方法によれば、品質に優れる有機半導体素子を歩留まりよく製造することができる。 According to the vapor deposition mask of the present invention, both high definition and light weight can be satisfied even when the size is increased, and the yield and quality in the manufacturing process using the vapor deposition mask can be improved. Moreover, according to the vapor deposition mask preparation of this invention, the vapor deposition mask which has said effect can be obtained. Moreover, according to the manufacturing method of the organic-semiconductor element of this invention, the organic-semiconductor element excellent in quality can be manufactured with a sufficient yield.
<<蒸着マスク>>
以下に、本発明の一実施形態の蒸着マスク100について具体的に説明する。
<< Evaporation mask >>
Below, the
本発明の一実施形態の蒸着マスク100は、図1(a)〜(c)に示すように、蒸着作製するパターンに対応する開口部25が設けられた樹脂マスクの20一方の面上に、スリット15が設けられた金属マスク10が積層された構成をとる。図1(a)は、一実施形態の蒸着マスクを樹脂マスク20の他方の面側から見た正面図であり、(b)、(c)は断面図である。なお、本願明細書では、樹脂マスク20の表面のうち金属マスク10と接する側の面を、「樹脂マスク20の一方の面」と定義し、樹脂マスク20の表面のうち金属マスク10と接しない側の面を、「樹脂マスク20の他方の面」と定義している。したがって、図1(b)、(c)に示す形態では、樹脂マスク20の下面側が「樹脂マスクの一方の面」となり、上面側が「樹脂マスクの他方の面」となる。
As shown in FIGS. 1A to 1C, the
まずはじめに、蒸着対象物の被蒸着面に、上記構成の蒸着マスク100を用いて蒸着パターンを作製する方法について説明する。蒸着対象物の被蒸着面への蒸着パターンの作製は、蒸着対象物と蒸着マスクとを密接させた状態で、すなわち、蒸着対象物と蒸着マスクとの間に隙間がない状態で行われる。具体的には、蒸着対象物の被蒸着面と、蒸着マスク100の樹脂マスク20の他方の面とを対向させ、蒸着対象物の被蒸着面と、蒸着マスクの樹脂マスク20の他方の面とを密接させた状態で行われる。そして、蒸着対象物と、蒸着マスク100とを密接させた状態で、蒸着源から放出された蒸着材を、樹脂マスク20に設けられた開口部を通して蒸着対象物の被蒸着面に付着させることで、蒸着対象物の被蒸着面に、樹脂マスク20に設けられた開口部25に対応する蒸着パターンが作製される。
First, a method for producing a vapor deposition pattern on the vapor deposition surface of the vapor deposition object using the
なお、蒸着パターンの作製時に、蒸着対象物の被蒸着面と、蒸着マスク100の樹脂マスク20の他方の面とを密接させた状態で行っているのは、蒸着対象物の被蒸着面と、蒸着マスク100の樹脂マスクとの間に隙間がある場合には、蒸着対象物の被蒸着面に蒸着パターンを形成する際に、蒸着源から放出され、蒸着対象物方向に向かって進行する蒸着材が、蒸着対象物と蒸着マスク100の樹脂マスク20との間に生じた隙間から進行方向と直交する方向に回り込むことを防止するためである。なお、蒸着材の回り込みが発生した場合には、本来であれば、所定の間隔をあけて形成されるべき各蒸着パターン同士が、隙間から進行方向と直交する方向に回り込んだ蒸着材によって繋がってしまう、或いは、蒸着パターン寸法太り等の問題を引き起こし、高精細な蒸着パターンの形成の支障となる。なお、蒸着パターン太りとは、目的とする蒸着パターンよりも大きな形状の蒸着パターンが形成される現象を言う。
In addition, when the deposition pattern is produced, the deposition target surface of the deposition target and the other surface of the
蒸着対象物の被蒸着面へ蒸着パターンを作製後に、蒸着マスクから蒸着対象物を剥がすことで、蒸着対象物の被蒸着面に蒸着パターンが作製された製品を得る。蒸着対象物としては、通常、ガラス基板等、被蒸着面の平滑性が高いものが用いられるところ、蒸着対象物の被蒸着面と密接される、樹脂マスク20の他方の面の平滑性が高い場合には、静電吸着等の作用によって、蒸着対象物の被蒸着面と、蒸着マスク100の樹脂マスク20とが強固に密着してしまい、蒸着終了後に、蒸着マスク100から、蒸着対象物を剥がしにくくなるといった問題が生ずる。蒸着対象物と、蒸着マスクとが強固に密着されている場合に、過剰な力をかけて蒸着マスク100から蒸着対象物を剥がした場合には、蒸着パターンが作製された蒸着対象物、或いは蒸着マスクがダメージを受け、歩留まりの低下や、蒸着マスクを繰り返し使用する際の支障となる。特に、本発明の蒸着マスク100は、樹脂から構成される樹脂マスク20に蒸着作製するパターンに対応する開口部25が設けられていることから、金属のみから構成される蒸着マスクと比較して、応力等により、開口部25の寸法に変動が生じやすい状況にある。したがって、蒸着マスクから蒸着対象物を剥がす際に、開口部25の寸法に変動が生じた場合には、当該蒸着マスクを使用して、高精細な蒸着パターンの作製を行うことができない。つまり、この蒸着マスクを繰り返し使用することができない。したがって、高精細な蒸着パターンを長期にわたって作製可能な蒸着マスクとするためには、過剰な力をかけることなく、蒸着マスク100から蒸着対象物を容易に剥がすことができることが重要であるといえる。
After producing a vapor deposition pattern on the surface to be vapor-deposited, a product having the vapor deposition pattern produced on the surface to be vapor-deposited is obtained by peeling the vapor-deposition object from the vapor deposition mask. As a vapor deposition target, a glass substrate or the like having a high smoothness on the surface to be deposited is usually used, and the other surface of the
(樹脂マスク)
そこで、本発明の一実施形態の蒸着マスク100は、図1〜図4に示すように樹脂マスク20の一方の面において金属マスク10と接している部分に対応する樹脂マスク20の他方の面(図中の符号Y)の少なくとも一部が粗面状態となっている(図中の符号Aで示される部分)ことを特徴としている。以下、粗面状態となっている部分のことを「粗面領域」と言う場合がある。図1(a)、図2〜図4は、樹脂マスク20の他方の面側からみた蒸着マスク100の正面図である。各図では、説明の便宜上、樹脂マスク20の一方の面において金属マスク10のスリット15と重なる領域を記載している(図中の符号X参照)。なお、図中の符号Yは、樹脂マスク20の一方と金属マスク10とが接している領域を示し、図中の符号Aは、樹脂マスク10の他方の面に位置する「粗面領域」を示している。なお、図中の符号Aで示される領域は、樹脂マスクの一方の面において、金属マスク10と接している領域(図中の符号Y)の一部(図1(a)、図2、図4参照)、又は全部となる(図3参照)。
(Resin mask)
Therefore, the
上記特徴を有する本発明の一実施形態の蒸着マスク100によれば、蒸着対象物の被蒸着面と蒸着マスク100の樹脂マスク20の他方の面とを密接させたときに、蒸着対象物の被蒸着面と、蒸着マスク100の樹脂マスク20の他方の面との間に微細な空隙を形成することができる。換言すれば、蒸着対象物と蒸着マスクとの接触面積を減らすことができる。これにより、静電吸着等による吸着等の影響を小さくすることができ、蒸着対象物の被蒸着面と、蒸着マスク100の樹脂マスク20の他方の面とが強固に密着されることを抑制することができる。そして、この空隙を有する部分を起点として、蒸着対象物を蒸着マスク100から容易に剥がすことができる。
According to the
なお、本願明細書で言う「粗面状態」とは、蒸着対象物の被蒸着面と、蒸着マスク100の樹脂マスク20の他方の面とを密接させたときに、当該「粗面状態」となっている部分において、蒸着対象物の被蒸着面と、蒸着マスク100の樹脂マスク20の他方の面との間に空隙を形成することができる表面状態を意味する。
In addition, the “rough surface state” referred to in the present specification is the “rough surface state” when the deposition target surface of the deposition target and the other surface of the
図1、図2に示す形態では、樹脂マスク20の他方の面上であって、蒸着マスクの外周近傍に「粗面領域」が位置している(図中の符号A)。なお、図1(a)では、蒸着マスクの外縁に沿うようにして、樹脂マスクの他方の面に「粗面領域」が位置している。図3に示す形態では、樹脂マスク20の他方の面の全面が「粗面領域」となっている(図中の符号A)。図4に示す形態では、樹脂マスク20の他方の面上であって、蒸着マスクの外周とは異なる箇所に「粗面領域」が位置している(図中の符号A)。具体的には、樹脂マスクの他方の面上であって、各画面間の任意の箇所に「粗面領域」が位置している。中でも、図1、図2に示すように、樹脂マスク20の他方の面上であって、蒸着マスクの外周近傍に、「粗面領域」を位置させることで、蒸着材の回り込みの影響を小さくすることができる。これは、蒸着マスクの外周近傍は、各開口部25から離れており、蒸着材の回り込み等による影響が小さいことによる。「粗面領域」が位置する箇所は、図示する箇所に限定されるものではなく、樹脂マスク20の一方の面において金属マスク10と接している部分に対応する樹脂マスク20の他方の面上の少なくとも一部が粗面状態となっているとの条件を満たすものであればよい。
In the form shown in FIGS. 1 and 2, a “rough surface region” is located on the other surface of the
また、上記で説明した領域(図中の符号A)とともに、樹脂マスク20の一方の面において金属マスク10のスリット15と重なる部分に対応する樹脂マスク20の他方の面(図中の符号X)の一部が粗面状態となっていてもよい。なお、スリット15は、樹脂マスク20に設けられた開口部25と重なる位置に設けられていることから、スリット15と重なる位置に対応する樹脂マスクの他方の面が粗面状態となっている場合には、開口部25の近傍に「粗面領域」が位置し、樹脂マスクの開口部近傍に、「粗面領域」とすることに起因する浮きが生じ、開口部25の近傍において、蒸着対象物と、蒸着マスクとの間に隙間が発生しやすくなる。この点を考慮すると、樹脂マスク20の一方の面において金属マスク10のスリット15と重なる部分に対応する樹脂マスク20の他方の面(図中の符号X)は、粗面状態となっていないことが好ましい。なお、図1〜図4に示す形態では、樹脂マスク20の一方の面において金属マスク10のスリット15と重なる部分に対応する樹脂マスク20の他方の面(図中の符号X)は、粗面状態とはなっていない。
In addition to the region described above (reference A in the drawing), the other surface of the
なお、本発明の一実施形態の蒸着マスク100は、スリット15と重なる部分に対応する樹脂マスク20の他方の面(各図における符号X)が粗面状態となっていることを除外するものではなく、蒸着材の回り込みの影響を小さくできる範囲内で、適宜、スリット15と重なる部分に対応する樹脂マスク20の他方の面(各図における符号X)の一部を粗面状態とすることもできる。
In addition, the
また、粗面状態は、JIS B 0031(2001)で準拠される算術平均粗さ(Ra)が200nm以上となっている状態、もしくは、高さが5μm以上の微細凸部が複数個存在している状態の何れか一方の状態、又は双方の状態であることが好ましい。粗面状態となっている部分の状態を、上記の状態とすることで、「粗面領域」が位置する箇所にかかわらず、蒸着材の回り込みの影響を抑えつつも、蒸着対象物を容易に剥がすことができる蒸着マスク100とすることができる。
Moreover, the rough surface state is a state in which the arithmetic average roughness (Ra) based on JIS B 0031 (2001) is 200 nm or more, or there are a plurality of fine convex portions having a height of 5 μm or more. It is preferable that either one of the two states or both states are present. By changing the state of the rough surface state to the above state, it is easy to control the evaporation target while suppressing the influence of the evaporation material regardless of the location where the “rough surface region” is located. It can be set as the
また、粗面状態が、高さが5μm以上の微細凸部が複数個存在している状態である場合には、隣り合う凸部間のピッチは0.1mm以上50mm以下であることが好ましい。 Moreover, when the rough surface state is a state where a plurality of fine convex portions having a height of 5 μm or more exist, the pitch between adjacent convex portions is preferably 0.1 mm or more and 50 mm or less.
粗面状態とする方法について特に限定はなく、(i)ブラスト加工法、(ii)エンボス加工法、(iii)レーザー加工法等従来公知の加工方法を用いて形成することができる。(i)ブラスト加工法としては、例えば、コンプレッサーエアー等を用いて研磨材を吹き付けるサンドブラスト加工法等を挙げることができる。なお、(i)ブラスト加工法を用いる場合には、粗面状態としない領域をマスキングして行う必要がある。ブラスト加工法によれば、「粗面領域」の状態を、算術平均粗さ(Ra)を200nm以上の状態とすることができる。また、その形状は、図1(b)に近似する形状となる。(ii)エンボス加工法によれば、樹脂マスクの他方の面の、「粗面領域」形成予定位置に、樹脂マスクの他方の面又は、金属マスクの面から凸部を有する版を押しあて、加圧することで、樹脂マスクの他方の面の一部、又は全部を粗面状態とすることができる。(iii)レーザー加工法によれば、樹脂マスクの他方の面において「粗面領域」形成予定位置にレーザーを照射することで、樹脂マスクの他方の面の一部、又は全部を粗面状態とすることができる。この方法では、適正なエネルギのレーザーが照射された位置における樹脂マスクの樹脂及び金属マスクの金属の何れか一方、又は双方が隆起して凸部となり、レーザー非照射位置が凹部となる。上記(ii)、(iii)に示す加工法によれば、樹脂マスクの他方の面に押しあてる版の凸部高さ、レーザーの照射条件を適宜設定することで、高さが5μm以上の微細凸部が複数個存在する粗面状態とすることができる。また、その形状は、図1(c)に近似する形状となる。また、これらの加工法を適宜組合せることにより、算術平均粗さ(Ra)が200nm以上であり、且つ、高さが5μm以上の微細凸部が複数個存在している粗面状態とすることもできる。 There is no particular limitation on the method of making the surface rough, and it can be formed using a conventionally known processing method such as (i) blasting method, (ii) embossing method, or (iii) laser processing method. (I) Examples of the blasting method include a sand blasting method in which an abrasive is sprayed using compressor air or the like. Note that (i) when using the blasting method, it is necessary to mask the region that is not roughened. According to the blast processing method, the state of the “rough surface region” can be set to an arithmetic average roughness (Ra) of 200 nm or more. Moreover, the shape becomes a shape approximated to FIG. (Ii) According to the embossing method, a plate having convex portions is pressed from the other surface of the resin mask or the surface of the metal mask to the “rough surface region” formation planned position on the other surface of the resin mask. By applying pressure, part or all of the other surface of the resin mask can be made into a rough surface state. (Iii) According to the laser processing method, a part or all of the other surface of the resin mask is brought into a rough surface state by irradiating a laser beam to the “rough surface region” formation scheduled position on the other surface of the resin mask. can do. In this method, one or both of the resin of the resin mask and the metal of the metal mask at the position irradiated with the laser with the appropriate energy are raised to form a convex portion, and the laser non-irradiated position is a concave portion. According to the processing methods shown in the above (ii) and (iii), the height of the plate pressed against the other surface of the resin mask and the laser irradiation conditions are appropriately set so that the height is 5 μm or more. A rough surface state in which a plurality of convex portions exist can be obtained. Moreover, the shape becomes a shape approximated to FIG.1 (c). Further, by appropriately combining these processing methods, a rough surface state in which a plurality of fine convex portions having an arithmetic average roughness (Ra) of 200 nm or more and a height of 5 μm or more are present is obtained. You can also.
樹脂マスク20の他方の面と同様に、樹脂マスク20の一方の面もその一部が粗面状態となっていてもよいが、樹脂マスク20の一方の面は、金属マスク10と接する面であることから、樹脂マスク20の一方の面が粗面状態となっている場合には、当該粗面状態となっている部分において、樹脂マスク20と金属マスク10との密着性が低下し、また、樹脂マスク20と金属マスク10との間に隙間が生じ、高精細な蒸着パターンの形成の妨げとなる場合がある。この点を考慮すると、樹脂マスクの一方の面は、粗面状態となっていないことが好ましい。また、樹脂マスク20の他方の面における「粗面領域」の表面粗さは、樹脂マスク20の一方の面全体の表面粗さよりも、大きい値であることが好ましい。
Similar to the other surface of the
樹脂マスク20は、従来公知の樹脂材料を適宜選択して用いることができ、その材料について特に限定されないが、レーザー加工等によって高精細な開口部25の形成が可能であり、熱や経時での寸法変化率や吸湿率が小さく、軽量な材料を用いることが好ましい。このような材料としては、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体樹脂、エチレン−ビニルアルコール共重合体樹脂、エチレン−メタクリル酸共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、セロファン、アイオノマー樹脂等を挙げることができる。上記に例示した材料の中でも、その熱膨張係数が16ppm/℃以下である樹脂材料が好ましく、吸湿率が1.0%以下である樹脂材料が好ましく、この双方の条件を備える樹脂材料が特に好ましい。
For the
樹脂マスク20の厚みについても特に限定はないが、本発明の一実施形態の蒸着マスク100を用いて蒸着を行ったときに、目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる蒸着部分、所謂シャドウが生じることを防止するためには、樹脂マスク20は可能な限り薄いことが好ましい。しかしながら、樹脂マスク20の厚みが3μm未満である場合には、ピンホール等の欠陥が生じやすく、また変形等のリスクが高まる。一方で、25μmを超えるとシャドウの発生が生じ得る。この点を考慮すると樹脂マスク20の厚みは3μm以上25μm以下であることが好ましい。樹脂マスク20の厚みをこの範囲内とすることで、ピンホール等の欠陥や変形等のリスクを低減でき、かつシャドウの発生を効果的に防止することができる。特に、樹脂マスク20の厚みを、3μm以上10μm以下、より好ましくは4μm以上8μm以下とすることで、400ppiを超える高精細パターンを形成する際のシャドウの影響をより効果的に防止することができる。また、樹脂マスク20と後述する金属マスク10とは、直接的に接合されていてもよく、粘着剤層を介して接合されていてもよいが、粘着剤層を介して樹脂マスク20と金属マスク10とが接合される場合には、樹脂マスク20と粘着剤層との合計の厚みが上記好ましい厚みの範囲内であることが好ましい。
There is no particular limitation on the thickness of the
なお、シャドウとは、蒸着源から放出された蒸着材の一部が、金属マスク10のスリット15の内壁面に衝突して蒸着対象物へ到達しないことにより、目的とする蒸着膜厚よりも薄い膜厚となる未蒸着部分が生ずる現象のことをいう。特に、開口部25の形状を微細化していくことにともない、シャドウによる影響は大きくなる。
Note that the shadow is thinner than the target deposition film thickness because a part of the deposition material released from the deposition source collides with the inner wall surface of the
また、各図に示す形態では、開口部25の開口形状は、矩形状を呈しているが、開口形状について特に限定はなく、開口部25の開口形状は、台形状、円形状等いかなる形状であってもよい。
In the form shown in each figure, the opening shape of the
開口部25を形成する樹脂マスクの向かいあう端面同士が略平行であってもよいが、図2に示すように開口部25はその断面形状が、蒸着源に向かって広がりをもつような形状であることが好ましい。具体的には、樹脂マスクの開口部における下底先端と、同じく樹脂マスクの開口部における上底先端を結んだ直線と樹脂マスクの底面とのなす角度が5°〜85°の範囲内であることが好ましく、15°〜80°の範囲内であることがより好ましく、25°〜65°の範囲内であることがさらに好ましい。特には、この範囲内の中でも、使用する蒸着機の蒸着角度よりも小さい角度であることが好ましい。
Although the end faces of the resin mask that form the
(金属マスク)
図1(b)、(c)に示すように、樹脂マスク20の一方の面上には、金属マスク10が積層されている。なお、図5は、本発明の一実施形態の蒸着マスク100を金属マスク側から見た正面図である。金属マスク10は、金属から構成され、縦方向或いは横方向に延びるスリット15が配置されている。スリット15は開口と同義である。スリットの配置例について特に限定はなく、図5に示すように縦方向、及び横方向に延びるスリットが、縦方向、及び横方向に複数列配置されていてもよく、縦方向に延びるスリットが、横方向に複数列配置されていてもよく、横方向に延びるスリットが縦方向に複数列配置されていてもよい。また、縦方向、或いは横方向に1列のみ配置されていてもよい。
(Metal mask)
As shown in FIGS. 1B and 1C, a
金属マスク10の材料について特に限定はなく、蒸着マスクの分野で従来公知のものを適宜選択して用いることができ、例えば、ステンレス鋼、鉄ニッケル合金、アルミニウム合金などの金属材料を挙げることができる。中でも、鉄ニッケル合金であるインバー材は熱による変形が少ないので好適に用いることができる。
The material of the
金属マスク10の厚みについても特に限定はないが、シャドウの発生をより効果的に防止するためには、100μm以下であることが好ましく、50μm以下であることがより好ましく、35μm以下であることが特に好ましい。なお、5μmより薄くした場合、破断や変形のリスクが高まるとともにハンドリングが困難となる傾向にある。
Although the thickness of the
また、図5に示す形態では、スリット15の開口形状は、矩形状を呈しているが、開口形状について特に限定はなく、スリット15の開口形状は、台形状、円形状等いかなる形状であってもよい。
In the form shown in FIG. 5, the opening shape of the
金属マスク10に形成されるスリット15の断面形状についても特に限定されることはないが、図1(b)、(c)に示すように蒸着源に向かって広がりをもつような形状であることが好ましい。より具体的には、金属マスク10のスリット15における下底先端と、同じく金属マスク10のスリット15における上底先端を結んだ直線と金属マスク10の底面とのなす角度が5°〜85°の範囲内であることが好ましく、15°〜80°の範囲内であることがより好ましく、25°〜65°の範囲内であることがさらに好ましい。特には、この範囲内の中でも、使用する蒸着機の蒸着角度よりも小さい角度であることが好ましい。
The cross-sectional shape of the
樹脂マスク上に金属マスク10を積層する方法について特に限定はなく、樹脂マスク20と金属マスク10とを各種粘着剤を用いて貼り合わせてもよく、自己粘着性を有する樹脂マスクを用いてもよい。樹脂マスク20と金属マスク10の大きさは同一であってもよく、異なる大きさであってもよい。なお、この後に任意で行われるフレームへの固定を考慮して、樹脂マスク20の大きさを金属マスク10よりも小さくし、金属マスク10の外周部分が露出された状態としておくと、金属マスク10とフレームとの溶接が容易となり好ましい。
The method for laminating the
以下、より高精細な蒸着パターンの作製が可能となる蒸着マスクの形態について第1実施形態、及び第2実施形態を例に挙げ説明する。 Hereinafter, the form of the vapor deposition mask that enables the production of a higher-definition vapor deposition pattern will be described by taking the first embodiment and the second embodiment as examples.
<第1実施形態の蒸着マスク>
図5に示すように、本発明の第1実施形態の蒸着マスク100は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成するための蒸着マスクであって、樹脂マスク20の一方の面上に、複数のスリット15が設けられた金属マスク10が積層されてなり、樹脂マスク20には、複数画面を構成するために必要な開口部25が設けられ、各スリット15が、少なくとも1画面全体と重なる位置に設けられていることを特徴とする。さらに、第1実施形態の蒸着マスク100は、樹脂マスク20の一方の面において金属マスク10と接している部分に対応する樹脂マスク20の他方の面の少なくとも一部が粗面状態となっていることを特徴とする。なお、図示する形態では、粗面状態となっている部分である「粗面領域」を省略して記載しているが、「粗面領域」は、樹脂マスク20の他方の面上であって蒸着マスクの外周近傍に位置していてもよく(図1、図2参照)、樹脂マスク20の他方の面の全面に位置していてもよく(図3参照)、樹脂マスク20の他方の面上であって各画面間の任意の部分に位置していてもよい(図4参照)。
<Deposition Mask of First Embodiment>
As shown in FIG. 5, the
第1実施形態の蒸着マスク100は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成するために用いられる蒸着マスクであり、1つの蒸着マスク100で、複数の製品に対応する蒸着パターンを同時に形成することができる。第1実施形態の蒸着マスクで言う「開口部」とは、第1実施形態の蒸着マスク100を用いて作製しようとするパターンを意味し、例えば、当該蒸着マスクを有機ELディスプレイにおける有機層の形成に用いる場合には、開口部25の形状は当該有機層の形状となる。また、「1画面」とは、1つの製品に対応する開口部25の集合体からなり、当該1つの製品が有機ELディスプレイである場合には、1つの有機ELディスプレイを形成するのに必要な有機層の集合体、つまり、有機層となる開口部25の集合体が「1画面」となる。そして、第1実施形態の蒸着マスク100は、複数画面分の蒸着パターンを同時に形成すべく、樹脂マスク20には、上記「1画面」が、所定の間隔をあけて複数画面分配置されている。すなわち、樹脂マスク20には、複数画面を構成するために必要な開口部25が設けられている。
The
第1実施形態の蒸着マスクは、樹脂マスクの一方の面上に、複数のスリット15が設けられた金属マスク10が設けられ、各スリットは、それぞれ少なくとも1画面全体と重なる位置に設けられている点を特徴とする。換言すれば、1画面を構成するのに必要な開口部25間において、横方向に隣接する開口部25間に、スリット15の縦方向の長さと同じ長さであって、金属マスク10と同じ厚みを有する金属線部分や、縦方向に隣接する開口部間25に、スリット15の横方向の長さと同じ長さであって、金属マスク10と同じ厚みを有する金属線部分が存在していないことを特徴とする。以下、スリット15の縦方向の長さと同じ長さであって、金属マスク10と同じ厚みを有する金属線部分や、スリット15の横方向の長さと同じ長さであって、金属マスク10と同じ厚みを有する金属線部分のことを総称して、単に金属線部分と言う場合がある。
In the vapor deposition mask of the first embodiment, a
第1実施形態の蒸着マスク100によれば、1画面を構成するのに必要な開口部25の大きさや、1画面を構成する開口部25間のピッチを狭くした場合、例えば、400ppiを超える画面の形成を行うべく、開口部25の大きさや、開口部25間のピッチを極めて微小とした場合であっても、金属線部分による干渉を防止することができ、高精細な画像の形成が可能となる。なお、1画面が、複数のスリットによって分割されている場合、換言すれば、1画面を構成する開口部25間に金属マスク10と同じ厚みを有する金属線部分が存在している場合には、1画面を構成する開口部25間のピッチが狭くなっていくことにともない、開口部25間に存在する金属線部分が蒸着対象物へ蒸着パターンを形成する際の支障となり高精細な蒸着パターンの形成が困難となる。換言すれば、1画面を構成する開口部25間に金属マスク10と同じ厚みを有する金属線部分が存在している場合は、当該金属線部分が、シャドウの発生を引き起こし高精細な画面の形成が困難となる。
According to the
次に、図5〜図8を参照して、1画面を構成する開口部25の一例について説明する。なお、図示する形態において破線で閉じられた領域が1画面となっている。図示する形態では、説明の便宜上少数の開口部25の集合体を1画面としているが、この形態に限定されるものではなく、例えば、1つの開口部25を1画素としたときに、1画面に数百万画素の開口部25が存在していてもよい。
Next, an example of the
図5に示す形態では、縦方向、横方向に複数の開口部25が設けられてなる開口部25の集合体によって1画面が構成されている。図6に示す形態では、横方向に複数の開口部25が設けられてなる開口部25の集合体によって1画面が構成されている。また、図7に示す形態では、縦方向に複数の開口部25が設けられてなる開口部25の集合体によって1画面が構成されている。そして、図5〜図7では、1画面全体と重なる位置にスリット15が設けられている。
In the form shown in FIG. 5, one screen is constituted by an aggregate of
上記で説明したように、スリット15は、1画面のみと重なる位置に設けられていてもよく、図8(a)、(b)に示すように、2以上の画面全体と重なる位置に設けられていてもよい。図8(a)では、図5に示す樹脂マスク10において、横方向に連続する2画面全体と重なる位置にスリット15が設けられている。図8(b)では、縦方向に連続する3画面全体と重なる位置にスリット15が設けられている。
As described above, the
次に、図5に示す形態を例に挙げて、1画面を構成する開口部25間のピッチ、画面間のピッチについて説明する。1画面を構成する開口部25間のピッチや、開口部25の大きさについて特に限定はなく、蒸着作製するパターンに応じて適宜設定することができる。例えば、400ppiの高精細な蒸着パターンの形成を行う場合には、1画面を構成する開口部25において隣接する開口部25の横方向のピッチ(P1)、縦方向のピッチ(P2)は60μm程度となる。また、開口部の大きさは、500μm2〜1000μm2程度となる。また、1つの開口部25は、1画素に対応していることに限定されることはなく、例えば、画素配列によっては、複数画素を纏めて1つの開口部25とすることもできる。
Next, taking the form shown in FIG. 5 as an example, the pitch between the
画面間の横方向ピッチ(P3)、縦方向ピッチ(P4)についても特に限定はないが、図5に示すように、1つのスリット15が、1画面全体と重なる位置に設けられる場合には、各画面間に金属線部分が存在することとなる。したがって、各画面間の縦方向ピッチ(P4)、横方向のピッチ(P3)が、1画面内に設けられている開口部25の縦方向ピッチ(P2)、横方向ピッチ(P1)よりも小さい場合、或いは略同等である場合には、各画面間に存在している金属線部分が断線しやすくなる。したがって、この点を考慮すると、画面間のピッチ(P3、P4)は、1画面を構成する開口部25間のピッチ(P1、P2)よりも広いことが好ましい。画面間のピッチ(P3、P4)の一例としては、1mm〜100mm程度である。なお、画面間のピッチとは、1の画面と、当該1の画面と隣接する他の画面とにおいて、隣接している開口部間のピッチを意味する。このことは、後述する第2実施形態の蒸着マスクにおける開口部25のピッチ、画面間のピッチについても同様である。
The horizontal pitch (P3) and the vertical pitch (P4) between the screens are not particularly limited, but as shown in FIG. 5, when one slit 15 is provided at a position overlapping the entire screen, A metal line portion exists between the screens. Accordingly, the vertical pitch (P4) and horizontal pitch (P3) between the screens are smaller than the vertical pitch (P2) and horizontal pitch (P1) of the
なお、図8に示すように、1つのスリット15が、2つ以上の画面全体と重なる位置に設けられる場合には、1つのスリット15内に設けられている複数の画面間には、スリットの内壁面を構成する金属線部分が存在しないこととなる。したがって、この場合、1つのスリット15と重なる位置に設けられている2つ以上の画面間のピッチは、1画面を構成する開口部25間のピッチと略同等であってもよい。
In addition, as shown in FIG. 8, when one slit 15 is provided at a position overlapping two or more entire screens, a slit is not provided between a plurality of screens provided in one
また、樹脂マスク20には、樹脂マスク20の縦方向、或いは横方向にのびる溝(図示しない)が形成されていてもよい。蒸着時に熱が加わった場合、樹脂マスク20が熱膨張し、これにより開口部25の寸法や位置に変化が生じる可能性があるが、溝を形成することで樹脂マスクの膨張を吸収することができ、樹脂マスクの各所で生じる熱膨張が累積することにより樹脂マスク20が全体として所定の方向に膨張して開口部25の寸法や位置が変化することを防止することができる。溝の形成位置について限定はなく、1画面を構成する開口部25間や、開口部25と重なる位置に設けられていてもよいが、縦画面間に設けられていることが好ましい。また、溝は、樹脂マスクの一方の面、例えば、金属マスクと接する側の面のみに設けられていてもよく、金属マスクと接しない側の面のみに設けられていてもよい。或いは、樹脂マスク20の両面に設けられていてもよい。
The
また、隣接する画面間に縦方向に延びる溝としてもよく、隣接する画面間に横方向に延びる溝を形成してもよい。さらには、これらを組み合わせた態様で溝を形成することも可能である。 Moreover, it is good also as a groove | channel extended in the vertical direction between adjacent screens, and you may form the groove | channel extended in a horizontal direction between adjacent screens. Furthermore, it is possible to form the grooves in a combination of these.
溝の深さやその幅については特に限定はないが、溝の深さが深すぎる場合や、幅が広すぎる場合には、樹脂マスク20の剛性が低下する傾向にあることから、この点を考慮して設定することが必要である。また、溝の断面形状についても特に限定されることはなくU字形状やV字形状など、加工方法などを考慮して任意に選択すればよい。第2実施形態の蒸着マスクについても同様である。
The depth and width of the groove are not particularly limited. However, when the depth of the groove is too deep or too wide, the rigidity of the
<第2実施形態の蒸着マスク>
次に第2実施形態の蒸着マスクについて説明する。図9、図10に示すように、第2実施形態の蒸着マスクは、蒸着作製するパターンに対応した開口部25が複数設けられた樹脂マスク20の一方の面上に、1つのスリット(1つの貫通孔16)が設けられた金属マスク10が積層されてなり、当該複数の開口部25の全てが、金属マスク10に設けられた1つの貫通孔と重なる位置に設けられている点を特徴とする。さらに、第2実施形態の蒸着マスク100は、樹脂マスク20の一方の面において金属マスク10と接している部分に対応する樹脂マスク20の他方の面の少なくとも一部が粗面状態となっていることを特徴とする。第2実施形態の蒸着マスク100は、図示するように、1つのスリットが設けられた金属マスク10が樹脂マスク20上に積層されていることから、粗面状態となっている部分である「粗面領域」は、樹脂マスク20の一方の面と金属マスク10とが接している部分に対応する樹脂マスクの他方の面上、すなわち、蒸着マスク100の外周近傍に位置することとなる。
<Deposition Mask of Second Embodiment>
Next, the vapor deposition mask of 2nd Embodiment is demonstrated. As shown in FIGS. 9 and 10, the vapor deposition mask of the second embodiment has one slit (one slit) on one surface of the
第2実施形態で言う開口部25とは、蒸着対象物に蒸着パターンを形成するために必要な開口部を意味し、蒸着対象物に蒸着パターンを形成するために必要ではない開口部は、1つの貫通孔16と重ならない位置に設けられていてもよい。なお、図9、図10は、第2実施形態の蒸着マスクの一例を示す蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図である。
The
第2実施形態の蒸着マスク100は、複数の開口部25を有する樹脂マスク20上に、1つの貫通孔16を有する金属マスク10が設けられており、かつ、複数の開口部25の全ては、当該1つの貫通孔16と重なる位置に設けられている。この構成を有する第2実施形態の蒸着マスク100では、開口部25間に、金属マスクの厚みと同じ厚み、或いは、金属マスクの厚みより厚い金属線部分が存在していないことから、上記第1実施形態の蒸着マスクで説明したように、金属線部分による干渉を受けることなく樹脂マスク20に設けられている開口部25の寸法通りに高精細な蒸着パターンを形成することが可能となる。
In the
また、第2実施形態の蒸着マスクによれば、金属マスク10の厚みを厚くしていった場合であっても、シャドウの影響を殆ど受けることがないことから、金属マスク10の厚みを、耐久性や、ハンドリング性を十分に満足させることができるまで厚くすることができ、高精細な蒸着パターンの形成を可能としつつも、耐久性や、ハンドリング性を向上させることができる。
Moreover, according to the vapor deposition mask of 2nd Embodiment, even if it is a case where the thickness of the
(樹脂マスク)
第2実施形態の蒸着マスクにおける樹脂マスク20は、樹脂から構成され、図9、図10に示すように、1つの貫通孔16と重なる位置に蒸着作製するパターンに対応した開口部25が複数設けられている。開口部25は、蒸着作製するパターンに対応しており、蒸着源から放出された蒸着材が開口部25を通過することで、蒸着対象物には、開口部25に対応する蒸着パターンが形成される。なお、図示する形態では、開口部が縦横に複数列配置された例を挙げて説明をしているが、縦方向、或いは横方向にのみ配置されていてもよい。
(Resin mask)
The
第2実施形態の蒸着マスク100は、1画面に対応する蒸着パターンの形成に用いられるものであってもよく、2以上の画面に対応する蒸着パターンの同時形成に用いられるものであってもよい。第2実施形態の蒸着マスクにおける「1画面」とは、1つの製品に対応する開口部25の集合体を意味し、当該1つの製品が有機ELディスプレイである場合には、1つの有機ELディスプレイを形成するのに必要な有機層の集合体、つまり、有機層となる開口部25の集合体が「1画面」となる。この場合には、画面単位毎に所定の間隔をあけて開口部25が設けられていることが好ましい(図5〜図7の開口部の配置例を参照)。図示する形態では120個の開口部25によって1画面が構成されているが、この形態に限定されるものではなく、例えば、1つの開口部25を1画素としたときに、数百万個の開口部25によって1画面を構成することもできる。画面間のピッチの一例としては、縦方向のピッチ、横方向のピッチともに1mm〜100mm程度である。なお、画面間のピッチとは、1の画面と、当該1の画面と隣接する他の画面とにおいて、隣接している開口部間のピッチを意味する。
The
(金属マスク)
第2実施形態の蒸着マスク100における金属マスク10は、金属から構成され1つの貫通孔16を有している。そして、本発明では、当該1つの貫通孔16は、金属マスク10の正面からみたときに、全ての開口部25と重なる位置、換言すれば、樹脂マスク20に配置された全ての開口部25がみえる位置に配置されている。
(Metal mask)
The
金属マスク10を構成する金属部分、すなわち貫通孔16以外の部分は、図9に示すように蒸着マスク100の外縁に沿って設けられていてもよく、図10に示すように金属マスク10の大きさを樹脂マスク20よりも小さくし、樹脂マスク20の外周部分を露出させてもよい。また、金属マスク10の大きさを樹脂マスク20よりも大きくして、金属部分の一部を、樹脂マスクの横方向外方、或いは縦方向外方に突出させてもよい。なお、いずれの場合であっても、貫通孔16の大きさは、樹脂マスク20の大きさよりも小さく構成されている。
The metal portion constituting the
図9に示される金属マスク10の貫通孔の壁面をなす金属部分の横方向の幅(W1)や、縦方向の幅(W2)について特に限定はないが、W1、W2の幅が狭くなっていくに従い、耐久性や、ハンドリング性が低下していく傾向にある。したがって、W1、W2は、耐久性や、ハンドリング性を十分に満足させることができる幅とすることが好ましい。金属マスク10の厚みに応じて適切な幅を適宜設定することができるが、好ましい幅の一例としては、第1実施形態の金属マスクと同様、W1、W2ともに1mm〜100mm程度である。
Although there is no particular limitation on the width (W1) in the horizontal direction and the width (W2) in the vertical direction of the metal portion forming the wall surface of the through hole of the
(蒸着マスクの製造方法)
次に、本発明の一実施形態の蒸着マスクの製造方法の一例を説明する。
(Method for manufacturing vapor deposition mask)
Next, an example of the manufacturing method of the vapor deposition mask of one Embodiment of this invention is demonstrated.
(第1の製造方法)
蒸着マスクの第1の製造方法は、図11(a)に示すように、樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10が積層されてなる樹脂板付き金属マスク50を準備する準備工程、図11(b)に示すように、樹脂板付き金属マスク50に対し、金属マスク10側からスリット15を通してレーザーを照射して、図11(c)に示すように、樹脂板30に蒸着作製するパターンに対応する開口部25を形成する開口部形成工程、図11(d)に示すように、樹脂板の一方の面と金属マスクとが接する部分に対応する樹脂板30の他方の面の少なくとも一部を粗面状態とする粗面化工程とを含む。
(First manufacturing method)
As shown in FIG. 11A, a first method for manufacturing a vapor deposition mask includes a
「第1の製造方法における準備工程」
準備工程では、樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10が積層されてなる樹脂板付き金属マスク50を準備する。
"Preparation process in the first manufacturing method"
In the preparation step, a
樹脂板付き金属マスク50の形成方法としては、樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10を積層する。樹脂板30は、上記樹脂マスク20で説明した材料を用いることができる。
As a method of forming the
スリット15が設けられた金属マスク10の形成方法としては、金属板の表面にマスキング部材、例えば、レジスト材を塗工し、所定の箇所を露光し、現像することで、最終的にスリット15が形成される位置を残したレジストパターンを形成する。マスキング部材として用いるレジスト材としては処理性が良く、所望の解像性があるものが好ましい。次いで、このレジストパターンを耐エッチングマスクとして用いてエッチング法によりエッチング加工する。エッチングが終了後、レジストパターンを洗浄除去する。これにより、スリット15が設けられた金属マスク10が得られる。スリット15を形成するためのエッチングは、金属板の片面側から行ってもよく、両面から行ってもよい。また、金属板に樹脂板が設けられた積層体を用いて、金属板にスリット15を形成する場合には、金属板の樹脂板と接しない側の表面にマスキング部材を塗工して、片面側からのエッチングによってスリット15が形成される。なお、樹脂板が、金属板のエッチング材に対し耐エッチング性を有する場合には、樹脂板の表面をマスキングする必要はないが、樹脂板が、金属板のエッチング材に対する耐性を有しない場合には、樹脂板の表面にマスキング部材を塗工しておく必要がある。また、上記では、マスキング部材としてレジスト材を中心に説明を行ったが、レジスト材を塗工する代わりにドライフィルムレジストをラミネートし、同様のパターニングを行ってもよい。
As a method of forming the
上記の方法において、樹脂板付金属マスク50を構成する樹脂板30は、板状の樹脂のみならず、コーティングによって形成された樹脂層や樹脂膜であってもよい。つまり、樹脂板は、予め準備されたものであってもよく、金属板と樹脂板30とを用いて樹脂板付き金属マスク50を形成する場合には、金属板上に、従来公知のコーティング法等によって、最終的に樹脂マスクとなる樹脂層、或いは樹脂膜を形成することもできる。第2の製造方法、第3の製造方法についても同様である。
In the above method, the
「第1の製造方法における開口部形成工程」
開口部形成工程は、樹脂板付き金属マスク50に対し、金属マスク10側からスリット15を通してレーザーを照射して、図11(c)に示すように、樹脂板30に蒸着作製するパターンに対応する開口部25を形成する工程である。
“Opening Step in First Manufacturing Method”
The opening forming step corresponds to a pattern in which a laser beam is irradiated from the
レーザーを照射するレーザー加工法にかえて、精密プレス加工、フォトリソ、及びエッチング加工等を用いて、樹脂板に蒸着作製するパターンに対応する開口部25を形成することもできる。なお、高精細な開口部25を容易に形成することができる点からは、開口部25の形成には、レーザー加工法を用いることが好ましい。第2の製造方法、第3の製造方法についても同様である。
The
「第1の製造方法における粗面化工程」
粗面化工程は、図11(d)に示すように、樹脂板30の一方の面と金属マスク10とが接する部分に対応する樹脂板30の他方の面の少なくとも一部を粗面状態とする工程である。
"Roughening process in the first manufacturing method"
In the roughening step, as shown in FIG. 11 (d), at least a part of the other surface of the
粗面状態とする方法や、粗面状態となっている部分が位置する箇所については、上記本発明の一実施形態の蒸着マスクで説明した方法や、「粗面領域」が位置する箇所を適宜選択すればよく、ここでの詳細な説明は省略する。 For the method of making the rough surface state and the location where the portion in the rough surface state is located, the method described in the vapor deposition mask of the above-described embodiment of the present invention and the location where the “rough surface region” is located appropriately. The detailed description is omitted here.
(第2の製造方法)
蒸着マスクの第2の製造方法は、図12(a)に示すように、樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10が積層されてなる樹脂板付き金属マスク50を準備する準備工程、図12(b)に示すように、樹脂板付き金属マスク50に対し、金属マスク10側からスリット15を通してレーザーを照射して、図12(c)に示すように、樹脂板30に蒸着作製するパターンに対応する開口部25を形成しつつ、樹脂板の他方の面側からレーザーを照射して樹脂板の一方の面と金属マスクとが接する部分に対応する樹脂板30の他方の面の少なくとも一部を粗面状態とする開口部形成工程を含む。
(Second manufacturing method)
As shown in FIG. 12A, the second manufacturing method of the vapor deposition mask includes a
「第2の製造方法における開口部形成工程」
開口部形成工程は、図12(b)に示すように、樹脂板付き金属マスク50に対し、金属マスク10側からスリット15を通してレーザーを照射して、図12(c)に示すように、樹脂板30に蒸着作製するパターンに対応する開口部25を形成しつつ、樹脂板の他方の面側からレーザーを照射して樹脂板の一方の面と金属マスクとが接する部分に対応する樹脂板30の他方の面の少なくとも一部を粗面状態とする工程である。
“Opening Step in Second Manufacturing Method”
In the opening forming step, as shown in FIG. 12 (b), the
つまり、上記第1の製造方法では、開口部25を形成した後に、レーザー加工法、或いはこれ以外の加工法を用いて、樹脂板30の他方の面の少なくとも一部を粗面状態としているのに対し、第2の製造方法は、樹脂板30の一方の面側からレーザーを照射して開口部25を形成し、また、樹脂板30の他方の面側からレーザーを照射して、樹脂板30の所定の箇所を粗面状態としている点で、上記第1の製造方法と相違する。これ以外については、上記第1の製造方法で説明した方法を適宜選択することができ、ここでの詳細な説明は省略する。レーザーの照射条件等について特に限定はなく、開口部25を形成するためのレーザー条件、粗面状態とするためのレーザー条件等を適宜設定すればよい。また、レーザー加工法以外の方法で粗面状態とすることもできる。
That is, in the first manufacturing method, after the
(第3の製造方法)
蒸着マスクの第3の製造方法は、図13(a)に示すように、樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10が積層され、樹脂板30と金属マスクとが接している部分に対応する樹脂板の他方の面の少なくとも一部が粗面状態となっている樹脂板付き金属マスク50を準備する準備工程、図13(b)に示すように、樹脂板付き金属マスク50に対し、金属マスク10側からスリット15を通してレーザーを照射して、図13(c)に示すように、樹脂板30に蒸着作製するパターンに対応する開口部25を形成する開口部形成工程を含む。
(Third production method)
As shown in FIG. 13A, the third manufacturing method of the vapor deposition mask is formed by laminating the
「第3の製造方法における準備工程」
準備工程では、樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10が積層され、樹脂板30と金属マスクとが接している部分に対応する樹脂板の他方の面の少なくとも一部が粗面状態となっている樹脂板付き金属マスク50を準備する。粗面状態とするための処理は、樹脂板30と金属マスク10とを積層する前の段階で行ってもよく、樹脂板と金属マスク10とを積層した後に行ってもよい。つまり、最終的に準備される樹脂板付き金属マスク、換言すれば、開口部25を形成する前の段階で、粗面状態とするための処理が行われていればよい。第3の製造方法は、開口部25を形成した後に、樹脂板の他方の面の少なくとも一部を粗面状態とするのではなく、開口部を形成する前の段階で、樹脂板付き金属マスクの他方の面の少なくとも一部を粗面状態としている点で、上記第1の製造方法と相違する。これ以外については、上記第1の製造方法で説明した方法を適宜選択することができ、ここでの詳細な説明は省略する。
"Preparation process in the third manufacturing method"
In the preparation step, the
(蒸着マスク準備体)
次に、本発明の一実施形態の蒸着マスク準備体について説明する。本発明の一実施形態の蒸着マスク準備体は、蒸着作製するパターンに対応する開口部が設けられた樹脂マスクの一方の面上に、スリットが設けられた金属マスクが積層されてなる蒸着マスクを得るための蒸着マスク準備体であって、樹脂板の一方の面上にスリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、樹脂板と金属マスクとが接している部分に対応する樹脂板の他方の面の少なくとも一部が粗面状態となっていることを特徴とする。
(Deposition mask preparation)
Next, the vapor deposition mask preparation body of one Embodiment of this invention is demonstrated. The vapor deposition mask preparation of one embodiment of the present invention includes a vapor deposition mask in which a metal mask provided with a slit is laminated on one surface of a resin mask provided with an opening corresponding to a pattern to be produced by vapor deposition. A vapor deposition mask preparation for obtaining, wherein the other side of the resin plate corresponding to the portion where the resin plate and the metal mask are in contact is formed by laminating a metal mask provided with a slit on one side of the resin plate It is characterized in that at least a part of the surface is rough.
本発明の一実施形態の蒸着マスク準備体は、開口部25が設けられていない点以外は、上記で説明した本発明の一実施形態の蒸着マスク100と共通し、具体的な説明は省略する。蒸着マスク準備体の具体的な構成としては、上記蒸着マスクの第3の製造方法における準備工程で準備される樹脂板付き金属マスク(図13(a)参照)を挙げることができる。
The vapor deposition mask preparation of one embodiment of the present invention is common to the
本発明の一実施形態の蒸着マスク準備体によれば、当該蒸着マスク準備体の樹脂板に開口部を形成することで、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たし、蒸着マスクを用いた製造過程における歩留まりの向上や、品質の向上が可能な蒸着マスクを得ることができる。具体的には、蒸着後に、蒸着対象物を容易に剥がすことができる蒸着マスクを得ることができる。 According to the vapor deposition mask preparation of one embodiment of the present invention, by forming an opening in the resin plate of the vapor deposition mask preparation, both high definition and light weight can be satisfied even when the vaporization mask is enlarged. Thus, it is possible to obtain a vapor deposition mask capable of improving the yield and improving the quality in the manufacturing process using. Specifically, it is possible to obtain a vapor deposition mask that can easily peel off a vapor deposition target after vapor deposition.
(有機半導体素子の製造方法)
次に、本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法について説明する。本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法により蒸着パターンを形成する工程を有し、当該有機半導体素子を形成する工程において以下のフレーム付き蒸着マスクが用いられる点に特徴を有する。
(Method for manufacturing organic semiconductor element)
Next, the manufacturing method of the organic-semiconductor element of one Embodiment of this invention is demonstrated. The manufacturing method of the organic-semiconductor element of one Embodiment of this invention has the process of forming a vapor deposition pattern by the vapor deposition method using the vapor deposition mask with a flame | frame, In the process of forming the said organic semiconductor element, the following vapor deposition mask with a flame | frame It is characterized in that is used.
フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法により蒸着パターンを形成する工程を有する一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、基板上に電極を形成する電極形成工程、有機層形成工程、対向電極形成工程、封止層形成工程等を有し、各任意の工程においてフレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法により基板上に蒸着パターンが形成される。例えば、有機ELデバイスのR,G,B各色の発光層形成工程に、フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法をそれぞれ適用する場合には、基板上に各色発光層の蒸着パターンが形成される。なお、本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、これらの工程に限定されるものではなく、蒸着法を用いる従来公知の有機半導体素子の製造における任意の工程に適用可能である。 An organic semiconductor device manufacturing method according to an embodiment having a step of forming a vapor deposition pattern by a vapor deposition method using a vapor deposition mask with a frame includes an electrode forming step of forming an electrode on a substrate, an organic layer forming step, and a counter electrode forming step. The deposition pattern is formed on the substrate by a deposition method using a deposition mask with a frame in each optional step. For example, when the vapor deposition method using a vapor deposition mask with a frame is applied to the R, G, B light emitting layer forming step of the organic EL device, vapor deposition patterns of the respective color light emitting layers are formed on the substrate. In addition, the manufacturing method of the organic-semiconductor element of one Embodiment of this invention is not limited to these processes, It is applicable to the arbitrary processes in manufacture of the conventionally well-known organic-semiconductor element using a vapor deposition method.
本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、上記蒸着パターンを形成する工程において、フレームに固定される前記蒸着マスクが、上記で説明した本発明の一実施形態の蒸着マスクであることを特徴とする。 In the method of manufacturing an organic semiconductor element according to one embodiment of the present invention, in the step of forming the deposition pattern, the deposition mask fixed to the frame is the deposition mask according to one embodiment of the present invention described above. It is characterized by.
フレーム付き蒸着マスクを構成する蒸着マスクについては、上記で説明した本発明の一実施形態の蒸着マスク100をそのまま用いることができ、ここでの詳細な説明は省略する。上記で説明した本発明の一実施形態の蒸着マスクによれば、高精細なパターンを有する有機半導体素子を形成することができる。また、蒸着終了後においては、フレーム付き蒸着マスクから、有機半導体素子を容易に剥がすことができる。本発明の製造方法で製造される有機半導体素子としては、例えば、有機EL素子の有機層、発光層や、カソード電極等を挙げることができる。特に、本発明の一実施形態の有機半導体素子の製造方法は、高精細なパターン精度が要求される有機EL素子のR、G、B発光層の製造に好適に用いることができる。
As the vapor deposition mask constituting the frame-equipped vapor deposition mask, the
有機半導体素子の製造に用いられるフレーム付き蒸着マスクは、フレームに、上記で説明した本発明の一実施形態の蒸着マスクが固定されているとの条件を満たすものであればよく、その他の条件について特に限定されることはない。フレームについて特に限定はなく、蒸着マスクを支持することができる部材であればよく、例えば、金属フレーム等を使用することができる。以下、フレームとして金属フレームを用いた例を中心に説明する。例えば、図14に示すように、金属フレーム60に、1つの蒸着マスク100が固定されてなる金属フレーム付き蒸着マスク200を用いてもよく、図15に示すように、金属フレーム60に、複数の蒸着マスク(図示する形態では4つの蒸着マスク)が縦方向、或いは横方向に並べて固定(図示する形態では横方向に並べて固定)された金属フレーム付き蒸着マスク200を用いてもよい。なお、図14、図15は、一実施形態の金属フレーム付き蒸着マスク200を樹脂マスク20側からみた正面図であり、粗面状態となっている部分、換言すれば上記「粗面領域」を省略して記載している。
The vapor deposition mask with a frame used for manufacturing the organic semiconductor element only needs to satisfy the condition that the vapor deposition mask of the embodiment of the present invention described above is fixed to the frame. There is no particular limitation. The frame is not particularly limited and may be any member that can support the vapor deposition mask. For example, a metal frame or the like can be used. Hereinafter, an example using a metal frame as a frame will be mainly described. For example, as shown in FIG. 14, a metal frame-equipped
金属フレーム60は、略矩形形状の枠部材であり、最終的に固定される蒸着マスク100の樹脂マスク20に設けられた開口部25を蒸着源側に露出させるための開口を有する。金属フレームの材料について特に限定はないが、剛性が大きい金属材料、例えば、SUSや、インバー材などが好適である。
The
金属フレームの厚みについても特に限定はないが、剛性等の点から10mm〜30mm程度であることが好ましい。金属フレームの開口の内周端面と、金属フレームの外周端面間の幅は、当該金属フレームと、蒸着マスクの金属マスクとを固定することができる幅であれば特に限定はなく、例えば、10mm〜50mm程度の幅を例示することができる。 The thickness of the metal frame is not particularly limited, but is preferably about 10 mm to 30 mm from the viewpoint of rigidity and the like. The width between the inner peripheral end face of the opening of the metal frame and the outer peripheral end face of the metal frame is not particularly limited as long as the metal frame and the metal mask of the vapor deposition mask can be fixed. A width of about 50 mm can be exemplified.
また、蒸着マスク100を構成する樹脂マスク20の開口部25の露出を妨げない範囲で、金属フレームの開口に補強フレーム65等が存在していてもよい。換言すれば、金属フレーム60が有する開口が、補強フレーム等によって分割された構成を有していてもよい。図14に示す形態では、横方向に延びる補強フレーム65が縦方向に複数配置されているが、この補強フレーム65にかえて、或いは、これとともに縦方向に延びる補強フレームが横方向に複数列配置されていてもよい。また、図15に示す形態では、縦方向に延びる補強フレーム65が横方向に複数配置されているが、この補強フレーム65にかえて、或いは、これとともに、横方向に延びる補強フレームが縦方向に複数配置されていてもよい。補強フレーム等を利用することで、金属フレーム60に、本発明の一実施形態の蒸着マスク100を縦方向、及び横方向に複数並べて固定することもできる(図15参照)。
Further, a reinforcing
金属フレーム60と、本発明の一実施形態の蒸着マスク100との固定方法についても特に限定はなく、レーザー光等により固定するスポット溶接、接着剤、ねじ止め等を用いて固定することができる。
A method for fixing the
次に、他の実施形態の蒸着マスク、他の実施形態の蒸着マスク準備体、及び他の実施形態の有機半導体素子の製造方法について説明する。 Next, the vapor deposition mask of other embodiment, the vapor deposition mask preparation body of other embodiment, and the manufacturing method of the organic-semiconductor element of other embodiment are demonstrated.
<<他の実施形態の蒸着マスク>>
以下に、他の実施形態の蒸着マスク100について具体的に説明する。なお、他の実施形態の蒸着マスクは、以下で説明する相違点以外は、全て上記本発明の一実施形態と共通し、ここでの詳細な説明は省略する。例えば、上記第1実施形態の蒸着マスクや、第2実施形態の蒸着マスクの構成に、他の実施形態の構成を適用することもできる。例えば、図22、図23は、上記第2実施形態の蒸着マスクに、他の実施形態の構成を適用させた例であり、図22(a)、図23(a)は、他の実施形態の蒸着マスクを金属マスク側から見た正面図であり、図22(b)、図23(b)は樹脂マスク側から見た正面図である。図示する他の実施形態の蒸着マスク100は、1つのスリットが設けられた金属マスク10が樹脂マスク20上に積層されており、金属マスクの表面の一部が露出している領域は、蒸着マスク100の外縁に沿って(図22(b)参照)、或いは外周近傍(図23(b)参照)に位置している。
<< Deposition Mask of Other Embodiments >>
Below, the
他の実施形態の蒸着マスク100は、図16(a)〜(c)に示すように、蒸着作製するパターンに対応する開口部25が設けられた樹脂マスクの20一方の面上に、開口部25と重なるスリット15が設けられた金属マスク10が積層された構成をとる。図16(a)は、他の実施形態の蒸着マスクを樹脂マスク20側から見た正面図であり、(b)は、他の実施形態の蒸着マスクを金属マスク10側から見た正面図であり、(c)は、概略断面図である。そして、他の実施形態の蒸着マスク100は、図16〜図20に示すように、金属マスク10の表面のうち、金属マスク10の樹脂マスク20と接する側の面の少なくとも一部が露出していることを特徴としている。図16(a)、図17〜図20は、他の実施形態の蒸着マスク100を樹脂マスク側から見た正面図である。各図に示す符号10(X)は、樹脂マスク側から見たときに金属マスク10が露出している領域を示している。
As shown in FIGS. 16A to 16C, the
他の実施形態の蒸着マスク100では、金属マスク10の樹脂マスク20と接する側の面の少なくとも一部が露出している。したがって、他の実施形態の蒸着マスク(図21(a)参照)によれば、金属マスクの樹脂マスクと接する面が露出していない比較の蒸着マスク100X(図21(b)参照)と比較して、蒸着マスク100の樹脂マスク20と、蒸着対象物150の被蒸着面との接触面積を減らすことができる。図21(a)は、他の実施形態の蒸着マスク100(図16(c)参照)の樹脂マスク20と、蒸着対象物150の被蒸着面とを密接させた状態を示す概略断面図であり、図21(b)は、他の実施形態の蒸着マスクの発明特定事項を充足しない比較の蒸着マスク100Xの樹脂マスク20Xと、蒸着対象物150の被蒸着面とを密接させた状態を示す概略断面図である。
In the
蒸着対象物と蒸着マスクの密着力は、蒸着対象物の被蒸着面と、蒸着マスク100の樹脂マスクとの接触面積に影響を受け、接触面積が大きいほど、蒸着対象物と蒸着マスクとの密着力は高くなり、蒸着マスクから蒸着対象物を剥がしにくくなるものと考えられる。他の実施形態の蒸着マスク100は、上記のように、金属マスクの表面の一部を露出させることで、蒸着対象物の被蒸着面と、蒸着マスク100の樹脂マスクとの接触面積を小さくすることができ、これにより、蒸着対象物と蒸着マスクとの密着力を低くでき、蒸着パターンを作製後、蒸着マスクから蒸着対象物を容易に剥がすことが可能となる。
The adhesion force between the deposition object and the deposition mask is affected by the contact area between the deposition surface of the deposition object and the resin mask of the
金属マスクの表面の一部が露出している領域について特に限定はなく、上記のように金属マスクの表面の一部が露出している領域を有する分だけ、接触面積を小さくすることができる。なお、金属マスク10が露出している領域上には、樹脂マスク20が存在していないことから、樹脂マスク20の開口部25の近傍に、金属マスク10の表面の一部が露出している領域を設けた場合には、開口部25の近傍における樹脂マスク20の強度が低下し、開口部25の寸法に変動が生じやすくなる傾向にある。したがって、金属マスク10の表面の一部が露出している領域は、開口部25から離れた位置にあることが好ましい。
There is no particular limitation on the region where a part of the surface of the metal mask is exposed, and the contact area can be reduced by the amount of the region where the part of the surface of the metal mask is exposed as described above. Since the
例えば、図16に示すように、金属マスクの表面の一部が露出している領域を、蒸着マスクの外周に位置させることで、樹脂マスクの強度を保ちつつも、蒸着対象物と蒸着マスクとの接触面積を小さくすることができる。なお、図16では、蒸着マスク100の外縁に沿って、金属マスク10の表面の一部が露出しているが、蒸着マスクの横方向外周、或いは蒸着マスクの縦方向外周の何れか一方の外周において、金属マスクの表面の一部を露出させてもよい。図17(a)に示す形態の蒸着マスク100は、蒸着マスク100の横方向の外周において、金属マスク10の表面の一部が露出している。換言すれば、図17(a)に示す形態の蒸着マスクは、金属マスク10の大きさを樹脂マスク20よりも大きくすることで、金属マスクの一部を、樹脂マスクの横方向外方に突出させている。図17(b)に示す形態の蒸着マスク100は、金属マスク10の大きさを樹脂マスク20よりも小さくし、蒸着マスク外周近傍において、樹脂マスクに所定の貫通孔を設けることで、金属マスク10の表面の一部を露出させている。
For example, as shown in FIG. 16, by positioning a region where a part of the surface of the metal mask is exposed on the outer periphery of the vapor deposition mask, while maintaining the strength of the resin mask, the vapor deposition object and the vapor deposition mask The contact area can be reduced. In FIG. 16, a part of the surface of the
図18〜図20に示す形態の蒸着マスクは、蒸着マスク100の外周以外の領域において、樹脂マスク20に所定の貫通孔等を設けることで、金属マスク10の表面の一部を露出させている。金属マスク10の表面の一部が露出している領域は、各図に示す形態に限定されるものではなく、例えば、各図に示す形態を組合せることもできる。また、図示する領域以外の領域に、金属マスク10の表面の一部を露出させることもできる。
The vapor deposition mask of the form shown in FIGS. 18-20 exposes a part of the surface of the
特に、図16、図17に示す形態の蒸着マスク100によれば、金属マスク10と、蒸着対象物との間に形成される隙間を利用して、蒸着マスクから蒸着対象物を容易に剥がすことができる点で、好ましい形態である。また、金属マスク10上に、当該金属マスク10よりも形状の小さい蒸着マスク20を重ねることにより、図16、図17に示す形態の蒸着マスク100を容易に得ることができ、製造コスト等の点でも好ましい。
In particular, according to the
(他の実施形態の蒸着マスクの製造方法)
次に、他の実施形態の蒸着マスクの製造方法の一例を説明する。
(Manufacturing method of the vapor deposition mask of other embodiment)
Next, an example of the manufacturing method of the vapor deposition mask of other embodiment is demonstrated.
(他の実施形態の第1の製造方法)
他の実施形態の第1の製造方法は、図24(a)に示すように、樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10が積層されてなる樹脂板付き金属マスク50を準備する準備工程、図24(b)に示すように、樹脂板付き金属マスク50に対し、金属マスク10側からスリット15を通してレーザーを照射して、図24(c)に示すように、樹脂板30に蒸着作製するパターンに対応する開口部25を形成する開口部形成工程を含む。
(First manufacturing method according to another embodiment)
As shown in FIG. 24A, a first manufacturing method of another embodiment is a metal mask with a resin plate, in which a
準備工程では、樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10が積層されてなる樹脂板付き金属マスク50を準備する。そして、他の実施形態の第1の製造方法では、13(a)に示すように、金属マスクの樹脂板30と接する側の面の少なくとも一部が露出している樹脂板付き金属マスクが準備される。
In the preparation step, a
樹脂板付き金属マスク50の形成方法としては、樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10を積層する。樹脂板30は、上記樹脂マスク20で説明した材料を用いることができる。金属マスクの表面の一部が露出している樹脂板付き金属マスクとしては、例えば、樹脂板30の大きさを金属マスク10よりも小さくし、金属マスク10の外周部分を露出させたものや(図24(a)参照)、金属マスク10のスリット15と重ならない位置に金属マスクの表面の一部を露出させるために、その一部が除去された樹脂板を、金属マスク10と積層させて、金属マスクの表面の一部を露出させたもの等を挙げることができる。
As a method of forming the
上記の方法において、樹脂板付金属マスク50を構成する樹脂板30は、板状の樹脂のみならず、コーティングによって形成された樹脂層や樹脂膜であってもよい。つまり、樹脂板は、予め準備されたものであってもよく、金属板と樹脂板30とを用いて樹脂板付き金属マスク50を形成する場合には、金属板上に、従来公知のコーティング法等によって、最終的に樹脂マスクとなる樹脂層、或いは樹脂膜を形成することもできる。他の実施形態の第2の製造方法、及び第3の製造方法についても同様である。金属板、或いは金属マスク上に樹脂板を積層させた後に、樹脂板の一部を除去し、金属板、或いは金属マスクの樹脂板と接する側の面の少なくとも一部を露出させる形態については、他の実施形態の第3の製造方法で説明する。
In the above method, the
スリット15が設けられた金属マスク10の形成方法は、上記本発明の一実施形態の製造方法で説明した方法を適宜選択することができ、ここでの詳細な説明は省略する。
As the method of forming the
「開口部形成工程」
開口部形成工程は、図24(b)に示すように、樹脂板付き金属マスク50に対し、金属マスク10側からスリット15を通してレーザーを照射して、図24(c)に示すように、樹脂板30に蒸着作製するパターンに対応する開口部25を形成する工程である。開口部を形成することで、蒸着作製するパターンに対応する開口部25が設けられた樹脂マスク20の一方の面上に、開口部20と重なるスリット15が設けられた金属マスク10が積層され、金属マスク10の樹脂マスク20と接する側の面の少なくとも一部が露出してなる蒸着マスクを得る。
"Opening process"
In the opening forming step, as shown in FIG. 24 (b), the resin mask with
上記で説明したレーザーを照射するレーザー加工法にかえて、精密プレス加工、フォトリソ、及びエッチング加工等を用いて、樹脂板を貫通させることで、樹脂板に蒸着作製するパターンに対応する開口部25を形成することもできる。なお、高精細な開口部25を容易に形成することができる点からは、開口部25の形成には、レーザー加工法を用いることが好ましい。
Instead of the laser processing method of irradiating the laser described above, the
(他の実施形態の第2の製造方法)
他の実施形態の第2の製造方法は、図25(a)に示すように、樹脂板30の一方の面上にスリット15が設けられた金属マスク10が積層されてなる樹脂板付き金属マスク50を準備する準備工程、図25(b)に示すように、樹脂板付き金属マスク50に対し、金属マスク10側からスリット15を通してレーザーを照射して、図25(c)に示すように、樹脂板30に蒸着作製するパターンに対応する開口部25を形成し、かつ、樹脂板30の金属マスク10と接しない側の面から、樹脂板30の金属マスク10のスリット15と重ならない位置にレーザーを照射して、樹脂板30の一部を除去し、当該樹脂板30が除去された部分において、金属マスク10の表面の一部を露出させる開口部形成工程を含む。
(Second manufacturing method according to another embodiment)
As shown in FIG. 25 (a), the second manufacturing method according to another embodiment is a metal mask with a resin plate in which a
「開口部形成工程」
開口部形成工程は、図25(b)に示すように、樹脂板付き金属マスク50に対し、金属マスク10側からスリット15を通してレーザーを照射して、図25(c)に示すように、樹脂板30に蒸着作製するパターンに対応する開口部25を形成し、かつ、図25(b)に示すように、樹脂板30の金属マスク10と接しない側の面から、樹脂板30の金属マスク10のスリット15と重ならない位置にレーザーを照射して、樹脂板30の一部を除去し、図25(c−1)、或いは図25(c−2)に示すように、当該樹脂板30が除去された部分において、金属マスク10の表面の一部を露出させる工程である。
"Opening process"
In the opening forming step, as shown in FIG. 25 (b), the resin mask with
つまり、上記第1の製造方法では、樹脂板付き金属マスクを準備する段階で、予め、樹脂板30と接する金属マスクの表面の一部を露出させているのに対し、第2の製造方法では、樹脂板付き金属マスクを準備する段階では、金属マスク10の樹脂板30と接する側の面の一部を露出させずに、後の工程において、金属マスク10の樹脂板30と接する側の面の一部を露出させている点で、第1の製造方法と相違する。これ以外については、上記第1の製造方法で説明した方法を適宜選択することができ、ここでの詳細な説明は省略する。樹脂板30の除去領域について特に限定はなく、例えば、図16〜図22等を用いて説明した金属マスク10の表面の一部が露出している領域に対応する樹脂板30を除去すればよい。
That is, in the first manufacturing method, a part of the surface of the metal mask in contact with the
他の実施形態の第2の製造方法では、金属マスクの表面の一部を露出させるための樹脂板30の除去方法として、レーザーを照射する例を挙げて説明を行っているが、精密プレス加工、フォトリソ、及びエッチング加工等を用いて、樹脂板30の一部を除去することもできる。開口部25の形成も同様である。
In the second manufacturing method according to another embodiment, the method of removing the
(他の実施形態の第3の製造方法)
上記他の実施形態の第1の製造方法では、樹脂板付き金属マスク50を準備する工程において、樹脂板と接する側の面の一部が露出するように、樹脂板に金属マスクを積層させる形態について説明したが、他の実施形態の第3の製造方法は、樹脂板付き金属マスク50を準備する工程において、(A)金属板上に樹脂板を積層した後に、金属板にスリットを形成し、金属マスク上に樹脂板が積層されてなる積層体を得る。次いで、フォトリソ、及びエッチング加工法、或いは任意の加工法を用いて、樹脂板の一部を除去することで、金属マスクの樹脂板と接する側の面の少なくとも一部が露出してなる樹脂板付き金属マスクを準備している。又は、(B)金属板上に樹脂板を積層した後に、フォトリソ、及びエッチング加工法、或いは任意の加工法を用いて樹脂板の一部を除去することで、金属板の樹脂板と接する側の面の少なくとも一部が露出してなる積層体を得る。次いで、金属板にスリットを形成することで、金属マスクの樹脂板と接する側の面の少なくとも一部が露出してなる樹脂板付き金属マスクを準備している。
(Third manufacturing method according to another embodiment)
In the first manufacturing method of the other embodiment, in the step of preparing the metal mask with
上記で説明したように、樹脂板付金属マスク50を構成する樹脂板30は、板状の樹脂のみならず、コーティングによって形成された樹脂層や樹脂膜であってもよい。開口部を形成する工程は、上記他の実施形態の第1の製造方法で説明した通りであり、ここでの詳細な説明は省略する。
As described above, the
(他の実施形態の蒸着マスク準備体)
次に、他の実施形態の蒸着マスク準備体について説明する。他の実施形態の蒸着マスク準備体は、蒸着作製するパターンに対応する開口部が設けられた樹脂マスクの一方の面上に、開口部25と重なるスリットが設けられた金属マスクが積層されてなる蒸着マスクを得るための蒸着マスク準備体であって、樹脂板の一方の面上にスリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、金属マスクの樹脂板と接する側の面の少なくとも一部が露出していることを特徴としている。
(Deposition mask preparation body of other embodiment)
Next, the vapor deposition mask preparation body of other embodiment is demonstrated. The vapor deposition mask preparation of another embodiment is formed by laminating a metal mask provided with a slit overlapping the
他の実施形態の蒸着マスク準備体は、樹脂板30に開口部25が設けられていない点以外は、上記で説明した他の実施形態の蒸着マスク100と共通し、具体的な説明は省略する。他の実施形態の蒸着マスク準備体の具体的な構成としては、上記他の実施形態の第1の製造方法における準備工程で準備される樹脂板付き金属マスク(図24(a)参照)を挙げることができる。
The vapor deposition mask preparation of another embodiment is common to the
他の実施形態の蒸着マスク準備体によれば、当該蒸着マスク準備体の樹脂板に開口部を形成することで、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たし、蒸着マスクを用いた製造過程における歩留まりの向上や、品質の向上が可能な蒸着マスクを得ることができる。具体的には、蒸着後に、蒸着対象物を容易に剥がすことができる蒸着マスクを得ることができる。 According to the vapor deposition mask preparation of another embodiment, by forming an opening in the resin plate of the vapor deposition mask preparation, both high definition and light weight can be satisfied even when the size is increased, and the vapor deposition mask is used. Thus, it is possible to obtain a vapor deposition mask capable of improving the yield and quality in the manufacturing process. Specifically, it is possible to obtain a vapor deposition mask that can easily peel off a vapor deposition target after vapor deposition.
(他の実施形態の有機半導体素子の製造方法)
次に、他の実施形態の有機半導体素子の製造方法について説明する。他の実施形態の有機半導体素子の製造方法は、フレーム付き蒸着マスクを用いた蒸着法により蒸着パターンを形成する工程を有し、当該有機半導体素子を形成する工程において以下のフレーム付き蒸着マスクが用いられる点に特徴を有する。
(Manufacturing method of organic semiconductor element of other embodiment)
Next, the manufacturing method of the organic-semiconductor element of other embodiment is demonstrated. The manufacturing method of the organic-semiconductor element of other embodiment has the process of forming a vapor deposition pattern by the vapor deposition method using a vapor deposition mask with a flame | frame, and uses the following vapor deposition masks with a flame | frame in the process of forming the said organic semiconductor element. It is characterized in that
他の実施形態の有機半導体素子の製造方法は、フレームに固定される蒸着マスクが、上記で説明した他の実施形態の蒸着マスクであることを特徴とする。 The organic semiconductor device manufacturing method according to another embodiment is characterized in that the vapor deposition mask fixed to the frame is the vapor deposition mask according to another embodiment described above.
フレーム付き蒸着マスクを構成する蒸着マスクについては、上記で説明した他の実施形態の蒸着マスク100をそのまま用いることができ、ここでの詳細な説明は省略する。上記で説明した他の実施形態の蒸着マスクをフレームに固定してなるフレーム付き蒸着マスクを用いた有機半導体素子の製造方法によれば、高精細なパターンを有する有機半導体素子を形成することができる。また、蒸着終了後においては、フレーム付き蒸着マスクから、有機半導体素子を容易に剥がすことができる。他の実施形態の有機半導体素子の製造方法は、フレームに固定される蒸着マスクが、上記他の実施形態の蒸着マスクである点を除いて、上記で説明した一実施形態の有機半導体素子の製造方法と共通し、ここでの詳細な説明は省略する。
As the vapor deposition mask constituting the vapor deposition mask with a frame, the
以上説明した他の実施形態の蒸着マスクによれば、上記本発明の一実施形態の蒸着マスクと同様に、大型化した場合でも高精細化と軽量化の双方を満たし、蒸着マスクを用いた製造過程における歩留まりの向上や、品質の向上が可能な蒸着マスクを得ることができる。具体的には、蒸着後に、蒸着対象物を容易に剥がすことができる。また、他の実施形態の蒸着マスク準備体によれば、上記他の実施形態の蒸着マスクを得ることができる。また、他の実施形態の有機半導体素子の製造方法によれば、高精細なパターンを有する有機半導体素子を形成することができる。また、蒸着後に、フレーム付き蒸着マスクから有機半導体素子を容易に剥がすことができる。 According to the vapor deposition mask of the other embodiments described above, similar to the vapor deposition mask of one embodiment of the present invention, even when the size is increased, both high definition and light weight are satisfied, and the production using the vapor deposition mask is performed. It is possible to obtain a vapor deposition mask capable of improving the yield in the process and improving the quality. Specifically, after vapor deposition, the vapor deposition object can be easily peeled off. Moreover, according to the vapor deposition mask preparation body of other embodiment, the vapor deposition mask of said other embodiment can be obtained. In addition, according to the method for manufacturing an organic semiconductor element of another embodiment, an organic semiconductor element having a high-definition pattern can be formed. Moreover, an organic-semiconductor element can be easily peeled off from a vapor deposition mask with a frame after vapor deposition.
200…金属フレーム付き蒸着マスク
100…蒸着マスク
10…金属マスク
15…スリット
16…貫通孔
20…樹脂マスク
25…開口部
30…樹脂板
50…樹脂板付き金属マスク
60…金属フレーム
200 ...
Claims (5)
前記樹脂マスクと前記金属マスクとが接している部分に対応する前記樹脂マスクの他方の面の少なくとも一部が粗面状態となっていることを特徴とする蒸着マスク。 A vapor deposition mask in which a metal mask provided with a slit overlapping the opening is laminated on one surface of a resin mask provided with an opening corresponding to a pattern to be produced by vapor deposition,
At least a part of the other surface of the resin mask corresponding to a portion where the resin mask and the metal mask are in contact with each other is in a rough surface state.
樹脂板の一方の面上にスリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、
前記樹脂板と前記金属マスクとが接している部分に対応する前記樹脂板の他方の面の少なくとも一部が粗面状態となっていることを特徴とする蒸着マスク準備体。 A vapor deposition mask preparation for obtaining a vapor deposition mask in which a metal mask provided with a slit overlapping with the opening is laminated on one surface of a resin mask provided with an opening corresponding to a pattern to be produced by vapor deposition There,
A metal mask provided with a slit is laminated on one surface of the resin plate,
At least a part of the other surface of the resin plate corresponding to a portion where the resin plate and the metal mask are in contact with each other is in a rough surface state.
フレームに蒸着マスクが固定されたフレーム付き蒸着マスクを用いて蒸着対象物に蒸着パターンを形成する工程を含み、
前記蒸着パターンを形成する工程において、前記フレームに固定される前記蒸着マスクが、
蒸着作製するパターンに対応する開口部が設けられた樹脂マスクの一方の面上に、前記開口部と重なるスリットが設けられた金属マスクが積層されてなり、前記樹脂マスクと金属マスクとが接している部分に対応する樹脂マスクの他方の面の少なくとも一部が粗面状態となっていることを特徴とする有機半導体素子の製造方法。 A method for producing an organic semiconductor element, comprising:
Forming a vapor deposition pattern on a vapor deposition object using a vapor deposition mask with a frame having a vapor deposition mask fixed to the frame;
In the step of forming the vapor deposition pattern, the vapor deposition mask fixed to the frame,
A metal mask provided with a slit that overlaps with the opening is laminated on one surface of the resin mask provided with an opening corresponding to the pattern to be deposited, and the resin mask and the metal mask are in contact with each other. A method for producing an organic semiconductor element, characterized in that at least a part of the other surface of the resin mask corresponding to the portion being in a rough surface state.
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017110123A1 (en) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask manufacturing method , and organic semiconductor element manufacturing method |
WO2017145402A1 (en) * | 2016-02-23 | 2017-08-31 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask manufacturing method, and organic el display device manufacturing method |
WO2017168774A1 (en) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | Manufacturing method and manufacturing device for deposition mask |
US20220131075A1 (en) * | 2020-10-26 | 2022-04-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask assembly and manfucturing method thereof |
EP4130330A3 (en) * | 2021-08-02 | 2023-06-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask for deposition |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09143677A (en) * | 1995-11-20 | 1997-06-03 | Toppan Printing Co Ltd | Formation of transparent conductive film |
JP2003253434A (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Vapor deposition method, and method for manufacturing display device |
JP2004190057A (en) * | 2002-12-09 | 2004-07-08 | Nippon Filcon Co Ltd | Mask for forming thin film pattern of lamination structure comprising patterned mask film and supporting body, and its manufacturing method |
JP2013084373A (en) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | V Technology Co Ltd | Mask |
JP2013163864A (en) * | 2012-01-12 | 2013-08-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Vapor deposition mask, method for producing vapor deposition mask device, and method for producing organic semiconductor element |
-
2014
- 2014-02-07 JP JP2014022791A patent/JP2015148002A/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09143677A (en) * | 1995-11-20 | 1997-06-03 | Toppan Printing Co Ltd | Formation of transparent conductive film |
JP2003253434A (en) * | 2002-03-01 | 2003-09-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Vapor deposition method, and method for manufacturing display device |
JP2004190057A (en) * | 2002-12-09 | 2004-07-08 | Nippon Filcon Co Ltd | Mask for forming thin film pattern of lamination structure comprising patterned mask film and supporting body, and its manufacturing method |
JP2013084373A (en) * | 2011-10-06 | 2013-05-09 | V Technology Co Ltd | Mask |
JP2013163864A (en) * | 2012-01-12 | 2013-08-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Vapor deposition mask, method for producing vapor deposition mask device, and method for producing organic semiconductor element |
JP5288072B2 (en) * | 2012-01-12 | 2013-09-11 | 大日本印刷株式会社 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask device manufacturing method, and organic semiconductor element manufacturing method |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2017110123A1 (en) * | 2015-12-25 | 2018-11-08 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | Vapor deposition mask and organic semiconductor device manufacturing method |
CN108884555B (en) * | 2015-12-25 | 2021-02-09 | 鸿海精密工业股份有限公司 | Vapor deposition mask, method for manufacturing vapor deposition mask, and method for manufacturing organic semiconductor element |
US10858726B2 (en) | 2015-12-25 | 2020-12-08 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Vapor deposition mask, vapor deposition mask manufacturing method , and organic semiconductor element manufacturing method |
JP2019014974A (en) * | 2015-12-25 | 2019-01-31 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司Hon Hai Precision Industry Co.,Ltd. | Vapor deposition mask and method for manufacturing organic semiconductor element |
WO2017110123A1 (en) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask manufacturing method , and organic semiconductor element manufacturing method |
CN108884555A (en) * | 2015-12-25 | 2018-11-23 | 鸿海精密工业股份有限公司 | The manufacturing method of deposition mask, the manufacturing method of deposition mask and organic semiconductor device |
JP6417486B2 (en) * | 2015-12-25 | 2018-11-07 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | Vapor deposition mask and organic semiconductor device manufacturing method |
CN108699670A (en) * | 2016-02-23 | 2018-10-23 | 鸿海精密工业股份有限公司 | The manufacturing method of deposition mask, the manufacturing method of deposition mask and organic EL display apparatus |
JPWO2017145402A1 (en) * | 2016-02-23 | 2018-08-09 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask manufacturing method, and organic EL display device manufacturing method |
US10501841B2 (en) | 2016-02-23 | 2019-12-10 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Deposition mask, method for manufacturing the same, and method for manufacturing organic EL display apparatus |
CN108699670B (en) * | 2016-02-23 | 2020-04-03 | 鸿海精密工业股份有限公司 | Vapor deposition mask, method for manufacturing vapor deposition mask, and method for manufacturing organic EL display device |
WO2017145402A1 (en) * | 2016-02-23 | 2017-08-31 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | Vapor deposition mask, vapor deposition mask manufacturing method, and organic el display device manufacturing method |
JPWO2017168774A1 (en) * | 2016-03-28 | 2018-11-01 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | Method and apparatus for manufacturing vapor deposition mask |
TWI682044B (en) * | 2016-03-28 | 2020-01-11 | 鴻海精密工業股份有限公司 | Method and apparatus for manufacturing vapor deposition mask and method for manufacturing organic light-emitting diode |
WO2017168774A1 (en) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | Manufacturing method and manufacturing device for deposition mask |
US20220131075A1 (en) * | 2020-10-26 | 2022-04-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask assembly and manfucturing method thereof |
US11937492B2 (en) | 2020-10-26 | 2024-03-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask assembly and manufacturing method thereof |
EP4130330A3 (en) * | 2021-08-02 | 2023-06-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Mask for deposition |
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