JP6216177B2

JP6216177B2 - 電子ビーム蒸着装置

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Publication number: JP6216177B2
Application number: JP2013159623A
Authority: JP
Inventors: 祐輔清水; 淳一山成
Original assignee: Hitachi Zosen Corp
Current assignee: Hitachi Zosen Corp
Priority date: 2013-07-31
Filing date: 2013-07-31
Publication date: 2017-10-18
Anticipated expiration: 2033-07-31
Also published as: KR20150015359A; JP2015030862A; TWM491672U; KR102240886B1; CN203999792U

Description

本発明は、電子ビームを用いた蒸着装置に関するものである。

電子ビームを用いた蒸着装置は、所定の電圧で加速された電子を、真空容器内に配置した坩堝内の材料に照射し加熱することで蒸発させ、この蒸発した材料を真空容器内に配置した被蒸着部材である基板の表面に付着させて薄膜を形成するものである。

この蒸着装置は、多種類の材料に対して高速度の成膜が行えるので、様々な用途で使用されているが、電子ビームが坩堝内の材料に照射され、発生する二次電子や反射電子が成膜部に入射することにより成膜部の組成変化を引き起こすことがある。特に基板として、有機デバイスの成膜プロセス中に電子ビーム蒸着を行う場合、上記二次電子や反射電子による有機薄膜表面の組成変化、有機デバイスとしての特性低下が生じることがある。

二次電子や反射電子を抑制するために、例えば特許文献１が知られている。特許文献１には、基板と坩堝とが対向する空間に、一対の電磁石を磁界の方向を横にして対向配置し、基板の近傍にプローブを設けて該プローブに流れる電子電流を見ながら一対の電磁石に対する励磁電流を調整することが開示されている。

しかしながら、上記特許文献１では、磁石による電子ビーム偏向磁場への干渉を考慮すると、磁石と電子ビームとの間に電子ビーム偏向に影響しない様に一定の距離を設ける必要があり、磁石を基板寄りに設置せざるを得ないが、坩堝と基板とが対向する空間に一対の磁石により磁場領域を形成するため、磁石自体が遮蔽物となり、蒸着範囲が限定されるため、例えば、Ｇ２〜Ｇ４サイズの大型のガラス基板への適用が困難である。

また、坩堝から基板へ直接入射する二次電子や反射電子が磁石により遮蔽できたとしても、磁場領域により基板方向から偏向された二次電子、反射電子が真空容器の内壁等に反射することで磁場領域を回り込み、基板に到達する可能性があり、一対の磁石のみでは基板成膜面に入射する電子を完全に遮蔽することができないといった問題もある。

特開平５−１５６４２８号公報

本発明が解決しようとする問題点は、基板と坩堝とが対向する空間に磁場領域を形成するための磁石自体が遮蔽物となり蒸着可能範囲が制限されると共に、二次電子や反射電子が基板へ入射することを防止する効果が低い点である。

加速した電子を照射し加熱して蒸発させた材料を、形成した磁場により電子を遮蔽しつつ基板表面に付着させて薄膜を形成する電子ビーム蒸着装置であって、
蒸着する基板の回転中心軸から所定距離移動させた下方に、蒸着材料の収容器を位置させ、
基板を回転させつつ蒸着を行う際の回転軌道、または固定した基板を回転させた場合の回転軌跡に基づいて、
前記収容器の中心より基板の回転中心方向の上方空間に、前記収容器の中心を挟んで所定の間隔を空けて一対の磁石の各々の基板回転中心側端部を他方端部より下方に傾斜させて配置することを最も主要な特徴としている。

上記の本発明の電子ビーム蒸着装置は、蒸着する基板下方に蒸着材料の収容器を位置させることに対応させて最適な磁場を形成するように磁石を配置することで、磁石が蒸着の妨げになる遮蔽物とならないようにしている。

また、磁石の配置に関しては、収容器の中心を挟んで所定の間隔を空けて一対の磁石の各々の基板中心側端部を他方端部より下方に傾斜させて配置することで、磁石が蒸着の妨げにならず、また、収容器に向けて照射された電子ビームにより発生する二次電子や反射電子が基板の成膜部へ直接入射することを防止している。

上記の電子ビーム蒸着装置において、収容器の周囲にアースされた電子遮蔽板を蒸着の遮蔽物とならない範囲で設ければ、二次電子や反射電子が内壁等でアースに流れることにより基板成膜部への入射を抑制することが可能となる。

さらに、上記の電子ビーム蒸着装置において、基板の蒸着面から収容器までの高さを変更する収容器昇降機構と、収容器の前記高さにおける磁石の傾斜上端高さを変更する磁石昇降機構と、磁石の傾斜角度を変更する磁石傾斜変更機構と、一対の磁石の間隔を変更する磁石間移動機構と、前記収容器昇降機構、前記磁石昇降機構、前記磁石傾斜変更機構、前記磁石間移動機構、の作動制御する制御部と、を備えることで、蒸着材料種と基板形状に基づいて、及び基板外側の回転軌跡の直径対向位置に設けた電子計測器で計測した電子量に基づいて、磁石を最適に配置することが可能となる。

本発明では、電子ビーム蒸着時に発生する反射電子や二次電子が電子ビーム蒸着前に形成された有機薄膜表面に入射することで発生する有機薄膜の組成変化を起因とした有機デバイスの特性が低下することを抑制し、永久磁石によって妨げられていた蒸着範囲をＧ４基板サイズまでは基板の全域にまで広げることができ、また、原理上、二次電子や反射電子の発生がなく、これらを起因とした特性の低下がない抵抗加熱式の蒸着により形成された有機デバイスと同等の特性が得られ、また、該抵抗加熱式の場合に較べて高速成膜が容易な電子ビーム蒸着装置の使用が可能となる。

また、本発明は、電子遮蔽を行う磁石に電磁石を用いた場合、永久磁石では蒸着に使用する材料に応じて、磁石間隔を変更した際に必要となる磁場調整が装置を停止させて行う必要はなく、複数の材料を連続的に蒸着する場合に適切な電子遮蔽用磁場の形成と均一的な膜厚分布を持ち、かつ高速な成膜が可能となる。

本発明の電子ビーム蒸着装置の概略構成を示した図である。（ａ）（ｂ）は本発明の電子ビーム蒸着装置における磁石の最適配置を示した図である。（ａ）（ｂ）は本発明の電子ビーム蒸着装置の基板に対する磁石及び収容器の配置関係を示した図である。本発明の電子ビーム蒸着装置における電子遮蔽板の配置を示した図である。磁場の蒸着レートへの影響量を説明するための図である。本発明の効果を確認するために行った試験において有機ＥＬ素子の蒸着範囲内の位置を示す図である。

本発明では、二次電子や反射電子が基板に入射すること、かつ磁石自体が遮蔽物となって蒸着を妨げること、の両者を抑制するという目的を、蒸着する基板の回転中心軸から所定距離移動させた下方に、蒸着材料の収容器を位置させ、また、基板を回転させつつ蒸着を行う際の回転軌道または固定した基板を回転させた場合の回転軌跡に基づいて、収容器の中心より基板の回転中心方向の上方空間に、収容器の中心を挟んで所定の間隔を空けて一対の磁石の各々の基板回転中心側端部を他方端部より下方に傾斜させて配置することで実現した。

以下、本発明を実施するための形態を、添付図面を用いて詳細に説明する。
図面には、本発明の電子ビーム蒸着装置の特徴となる要部のみを示し、図示省略した部材については以下の説明中では参照符号を付していない。

本例の電子ビーム蒸着装置は、真空容器の内部上方に表面に薄膜を形成される例えば矩形状の基板１を設けて、該基板１の面中心を回転させつつ蒸着を行う構成としている。

基板１は、例えばＧ４サイズまでを対象としており、有機膜と金属、または透明電極で構成される、有機ＥＬ照明、有機ＥＬディスプレイ、有機ＴＦＴ、有機太陽電池、といったいわゆる有機デバイスに供される。

２は、蒸着材料（以下、材料と記す）が装入された収容器である坩堝である。坩堝２は、基板の端部、本例では矩形状の基板１の回転円軌道下方に配置している。

坩堝２は、本例では、坩堝昇降機構２１により、その高さと基板１の蒸着面からの距離（後述の高さＨ：図３参照）を変更し得るようにしている。坩堝２は例えば１つの蒸発源位置で複数の材料を切り替えて使用する、いわゆるターレット方式を用いる場合がある。このとき材料毎に固有の蒸着分布を持つため、前記のように坩堝昇降機構２１により、蒸着源で使用する材料毎にその高さＨを変更して膜厚の均一性を維持するようにしている。

なお、坩堝２を、基板１の中心軸からの距離を移動して調整しない理由は、上記のように複数の材料を蒸着するターレット方式では坩堝２と、基板１の中心軸からの距離Ｒを移動させるのは構造上困難であることを理由とする。

この坩堝２に装入された材料は、電子ビーム源である電子銃３から照射された電子が磁石によりその進路が偏向されて坩堝２へ導かれ、坩堝２に達した電子の衝突により加熱蒸発する。電子ビーム進路偏向用の磁石の構成の図示および説明は省略する。

電子ビーム源に関しては、本例では、加速電圧に依存するＸ線量を低減させるため、低加速電圧（例えば−６ｋＶ以上）の調整が可能となっている。蒸着対象である有機デバイスへの蒸着においては、加速電圧−２ｋＶ以上で蒸着を行う。

４（４Ａ，４Ｂ）は、坩堝２内の材料に照射された後発生する二次電子、反射電子を偏向させるための、例えばネオジム磁石、サマコバ（サマリウムコバルト）磁石といった磁石であり、本例では、図２（ａ）に示すように、坩堝２の基板１方向の空間に、該坩堝２の中心を挟んで、該中心から互いに離間する方向へ所定の等間隔を空けてＮ極とＳ極を対向させ、かつ一端側を他端側へ傾斜させて配置する。

磁石４のＮＳ極の配置は、図２（ｂ）に示すように、基板１の中心に向かって右側がＮ極、左側をＳ極とする。本実施例では、磁石４ＡをＳ極、磁石４ＢをＮ極とし、磁界の向きは磁石４Ｂから磁石４Ａの方向となる。このとき、電子ビーム蒸着装置より発生した電子は、磁石４Ａ，４Ｂ内の磁界に進入すると、電子は基板１外に誘導される。（逆に磁石４ＡをＮ極、磁石４ＢをＳ極とすると、基板側へ電子が誘導される。）

磁石４（４Ａ，４Ｂ）は、本例では、図１に示すように、磁石昇降機構４１により後述する坩堝２の上面からの「高さＨ’」を、磁石傾斜変更機構４２により後述する磁石４の「傾斜θ」の角度を、磁石間移動機構４３により後述する坩堝２を挟んだ磁石４Ａ，４Ｂの「距離Ｃ」を、各々変更し得るように構成している。

なお、上記のとおり、坩堝２は坩堝昇降機構２１により、その高さと基板１の蒸着面からの距離（後述の高さＨ）を変更するが、基板１の中心からの距離Ｒは変更しない構成としている。ここで、本例では、使用する材料によっては、基板１に対する蒸着分布が変化するため坩堝２の高さＨの変更を行う必要があるが、磁石４が蒸着範囲を覆いきれず電子遮蔽が困難となる場合、あるいは磁石４自体が蒸着の妨げとなる場合、がある。

そこで、本例では、図１に示すように、基板１の回転軌跡の直径対向位置に設けた電子計測器４５により基板１に到達する電子量をモニタし、後述の磁石配置条件となるように磁石４の「高さＨ’」を磁石昇降機構４１により、「傾斜θ」を磁石傾斜変更機構４２により、「距離Ｃ」を磁石間移動機構４３により、変更するようにしている。

本発明の電子ビーム蒸着装置は、制御部１０において、不図示の入力部から入力した蒸着材料種と基板１の形状（基板１の縦×横）に基づいて、坩堝昇降機構２１、磁石昇降機構４１、磁石傾斜変更機構４２、磁石間移動機構４３、の初期作動を制御し、蒸着が開始されると、上記の電子計測器４５からの出力が制御部１０送られてリニア制御されるように構成している。

５は、図４に示すように、反射電子や二次電子が基板１へ到達することを防ぐために設けた電子遮蔽板である。電子ビームの電子は、磁石４の磁場により、磁石４Ａ，４Ｂ間の電子はここで遮蔽されるが、磁石４の下方通過後、磁場により曲げられた電子が基板１へ入射することがある。また、基板１外へ飛んで真空容器内で反射した電子も基板１へ到達することがある。

そこで、本例では、磁石４と坩堝２の位置する磁場下方に坩堝２を囲うように電子遮蔽板５を設けている。電子遮蔽板５は、アース接続され、坩堝２の周囲に、基板１の中心方向（これを前方とする）と円軌跡の外側方向（これを後方とする）、磁石４Ａ，４Ｂの離間幅方向（これを側方とする）、及び坩堝２から見た基板１方向（これを上方とする）、に設けている。

具体的には、本例では電子遮蔽板５を図４に示すように配置している。磁石４Ａ，４Ｂの互いの下端及び下端間に前方の電子遮蔽板５Ａを、磁石４Ａ，４Ｂの互いの上端及び上端間に上方の電子遮蔽板５Ｂを、磁石４Ａ，４Ｂの互いの外側部に側方の電子遮蔽板５Ｃ，５Ｄを、坩堝２の後方に電子遮蔽板５Ｅを、それぞれ隙間なく設けて、磁石４Ａ，４Ｂの間隔を開口とした坩堝２を覆う筐体を電子遮蔽板５により構成している。

なお、この電子遮蔽板５は、上記のように坩堝２及び磁石４の配置が各機構２１，４１，４２，４３により変更する場合は、隙間なく設けることができない場合があるが、磁石４により電子遮蔽が十分に可能な場合は、坩堝２や磁石４の移動ストローク分の隙間が存在しても構わない。

このように電子遮蔽板５を設けることで、反射電子が遮断され、その他の方向に飛ぶ電子も電子遮蔽板５により閉塞された筐体空間に閉じ込めて最終的にアースへ落とすことができるので、基板１の蒸着範囲に電子が到達することを極めて効果的に防ぐことが可能となる。

次に、基板１及び坩堝２の位置に基づいた磁石４Ａ，４Ｂの配置に関して、図２及び図３を用いて具体的に説明する。また、以下の磁石４の配置条件は、電子遮蔽効果が最適となる磁場発生範囲の条件でもある。

なお、本発明では、電子遮蔽を行うべく、磁石４を電磁石とした場合の磁場発生出力の調整を行うことをせず、磁石４の蒸着中の磁場発生出力を一定とした場合において、磁石４の配置を適切な条件とすることで、電子遮蔽と均一的かつ高速な成膜を可能とすることを目的としている。

（磁場のビームへの影響）
電子遮蔽を目的とした磁石４の磁場がビーム軌道上まで及ぶ場合、電子ビームの偏向、収束に影響を与え、材料への電子ビームの集中的な照射が行われず、蒸着レートの低下が起こる。図５を見るとビーム軌道上の磁束密度が０．５ｍＴでレートが１０％低下することから、本実施例では「電子遮蔽目的で形成される磁場が、ビーム軌道上で磁束密度０．５ｍＴ以上とならない」ように配置する。

（磁石配置）
基本的には、蒸着材料や基板の蒸着面積に応じて例えば磁石４の磁場発生出力や電子ビームの出力を調整することで、どのようにも対応できるが、本例ではそうした電気的制御によることを目的とせず、成膜条件に見合う「磁石４の磁場発生出力を一定とした場合における基板１の蒸着面積に対応する磁石４の最適な配置条件」を見出すことを目的としている。

坩堝２は、上記のとおり、基板１の下方に位置させる。基板１の下面（成膜部）と坩堝２の上面との距離は蒸着材料により固有の蒸着分布をもつため、所定の膜厚均一性が得られる高さに変更し、決定される。また、本例では、電子計測器４５の出力を用いて基板１に到達する電子量を計測し、基板１の下面（成膜部）と坩堝２との距離に応じて磁石の配置を決定する。以下、磁石４は、基板１に対する坩堝２の位置を基準として各々決定している。

図３に示すように、磁石４に関しては、坩堝２の上面からの「高さＨ’」、磁石４の「長さＢ」と、磁石４の「傾斜θ」、磁石４Ａ，４Ｂ間の「距離Ｃ」を次のようにすればよい。

「高さＨ’」２００ｍｍ≦高さＨ’≦４００ｍｍ
坩堝２の上面から、傾斜させて配置する磁石４の基板１の外周側の端部、すなわち上端までの高さＨ’（距離）は２００ｍｍ≦高さＨ’≦４００ｍｍとすればよい。磁石４の上端高さが２００ｍｍより低い（坩堝２に接近する）と、電子ビームの蒸発源上への偏向、集束に干渉し、効率的な材料加熱が行われず、成膜速度が低下する。一方、磁石４の上端高さが４００ｍｍより高い（坩堝２から離れる）と、蒸着における遮蔽物となる。

「長さＢ」
磁石４の長さＢは、基板１の回転軌跡の直径対向位置と坩堝２の中心を垂直な同一平面上で結ぶ仮想線Ｐ，Ｐ’を引いた範囲（破線）以上の長さとする。この磁石４の長さＢは、基板１の回転直径、坩堝２の基板１に対する高さ、磁石４の高さＨ’、後述の傾斜θを要因として変わるが、逆に言えば、磁石４の長さＢを固定しても、前記要因を変更すれば対応できる範囲であれば、固定長でも構わない。

「磁石傾斜θ」５°≦磁石傾斜θ≦４５°
磁石４が電子ビームに影響せず、かつ磁石４の下方に傾斜させた下端面Ａが基板１の回転中心を超えない範囲となると共に坩堝２の中心と該基板１の回転軌道の直径最遠部を垂直な同一平面上で結ぶ仮想線Ｐ’上にほぼ位置するように設ける。一方、磁石４の傾斜させた上端面は上記高さＨ’で規定するとおりである。よって、磁石４の長さＢに応じて、磁石４の上端面が高さＨ’で、下端面が仮想線Ｐ’で、規定される位置となるように傾斜させた磁石４の傾斜θはだいたい５°≦磁石傾斜θ≦４５°となる。

傾斜θが５°より小さいと、基板１の蒸着の遮蔽物となると共に、例えば基板１の中心に対して反対側に他の蒸着源や機構を設ける場合にはこれらの遮蔽物や干渉物として阻害要因となる可能性が高まる。一方、傾斜θが４５°より大きいと、仮想線Ｐ−Ｐ’の範囲を磁石で覆うことが出来ず、反射電子や二次電子の偏向に必要な磁場形成領域外から電子が通過し基板１に達する、または電子ビームが前述した前方から後方に進行する場合、前述した電子遮蔽用磁場による電子ビーム軌道への干渉が発生する可能性が高まる。

「距離Ｃ」１００ｍｍ≦距離Ｃ≦４００ｍｍ
基板１への蒸着の妨げとならない間隔とすることが前提とされ、坩堝２を挟んだ磁石４Ａ，４Ｂの間隔が１００ｍｍより短いと、磁石４が蒸着の遮蔽物になる。一方、坩堝２を挟んだ磁石４Ａ，４Ｂの間隔が４００ｍｍより長いと、電子遮蔽に必要な磁場を形成することが困難になる。あるいは、真空容器内で他の蒸着源の遮蔽物や他の機構の干渉物となる可能性がある。

次に、磁石４の上記配置条件を満たした下記構成において本発明の効果を確認するために行った実験の結果を示す。まず、基礎的要件として、電子ビームは加速電圧−２ｋＶ以下、例えば−２ｋＶとし、磁石４の磁石４Ａ，４Ｂ間の磁束密度を５ｍＴ以上、例えば永久磁石により５ｍＴに設定した。

また、坩堝２の基板１の中心からの距離Ｒは、基板回転を行う場合、回転軌跡の半径Ｄの０．５倍以上、例えば１倍の位置、すなわち回転軌跡の直下に坩堝中心が位置するように配置した。

基板１の蒸着面から坩堝２の中心までの距離Ｈは、上記磁石４の高さＨ’の関係で当然に（磁石４の）高さＨ’＜距離Ｈとされるが、坩堝２の中心から基板１の中心までの距離Ｙを１５００ｍｍ以下とする点を併せて最終的に決定される。

基板１の蒸着面から坩堝２の中心までの距離Ｈと、坩堝２の基板１の中心からの距離Ｒは、目標膜厚均一性となる配置であれば特に上限はないが、坩堝２の中心から基板１の中心までの距離Ｙが１５００ｍｍより長くなると、蒸着レートが低下するため、蒸着レート１０Å／ｓ以上が得られる１５００ｍｍを坩堝２の中心から基板１の中心までの距離Ｙの上限として設定した。

以下に、本発明の効果を確認するために行った試験の結果を示す。試験は次の条件で作製した有機ＥＬ素子を評価することにより行った。

評価用の有機ＥＬ素子は、３７０ｍｍ×４７０ｍｍと５５０ｍｍ×６５０ｍｍの基板１の蒸着範囲内の中央（基板中心からの距離０ｍｍ）と端部（基板中心からの距離２５０ｍｍと３７５ｍｍ）の２箇所で５０ｍｍ角のガラス基板上にパターニング形成されたＩＴＯ、有機薄膜の蒸着後、２ｍｍ角の素子となるように蒸着マスクを使用してアルミニウムを蒸着レート１０Å／ｓ、膜厚２０００Åで電子ビーム蒸着を行って作製した。以下、図６に示すように、蒸着範囲の、中央で作製した有機ＥＬ素子を「中央素子」と、端部で作製した有機ＥＬ素子を「端部素子」と、記す。

下記の表１には、磁石４の、高さＨ’、長さＢ、傾斜θ、間隔Ｃを上記条件に沿った表１のようにして蒸着を行い、基板１へ入射する電子量（電流密度）と発光効率について評価した結果を示す。一方、下記の表２には、上記条件に沿っていないあるいは外れた条件で蒸着を行った結果を示す。

電子ビーム蒸着時の二次電子、反射電子により先行して形成された有機薄膜層が組成変化した場合は、発光効率が低下する（Ｘ線による有機薄膜への組成変化、デバイス特性の低下が生じないことを確認した加速電圧により評価）。このためリファレンスとして二次電子、反射電子が発生しない抵抗加熱方式で作製した素子の発光効率と比較することで二次電子、反射電子量による影響を評価した。

磁石４の配置条件等を満たさない構成の場合（表２）は、特に磁石４を水平状に配置した傾斜θが０°（つまり傾斜なし）あるいは上記範囲の上限を超えた結果、磁石自身が蒸着の遮蔽物となるか、二次電子や反射電子を遮蔽することが出来ず、基板１に達してしまうため、素子の特性は低下した。

磁石４の配置条件を満たす本例構成の場合（表１）は、蒸着範囲に二次電子や反射電子が入射することを防ぎ、基板１の蒸着範囲全域、つまり中央素子、端部素子ともに有機薄膜に対し組成変化などを発生させる電子量を遮蔽することができたことを抵抗加熱方式にてアルミニウムを蒸着した素子と同等の発光効率が得られたことから確認した。また、電子遮蔽板を組み合わせることで、より効果的に電子遮蔽が可能であることも確認した。

上記の実施例では、基板を回転させ蒸着を行うが、基板を固定、もしくは搬送しても構わない。この場合の磁石配置は基板、もしくは蒸着開口部を回転させた場合の回転軌跡を描き、この回転軌跡に基づき決定すればよい。

１基板
２坩堝
２１坩堝昇降機構
３電子銃
４磁石
４Ａ，４Ｂ磁石
４１磁石昇降機構
４２磁石傾斜変更機構
４３磁石間移動機構
４５電子計測器
５電子遮蔽板
５Ａ〜５Ｆ電子遮蔽板
１０制御部

Claims

加速した電子を照射し加熱して蒸発させた材料を、発生する電子の基板への入射を遮蔽する磁場を形成しつつ、基板表面に付着させて薄膜を形成する電子ビーム蒸着装置であって、
蒸着する基板の回転中心軸から所定距離移動させた下方に、蒸着材料の収容器を位置させ、
基板を回転させつつ蒸着を行う際の回転軌道、または固定した基板を回転させた場合の回転軌跡に基づいて、
前記収容器の中心より基板の回転中心方向の上方空間に、前記収容器の中心を挟んで所定の間隔を空けて一対の磁石の各々の基板回転中心側端部を他方端部より下方に傾斜させて配置することを特徴とする電子ビーム蒸着装置。
収容器の周囲にアースされた電子遮蔽板を設けることを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム蒸着装置。
基板の蒸着面から収容器までの収容器の高さを変更する収容器昇降機構と、収容器の前記高さにおける磁石の傾斜上端高さを変更する磁石昇降機構と、磁石の傾斜角度を変更する磁石傾斜変更機構と、一対の磁石の間隔を変更する磁石間移動機構と、蒸着材料種と基板形状に基づいて、及び基板の回転軌道または回転軌跡の直径対向位置に設けた電子計測器で計測した電子量に基づいて、前記収容器昇降機構、前記磁石昇降機構、前記磁石傾斜変更機構、前記磁石間移動機構、の作動制御する制御部と、を備えたことを特徴とする請求項１又は２記載の電子ビーム蒸着装置。