JP6204107B2 - 多層構造メタルマスク及びその製造方法 - Google Patents
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Description
中、同一又は相当する部分には同一の符号を付しており、その重複説明は適宜に簡略化な
いし省略する。
図1はこの発明の実施例1における多層構造メタルマスクを示す断面図、図2は多層構造メタルマスクの製造方法を示し、微細結晶皮膜を下地層として低電流密度でめっきした場合を示す断面図、図3は比較例として、微細結晶皮膜を高電流密度でめっきした場合を示す断面図、図4は多層構造メタルマスクの製造方法を示し、下地層上に高硬度光沢めっき層を開口部周辺がダレないように比較的薄くめっきした場合を示す断面図、図5は多層構造メタルマスクの下地層の上に高硬度光沢めっき層を開口部周辺がダレないように比較的薄くめっきした場合を拡大して示す顕微鏡写真、図6は比較例として、多層構造メタルマスクの下地層上に高硬度光沢めっき層を比較的厚くめっきした場合を拡大して示す顕微鏡写真、図7はNiめっき皮膜の硬さと引張強さ、伸びの関係を示す特性図、図8は多層構造メタルマスクの製造方法を示し、高硬度光沢めっき層上に微細結晶皮膜層を板厚調整用として高硬度光沢めっき層よりも若干厚くめっきした後、その上に指紋付着防止用としての高硬度光沢めっき層を極薄でめっきした場合を示す断面図、図9は多層構造メタルマスクの製造方法により作製された多層構造メタルマスクの一部を拡大して示す顕微鏡写真、図10は比較例として、高硬度光沢めっき層を厚くめっきすることにより作製された多層構造メタルマスクの一部を拡大して示す顕微鏡写真である。
図2に示すように、SUS母材5上にパターン開口用レジスト6を形成し、SUS母材5上に初期電着でなるべく均一にNiめっき皮膜が形成されるように電流密度を極力低い電流密度0.1〜0.25A/dm2で微細結晶のNi皮膜からなる板厚が約0.5μm程度(好ましくは1μm以下)の下地層1を形成する。低電流密度で行うめっきは時間が掛かり過ぎるので、約0.5μm程度として時間をかけ過ぎないようにしている。このように初期に均一なNiめっき皮膜を形成することにより、板厚の均一性を向上させることができる。また、この下地層1は、次の高硬度光沢めっき層のめっきとの結合性を良くするために、表面が微細凹凸を持つ皮膜となる。一方、図3に示す比較例のように、初期に低電流密度ではなく高電流密度でめっきを成長させると、パターン開口用レジスト6の付近でめっきの成長が集中することになるので、図3で明らかなように、比較例の下地層1aでは板厚の差が発生することになり、板厚の均一性を向上させることができなくなる。なお、高電流密度でめっきするというのは、反応速度が非常に早いということであり、反応速度が速すぎると、反応が均一に起こりにくく、板厚の均一性が得られないことになる。また、下地層1は省略しても良いし、低電流密度で高硬度皮膜により形成しても良い。
図11はこの発明の実施例2における多層構造メタルマスクを示す断面図、図12は多層構造メタルマスクの製造方法を示し、第1の高硬度光沢めっき層上に第1の微細結晶皮膜層を板厚調整用として第1の高硬度光沢めっき層よりも若干厚くめっきし、第1の微細結晶皮膜層上に第2の高硬度光沢めっき層を開口部周辺がダレないように比較的薄くめっきし、第2の高硬度光沢めっき層上に第2の微細結晶皮膜層を板厚調整用として第2の高硬度光沢めっき層よりも若干厚くめっきした後、その上に指紋付着防止用としての高硬度光沢めっき層を極薄でめっきした場合を示す断面図、図13は多層構造メタルマスクの製造方法により作製された多層構造メタルマスクの要部を拡大して示す顕微鏡写真、図14は多層構造メタルマスクの印刷後の経時変化を示す特性図、図15は比較例として、高硬度光沢めっき層を厚くめっきすることにより作製された多層構造メタルマスクの印刷後の経時変化を示す特性図である。
図14、図15の特性図は、パターンサイズは218mm×71mm、1万回印刷後の伸びを示す。横軸は印刷回数、縦軸は伸び量(μm)を示し、XUはパターンの上側端部の伸び、XLはパターンの下側端部の伸び、YRはパターンの右側端部の伸び、YLはパターンの左側端部の伸びをそれぞれ示す。印刷方向はXLからXU、又はXUからXLの方向とする。また、印刷圧力:12Kgf、印刷速度:80mm/sec、ギャップ:2mm、印刷角度:60度である。
図15の高硬度光沢めっき層を厚くめっきすることにより作製された比較例としての多層構造メタルマスクでは、3000回印刷後の伸び量は、XUで24μm、XLで24μm、YRで4μm、YLで4μm、7000回印刷後の伸び量は、XUで34μm、XLで34μm、YRで5μm、YLで5μm、10000回印刷後の伸び量は、XUで41μm、XLで40μm、YRで8μm、YLで8μmであった。
これに対し、図14のこの発明による多層構造メタルマスクでは、3000回印刷後の伸び量は、XUで6μm、XLで7μm、YRで2μm、YLで2μm、7000回印刷後の伸び量は、XUで8μm、XLで8μm、YRで2μm、YLで1μm、10000回印刷後の伸び量は、XUで11μm、XLで12μm、YRで3μm、YLで2μmであり、経時変化が少ないことが判る。
図16はこの発明の実施例3における多層構造メタルマスクを示す断面図、図17は多層構造メタルマスクの製造方法を示し、下地層上に第1の高硬度光沢めっき層をめっきし、第1の高硬度光沢めっき層上に第1の微細結晶皮膜層をめっきした状態を示す断面図、図18は多層構造メタルマスクの製造方法を示し、第1の微細結晶皮膜層の上に凹部形成用レジストを介して、第1の微細結晶皮膜層の上に第2の微細結晶皮膜層をめっきした場合を示す断面図、図19は多層構造メタルマスクの一部を拡大して示す斜視図、図20は多層構造メタルマスクの印刷開口パターンを拡大して示す平面図である。
このように基板面側にパターン開口周縁を矩形状に取り囲む凹部10を有する多層構造メタルマスクの構造を図19に示し、印刷開口パターンの形状、配置例を図20に示している。
なお、下地層1の上の第1の高硬度光沢めっき層2の板厚を厚くして10数μmにすると、パターン開口のエッジ部にダレが発生することになる。このため、第1の高硬度光沢めっき層2の上に凹部形成用レジスト6bを形成する際、露光時にエッジ部のダレにより光が散乱してレジストの形状が直線にならないという問題がある。したがって、パターン開口のエッジ部にダレが発生したままの状態で、基板面側にパターン開口周縁を矩形状に取り囲む凹部10を形成した場合、凹部形成用レジスト6bが直線状でないため、凹部10が綺麗な直線状にならないという問題が発生する。これに対し、この実施例3では、その問題を解決することができる。
図21はこの発明の実施例4における多層構造メタルマスクを示す断面図である。
薄膜で箔物のメタルマスクの基板面側に逃げ用の凹溝11を設ける必要がある場合には、逃げ用の凹溝11を形成することにより凹溝11が形成された部分の板厚が薄くなるので、薄膜のメタルマスクの逃げ用の凹溝11の形成部分が破断する恐れがある。そのため、この実施例4においては、破断防止のために、第1の高硬度光沢めっき層2及び第2の高硬度光沢めっき層7に、特にスルファミン酸Coを添加しためっき浴を使用することにより、強靭性を高めためっき皮膜としたものである。
上記実施例1では、高硬度光沢めっき層2及び指紋付着防止用としての高硬度光沢めっき層4を、硬度550Hv以上で経時変化の少ないホウ酸めっき浴(塩化Ni+アリルスルフォン酸Na+光沢剤・応力調整剤等)を用いてめっきし、また上記実施例2では、第1の高硬度光沢めっき層2、第2の高硬度光沢めっき層7及び指紋付着防止用としての高硬度光沢めっき層9を、硬度550Hv以上で経時変化の少ないホウ酸めっき浴(塩化Ni+アリルスルフォン酸Na+光沢剤・応力調整剤等)を用いてめっきしたが、上記ホウ酸めっき浴(塩化Ni+アリルスルフォン酸Na+光沢剤・応力調整剤等)に代えて、別のホウ酸めっき浴を用いてめっきしても良い。別のホウ酸めっき浴の浴組成として、例えば、スルファミン酸Ni:400g/L、塩化Ni:30g/L、ホウ酸:30g/L、日本化学産業株式会社製のNSF−E:15ml/L、等からなるものが使用される。
2 第1の高硬度光沢めっき層
3 第1の微細結晶皮膜層
4 指紋付着防止用の高硬度光沢めっき層
5 SUS母材
6 パターン開口用レジスト
7 第2の高硬度光沢めっき層
8 第2の微細結晶皮膜層
9 指紋付着防止用の高硬度光沢めっき層
10 矩形状の凹部
11 逃げ用の凹溝
Claims (12)
- 開口部周辺がダレないように硬度550Hv以上でかつ板厚が5〜10μmのNiめっき皮膜からなる高硬度光沢めっき層と、
前記高硬度光沢めっき層の上に板厚調整用として高硬度光沢めっき層と同等若しくはそれよりも若干厚く又は薄くした板厚の微細結晶皮膜層と、
を備えたことを特徴とする多層構造メタルマスク。 - 開口部周辺がダレないように硬度550Hv以上でかつ板厚が5〜10μmのNiめっき皮膜からなる高硬度光沢めっき層と、
前記高硬度光沢めっき層の上に板厚調整用として高硬度光沢めっき層と同等若しくはそれよりも若干厚く又は薄くした板厚が4〜10μm程度の微細結晶皮膜層と、
を備えたことを特徴とする多層構造メタルマスク。 - 板厚が1μm以下の微細結晶皮膜からなる下地層と、
前記下地層の上に開口部周辺がダレないように硬度550Hv以上でかつ板厚が5〜10μmのNiめっき皮膜からなる高硬度光沢めっき層と、
前記高硬度光沢めっき層の上に板厚調整用として高硬度光沢めっき層と同等若しくはそれよりも若干厚く又は薄くした板厚が4〜10μm程度の微細結晶皮膜層と、
を備えたことを特徴とする多層構造メタルマスク。 - 板厚が1μm以下の微細結晶皮膜からなる下地層と、
前記下地層の上に開口部周辺がダレないように硬度550Hv以上でかつ板厚が5〜10μmのNiめっき皮膜からなる高硬度光沢めっき層と、
前記高硬度光沢めっき層の上に板厚調整用として高硬度光沢めっき層と同等若しくはそれよりも若干厚く又は薄くした板厚が4〜10μm程度の微細結晶皮膜層と、
前記微細結晶皮膜層の上に指紋付着防止用としての硬度550Hv以上でかつ板厚が1μm程度のNiめっき皮膜からなる高硬度光沢めっき層と、
を備えたことを特徴とする多層構造メタルマスク。 - 微細結晶皮膜層は、クエン酸めっき浴を用いてめっきし、高硬度光沢めっき層は、硬度550Hv以上で経時変化による伸びが少なくかつ板厚差が少ないホウ酸めっき浴を用いてめっきすることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の多層構造メタルマスク。
- 開口部周辺がダレないように硬度550Hv以上でかつ板厚が5〜10μmのNiめっき皮膜からなる第1の高硬度光沢めっき層と、
前記第1の高硬度光沢めっき層の上に板厚調整用として第1の高硬度光沢めっき層と同等若しくはそれよりも若干厚く又は薄くした板厚の第1の微細結晶皮膜層と、
前記第1の微細結晶皮膜層の上に開口部周辺がダレないように硬度550Hv以上でかつ板厚が5〜10μmのNiめっき皮膜からなる第2の高硬度光沢めっき層と、
前記第2の高硬度光沢めっき層の上に板厚調整用として第2の高硬度光沢めっき層と同等若しくはそれよりも若干厚く又は薄くした板厚の第2の微細結晶皮膜層と、
を備えたことを特徴とする多層構造メタルマスク。 - 開口部周辺がダレないように硬度550Hv以上でかつ板厚が5〜10μmのNiめっき皮膜からなる第1の高硬度光沢めっき層と、
前記第1の高硬度光沢めっき層の上に板厚調整用として第1の高硬度光沢めっき層と同等若しくはそれよりも若干厚く又は薄くした板厚が4〜10μm程度の第1の微細結晶皮膜層と、
前記第1の微細結晶皮膜層の上に開口部周辺がダレないように硬度550Hv以上でかつ板厚が10μm以下のNiめっき皮膜からなる第2の高硬度光沢めっき層と、
前記第2の高硬度光沢めっき層の上に板厚調整用として第2の高硬度光沢めっき層と同等若しくはそれよりも若干厚く又は薄くした板厚が4〜18μm程度の第2の微細結晶皮膜層と、
を備えたことを特徴とする多層構造メタルマスク。 - 板厚が1μm以下の微細結晶皮膜からなる下地層と、
前記下地層の上に開口部周辺がダレないように硬度550Hv以上でかつ板厚が5〜10μmのNiめっき皮膜からなる第1の高硬度光沢めっき層と、
前記第1の高硬度光沢めっき層の上に板厚調整用として第1の高硬度光沢めっき層と同等若しくはそれよりも若干厚く又は薄くした板厚が4〜10μm程度の第1の微細結晶皮膜層と、
前記第1の微細結晶皮膜層の上に開口部周辺がダレないように硬度550Hv以上でかつ板厚が10μm以下のNiめっき皮膜からなる第2の高硬度光沢めっき層と、
前記第2の高硬度光沢めっき層の上に板厚調整用として第2の高硬度光沢めっき層と同等若しくはそれよりも若干厚く又は薄くした板厚が4〜18μm程度の第2の微細結晶皮膜層と、
を備えたことを特徴とする多層構造メタルマスク。 - 板厚が1μm以下の微細結晶皮膜からなる下地層と、
前記下地層の上に開口部周辺がダレないように硬度550Hv以上でかつ板厚が5〜10μmのNiめっき皮膜からなる第1の高硬度光沢めっき層と、
前記第1の高硬度光沢めっき層の上に板厚調整用として第1の高硬度光沢めっき層と同等若しくはそれよりも若干厚く又は薄くした板厚が4〜10μm程度の第1の微細結晶皮膜層と、
前記第1の微細結晶皮膜層の上に開口部周辺がダレないように硬度550Hv以上でかつ板厚が10μm以下のNiめっき皮膜からなる第2の高硬度光沢めっき層と、
前記第2の高硬度光沢めっき層の上に板厚調整用として第2の高硬度光沢めっき層と同等若しくはそれよりも若干厚く又は薄くした板厚が4〜18μm程度の第2の微細結晶皮膜層と、
前記第2の微細結晶皮膜層の上に指紋付着防止用としての硬度550Hv以上でかつ板厚が1μm程度のNiめっき皮膜からなる高硬度光沢めっき層と、
を備えたことを特徴とする多層構造メタルマスク。 - 微細結晶皮膜層は、クエン酸めっき浴を用いてめっきし、高硬度光沢めっき層は、硬度550Hv以上で経時変化による伸びが少なくかつ板厚差が少ないホウ酸めっき浴を用いてめっきすることを特徴とする請求項6〜請求項9のいずれかに記載の多層構造メタルマスク。
- ホウ酸めっき浴はアリルスルフォン酸Naを含むことを特徴とする請求項10記載の多層構造メタルマスク。
- 板厚が1μm以下の微細結晶皮膜からなる下地層と、
前記下地層の上に開口部周辺がダレないように硬度550Hv以上でかつ板厚が5〜10μmのNiめっき皮膜からなる第1の高硬度光沢めっき層と、
前記第1の高硬度光沢めっき層の上に板厚調整用として第1の高硬度光沢めっき層と同等若しくはそれよりも若干厚く又は薄くした板厚が4〜10μm程度の第1の微細結晶皮膜層と、
前記第1の微細結晶皮膜層の上に開口部周辺がダレないように硬度550Hv以上でかつ板厚が10μm以下のNiめっき皮膜からなる第2の高硬度光沢めっき層と、
前記第2の高硬度光沢めっき層の上に板厚調整用として第2の高硬度光沢めっき層と同等若しくはそれよりも若干厚く又は薄くした板厚が4〜18μm程度の第2の微細結晶皮膜層とを備えた多層構造メタルマスクであって、
前記多層構造メタルマスクの基板面側に逃げ用の凹溝を設け、前記第1の高硬度光沢めっき層と第2の高硬度光沢めっき層に、スルファミン酸Coを添加しためっき浴を使用することにより、前記逃げ用の凹溝を設けた部分の皮膜の強靭性を高めたことを特徴とする多層構造メタルマスクの製造方法。
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