JP6171754B2 - Led点灯装置及びled照明装置 - Google Patents

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Description

本発明はLED点灯装置及びそれを用いたLED照明装置に関する。
LEDが点灯を開始する瞬間に、定常点灯時よりも高い電流が瞬時的にLED点灯装置からLEDに流れる場合がある。このようにLED点灯開始時の電流のオーバーシュートによって、LEDの光出力が閃光となり、この閃光が使用者に視覚的な違和感を与えてしまうことがある。
特許文献1は、このような閃光を低減するLED点灯装置を開示する。このLED点灯装置は、スイッチング素子を有する絶縁型フライバックコンバータと、LED電流が目標値となるようにスイッチング素子のスイッチング動作を制御する制御回路部を備える。LED点灯開始電圧よりも低い設定電圧が設定され、制御回路部は、消灯状態のLEDを点灯させる際に、フライバックコンバータからLEDへの印加電圧が設定電圧に達する前まではスイッチング素子のオン時間を長くし、その後はオン時間を短くするように動作する。すなわち、LED点灯装置の始動後、LEDの順方向電圧未満の設定電圧に出力電圧が達する時点で、フライバックコンバータは高い出力能力状態から低い出力能力状態に切り替えられる。これにより、LEDの点灯開始時にフライバックコンバータの出力が制限され、閃光が抑制される。
特開2013−69766号公報
しかし、特許文献1のLED点灯装置には、以下の問題がある。
第1に、上記LED点灯装置においては、高い出力能力状態の期間から低い出力能力状態の期間への切替えを行う際に適用される設定電圧が、負荷の動作電圧、すなわち接続されるLEDの順方向電圧に応じて設定される必要がある。そのため、負荷が経時的に変化する場合、負荷が交換可能である場合等には、設定電圧は負荷の動作電圧に応じて変更される必要がある。従って、設定電圧を変更するための構成が必要となり、回路構成が複雑かつ高コストとなってしまうという問題がある。
第2に、上記切替え動作を実現するためには、絶縁型フライバックコンバータの2次側で検出される出力電圧と設定電圧とを比較するための比較器、及びその比較結果を絶縁型フライバックコンバータの1次側の動作に反映させるためのフォトカプラが、定電流制御用の誤差増幅器及びフォトカプラ等とは別に必要となる。そのため、やはり回路構成が複雑かつ高コストとなってしまうという問題がある。
そこで、本発明は、負荷にかかわらず点灯開始時の閃光を防止することを可能とする簡素かつ安価な構成のLED点灯装置及びそれを用いたLED照明装置を提供することを課題とする。
本発明のLED点灯装置は、LEDに出力電圧を印加する直流電源回路と、直流電源回路を制御する制御回路と、出力電圧の上昇率が相対的に高い時に所定期間だけ制御回路に直流電源回路の出力能力を低減させる閃光抑制回路とを備える。
本発明のLED点灯装置によると、出力電圧の上昇に応じて直流電源回路の出力能力が低減されるので、出力電圧が上昇してLEDの点灯開始電圧を超える瞬間にも直流電源回路の出力能力が低減され、LEDの点灯開始時の閃光が抑制される。このように、直流電源回路の出力能力を低減するタイミングが負荷の動作電圧(LEDの順方向電圧)に依存しないので、負荷の変化又は交換にかかわらず確実に閃光が抑制される。
ここで、閃光抑制回路が、直流電源回路の出力電圧の上昇に応じて微分出力電圧を発生させる微分回路と、微分出力電圧が入力されることにより導通するスイッチ素子とを含み、スイッチ素子が導通することにより制御回路によって直流電源回路の出力能力を低減させるように構成される。このように、閃光抑制回路を、微分回路、及び微分出力電圧が入力されることにより導通するスイッチ素子で構成したので、簡素かつ安価な構成で閃光の抑制が可能となる。
ここで、微分回路がコンデンサ及び抵抗を含み、スイッチ素子が入力端子、出力端子及び制御端子を有するトランジスタからなり、コンデンサが直流電源回路の高電位出力端とスイッチ素子の制御端子の間に接続され、抵抗が直流電源回路の低電位出力端とスイッチ素子の制御端子の間に接続され、スイッチ素子の入力端子が制御回路に接続され、スイッチ素子の出力端子が低電位出力端に接続される構成とすることができる。このように、閃光抑制回路をコンデンサ、抵抗及びスイッチ素子で構成としたので、簡素かつ安価な構成で閃光抑制回路を構成することができる。
また、閃光抑制回路は、トランジスタの制御端子と低電位出力端の間においてカソードを低電位出力端に向けて抵抗に直列接続されたダイオードを含むことが好ましい。これにより、LEDの定常点灯時において、出力電圧のリップルによるコンデンサの充放電が防止され、スイッチ素子の意図しない動作が防止される。
また、閃光抑制回路は、トランジスタの制御端子と低電位出力端の間に、カソードを低電位出力端側に向けて接続された第1のツェナーダイオードを含むことが好ましい。これにより、LED消灯後に直流電源回路の容量素子の残電圧が放電される際に、トランジスタの制御端子に大きな負電圧が印加されることが防止され、LED点灯装置の信頼性が向上する。
また、閃光抑制回路は、トランジスタの制御端子と低電位出力端の間に、アノードを低電位出力端側に向けて接続された第2のツェナーダイオードを含むことが好ましい。これにより、直流電源回路の出力電圧が急峻に上昇して大きな微分出力電圧が発生する時であっても、トランジスタの制御端子に大きな正電圧が印加されることが防止され、LED点灯装置の信頼性が向上する。
またさらに、直流電源回路がフライバックコンバータからなり、制御回路が、フライバックコンバータのスイッチング素子をPWM制御し、PWM制御におけるオンデューティを減少させてフライバックコンバータの出力能力を低減させるように構成されることが好ましい。これにより、一般的なフライバックコンバータの構成を用いて簡素な構成で閃光の抑制が可能となる。
本発明のLED照明装置は、上記のLED点灯装置と、LEDを含むLEDモジュールとを備える。これにより、安価な構成で点灯開始時の閃光を抑制してユーザにおける視覚的違和感を解消することができるLED照明装置を提供することが可能となる。
本発明の実施形態によるLED点灯装置及びLED照明器具を示す回路構成図である。 図1のLED点灯装置の動作を説明する図である。 図1のLED点灯装置の閃光抑制回路の動作を説明する図である。 図1のLED点灯装置の閃光抑制回路の動作を説明する図である。 本発明の一変形例によるLED点灯装置の閃光抑制回路を示す回路構成図である。 本発明の他の変形例によるLED点灯装置の制御回路及び閃光抑制回路を示す回路構成図である。
図1に、本発明の実施形態に係るLED点灯装置1及びそれを用いたLED照明装置3の回路構成図を示す。LED照明装置3はLED点灯装置1及びLEDモジュール2を含む。交流電源ACからの入力電圧がLED点灯装置1の入力端子T1及びT2に入力され、LED点灯装置1の高電位出力端子T3及び低電位出力端子T4からの直流出力がそれぞれ配線W1及びW2を介してLEDモジュール2の端子T5及びT6に供給される。LEDモジュール2は、端子T5と端子T6間に直列接続された複数のLED20を含む。
LED点灯装置1は入力回路100、直流電源回路200、検出回路300、制御回路400及び閃光抑制回路500を含む。なお、本明細書における説明において、各回路又は構成要素が上記のどのブロックに属するかは便宜的なものであり、本発明を拘束するものではない。
入力回路100は電流ヒューズ101及び102、全波整流器103並びにコンデンサ104を含む。入力回路100において、全波整流器103はダイオードブリッジからなり、交流電源ACからの入力電圧が全波整流器103によって全波整流され、その全波整流出力が直流電源回路200に入力される。なお、入力電源が直流電源である場合には入力回路100は不要である。
直流電源回路200はスイッチング素子201、トランス202、ダイオード203、平滑コンデンサ204及び電流検出抵抗205を含む。直流電源回路200は絶縁型フライバックコンバータからなり、力率改善機能を持つ所謂ワンコンバータ方式のフライバック降圧回路を構成する。
直流電源回路200において、スイッチング素子201のオン期間にトランス202の一次巻線N1によってエネルギーが蓄積され、スイッチング素子201のオフ期間にそのエネルギーがトランス202の二次巻線N2側からダイオード203を介して平滑コンデンサ204に充電される。降圧比は一次巻線N1に対する二次巻線N2の巻数比によって決まり、出力電流はスイッチング素子201のPWM制御におけるオンデューティ(オン期間)によって決まる。電流検出抵抗205によって検出されるスイッチング素子201の電流が制御回路400に入力される。なお、以降の説明において、直流電源回路200の出力電圧を電源出力電圧といい、直流電源回路200の出力電流を電源出力電流というものとする。
検出回路300は、分圧抵抗301、302及び303からなる電圧検出回路と、電流検出抵抗304からなる電流検出回路を含む。分圧抵抗301、302及び303は直流電源回路200の平滑コンデンサ204に並列接続された分圧抵抗回路からなり、電源出力電圧に比例した電圧が抵抗303に発生する。電流検出抵抗304は直流電源回路200の平滑コンデンサ204の低電位側ノードと低電位出力端子T4の間に挿入された低抵抗素子からなり、電源出力電流に比例した電圧が電流検出抵抗304に発生する。
制御回路400は、補助電源回路401、PWM制御回路410、フォトカプラ415、抵抗416及び417、ダイオード421及び422、誤差増幅器423及び424、並びに基準電圧生成回路425及び426を含む。フォトカプラ415はその入力側にフォトダイオード415aを、出力側にフォトトランジスタ415bを内蔵している。
補助電源回路401は、制御回路400における制御電源を生成する。補助電源回路401は、例えば、トランス202の補助巻線(不図示)、当該補助巻線に発生する電圧を整流する整流器(不図示)、当該整流器の整流出力を平滑するコンデンサ(不図示)、当該コンデンサの平滑出力を定電圧化するツェナーダイオード(不図示)等からなるものであればよい。そして、このような制御電源がフォトカプラ415の入力側用と出力側用にそれぞれ設けられる。フォトカプラ415の入力側の制御電源Vccは誤差増幅器423及び424等に給電し、フォトカプラ415の出力側の制御電源はPWM制御回路410に給電する。
PWM制御回路410はドライバIC及びその周辺回路を含む。PWM制御回路410はフォトカプラ415のフォトトランジスタ415bの出力状態に応じたパルス幅(すなわち、オンデューティ)のPWM駆動信号を生成し、それをスイッチング素子201のゲート電圧として出力する。本実施形態では、PWM制御回路410はフォトトランジスタ415bの出力電流の増加に対してPWM制御のパルス幅を減少させるように構成されているものとする。より具体的には、PWM制御回路410は、電流検出抵抗205によって検出されるスイッチング素子201の電流値が、上記のフォトトランジスタ415bの出力電流によって決まる目標値に一致するようにPWM制御におけるオンデューティを調整する。
フォトカプラ415のフォトダイオード415aのアノードは制御電源Vccに抵抗416を介して接続され、抵抗417がフォトダイオード415aに並列接続される。フォトトランジスタ415bには、フォトダイオード415aに流れる電流(発光)に応じた出力電流が流れる。
ダイオード421及び422はダイオードOR回路を構成し、直流電源回路200を定電圧制御するための誤差増幅器423の出力端子電圧又は直流電源回路200を定電流制御するための誤差増幅器424の出力端子電圧のいずれかを有効にする。
誤差増幅器423に関して、分圧抵抗303に発生する電圧が負入力端子に入力され、基準電圧生成回路425による制御電源Vccの分圧値が正入力端子に入力される。なお、誤差増幅器423の負入力端子と出力端子間には不図示の帰還素子(抵抗、コンデンサ、又はこれらの直列回路若しくは並列回路)が接続されるものとする。誤差増幅器423は制御電源Vccの給電を受けて動作し、負入力端子の入力値と正入力端子の入力値との誤差を増幅して出力する。これによりダイオード421がオンとなっている場合には、誤差増幅器423、フォトカプラ415及びPWM制御回路410の協働により直流電源回路200が定電圧制御される。
誤差増幅器424に関して、電流検出抵抗304に発生する電圧が負入力端子に入力され、基準電圧生成回路426による制御電源Vccの分圧値が正入力端子に入力される。なお、誤差増幅器424の負入力端子と出力端子間にも不図示の帰還素子(抵抗、コンデンサ、又はこれらの直列回路若しくは並列回路)が接続されるものとする。誤差増幅器424は制御電源Vccの給電を受けて動作し、負入力端子の入力値と正入力端子の入力値との誤差を増幅して出力する。これによりダイオード422がオンとなっている場合には、誤差増幅器424、フォトカプラ415及びPWM制御回路410の協働により直流電源回路200が定電流制御される。
閃光抑制回路500は、コンデンサ501、抵抗502、スイッチ素子503、ダイオード504、並びにツェナーダイオード505及び506を含む。概略として、微分回路がコンデンサ501及び抵抗502によって構成され、ダイオード504によってスイッチ素子503の誤動作防止機能が得られ、ツェナーダイオード505及び506によってスイッチ素子503の保護機能が得られる。なお、本実施形態においては、スイッチ素子503はMOSFET等のトランジスタからなる。
コンデンサ501は直流電源回路200の高電位出力端とスイッチ素子503のゲート端子(制御端子)の間に接続され、抵抗502は直流電源回路200の低電位出力端、すなわちグランドとスイッチ素子503のゲート端子の間に接続される。すなわち、電源出力電圧の上昇率が比較的高い時にコンデンサ501と抵抗502の微分回路に充電電流が流れて、抵抗502に発生する電圧が微分出力電圧としてスイッチ素子503のゲート端子に入力される。スイッチ素子503のドレイン端子(入力端子)がフォトダイオード415aのカソードに接続され、ソース端子(出力端子)がグランドに接続され、上述のようにゲート端子がコンデンサ501と抵抗502の接続点に接続される。
ダイオード504は、カソードをグランドに向けて抵抗502とグランドの間に直列接続される。なお、抵抗502とダイオード504の配列は逆であってもよく、すなわち、スイッチ素子503のゲート端子にダイオード504のアノードが接続され、ダイオード504のカソードが抵抗502に接続され、抵抗502がグランドに接続されていてもよい。
ツェナーダイオード505は、スイッチ素子503のゲート端子とグランドの間に、カソードをグランド側に向けて接続され、ツェナーダイオード506は、スイッチ素子503のゲート端子とグランドの間に、アノードをグランド側に向けて接続される。すなわち、ツェナーダイオード505及び506はカソード同士が接続された状態で直列接続されてスイッチ素子503のゲート端子とグランド間に接続される。なお、ツェナーダイオード505及び506の配置を入れ替えて、アノード同士が接続された状態で直列接続されていてもよい。
なお、各回路の抵抗値、ツェナー電圧、トランジスタ特性は以降の説明の動作を実行できるように適宜設定されているものとする。また、スイッチ素子503がMOSFETからなるトランジスタであるものとして説明するが、各回路部品等を適切に選定することによりスイッチ素子503をバイポーラトランジスタに置き換えることも可能である。この場合、上記の入力端子、出力端子及び制御端子はそれぞれコレクタ端子、エミッタ端子及びベース端子となる。
閃光抑制回路500においては、電源出力電圧の上昇率が相対的に高い時に、コンデンサ501及び抵抗502の微分回路に電流が流れ、抵抗502に発生する電圧によりスイッチ素子503がオンする。すなわち、電源出力電圧が急峻に上昇すると、コンデンサ501が充電され、瞬時的に抵抗502に発生する電圧がスイッチ素子503のゲート閾電圧(例えば、1.5V)を超える。これにより、抵抗502の電圧がゲート閾電圧を超える期間だけスイッチ素子503が導通し、閃光抑制回路500がアクティブ状態となる。そして、スイッチ素子503が導通することにより、フォトダイオード415aに流れる電流が増加し、これに伴い、フォトダイオード415bに流れる電流が増加してPWM制御回路410においてスイッチング素子201のオンデューティが狭められる。このとき、スイッチング素子201は、例えば、設計上の最小のオンデューティで駆動される。これにより、直流電源回路の出力能力が低減され、電源出力電圧の上昇率が低下する。
以下に、図2を参照して、閃光抑制回路500の動作をさらに説明する。図2は、上段から、スイッチ素子503の動作状態、スイッチ素子503のゲート−ソース電圧、電源出力電圧、電源出力電流(すなわち、LED電流)を示す。なお、図2の横軸は直流電源回路200が動作を開始してからの経過時間である。
時刻t0において、直流電源回路200が動作を開始する。この時点でLEDモジュール2は消灯しており、等価的に無負荷状態となっている。直流電源回路200が動作を開始すると、上記の定電圧制御又は定電流制御の作用によりスイッチング素子201のPWM制御におけるオンデューティは設計上の最大値となり、出力能力が最大化される。
電源出力電圧が上昇を開始するとコンデンサ501の充電が開始され、時刻t1において、抵抗502に発生する電圧、すなわちスイッチ素子503のゲート−ソース電圧が閾電圧Vthを超え、スイッチ素子503がオンする。その後、時刻t2において、スイッチ素子503のゲート−ソース電圧がその閾電圧Vth以下となり、スイッチ素子503がオフする。このように、時刻t1〜t2のスイッチ素子503がオンしている期間では、スイッチング素子201のPWM制御におけるオンデューティが減少しているので、期間t1〜t2及びその後の応答遅延期間において直流電源回路200の出力能力が低減される。
スイッチ素子503がオフすると、その後スイッチング素子201のPWM制御におけるオンデューティが最大に戻り、電源出力電圧の上昇が促進される。再び電源出力電圧の上昇率が高くなると、コンデンサ501が充電されて抵抗502に電圧が発生し、時刻t1と同様に時刻t3において、スイッチ素子503のゲート−ソース電圧が閾電圧Vthを超え、スイッチ素子503がオンする。その後、時刻t2と同様に時刻t4において、スイッチ素子503のゲート−ソース電圧が閾電圧Vth以下となり、スイッチ素子503がオフする。時刻t1〜t2の期間と同様に、時刻t3〜t4のスイッチ素子503がオンしている期間では、スイッチング素子201のPWM制御におけるオンデューティが減少しているので、期間t3〜t4及びその後の応答遅延期間において直流電源回路200の出力能力が低減される。
このように、直流電源回路200の出力能力の増大(最大デューティ)と低減(最小デューティ)が繰り返されながら、電源出力電圧が上昇していき、時刻t5において、電源出力電圧はLEDモジュール2の点灯開始電圧(Vf)を超える。時刻t5の前から電源出力電圧が上昇していることから、時刻t5においても、上記の期間t1〜t2及び期間t3〜t4の場合と同様に、スイッチ素子503がオンして直流電源回路200の出力能力が低減されている。これにより、LEDモジュール2の点灯開始時t5での高いLED電流及びこれに伴う閃光が抑制される。
LEDモジュール2が点灯開始した以降は、基本的には電源電圧出力が安定化するため、コンデンサ501及び抵抗502の微分回路に電流が流れることはなく、スイッチ素子503はオフ状態に維持される。
図1に戻り、ダイオード504は、定常点灯時におけるスイッチ素子503のオン動作を防止するために接続される。定常点灯時においても電源出力電圧には入力交流電圧の全波整流出力に同期するリップルが含まれるため、ダイオード504がない場合、脈流電圧がコンデンサ501の充放電をもたらし得る。ここで、ダイオード504がコンデンサ501に直列接続されていることにより、電源出力電圧に脈流があってもそのピーク値が一定であれば、コンデンサ501は充電された状態に維持され、充放電の繰返しが防止される。これにより、抵抗502に電圧が発生することがなく、スイッチ素子503のゲート電圧は低電位に維持され、スイッチ素子503のオフ状態が維持される。すなわち、LEDの定常点灯時において、電源出力電圧のリップルによるコンデンサ501の充放電が防止され、スイッチ素子503の意図しないオン動作が防止される。
ツェナーダイオード505は、スイッチ素子503のゲート端子に大きな負電圧が印加されるのを防止するために接続される。特に、LEDモジュール2の消灯後にLED点灯装置1の出力端子T3及びT4間に放電抵抗を接続して電解コンデンサ204の残電圧を放電する場合に、ツェナーダイオード505の動作が重要となる。なお、放電抵抗は、LEDモジュール2の取外し又は交換時に露出され得る出力端子T3及びT4間に電解コンデンサ204の残電圧が印加された状態となるのを防止するために接続される。図3A及び3Bを参照してこの場合の動作を説明する。
図3Aに、LEDモジュール2の消灯時に出力端子T3−T4間に外付けの放電抵抗Rが接続された場合の、ツェナーダイオード505及び506を備えない閃光抑制回路500及び電解コンデンサ204の回路構成を示す。図3Bに、LEDモジュール2の消灯時に出力端子T3−T4間に外付けの放電抵抗Rが接続された場合の、ツェナーダイオード505及び506を備える閃光抑制回路500及び電解コンデンサ204の回路構成を示す。なお、本説明において、LED20の合計順方向電圧Vf、すなわち消灯時の電解コンデンサ204の電圧は50Vであるものとする。
図3Aに示すように、放電抵抗Rが端子T3−T4間に接続されると、電解コンデンサ204の残電圧は放電抵抗Rを介して放電されて(破線矢印参照)50Vから0Vまで低下する。コンデンサ501には、スイッチ素子503のゲート端子を基準として+50Vが保持される。ここで、ツェナーダイオード505及び506がない場合、グランドを基準としてスイッチ素子503のゲート端子には−50Vが印加された状態になる。スイッチ素子503に使用されるMOSFETのゲート電圧の絶対定格は一般的に±20V程度であるため、上記の状態を回避する必要がある。
そこで、図3Bに示すように、ツェナー電圧16Vのツェナーダイオード505が接続される。電解コンデンサ204の残電圧が放電抵抗Rを介して放電されて(破線矢印参照)50Vから0Vまで低下すると、コンデンサ501には、スイッチ素子503のゲート端子を基準として+50Vが保持される一方で、グランドを基準としてスイッチ素子503のゲート端子にはツェナー電圧に相当する−16Vが印加された状態になる。このように、ツェナーダイオード505によって、スイッチ素子503のゲート端子の負電圧は16V以下となり、スイッチ素子503が保護される。
ツェナーダイオード506は、スイッチ素子503のゲート端子に大きな正電圧が印加されるのを防止するために接続される。特に、直流電源回路200の始動時等において電源出力電圧が急峻に上昇した場合に、上述した閃光抑制動作が確保されつつも、ツェナーダイオード506によってスイッチ素子503のゲート電圧がツェナー電圧以下に維持される。ツェナーダイオード506のツェナー電圧も、スイッチ素子503のゲート電圧の最大定格を考慮して16V程度であればよい。
以上のように、本実施形態によると、閃光抑制回路500が、電源出力電圧の上昇率が大きい時に瞬時的にアクティブ状態となり、制御回路400が、閃光抑制回路400がアクティブ状態にあるときに直流電源回路200の出力能力を低下させるように構成される。従って、電源出力電圧の上昇時に直流電源回路200の出力能力が低減されるので、電源出力電圧がLED点灯開始時(すなわち、LED20の合計順方向電圧Vfを超える瞬間)にも直流電源回路200の出力能力が低減され、これによりLED点灯開始時の閃光が抑制される。このように、閃光抑制回路500によって直流電源回路200の出力能力が低減されるタイミングは負荷の動作電圧に依存しない。従って、LED20の順方向電圧が経時変化する場合、LEDモジュール2が異なる順方向電圧のものに交換された場合等のように負荷の動作電圧が変わる場合であっても、回路変更を要することなく確実に閃光が抑制される。
そして、本実施形態によると、閃光抑制回路500は、直流電源回路200の出力電圧の上昇に応じて微分出力電圧を発生させるコンデンサ501及び抵抗502からなる微分回路と、微分出力電圧が入力されることにより導通するスイッチ素子503とを含む。そして、スイッチ素子503が導通することにより閃光抑制回路500がアクティブ状態となる。直流電源回路200はフライバックコンバータからなり、制御回路400は、フライバックコンバータのスイッチング素子201を所定のパルス幅で駆動し、閃光抑制回路500がアクティブ状態にある場合には上記パルス幅が減少するように構成される。これにより、簡素かつ安価な構成で閃光の抑制が可能となる。
また、本実施形態によると、閃光抑制回路500において、ダイオード504によって、入力電源電圧の整流波形におけるリップルの影響によるスイッチ素子503の誤動作が防止される。また、ツェナーダイオード505によって、LED消灯後の電解コンデンサ204の残電圧放電に起因して過大な負電圧がゲート端子に印加されることが防止される。また、ツェナーダイオード506によって、電源出力電圧の急峻な上昇に起因して過大な正電圧がゲート端子に印加されることが防止される。これらにより、LED点灯装置1の信頼性が向上する。
<変形例>
以上に本発明の好適な実施形態を示したが、本発明は、例えば以下に示すように種々の態様に変形可能である。
(1)閃光抑制回路500におけるダイオード接続位置の変形
上記実施形態においては、閃光抑制回路500のダイオード504がスイッチ素子503のゲート端子とグランドの間に配置される構成としたが、図4に示すように、ダイオード507がスイッチ素子503のゲート端子と直流電源回路200の高電位出力端の間に配置される構成としてもよい。本変形例の閃光抑制回路500は、ダイオードの接続位置と、ツェナーダイオード505がないこと以外は上記実施形態のものと同様である。
本変形例では、コンデンサ501が直流電源回路200の高電位出力端に接続され、ダイオード507のアノードがコンデンサ501に接続され、ダイオード507のカソードが抵抗502に接続され、抵抗502がグランドに接続される。そして、ダイオード507のカソードと抵抗502の接続点がスイッチ素子503のゲート端子に接続される。なお、コンデンサ501とダイオード507の配置を入れ替えてもよい。すなわち、ダイオード507のアノードが高電位出力端に接続され、ダイオード507のカソードがコンデンサ501に接続され、コンデンサ501と抵抗502の接続点がスイッチ素子503のゲート端子に接続されるようにしてもよい。ツェナーダイオード506のカソードは、スイッチ素子503のゲート端子に接続され、アノードがグランドに接続される。
本変形例における、閃光抑制動作は実施形態のものと同様である。但し、LEDモジュール2の消灯後に放電抵抗Rを出力端子T3−T4間に接続した場合の動作が実施形態と異なる。具体的には、電解コンデンサ204の残電圧が放電抵抗Rを介して放電されて、例えば、電解コンデンサ204の電圧が50Vから0Vに低下したときに、ダイオード507はオフ状態となり、そのアノードにはグランドを基準として−50が印加され、カソードは実質的にグランド電位となる。従って、スイッチ素子503のゲート端子には負電圧が印加されない。但し、ダイオード507には電源出力電圧より高い耐圧の素子を使用する必要があるため、ダイオード507は実施形態1のダイオード504よりも高耐圧品とする必要がある。
(2)スイッチ素子503導通時のオンデューティの変形
上記実施形態においては、スイッチ素子503のドレイン端子とフォトダイオード415aのカソードとを直接接続し、スイッチ素子503のオン時(すなわち、閃光抑制動作時)のオンデューティが設計上の最小値となるようにした。ここで、図5に示すように、スイッチ素子503のドレイン端子とフォトダイオード415aのカソードの間に低抵抗素子の抵抗508を挿入して、スイッチ素子503のオン時(すなわち、閃光抑制動作時)のオンデューティが設計上の最小値よりも大きくなるようにしてもよい。これにより、実施形態の場合と比べて、閃光抑制効果は若干低下するものの、直流電源回路200の動作開始時からLED点灯時までの時間を短縮することができる。言い換えると、抵抗508を適宜選択することにより、閃光抑制効果と点灯開始時間短縮効果とをトレードオフすることができる。
(3)直流電源回路200の回路構成の変形
上記実施形態においては、直流電源回路200として、いわゆるワンコンバータ方式の絶縁型フライバックコンバータを示したが、直流電源回路200は他の方式の降圧コンバータであってもよい。例えば、直流電源回路200は力率改善回路及びフライバックコンバータ回路からなる回路であってもよし、非絶縁型の降圧チョッパ回路であってもよい。直流電源回路200が非絶縁型の回路である場合、フォトカプラ415は不要となるのでスイッチ素子503のドレイン端子はPWM制御回路410の所定箇所に接続されるようにすればよい。
1 LED点灯装置
2 LEDモジュール
3 LED照明装置
20 LED
200 直流電源回路
201 スイッチング素子
400 制御回路
500 閃光抑制回路
501 コンデンサ
502、508 抵抗
503 スイッチ素子
504、507 ダイオード
505、506 ツェナーダイオード



Claims (7)

  1. LED点灯装置であって、
    LEDに出力電圧を印加する直流電源回路と、
    前記直流電源回路を制御する制御回路と、
    前記出力電圧の上昇率が相対的に高い時に所定期間だけ前記制御回路に前記直流電源回路の出力能力を低減させる閃光抑制回路と、
    を備え、
    前記閃光抑制回路が、前記直流電源回路の出力電圧の上昇に応じて微分出力電圧を発生させる微分回路と、前記微分出力電圧が入力されることにより導通するスイッチ素子とを含み、該スイッチ素子が導通することにより前記制御回路が前記直流電源回路の出力能力を低減させるように構成され、
    前記微分回路がコンデンサ及び抵抗の直列回路を含み、前記コンデンサが前記直流電源回路の高電位出力端側に接続され、前記抵抗が前記直流電源回路の低電位出力端側に接続され、前記抵抗に発生する電圧が前記微分出力電圧である、LED点灯装置。
  2. 請求項1に記載のLED点灯装置において
    記スイッチ素子が入力端子、出力端子及び制御端子を有するトランジスタからなり、
    前記コンデンサが前記直流電源回路の高電位出力端と前記スイッチ素子の制御端子の間に接続され、前記抵抗が前記直流電源回路の低電位出力端と前記スイッチ素子の制御端子の間に接続され、前記スイッチ素子の入力端子が前記制御回路に接続され、前記スイッチ素子の出力端子が前記低電位出力端に接続された、LED点灯装置。
  3. 請求項2に記載のLED点灯装置において、前記閃光抑制回路が、前記トランジスタの制御端子と前記低電位出力端の間においてカソードを前記低電位出力端に向けて前記抵抗に直列接続されたダイオードを含む、LED点灯装置。
  4. 請求項2又は3に記載のLED点灯装置において、前記閃光抑制回路が、前記トランジスタの制御端子と前記低電位出力端の間に、カソードを前記低電位出力端側に向けて接続された第1のツェナーダイオードを含む、LED点灯装置。
  5. 請求項2から4のいずれか一項に記載のLED点灯装置において、前記閃光抑制回路が、前記トランジスタの制御端子と前記低電位出力端の間に、アノードを前記低電位出力端側に向けて接続された第2のツェナーダイオードを含む、LED点灯装置。
  6. 請求項1から5のいずれか一項に記載のLED点灯装置において、前記直流電源回路がフライバックコンバータからなり、前記制御回路が、前記フライバックコンバータのスイッチング素子をPWM制御し、該PWM制御におけるオンデューティを減少させて前記フライバックコンバータの出力能力を低減させるように構成されたLED点灯装置。
  7. 請求項1から6のいずれか一項に記載のLED点灯装置と、前記LEDを含むLEDモジュールとを備えたLED照明装置。
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