JP6165020B2 - Processing method - Google Patents

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Description

本発明は、板状の被加工物を加工する加工方法に関する。   The present invention relates to a processing method for processing a plate-shaped workpiece.

ＷＬ−ＣＳＰ（Wafer Level−Chip Size Package）ウェーハ等のパッケージ基板は、板状の基材と、基材上に形成された封止用の樹脂層（封止樹脂層）とを含んでいる。このパッケージ基板をデバイス単位に分割することで、半導体チップを封止樹脂層で覆った複数の半導体パッケージを得ることができる。   A package substrate such as a WL-CSP (Wafer Level-Chip Size Package) wafer includes a plate-shaped base material and a sealing resin layer (sealing resin layer) formed on the base material. By dividing the package substrate into device units, a plurality of semiconductor packages in which the semiconductor chip is covered with the sealing resin layer can be obtained.

近年では、半導体パッケージの更なる薄型化、軽量化を実現するために、パッケージ基板に含まれる封止樹脂層を薄くすることが望まれている。しかしながら、初めから薄い封止樹脂層を基材上に形成すると、封止樹脂層の内部にボイドと呼ばれる泡状の欠陥が発生し易くなる。   In recent years, in order to further reduce the thickness and weight of a semiconductor package, it has been desired to make the sealing resin layer included in the package substrate thinner. However, when a thin sealing resin layer is formed on the base material from the beginning, bubble-like defects called voids are likely to occur inside the sealing resin layer.

そこで、ある程度の厚みがある封止樹脂層を形成した後に、研削によって封止樹脂層を薄く加工する方法が検討されている（例えば、特許文献１参照）。この方法によれば、厚みのある封止樹脂層を形成してボイドの発生を抑制しつつ、研削によって厚みを減少させることで薄い封止樹脂層を実現できる。   Then, after forming the sealing resin layer with a certain thickness, the method of processing the sealing resin layer thinly by grinding is examined (for example, refer patent document 1). According to this method, a thin sealing resin layer can be realized by forming a thick sealing resin layer and suppressing the generation of voids while reducing the thickness by grinding.

特開２００４−３３５５４０号公報JP 2004-335540 A

ところで、上述の封止樹脂層には、熱膨張率等の物性を調整するためのフィラー（微粒子）が混合されている。フィラーの硬度は、通常、封止樹脂層のベースとなる樹脂の硬度より高いので、このフィラーが研削の妨げとなって必ずしも封止樹脂層を適切に加工できない。また、このような封止樹脂層を研削すると、砥石（研削砥石）の摩耗量は大きくなるので、加工に要するコストが増大してしまう。   By the way, the above-mentioned sealing resin layer is mixed with fillers (fine particles) for adjusting physical properties such as a coefficient of thermal expansion. Since the hardness of the filler is usually higher than the hardness of the resin serving as the base of the sealing resin layer, this filler hinders grinding and cannot necessarily process the sealing resin layer appropriately. In addition, when such a sealing resin layer is ground, the amount of wear of the grindstone (grinding grindstone) increases, and the cost required for processing increases.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、薄い封止樹脂層を低コスト且つ容易に形成可能な被加工物の加工方法を提供することである。   The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a processing method of a workpiece that can easily form a thin sealing resin layer at low cost.

本発明によれば、基板上に封止樹脂層が形成され、該封止樹脂層には複数の半導体チップが埋設された被加工物の加工方法であって、被加工物の基板側を保持手段で保持して封止樹脂層を露出させる保持ステップと、該保持手段で保持された被加工物の該封止樹脂層の上面に砥材を含む流体を噴射手段から噴射しつつ該噴射手段と該保持手段とを水平方向に相対移動させて該流体で該封止樹脂層を薄化し該半導体チップを露出させるとともに、露出した該半導体チップの上面を該封止樹脂層の上面よりも突出させる薄化ステップと、該薄化ステップを実施した後、該半導体チップを研削して所定の厚みへ薄化する研削ステップと、を備えたことを特徴とする加工方法が提供される。 According to the present invention, a sealing resin layer is formed on a substrate, and a processing method of a workpiece in which a plurality of semiconductor chips are embedded in the sealing resin layer, the substrate side of the workpiece being held. A holding step for exposing the sealing resin layer by the means, and a jetting means for jetting a fluid containing abrasives on the upper surface of the sealing resin layer of the workpiece held by the holding means from the jetting means. and to expose the and said holding means horizontally moved relative thinning the sealing resin layer in the fluid wherein the semiconductor chip, the upper surface of the upper surface of the sealing resin layer of the exposed the semiconductor chip a thinning step of Ru is projected, after implementing the thin step, a grinding step of thinning the predetermined thickness by grinding the semiconductor chip, processing method characterized by comprising a are provided.

本発明の加工方法は、封止樹脂層の上面に砥材を含む流体を吹き付けることで封止樹脂層を薄く加工するので、フィラーの有無に関わらず封止樹脂層を容易に加工できる。また、本発明の加工方法は、研削砥石を用いて封止樹脂層を研削しないので、研削砥石の摩耗による加工コストの増大を防ぐことができる。このように、本発明によれば、薄い封止樹脂層を低コスト且つ容易に形成可能な被加工物の加工方法が提供される。   In the processing method of the present invention, since the sealing resin layer is thinly processed by spraying a fluid containing an abrasive on the upper surface of the sealing resin layer, the sealing resin layer can be easily processed regardless of the presence or absence of the filler. Moreover, since the processing method of this invention does not grind the sealing resin layer using a grinding wheel, it can prevent an increase in processing cost due to wear of the grinding wheel. Thus, according to the present invention, there is provided a method for processing a workpiece that can easily form a thin sealing resin layer at low cost.

保持ステップを模式的に示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows a holding step typically. 薄化ステップを模式的に示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows a thinning step typically. 薄化ステップで薄く加工された被加工物を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the to-be-processed object thinly processed by the thinning step. 研削ステップを模式的に示す一部断面側面図である。It is a partial cross section side view which shows a grinding step typically.

以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態に係る加工方法は、保持ステップ（図１参照）、及び薄化ステップ（図２及び図３参照）を含む。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. The processing method according to the present embodiment includes a holding step (see FIG. 1) and a thinning step (see FIGS. 2 and 3).

保持ステップでは、基材（基板）と封止樹脂層とを含む被加工物の基材側を保持テーブル（保持手段）に保持させる。薄化ステップでは、保持テーブルに保持された被加工物の封止樹脂層に向けて砥材を含む流体を噴射し、封止樹脂層を薄く加工する。以下、本実施の形態に係る加工方法を詳述する。   In the holding step, the base material side of the workpiece including the base material (substrate) and the sealing resin layer is held on the holding table (holding means). In the thinning step, a fluid containing an abrasive is sprayed toward the sealing resin layer of the workpiece held on the holding table to thin the sealing resin layer. Hereinafter, the processing method according to the present embodiment will be described in detail.

図１は、本実施の形態の加工方法に係る保持ステップを模式的に示す一部断面側面図である。図１に示すように、本実施の形態の加工方法に使用される加工装置２は、板状の被加工物１１を保持する保持テーブル（保持手段）４を備えている。   FIG. 1 is a partial cross-sectional side view schematically showing a holding step according to the processing method of the present embodiment. As shown in FIG. 1, the processing apparatus 2 used in the processing method of the present embodiment includes a holding table (holding means) 4 that holds a plate-like workpiece 11.

この保持テーブル４は、下方に設けられた移動機構（不図示）によって水平方向に移動する。保持テーブル４の上面は、被加工物１１を吸引保持する保持面４ａとなっている。保持面４ａは、保持テーブル４の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）と接続されている。   The holding table 4 is moved in the horizontal direction by a moving mechanism (not shown) provided below. The upper surface of the holding table 4 serves as a holding surface 4 a that holds the workpiece 11 by suction. The holding surface 4 a is connected to a suction source (not shown) through a flow path (not shown) formed inside the holding table 4.

本実施の形態に係る加工方法では、まず、上述した保持テーブル４に被加工物１１を保持させる保持ステップを実施する。図１に示すように、被加工物１１は、ＣＯＷ（Chip On Wafer）プロセスによって製造されたパッケージ基板であり、円盤状の基材（基板）１３を含む。   In the processing method according to the present embodiment, first, a holding step of holding the workpiece 11 on the holding table 4 described above is performed. As shown in FIG. 1, the workpiece 11 is a package substrate manufactured by a COW (Chip On Wafer) process, and includes a disk-shaped base material (substrate) 13.

基材１３の表面１３ａ側には、複数の半導体チップ１５が格子状に配列されている。基材１３と各半導体チップ１５とは、基材１３の表面１３ａに形成された電極パッド１３ｃ及び半導体チップ１５に設けられた球形のバンプ１５ａを介して、電気的に接続されている。   A plurality of semiconductor chips 15 are arranged in a lattice pattern on the surface 13 a side of the base material 13. The base material 13 and each semiconductor chip 15 are electrically connected via electrode pads 13 c formed on the surface 13 a of the base material 13 and spherical bumps 15 a provided on the semiconductor chip 15.

また、基材１３の表面１３ａ側には、複数の半導体チップ１５を覆う封止樹脂層１７が設けられている。すなわち、封止樹脂層１７中には、複数の半導体チップ１５が埋設されている。   A sealing resin layer 17 that covers the plurality of semiconductor chips 15 is provided on the surface 13 a side of the substrate 13. That is, a plurality of semiconductor chips 15 are embedded in the sealing resin layer 17.

この封止樹脂層１７は、例えば、エポキシ樹脂等にフィラー（微粒子）を混合した材料で形成されており、封止樹脂層１７の熱膨張率は、このフィラーによって基材１３の熱膨張率と同等に調整されている。   The sealing resin layer 17 is formed of, for example, a material in which a filler (fine particles) is mixed with an epoxy resin or the like. The thermal expansion coefficient of the sealing resin layer 17 is equal to the thermal expansion coefficient of the base material 13 by the filler. It is adjusted equally.

保持ステップでは、被加工物１１の基材１３側（基材１３の裏面１３ｂ側）を保持テーブル４の保持面４ａに対面させつつ被加工物１１を保持テーブル４上に載置して、保持面４ａに吸引源の負圧を作用させる。これにより、被加工物１１は、保持テーブル４に吸引保持される。この状態では、被加工物１１の封止樹脂層１７側が上方に露出されている。   In the holding step, the workpiece 11 is placed on the holding table 4 and held while the base material 13 side of the workpiece 11 (the back surface 13b side of the base material 13) faces the holding surface 4a of the holding table 4. A negative pressure of a suction source is applied to the surface 4a. Thereby, the workpiece 11 is sucked and held on the holding table 4. In this state, the sealing resin layer 17 side of the workpiece 11 is exposed upward.

保持ステップの終了後には、封止樹脂層１７を薄く加工する薄化ステップを実施する。図２は、薄化ステップを模式的に示す一部断面側面図である。図２に示すように、保持テーブル４の上方には、保持テーブル４に保持された被加工物１１に向けて流体Ｆを噴射する噴射ノズル（噴射手段）６が配置されている。   After the holding step is completed, a thinning step for thinning the sealing resin layer 17 is performed. FIG. 2 is a partial cross-sectional side view schematically showing the thinning step. As shown in FIG. 2, an injection nozzle (injecting means) 6 that injects the fluid F toward the workpiece 11 held on the holding table 4 is arranged above the holding table 4.

噴射ノズル６から噴射される流体Ｆは、代表的には、圧縮エアーである。この流体Ｆには、封止樹脂層１７を加工するための砥材（研磨材）が含まれている。流体Ｆに含まれる砥材としては、例えば、ふるい分け法で測定される粒径が５μｍ〜４０μｍ程度の炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）を用いることができる。 The fluid F ejected from the ejection nozzle 6 is typically compressed air. The fluid F contains an abrasive (abrasive) for processing the sealing resin layer 17. As the abrasive contained in the fluid F, for example, calcium carbonate (CaCO 3 ) having a particle size measured by a sieving method of about 5 μm to 40 μm can be used.

本実施の形態に係る薄化ステップでは、このような砥材を含む流体Ｆを吹き付けることで封止樹脂層１７を加工する。具体的には、封止樹脂層１７の上面に向けて噴射ノズル６から砥材を含む流体Ｆを噴射しつつ、保持テーブル４と噴射ノズル６とを水平方向に相対移動させる。   In the thinning step according to the present embodiment, the sealing resin layer 17 is processed by spraying the fluid F containing such an abrasive. Specifically, the holding table 4 and the ejection nozzle 6 are relatively moved in the horizontal direction while ejecting the fluid F containing the abrasive material from the ejection nozzle 6 toward the upper surface of the sealing resin layer 17.

これにより、封止樹脂層１７の上部を除去して、封止樹脂層１７を薄く加工できる。噴射ノズル６の噴射口は、代表的には、単一の開口で構成されるが、ライン状又は面状に配置された複数の開口で構成されても良い。ライン状又は面状に配置された複数の開口で噴射ノズル６の噴射口を構成することにより、短時間に広い面積を加工できる。   Thereby, the upper part of the sealing resin layer 17 is removed, and the sealing resin layer 17 can be processed thinly. The injection port of the injection nozzle 6 is typically constituted by a single opening, but may be constituted by a plurality of openings arranged in a line or plane. By forming the injection port of the injection nozzle 6 with a plurality of openings arranged in a line or plane, a large area can be processed in a short time.

なお、本実施の形態では、保持テーブル４のみを移動機構によって水平方向に移動させているが、本発明はこれに限定されない。噴射ノズル６を移動させても良いし、保持テーブル４と噴射ノズル６とを共に移動させても良い。   In the present embodiment, only the holding table 4 is moved in the horizontal direction by the moving mechanism, but the present invention is not limited to this. The injection nozzle 6 may be moved, or the holding table 4 and the injection nozzle 6 may be moved together.

また、この薄化ステップで用いられる流体Ｆ及び砥材の構成も特に限定されない。例えば、流体Ｆとして、水等の液体を用いても良い。また、砥材として、ベーキングパウダー（ＮａＨＣＯ３）やセリア（ＣｅＯ２）、シリカ（ＳｉＯ２）等を用いることもできる。砥材の粒径も任意である。 Further, the configurations of the fluid F and the abrasive used in the thinning step are not particularly limited. For example, a liquid such as water may be used as the fluid F. Further, as the abrasive material, baking powder (NaHCO 3) or ceria (CeO 2), silica can also be used (SiO 2) or the like. The particle size of the abrasive is also arbitrary.

本実施の形態の薄化ステップでは、上述のように、砥材を含む流体Ｆを封止樹脂層１７に吹き付けるので、砥材との衝突で封止樹脂層１７に含まれるフィラーが脱落し易くなる。これにより、フィラーを含む封止樹脂層１７を容易に加工できる。なお、使用後の砥材は回収、再利用される。   In the thinning step of the present embodiment, as described above, the fluid F containing the abrasive is sprayed onto the sealing resin layer 17, so that the filler contained in the sealing resin layer 17 is likely to drop off due to collision with the abrasive. Become. Thereby, the sealing resin layer 17 containing a filler can be processed easily. The used abrasive material is collected and reused.

薄化ステップにおける封止樹脂層１７の除去厚みは、例えば、数１００μｍ程度とすることができる。ただし、薄化ステップの後に実施される工程に応じて、封止樹脂層１７の除去厚みを変更できる。図３は、薄化ステップで薄く加工された被加工物１１を模式的に示す断面図である。   The removal thickness of the sealing resin layer 17 in the thinning step can be, for example, about several hundred μm. However, the removal thickness of the sealing resin layer 17 can be changed according to the process performed after the thinning step. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the workpiece 11 thinly processed in the thinning step.

上述した薄化ステップでは、例えば、図３（Ａ）に示すように、半導体チップ１５が封止樹脂１７中に埋設された状態を維持するように封止樹脂層１７を加工する。また、図３（Ｂ）及び図３（Ｂ）に示すように、半導体チップ１５の上面を露出させるように封止樹脂層１７を加工しても良い。この場合、半導体チップ１５に対する加工性の低い流体Ｆ及び砥材を選択することが好ましい。   In the thinning step described above, for example, as shown in FIG. 3A, the sealing resin layer 17 is processed so as to maintain the semiconductor chip 15 embedded in the sealing resin 17. In addition, as shown in FIGS. 3B and 3B, the sealing resin layer 17 may be processed so that the upper surface of the semiconductor chip 15 is exposed. In this case, it is preferable to select a fluid F and an abrasive that have low processability for the semiconductor chip 15.

例えば、図３（Ｂ）では、半導体チップ１５の上面の高さ位置と、加工後における封止樹脂層１７の上面の高さ位置とが同じになっている。一方、図３（Ｃ）では、半導体チップ１５の上面の高さ位置が、加工後における封止樹脂層１７の上面の高さ位置より上方にある。すなわち、半導体チップ１５は、封止樹脂層１７より上方に突出されている。   For example, in FIG. 3B, the height position of the upper surface of the semiconductor chip 15 and the height position of the upper surface of the sealing resin layer 17 after processing are the same. On the other hand, in FIG. 3C, the height position of the upper surface of the semiconductor chip 15 is above the height position of the upper surface of the sealing resin layer 17 after processing. That is, the semiconductor chip 15 protrudes above the sealing resin layer 17.

図３（Ｃ）に示すように、薄化ステップにおいて、半導体チップ１５を封止樹脂層１７より上方に突出させた場合には、その後に、半導体チップ１５を薄く加工する研削ステップを実施しても良い。図４は、研削ステップを模式的に示す一部断面側面図である。   As shown in FIG. 3C, when the semiconductor chip 15 protrudes above the sealing resin layer 17 in the thinning step, a grinding step for thinning the semiconductor chip 15 is performed thereafter. Also good. FIG. 4 is a partial cross-sectional side view schematically showing the grinding step.

図４に示すように、本実施の形態の研削ステップに使用される研削装置８は、被加工物１１を吸引保持する保持テーブル１０を備えている。保持テーブル１０の下方には、回転機構（不図示）が設けられており、保持テーブル１０は、この回転機構で鉛直軸の周りに回転する。   As shown in FIG. 4, the grinding apparatus 8 used in the grinding step of the present embodiment includes a holding table 10 that holds the workpiece 11 by suction. A rotation mechanism (not shown) is provided below the holding table 10, and the holding table 10 rotates around the vertical axis by this rotation mechanism.

保持テーブル１０の上面は、被加工物１１を吸引保持する保持面１０ａとなっている。この保持面１０ａには、保持テーブル１０の内部に形成された流路（不図示）を通じて吸引源（不図示）の負圧が作用し、被加工物１１を吸引する吸引力が発生する。   The upper surface of the holding table 10 is a holding surface 10 a that holds the workpiece 11 by suction. A negative pressure of a suction source (not shown) acts on the holding surface 10a through a flow path (not shown) formed inside the holding table 10, and a suction force for sucking the workpiece 11 is generated.

保持テーブル１０の上方には研削機構（研削手段）１２が配置されている。研削機構１２は、鉛直軸の周りに回転するスピンドル１４を備えている。スピンドル１４は、昇降機構（不図示）で昇降される。   A grinding mechanism (grinding means) 12 is disposed above the holding table 10. The grinding mechanism 12 includes a spindle 14 that rotates about a vertical axis. The spindle 14 is lifted and lowered by a lifting mechanism (not shown).

スピンドル１４の下端側には、円盤状のホイールマウント１６が固定されており、このホイールマウント１６には、研削ホイール１８が装着されている。研削ホイール１８は、アルミニウム、ステンレス等の金属材料で形成されたホイール基台１８ａを備えている。ホイール基台１８ａの円環状の下面には、全周にわたって複数の研削砥石１８ｂが固定されている。   A disc-shaped wheel mount 16 is fixed to the lower end side of the spindle 14, and a grinding wheel 18 is attached to the wheel mount 16. The grinding wheel 18 includes a wheel base 18a formed of a metal material such as aluminum or stainless steel. A plurality of grinding wheels 18b are fixed to the annular lower surface of the wheel base 18a over the entire circumference.

研削ステップでは、まず、被加工物１１の基材１３側を保持テーブル１０の保持面１０ａに接触させて、吸引源の負圧を作用させる。これにより、被加工物１１は、保持テーブル１０に吸引保持される。この状態では、被加工物１１の封止樹脂層１７側が上方に露出されている。   In the grinding step, first, the base material 13 side of the workpiece 11 is brought into contact with the holding surface 10a of the holding table 10 to apply a negative pressure of the suction source. Thereby, the workpiece 11 is sucked and held on the holding table 10. In this state, the sealing resin layer 17 side of the workpiece 11 is exposed upward.

次に、保持テーブル１０とスピンドル１４とを、それぞれ所定の回転方向に回転させつつ、スピンドル１４を下降させ、図４に示すように、被加工物１１の封止樹脂層１７側に研削砥石１８ｂを接触させる。本実施の形態では、半導体チップ１５が封止樹脂層１７より上方に突出されているので、研削砥石１８ｂは半導体チップ１５の上面に当接する。   Next, the spindle 14 is lowered while rotating the holding table 10 and the spindle 14 in predetermined rotation directions, respectively, and as shown in FIG. 4, the grinding wheel 18 b on the sealing resin layer 17 side of the workpiece 11. Contact. In the present embodiment, since the semiconductor chip 15 protrudes above the sealing resin layer 17, the grinding wheel 18 b comes into contact with the upper surface of the semiconductor chip 15.

その結果、封止樹脂層１７から露出した半導体チップ１５が研削によって薄く加工される。半導体チップ１５が任意の厚みまで研削されると、研削ステップは終了する。この研削ステップでは、半導体チップ１５を薄く加工するので、半導体パッケージの更なる薄型化、軽量化を実現できる。   As a result, the semiconductor chip 15 exposed from the sealing resin layer 17 is thinly processed by grinding. When the semiconductor chip 15 is ground to an arbitrary thickness, the grinding step ends. In this grinding step, since the semiconductor chip 15 is processed thinly, the semiconductor package can be further reduced in thickness and weight.

以上のように、本実施の形態に係る加工方法は、封止樹脂層１７の上面に砥材を含む流体Ｆを吹き付けることで封止樹脂層１７を薄く加工するので、フィラーの有無に関わらず封止樹脂層１７を容易に加工できる。   As described above, in the processing method according to the present embodiment, the sealing resin layer 17 is thinly processed by spraying the fluid F containing the abrasive material on the upper surface of the sealing resin layer 17. The sealing resin layer 17 can be easily processed.

また、本実施の形態に係る加工方法は、研削砥石を用いて封止樹脂層１７を研削しないので、研削砥石の摩耗による加工コストの増大を防ぐことができる。このように、本実施の形態によれば、薄い封止樹脂層１７を低コスト且つ容易に形成可能な被加工物１１の加工方法が提供される。   Moreover, since the processing method according to the present embodiment does not grind the sealing resin layer 17 using a grinding wheel, it is possible to prevent an increase in processing cost due to wear of the grinding wheel. Thus, according to this Embodiment, the processing method of the to-be-processed object 11 which can form the thin sealing resin layer 17 easily at low cost is provided.

なお、本発明は上記実施の形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施の形態では、封止樹脂層１７を薄く加工する加工装置２と、半導体チップ１５を研削する研削装置８とを分けているが、これらは一体の装置でも良い。   In addition, this invention is not limited to description of the said embodiment, A various change can be implemented. For example, in the above embodiment, the processing apparatus 2 that processes the sealing resin layer 17 thinly and the grinding apparatus 8 that grinds the semiconductor chip 15 are separated, but these may be integrated.

また、上記実施の形態では、被加工物１１として、ＣＯＷプロセスによって製造されたパッケージ基板を用いているが、被加工物１１は、ＷＬ−ＣＳＰウェーハ等でも良い。なお、この場合にも、薄化ステップにおいて、半導体チップが埋設された状態を維持するように、又は、半導体チップの上面を露出させるように封止樹脂層を加工すれば良い。   Moreover, in the said embodiment, although the package substrate manufactured by the COW process is used as the to-be-processed object 11, the to-be-processed object 11 may be a WL-CSP wafer. In this case as well, in the thinning step, the sealing resin layer may be processed so as to maintain the semiconductor chip embedded state or to expose the upper surface of the semiconductor chip.

その他、上記実施の形態に係る構成、方法などは、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。   In addition, the configurations, methods, and the like according to the above-described embodiments can be changed as appropriate without departing from the scope of the object of the present invention.

１１ 被加工物
１３ 基材（基板）
１３ａ 表面
１３ｂ 裏面
１３ｃ 電極パッド
１５ 半導体チップ
１５ａ バンプ
１７ 封止樹脂層
２ 加工装置
４ 保持テーブル（保持手段）
４ａ 保持面
６ 噴射ノズル（噴射手段）
８ 研削装置
１０ 保持テーブル
１０ａ 保持面
１２ 研削機構（研削手段）
１４ スピンドル
１６ ホイールマウント
１８ 研削ホイール
１８ａ ホイール基台
１８ｂ 研削砥石
Ｆ 流体
11 Workpiece 13 Base Material (Substrate)
13a surface 13b back surface 13c electrode pad 15 semiconductor chip 15a bump 17 sealing resin layer 2 processing apparatus 4 holding table (holding means)
4a Holding surface 6 Injection nozzle (injection means)
8 Grinding device 10 Holding table 10a Holding surface 12 Grinding mechanism (grinding means)
14 Spindle 16 Wheel mount 18 Grinding wheel 18a Wheel base 18b Grinding wheel F Fluid

Claims (1)

基板上に封止樹脂層が形成され、該封止樹脂層には複数の半導体チップが埋設された被加工物の加工方法であって、
被加工物の基板側を保持手段で保持して封止樹脂層を露出させる保持ステップと、
該保持手段で保持された被加工物の該封止樹脂層の上面に砥材を含む流体を噴射手段から噴射しつつ該噴射手段と該保持手段とを水平方向に相対移動させて該流体で該封止樹脂層を薄化し該半導体チップを露出させるとともに、露出した該半導体チップの上面を該封止樹脂層の上面よりも突出させる薄化ステップと、
該薄化ステップを実施した後、該半導体チップを研削して所定の厚みへ薄化する研削ステップと、を備えたことを特徴とする加工方法。 A sealing resin layer is formed on a substrate, and a processing method of a workpiece in which a plurality of semiconductor chips are embedded in the sealing resin layer,
A holding step of holding the substrate side of the workpiece with a holding means to expose the sealing resin layer; and
While ejecting a fluid containing abrasive on the upper surface of the sealing resin layer of the workpiece held by the holding means from the jetting means, the jetting means and the holding means are moved relative to each other in the horizontal direction. to expose the thinning of the sealing resin layer the semiconductor chip, a thinning step of Ru protrudes from the upper surface of the upper surface of the sealing resin layer of the exposed the semiconductor chip,
And a grinding step of grinding the semiconductor chip to a predetermined thickness after performing the thinning step .
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