KR101554815B1 - Manufacturing method for Through silicon via wafer - Google Patents

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Abstract

본 발명은 관통전극 웨이퍼 제조방법에 관한 것으로, a) 액상의 접착제를 지지부재 상에 도포하는 단계와, b) 상기 접착제에 프로세스 웨이퍼를 안착시키되, 소자형성면이 상기 접착제를 향하도록 안착시킨 후 상기 접착제를 경화시켜 접착층을 형성하는 단계와, c) 상기 프로세스 웨이퍼의 상면을 연마 가공하는 단계와, d) 에어와 슬러리 혼합물을 노즐로 분사하여, 상기 프로세스 웨이퍼의 가장자리 둘레 영역 하부의 접착층을 제거하는 단계를 포함한다. 본 발명은 에어와 슬러리 혼합물을 분사하여 프로세스 웨이퍼의 가장자리 및 그 하부의 접착층을 제거하여, 후속 공정에서 접착층에 의한 파티클의 발생을 방지하여, 수율 저하를 방지할 수 있는 효과가 있으며, 또한 프로세스 웨이퍼의 손상을 주지 않아 공정의 안정화 및 생산성 향상의 효과가 있다.The present invention relates to a method of manufacturing a penetrating electrode wafer, comprising the steps of: a) applying a liquid adhesive on a support member; b) placing the process wafer on the adhesive, C) abrading the upper surface of the process wafer; d) spraying the air and slurry mixture with a nozzle to remove the adhesive layer under the peripheral region of the process wafer; . The present invention has the effect of preventing the yield from being lowered by preventing the generation of particles by the adhesive layer in the subsequent process by removing the edges and the adhesive layer below the process wafer by spraying air and a slurry mixture, So that the process can be stabilized and the productivity can be improved.

Description

관통전극 웨이퍼 제조방법{Manufacturing method for Through silicon via wafer}[0001] The present invention relates to a manufacturing method of a through-

본 발명은 관통전극 웨이퍼 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 프로세스 웨이퍼의 손상을 방지하면서 측면으로 노출된 접착제를 제거할 수 있는 관통전극 웨이퍼 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of manufacturing a penetrating electrode wafer, and more particularly, to a method of manufacturing a penetrating electrode wafer capable of removing a side exposed adhesive while preventing damage to the process wafer.

최근 반도체 제조 업체들은 다수의 웨이퍼를 수직으로 적층하고, 각 기판을 전기적으로 연결하기 위한 수직 콘택을 형성하는 방법에 대하여 연구하고 있다. 이때 웨이퍼의 두께를 얇게 만들기 위하여 소자 형성영역의 배면측을 연마가공하거나 수직 콘택을 형성하거나, 둘 이상의 웨이퍼를 적층할 때 위치의 변동을 방지하기 위하여 프로세스 웨이퍼를 지지부재 상에 접착제로 고정하는 방법을 사용하고 있다.
Background of the Invention [0002] Recently, semiconductor manufacturers are studying a method of vertically stacking a plurality of wafers and forming a vertical contact for electrically connecting each substrate. At this time, in order to reduce the thickness of the wafer, there is a method of polishing the back side of the element formation region, forming a vertical contact, or fixing the process wafer on the supporting member with an adhesive in order to prevent positional variation when stacking two or more wafers .

이처럼 프로세스 웨이퍼를 지지부재에 고정하는 방법으로, 공개특허 10-2010-0132545호(2010년 12월 17일 공개, 작은 직경의 고밀도 웨이퍼 관통 비아 다이 스태킹을 위한 정렬/센터링 가이드를 생성하는 방법)의 도 3b에는 실리콘 캐리어(204) 상의 접착층(206)에 의해 고착된 제1다이(200)에 대하여 기재되어 있다. As such a method of securing a process wafer to a support member, a method of producing an alignment / centering guide for small diameter, high density wafer through via die stacking, disclosed in US patent application publication No. 10-2010-0132545, published Dec. 17, 2010 Figure 3b illustrates a first die 200 secured by an adhesive layer 206 on a silicon carrier 204. [

이때 접착층(206)으로 액상의 접착제를 주로 사용하고 있으며, 접착층(206)을 지지부재(실리콘 캐리어 또는 글라스 캐리어, 204) 상에 도포하고, 프로세스 웨이퍼(제1다이, 200)를 부착하여, 후속 공정시 위치의 변동을 방지하게 된다.
The adhesive layer 206 is applied to a supporting member (silicon carrier or glass carrier 204), and a process wafer (first die 200) is attached to the supporting member Thereby preventing positional variations during processing.

그러나 이처럼 액상의 접착제를 도포하고, 지지부재(204)와 프로세스 웨이퍼(200)를 부착할 때 그 액상의 접착제가 측면부로 유출되어 경화되며, 프로세스 웨이퍼(200)를 처리하는 과정에서 이물로 작용하게 된다.
However, when the liquid adhesive is applied and the supporting member 204 and the process wafer 200 are attached, the liquid adhesive flows out to the side portion to be hardened and acts as foreign matter in the process of processing the process wafer 200 do.

이와 같은 종래의 문제점을 단순화된 도면을 통해 상세히 설명하면 다음과 같다.
Such conventional problems will be described in detail with reference to simplified drawings.

도 1 내지 도 3은 종래 관통 전극 제조용 접착제 제거 공정 수순단면도이다.Figs. 1 to 3 are cross-sectional views illustrating a conventional process for removing an adhesive for manufacturing a penetrating electrode.

도 1 내지 도 3을 각각 참조하면 종래 다중 적층형 반도체 제조용 접착제 제거 방법은, 지지부재(204)의 상부에 액상의 접착층(206)을 도포하는 단계(도 1)와, 상기 액상의 접착층(206)의 상부에 프로세스 웨이퍼(200)를 적층하는 단계(도 2)와, 상기 접착상태의 프로세스 웨이퍼(200)의 상부를 연마가공하는 단계(도 3)를 포함한다.
1 to 3, a conventional adhesive removing method for manufacturing a multi-layer type semiconductor includes a step (FIG. 1) of applying a liquid adhesive layer 206 to an upper portion of a support member 204, (Fig. 2) of laminating the process wafer 200 on the upper portion of the process wafer 200 (Fig. 3) and polishing the upper portion of the process wafer 200 in the adhered state.

이하, 상기와 같이 구성되는 종래 관통 전극 제조용 접착제 제거 공정의 구성과 작용을 보다 상세히 설명한다.
Hereinafter, the structure and action of the adhesive removal step for manufacturing a conventional penetrating electrode constructed as described above will be described in more detail.

먼저, 도 1에 도시한 바와 같이 지지부재(204)의 상부에 액상의 접착층(206)을 도포한다. 이때 접착층(206)의 균일한 도포를 위하여 지지부재(204)를 회전시키는 상태에서 액상의 접착제 액적을 지지부재의 상부 중앙에 낙하시켜 고르게 퍼져 액상의 코팅이 이루어지게 된다.
First, as shown in Fig. 1, a liquid adhesive layer 206 is applied to the upper portion of the support member 204. As shown in Fig. At this time, in order to uniformly apply the adhesive layer 206, the liquid adhesive agent droplets drop down on the center of the upper part of the support member in a state of rotating the support member 204, so that the liquid coating is spread evenly.

그 다음, 도 2에 도시한 바와 같이 상기 접착층(206)에 프로세스 웨이퍼(200)를 접착한다. 상기 프로세스 웨이퍼(200)는 상기 접착층(206)과 접하는 면이 소자 형성면이 되며, 이때 접착층(206)은 액상이므로 프로세스 웨이퍼(200)에 의해 하향으로 압력이 작용하기 때문에, 접착층(206)이 측면측으로 퍼져 프로세스 웨이퍼(200)와 지지부재(204)의 측면으로 흐르게 된다.
Then, the process wafer 200 is adhered to the adhesive layer 206 as shown in Fig. Since the adhesive layer 206 is in the form of a liquid, the pressure applied by the process wafer 200 is downward, so that the adhesive layer 206 is in contact with the surface of the adhesive layer 206, And then flows to the side surfaces of the process wafer 200 and the support member 204.

그 다음, 도 3에 도시한 바와 같이 프로세스 웨이퍼(200)의 상면을 일부 제거한다. 상기 프로세스 웨이퍼(200)에 형성된 소자의 예로서 관통전극(Through silicon via)가 형성된 것일 수 있으며, 공개특허 10-2010-0021856호(2010년 2월 26일 공개, 관통 전극을 갖는 반도체 장치의 형성방법 및 관련된 장치)는 관통 전극을 웨이퍼의 두께 전체를 관통하도록 형성하기는 어렵기 때문에 수직으로 관통되는 전극을 형성한 후, 웨이퍼의 배면을 평탄하게 제거하여, 전극의 아랫부분이 노출되도록 하여 실질적인 관통 전극을 형성하는 방법에 대하여 기재하고 있다.
Then, a part of the upper surface of the process wafer 200 is partially removed as shown in Fig. As an example of the device formed on the process wafer 200, a through silicon via may be formed, and a semiconductor device having a penetrating electrode may be formed on the process wafer 200, which is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2010-0021856 Methods and related apparatuses) are difficult to form through electrodes through the entire thickness of the wafer, so that after vertically penetrating electrodes are formed, the backside of the wafer is flat removed to expose the bottom of the electrodes, A method of forming a penetrating electrode is described.

이처럼 프로세스 웨이퍼(200)는 소자 형성면이 접착층(206)에 접합된 상태에서 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 등의 방법으로 연마되어, 관통 전극이 프로세스 웨이퍼(200)의 상하로 노출되도록 할 수 있다.The process wafer 200 may be polished by chemical mechanical polishing (CMP) or the like in a state where the element formation surface is bonded to the adhesive layer 206 so that the penetration electrode is exposed above and below the process wafer 200.

이때 프로세스 웨이퍼(200)와 지지부재(204)의 사이 가장자리에는 접착층(206)이 노출되며 이는 후속공정을 위하여 이동할 때 카세트 등의 측면에 접착층(206)이 묻어 오염을 발생시킬 수 있으며, 진공 열처리 등의 후속공정에서 접착층(206)이 떨어져 나가 오염원으로 작용하여 수율을 저하시키는 문제점이 있었다.
At this time, the adhesive layer 206 is exposed at the edge between the process wafer 200 and the support member 204, which may cause contamination due to the adhesive layer 206 adhering to the side of the cassette or the like when moving for a subsequent process. The adhesive layer 206 may be broken down and may act as a contaminant to lower the yield.

이와 같은 문제점을 고려하여, 도 4에 도시한 바와 같이 프로세스 웨이퍼(200)의 가장자리 영역과 그 가장자리 영역 하부의 접착층(206)을 그라인더(300)로 연마하거나, 케미컬을 사용하여 제거하는 기술이 종래에 사용되었다.In view of such a problem, as shown in Fig. 4, a technique of grinding the adhesive layer 206 on the edge region of the process wafer 200 and the edge region thereof by grinding with a grinder 300, .

그라인더로 연마하는 경우 모서리 부분이 거칠어지는 칩핑 현상과, 에지 부분에 크랙이 발생할 수 있으며, 크랙이 진행되어 이후 프로세스 웨이퍼(200)가 소낭될 수 있는 문제점이 있었으며, 칩핑 및 크랙 현상에 의해 파티클이 발생하여 오염원으로 작용하여, 파티클 제거를 위한 세정공정이 더 필요하여 공정단계가 증가하는 문제점이 있었다.There is a problem that the chipping phenomenon in which the edge portion becomes rough and the crack in the edge portion may occur when the grinder is polished, and the process wafer 200 may be pierced after the crack progresses, So that it acts as a pollution source, and a cleaning process for removing particles is further required, which increases the number of process steps.

또한 케미컬을 사용하는 경우에는 오버에칭(over etching)이 발생할 수 있는 문제점이 있었다.
In addition, when a chemical is used, over etching may occur.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 프로세스 웨이퍼를 지지부재 상에 접착할 때, 측면으로 유출되는 접착층을 제거하여 오염의 발생 원인을 줄여 수율을 높일 수 있는 관통전극 웨이퍼 제조방법을 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a through-hole electrode wafer manufacturing method capable of increasing the yield by reducing the cause of contamination by removing the adhesive layer, .

또한 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 측면 접착층을 제거할 때 프로세스 웨이퍼에 크랙이 발생하는 등의 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있는 관통전극 웨이퍼 제조방법을 제공함에 있다.Another problem to be solved by the present invention is to provide a method of manufacturing a through-hole electrode wafer which can prevent damage such as cracking to the process wafer when removing the side adhesive layer.

아울러 본 발명은 종래와 같이 파티클 제거를 위한 세정공정을 생략하여 공정단계를 간소화하는 효과가 있다.
In addition, the present invention has the effect of simplifying the process steps by omitting the cleaning process for removing particles as in the prior art.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명 관통전극 웨이퍼 제조방법은, a) 액상의 접착제를 지지부재 상에 도포하는 단계와, b) 상기 접착제에 프로세스 웨이퍼를 안착시키되, 소자형성면이 상기 접착제를 향하도록 안착시킨 후 상기 접착제를 경화시켜 접착층을 형성하는 단계와, c) 상기 프로세스 웨이퍼의 상면을 연마 가공하는 단계와, d) 에어와 슬러리 혼합물을 노즐로 분사하여, 상기 프로세스 웨이퍼의 가장자리 둘레 영역와 그 가장자리 둘레 영역 하부의 접착층을 제거하는 단계를 포함한다.
According to the present invention, there is provided a method of manufacturing a through-hole electrode wafer comprising the steps of: a) applying a liquid adhesive onto a supporting member; b) placing a process wafer on the adhesive, C) polishing the upper surface of the process wafer; d) spraying the air and the slurry mixture with a nozzle to form an adhesive layer on the edge peripheral region of the process wafer And removing the adhesive layer under the edge perimeter area.

본 발명 관통전극 웨이퍼 제조방법은, 에어와 슬러리 혼합물을 분사하여 프로세스 웨이퍼의 가장자리 및 그 하부의 접착층을 제거하여, 후속 공정에서 접착층에 의한 파티클의 발생을 방지하여, 수율 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다.The method for manufacturing a through-hole electrode wafer according to the present invention is a method for manufacturing a through-hole electrode wafer, in which an edge of a process wafer and an adhesive layer thereunder are removed by spraying an air and a slurry mixture to prevent generation of particles by an adhesive layer in a subsequent process, .

또한 본 발명 관통전극 웨이퍼 제조방법은, 마스크를 형성해야 하는 플라즈마 에칭이나 화학적 에칭에 비하여 공정단계가 단순하여, 시간 및 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.In addition, the manufacturing method of the through-hole electrode wafer according to the present invention has a simpler process step than plasma etching or chemical etching in which a mask is to be formed, thereby reducing time and cost.

그리고 프로세스 웨이퍼와 접착층의 제거에 각기 다른 슬러리를 사용함으로써, 접착층과 지지부재의 선택비를 높여 접착층을 제거하는 과정에서 지지부재가 손상되는 것을 방지하여, 지지부재를 재사용함이 가능한 효과가 있다.Further, by using different slurries for removing the process wafer and the adhesive layer, it is possible to prevent the support member from being damaged during the process of removing the adhesive layer by raising the selectivity ratio between the adhesive layer and the support member, and the support member can be reused.

또한 본 발명 관통전극 웨이퍼 제조방법은, 파티클의 발생을 방지하여 별도의 세정공정이 요구되지 않음으로써, 공정단계를 간소화할 수 있는 효과가 있다.Further, according to the method for manufacturing a through-hole electrode wafer of the present invention, generation of particles is prevented, and a separate cleaning process is not required, so that the process steps can be simplified.

아울러 본 발명은 에어와 함께 슬러리를 분사하여 프로세스 웨이퍼의 가장자리 및 그 하부의 접착층을 제거할 때 상기 프로세스 웨이퍼의 제거 영역 안쪽의 프로세스 웨이퍼 상에 세정수를 분사하여 슬러리의 제거가 용이하도록 함과 아울러 슬러리가 정해진 영역 이내로 분사되어 프로세스 웨이퍼를 손상시키는 것을 방지하여 공정의 안정성을 확보할 수 있는 효과가 있다.
In addition, the present invention facilitates the removal of slurry by spraying cleaning water on a process wafer inside the removal area of the process wafer when the edge of the process wafer and the adhesive layer below the process wafer are removed by spraying the slurry together with air, It is possible to prevent the process wafer from being damaged due to the spraying of the slurry within a predetermined area, thereby ensuring the stability of the process.

도 1 내지 도 3은 종래 관통전극 웨이퍼의 제조공정 수순 단면도이다.
도 4는 종래 관통전극 제조공정의 다른 실시 단면도이다.
도 5 내지 도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 관통전극 웨이퍼 제조방법을 보인 단면 수순도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 접착제 제거 방법을 보인 단면 구성도이다.
도 10은 본 발명에 적용되는 프로세스 웨이퍼와 노즐의 위치를 보인 평면도이다.
도 11 내지 도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 관통 전극 제조용 접착제 제거 방법의 수순 단면도이다.
도 16은 본 발명에 적용될 수 있는 노즐의 설치 각도의 다른 예를 보인 도면이다.Figs. 1 to 3 are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a conventional penetrating electrode wafer.
4 is another cross-sectional view of a conventional through-hole electrode manufacturing process.
5 to 8 are cross-sectional process diagrams illustrating a method of manufacturing a penetrating electrode wafer according to a preferred embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view showing an adhesive removing method according to another embodiment of the present invention.
10 is a plan view showing the positions of a process wafer and a nozzle applied to the present invention.
11 to 15 are cross-sectional views of a method for removing an adhesive for manufacturing a penetrating electrode according to another embodiment of the present invention.
16 is a view showing another example of an installation angle of a nozzle that can be applied to the present invention.

이하, 본 발명 관통전극 웨이퍼 제조방법에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
Hereinafter, a method of manufacturing a through-hole electrode wafer according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5 내지 도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 관통전극 웨이퍼 제조방법을 보인 단면 수순도이다.5 to 8 are cross-sectional process diagrams illustrating a method of manufacturing a penetrating electrode wafer according to a preferred embodiment of the present invention.

도 5 내지 도 8을 각각 참조하면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 관통전극 웨이퍼 제조방법은, 지지부재(10)의 상부에 액상의 접착제(20)를 도포하는 단계(도 5)와, 상기 액상의 접착제(20) 상에 프로세스 웨이퍼(30)를 안착시키는 단계(도 6)와, 상기 액상의 접착제(20)를 경화시켜 접착층(21)을 형성하여, 프로세스 웨이퍼(30)를 지지부재(10) 상에 접착시킨 후, 프로세스 웨이퍼(30)의 상면 일부를 제거하는 단계(도 7)와, 상기 프로세스 웨이퍼(30)의 소자 형성 영역이 아닌 가장자리 둘레 영역(D)에 슬러리를 포함하는 에어를 분사하여 제거하고, 그 가장자리(D) 하부의 접착층(21)의 가장자리를 제거하는 단계(도 8)을 포함한다.
5 to 8, a method of manufacturing a through-hole electrode wafer according to a preferred embodiment of the present invention includes a step (FIG. 5) of applying a liquid adhesive 20 to an upper portion of a support member 10 (FIG. 5) (Fig. 6); placing the process wafer 30 on the support member 10 (Fig. 6) by curing the liquid adhesive 20 to form the adhesive layer 21; (FIG. 7) of removing the upper surface portion of the process wafer 30 after adhering it on the peripheral surface of the process wafer 30; And removing the edge of the adhesive layer 21 under the edge D (Fig. 8).

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 관통전극 웨이퍼 제조방법의 구성과 작용을 더 상세히 설명한다.
Hereinafter, the construction and operation of the through-hole electrode wafer manufacturing method according to the preferred embodiment of the present invention will be described in detail.

먼저, 도 5에 도시한 바와 같이 지지부재(10)의 상부에 액상의 접착제(20)를 균일한 두께로 도포한다. 이때 액상의 접착제(20)는 스핀 코팅 방식으로 도포될 수 있다. 액상의 접착제(20)는 그 종류에 무관하게 적용될 수 있으나 이후의 공정에서 지지부재(10)와 프로세스 웨이퍼(30)를 용이하게 분리할 수 있는 정도의 접착력을 가지며, 이에 더해서 잔류물이 남지 않는 것을 선택하는 것이 바람직하다.First, as shown in Fig. 5, a liquid adhesive 20 is applied to the upper portion of the support member 10 to a uniform thickness. At this time, the liquid adhesive 20 may be applied by a spin coating method. The liquid adhesive 20 can be applied irrespective of the type of adhesive, but it has an adhesion force enough to easily separate the support member 10 from the process wafer 30 in a subsequent process, and additionally, It is preferable to select one.

또한 이후의 공정에서 프로세스 웨이퍼(30)의 일부를 연마하는 과정에서 지지대 역할을 수행할 수 있도록, 접착력이 유지될 수 있는 것이어야 한다.
And must be capable of maintaining the adhesive force so that it can serve as a support in the process of polishing a part of the process wafer 30 in a subsequent process.

그 다음, 도 6에 도시한 바와 같이 상기 접착제(20)에 프로세스 웨이퍼(30)를 접착시킨다. 상기 프로세스 웨이퍼(30)는 도면에서는 생략되었으나 관통 전극이 소자형성면으로부터 소정 깊이까지 형성된 것이며, 상기 소자형성면이 상기 접착제(20)에 접착되도록 안착시키고, 접착제(20)를 경화시켜 접착층(21)을 형성함으로써 접착시킨다.Then, the process wafer 30 is adhered to the adhesive 20 as shown in Fig. Although the process wafer 30 is not shown in the figure, the penetrating electrode is formed from the element formation surface to a predetermined depth. The element formation surface is seated to be adhered to the adhesive 20, and the adhesive 20 is cured to form the adhesive layer 21 ).

이때 프로세스 웨이퍼(30)의 하중에 의하여 액상의 접착제(20)는 가장자리측으로 흐르게 된다.
At this time, the liquid adhesive 20 flows to the edge side by the load of the process wafer 30.

그 다음, 도 7에 도시한 바와 같이 상기 프로세스 웨이퍼(30)의 상면인 소자형성면의 반대 면을 화학적 기계적 연마법 등의 방법으로 소정 두께 연마하여 평탄하게 제거한다. 이때의 연마의 종점은 전극이 노출될 때일 수 있다.
Next, as shown in Fig. 7, the opposite surface of the upper surface of the process wafer 30 opposite to the element formation surface is polished to a predetermined thickness by a method such as chemical mechanical polishing, and is flatly removed. At this time, the end point of the polishing may be when the electrode is exposed.

그 다음, 도 8에 도시한 바와 같이 상기 프로세스 웨이퍼(30)의 가장자리 둘레 영역(D)에 노즐(40)을 사용하여 에어와 슬러리의 혼합물을 분사하여, 프로세스 웨이퍼(30)의 가장자리 둘레 영역(D)과 그 둘레 영역(D) 하부의 접착층(21)을 제거한다.
8, a mixture of air and slurry is jetted to the peripheral region D of the process wafer 30 using the nozzles 40 to form an edge peripheral region (not shown) of the process wafer 30 D and the adhesive layer 21 under the peripheral region D are removed.

상기 프로세스 웨이퍼(30)의 가장자리 둘레 영역(D)의 제거에 사용되는 슬러리와 상기 접착층(21)의 제거에 사용되는 슬러리는 다른 종류의 것을 사용할 수 있다. 즉, 프로세스 웨이퍼(30)와 접착층(21)의 제거에 사용되는 슬러리는 그 경도에 차이가 있는 것을 사용함이 바람직하다.The slurry used for removing the peripheral region D of the process wafer 30 and the slurry used for removing the adhesive layer 21 may be of different kinds. That is, the slurry used for removing the process wafer 30 and the adhesive layer 21 preferably has a difference in hardness.

상기 슬러리의 경도차는 프로세스 웨이퍼(30)의 경도에 따라 결정될 수 있으며, 프로세스 웨이퍼(30)의 가장자리 둘레 영역(D)을 제거할 때에는 프로세스 웨이퍼(30)의 모스 경도에 대비하여 80 내지 130%의 경도를 가지는 슬러리 입자를 사용함이 바람직하다. 이러한 슬러리 입자의 예로는 알루미나 또는 실리콘 카바이드를 사용할 수 있다.The hardness difference of the slurry may be determined according to the hardness of the process wafer 30 and the hardness of the slurry may be set to 80 to 130% of the Moh hardness of the process wafer 30 when removing the peripheral region D of the process wafer 30. [ It is preferable to use slurry particles having a hardness. Examples of such slurry particles may include alumina or silicon carbide.

이때 알루미나 또는 실리콘 카바이드의 입경은 0.85 내지 30㎛가 적당하며, 분사압력은 1 내지 5kg/cm2으로 하는 것이 바람직하다. 이때 알루미나 또는 실리콘 카바이드의 입경이 0.85㎛ 미만에서는 제거시간이 많이 소요되며, 30㎛를 초과하는 경우에는 프로세스 웨이퍼(30)의 가장자리가 거칠게 가공될 수 있다.In this case, the particle size of alumina or silicon carbide is preferably 0.85 to 30 mu m, and the spray pressure is preferably 1 to 5 kg / cm < 2 >. If the particle size of the alumina or silicon carbide is less than 0.85 mu m, the removal time is long. If the particle size exceeds 30 mu m, the edge of the process wafer 30 may be roughly processed.

또한 상기 접착층(21)을 제거할 때에는 경도가 프로세스 웨이퍼(30)에 비해 낮은 슬러리 입자를 사용할 수 있으며, 상기 슬러리 입자의 모스 경도는 프로세스 웨이퍼(30)의 모스 경도에 비하여 20 내지 50%의 경도를 가지는 슬러리 입자를 사용함이 바람직하다. 이러한 슬러리 입자의 예로는 레진 입자를 들 수 있다.Further, when removing the adhesive layer 21, slurry particles having a hardness lower than that of the process wafer 30 may be used, and the Mohs hardness of the slurry particles is preferably 20 to 50% hardness Is preferably used. An example of such a slurry particle is a resin particle.

상기 접착층(21)을 제거할 때 사용하는 슬러리는 그 입경이 50 내지 100㎛가 적당하며, 분사압력은 1 내지 5kg/cm2으로 하는 것이 바람직하다.The slurry used for removing the adhesive layer 21 preferably has a particle diameter of 50 to 100 mu m and an injection pressure of 1 to 5 kg / cm < 2 >.

상기 접착층(21) 제거에 사용되는 슬러리의 입경 제한도 상기 프로세스 웨이퍼(30)의 제거에 사용되는 슬러리의 입경 제한 이유와 같다.
The particle size limitation of the slurry used for removing the adhesive layer 21 is the same as the reason for limiting the particle size of the slurry used for removing the process wafer 30. [

상기와 같이 레진 등을 슬러리로 하여 분사하여 접착층(21)을 제거함으로써, 그 제거되는 접착층(21) 하부의 지지부재(10)는 손상되지 않기 때문에 그 지지부재(10)를 반복하여 재사용할 수 있게 된다.
The support member 10 under the adhesive layer 21 to be removed is not damaged by spraying the resin or the like as a slurry as described above to remove the adhesive layer 21 so that the support member 10 can be repeatedly used .

이와 같은 분사에 의해 상기 프로세스 웨이퍼(30)의 가장자리 둘레 영역(D)을 제거하게 되며, 그 하부에 노출되는 접착층(21)을 제거하게 된다.
The edge region D of the process wafer 30 is removed by the injection, and the adhesive layer 21 exposed at the lower portion is removed.

이처럼 지지부재(10)의 측면에까지 흘러내린 접착제(20)가 경화된 접착층(21)의 일부를 제거함으로써, 이후의 공정에서 접착층(20)에서 파티클이 발생하여 오염원으로 작용하는 것을 방지할 수 있게 된다.
By removing a part of the cured adhesive layer 21 from the adhesive 20 flowing down to the side surface of the support member 10 as described above, it is possible to prevent particles from being generated in the adhesive layer 20 and acting as a contaminant do.

도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 접착제 제거 방법을 보인 단면 구성도이다.9 is a cross-sectional view showing an adhesive removing method according to another embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면 상기 도 8에 도시한 바와 같이 슬러리와 에어를 분사하여 프로세스 웨이퍼(30)의 가장자리 둘레 영역(D)과 그 하부의 접착층(21)을 제거할 때, 액체 분사 노즐(50)을 상기 노즐(40)의 안쪽에 위치시켜 탈이온수(DI WATER)를 분사하며, 상기 지지부재(10), 접착층(21) 및 프로세스 웨이퍼(30)의 적층구조 측면에서 진공흡입부(60)를 사용하여 상기 액체 분사 노즐(50)에서 분사되는 물을 흡입한다.Referring to FIG. 9, when the slurry and air are sprayed to remove the peripheral region D of the process wafer 30 and the adhesive layer 21 thereunder, the liquid spray nozzle 50, DI water is sprayed while the vacuum suction unit 60 is positioned on the side of the lamination structure of the support member 10, the adhesive layer 21 and the process wafer 30, Thereby sucking the water sprayed from the liquid spray nozzle 50.

따라서 상기 액체 분사 노즐(50)을 통해 분사되는 액체는, 분사위치에서 바깥쪽으로 향해 흐르게 되어, 상기 슬러리가 프로세스 웨이퍼(30)의 가장자리 둘레 영역(D)의 내측 방향으로 분사되어 프로세스 웨이퍼(30)의 소자 형성 영역을 손상시키는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, the liquid sprayed through the liquid spray nozzle 50 flows outward from the spray position, and the slurry is sprayed inward of the peripheral region D of the process wafer 30, It is possible to prevent damage to the element forming region of the transistor.

또한 분사된 액체는 슬러리와 상기 슬러리에 충돌하여 제거되는 프로세스 웨이퍼(30)의 부산물 및 접착층(21)의 부산물을 효과적으로 세정하여 제거할 수 있게 된다.
Also, the sprayed liquid can effectively clean and remove by-products of the process wafer 30 and by-products of the adhesive layer 21, which are removed by colliding with the slurry and the slurry.

상기의 예에서는 액체 분사노즐(50)을 통해 액체를 분사하는 것으로 설명하였으나, 유체(액체, 기체, 액체와 기체 혼합)를 분사하거나 또는 슬릿형태로 분사하여 슬러리가 정해진 영역 외에 분사되는 것을 방지할 수 있다.
In the above example, the liquid is sprayed through the liquid spray nozzle 50. However, it is also possible to spray the liquid (liquid, gas, mixed liquid and gas) or spray in the form of a slit to prevent the slurry from being sprayed outside the predetermined region .

도 10은 상기 프로세스 웨이퍼(30)와 노즐(40)의 위치를 보인 평면도이다.10 is a plan view showing the positions of the process wafer 30 and the nozzle 40. As shown in FIG.

도 10을 참조하면 상기 노즐(40)은 다수로 마련될 수 있으며, 접착층(21)에 의해 지지부재(10)에 접착된 프로세스 웨이퍼(30)를 회전시키면서, 상기 노즐(40)들에서 분사되는 슬러리에 의해 가장자리가 제거되도록 할 수 있으며, 반대로 상기 프로세스 웨이퍼(30)가 고정된 상태에서 노즐(40)들을 그 프로세스 웨이퍼(30)의 가장자리를 따라 회전하면서 프로세스 웨이퍼의 가장자리 둘레 영역(D)과 그 하부의 접착층(21)을 제거하도록 할 수 있다.Referring to FIG. 10, the nozzles 40 may be provided in a plurality of ways. The nozzle 40 may include a plurality of nozzles 40, which are rotated by the adhesive 40 to rotate the process wafer 30 adhered to the support member 10, The edges of the process wafers 30 can be removed by the slurry and the nozzles 40 can be rotated along the edges of the process wafers 30 while the process wafers 30 are fixed, It is possible to remove the adhesive layer 21 thereunder.

즉, 프로세스 웨이퍼(30)와 노즐(40)의 상대 회전 운동을 통해 제거 정도의 균일성을 확보할 수 있게 된다.
That is, the uniformity of the degree of removal can be ensured through the relative rotation of the process wafer 30 and the nozzle 40.

이처럼 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 관통전극 웨이퍼 제조방법은, 프로세스 웨이퍼(30)의 가장자리 일부와 그 하부의 접착층(21)을 제거하되, 프로세스 웨이퍼(30)의 손상을 방지하면서 제거할 수 있게 된다.As described above, the method for fabricating a penetrating electrode wafer according to the preferred embodiment of the present invention is a method for manufacturing a penetrating electrode wafer in which a part of the edge of the process wafer 30 and the adhesive layer 21 under the process wafer 30 are removed, do.

따라서 접착층(21)이 후속의 공정에서 오염원으로 작용하는 것을 방지하여 수율이 저하되는 것을 방지함과 아울러 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.
Therefore, it is possible to prevent the adhesive layer 21 from acting as a contamination source in the subsequent process, thereby preventing the yield from being lowered and improving the reliability of the process.

도 11 내지 도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 관통 전극 제조용 접착제 제거 방법의 수순 단면도이다.11 to 15 are cross-sectional views of a method for removing an adhesive for manufacturing a penetrating electrode according to another embodiment of the present invention.

도 11 내지 도 15를 참조하면 본 발명의 다른 실시예에 따른 관통전극 웨이퍼 제조방법은, 지지부재(10)의 상부에 액상의 접착제(20)를 도포하는 단계(도 11)와, 프로세스 웨이퍼(30)의 소자형성면의 가장자리 둘레 영역(D)을 소정의 깊이로 제거하여 단차부(31)를 형성하는 단계(도 12)와, 상기 액상의 접착제(20) 상에 프로세스 웨이퍼(30)를 안착시키되, 상기 소자형성면이 접착제(20)를 향하도록 안착시키는 단계(도 13)와, 상기 액상의 접착제(20)를 경화시켜 접착층(21)을 형성하여, 프로세스 웨이퍼(30)를 지지부재(10) 상에 접착시키고, 프로세스 웨이퍼(30)의 상면을 소정의 깊이로 연마하여 상기 프로세스 웨이퍼(30)의 단차부(31)가 모두 제거되도록 하여, 그 하부의 상기 접착층(21)이 노출되도록 하는 단계(도 14)와, 슬러리를 포함하는 에어를 분사하여 노출된 접착층(21)을 제거하는 단계(도 15)를 포함한다.
11 to 15, a method of manufacturing a penetrating electrode wafer according to another embodiment of the present invention includes a step (FIG. 11) of applying a liquid adhesive 20 to an upper portion of a supporting member 10, Forming a stepped portion 31 by removing an edge peripheral region D of the element forming surface of the semiconductor wafer 30 at a predetermined depth to form a process wafer 30 on the liquid adhesive 20 (Fig. 13); and curing the liquid adhesive 20 to form an adhesive layer 21 so that the process wafer 30 is held in contact with the support member 20, The upper surface of the process wafer 30 is polished to a predetermined depth to remove all of the stepped portions 31 of the process wafer 30 so that the adhesive layer 21 under the process wafer 30 is exposed (Fig. 14); spraying air containing the slurry And a step (15) for removing (21).

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 다른 실시예에 따른 관통 전극 제조용 접착제 제거 방법의 구성과 작용을 보다 구체적으로 설명한다.
Hereinafter, the structure and operation of the adhesive removal method for manufacturing a penetrating electrode according to another embodiment of the present invention will be described in more detail.

먼저, 도 11에 도시한 바와 같이 지지부재(10)의 상부에 액상의 접착제(20)를 균일한 두께로 도포한다. 이때 액상의 접착제(20)는 스핀 코팅 방식으로 도포될 수 있다.
First, as shown in Fig. 11, a liquid adhesive 20 is applied to the upper portion of the support member 10 to a uniform thickness. At this time, the liquid adhesive 20 may be applied by a spin coating method.

그 다음, 도 12에 도시한 바와 같이 상기 도 10의 단계와는 별개의 공정으로 프로세스 웨이퍼(30)의 소자형성면의 가장자리 둘레 영역(D)을 커팅 또는 연마에 의해 소정의 깊이로 제거하여 프로세스 웨이퍼(30)의 측면의 하부측에서 돌출되는 단차부(31)를 형성한다.
Next, as shown in Fig. 12, the peripheral region D of the element formation surface of the process wafer 30 is removed to a predetermined depth by cutting or polishing in a process different from the step of Fig. 10, A stepped portion 31 projecting from the lower side of the side surface of the wafer 30 is formed.

그 다음, 도 13에 도시한 바와 같이 상기 프로세스 웨이퍼(30)의 소자형성면이 접착제(20)를 향하도록 그 프로세스 웨이퍼(30)를 접착제(20) 상에 안착시킨다.
Then, as shown in Fig. 13, the process wafer 30 is placed on the adhesive 20 so that the element formation surface of the process wafer 30 is directed to the adhesive 20.

그 다음, 도 14에 도시한 바와 같이 상기 접착제(20)를 경화시켜 접착층(21)을 형성하여, 상기 지지부재(10)와 프로세스 웨이퍼(30)를 상호 접착시킨 후, 상기 프로세스 웨이퍼(30)의 상면을 연마하여 제거한다. 이때 연마의 종점은 앞서 설명한 바와 같이 프로세스 웨이퍼(30)에 형성된 관통 전극의 하부 끝단이 노출될 때이며, 이 종점에서 상기 단차부(31) 역시 모두 제거된다.14, the adhesive 20 is cured to form an adhesive layer 21, the support member 10 and the process wafer 30 are adhered to each other, and then the process wafer 30 is adhered to the process wafer 30, Is polished and removed. At this time, the end point of polishing is when the lower end of the penetrating electrode formed in the process wafer 30 is exposed as described above, and the step 31 is also removed from the end point.

상기 연마에 의해 단차부(31)까지 제거되면, 상기 프로세스 웨이퍼(30)의 가장자리 둘레 영역(D)이 모두 제거되어 그 하부의 접착층(21)이 노출된다.
When the stepped portion 31 is removed by the polishing, all the peripheral region D of the process wafer 30 is removed, and the adhesive layer 21 under the process wafer 30 is exposed.

그 다음, 도 15에 도시한 바와 같이 노즐(40)로 노출된 접착층(21)에 슬러리와 에어의 혼합물을 분사하여 노출된 접착층(21)을 제거하게 된다.
Then, as shown in FIG. 15, a mixture of slurry and air is sprayed on the adhesive layer 21 exposed to the nozzle 40, so that the exposed adhesive layer 21 is removed.

상기 도 15의 접착층(21)의 제거 과정에서 앞서 설명한 바와 같이 액체나 기체를 사용하여 슬러리가 분사되는 영역을 제한할 수 있으며, 지지부재(10)에 접착된 프로세스 웨이퍼(30)와 노즐(40)의 상대 회전 운동에 의해 균일하게 접착층(21)을 제거하는 방법을 적용할 수 있다.
As described above, in the removal process of the adhesive layer 21 of FIG. 15, the area where the slurry is injected can be limited by using the liquid or the gas, and the process wafer 30 adhered to the support member 10 and the nozzle 40 The adhesive layer 21 can be uniformly removed by the relative rotational movement of the adhesive layer 21.

도 16은 본 발명에 적용될 수 있는 노즐의 설치 각도의 다른 예를 보인 도면이다.16 is a view showing another example of an installation angle of a nozzle that can be applied to the present invention.

도 16을 참조하면 본 발명에 적용되는 노즐(40)은 분사방향이 직하방향에서 직상방향까지 180도 범위 내에서 복수 개로 설치될 수 있으며, 상부에서 하부까지 흘러내린 접착제를 용이하게 제거 가능하다.
Referring to FIG. 16, a plurality of nozzles 40 may be installed within a range of 180 degrees from a direct downward direction to an upright direction, and the adhesive flowing down from the upper portion to the lower portion may be easily removed.

전술한 바와 같이 본 발명에 대하여 바람직한 실시예를 들어 상세히 설명하였지만, 본 발명은 전술한 실시예들에 한정되는 것이 아니고, 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, And this also belongs to the present invention.

10:지지부재 20:접착제
21:접착층 30:프로세스 웨이퍼
31:단차부 40:노즐
50:액체 분사 노즐 60:진공흡입부10: support member 20: adhesive
21: adhesive layer 30: process wafer
31: stepped portion 40: nozzle
50: liquid spray nozzle 60: vacuum suction part

Claims (12)

a) 액상의 접착제를 지지부재 상에 도포하는 단계;
b) 상기 접착제에 소자형성면의 가장자리 둘레가 소정의 깊이로 제거되어 측면 하부에서 돌출된 단차부를 가지는 프로세스 웨이퍼를 안착시키되, 상기 소자형성면이 상기 접착제를 향하도록 안착시킨 후 상기 접착제를 경화시켜 접착층을 형성하는 단계;
c) 상기 프로세스 웨이퍼의 소자형성면의 반대편 면인 상면을 연마 가공하여, 상기 단차부를 모두 제거함으로써 상기 단차부 하부의 상기 접착층을 노출시키는 단계; 및
d) 에어와 슬러리 혼합물을 노즐로 분사하여, 상기 노출된 접착층을 제거하되, 상기 노즐의 위치에 비하여 상기 프로세스 웨이퍼의 중심쪽에 위치하는 액체 분사 노즐을 구비하여 상기 액체 분사 노즐에서 분사되는 액체로 상기 슬러리에 의해 프로세스 웨이퍼가 손상되는 것을 방지하는 단계를 포함하는 관통전극 웨이퍼 제조방법.
a) applying a liquid adhesive on a support member;
b) placing a process wafer having a stepped portion protruding from a lower side of the side edge of the element-forming surface to a predetermined depth, the element-forming surface facing the adhesive, and curing the adhesive; Forming an adhesive layer;
c) polishing an upper surface opposite to the element formation surface of the process wafer to expose the adhesive layer under the step portion by removing all of the step portions; And
and d) a liquid jetting nozzle located at a center of the process wafer relative to a position of the nozzle, wherein the air and the slurry mixture are jetted with a nozzle to remove the exposed adhesive layer, And preventing the process wafer from being damaged by the slurry.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 접착층을 제거하는 슬러리는,
상기 프로세스 웨이퍼의 모스 경도의 20 내지 50%의 모스 경도를 가지는 것을 특징으로 하는 관통전극 웨이퍼 제조방법.
The method according to claim 1,
The slurry for removing the adhesive layer comprises:
And a Mohs hardness of 20 to 50% of the Mohs hardness of the process wafer.
제7항에 있어서,
상기 접착층을 제거하는 슬러리는,
레진 입자이며, 평균입경이 50 내지 100㎛이며, 분사압력은 1 내지 5kg/cm2인 것을 특징으로 하는 관통전극 웨이퍼 제조방법.
8. The method of claim 7,
The slurry for removing the adhesive layer comprises:
Resin particles having an average particle diameter of 50 to 100 탆 and an injection pressure of 1 to 5 kg / cm 2 .
제1항에 있어서,
상기 노즐은,
상기 프로세스 웨이퍼의 가장자리 둘레를 따라 다수로 마련되며, 프로세스 웨이퍼와 상기 다수의 노즐이 상대 회전운동을 하면서, 슬러리와 에어 혼합물을 분사하는 것을 특징으로 하는 관통전극 웨이퍼 제조방법.
The method according to claim 1,
The nozzle
Wherein a plurality of nozzles are provided along the periphery of the process wafer to spray the slurry and the air mixture while the process wafer and the plurality of nozzles rotate relative to each other.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 액체 분사 노즐에서 분사되는 액체를 측면측으로 이동시키는 진공흡입부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 관통전극 웨이퍼 제조방법.
The method according to claim 1,
Further comprising a vacuum suction part for moving the liquid sprayed from the liquid spray nozzle to the side.
제1항에 있어서,
상기 노즐은,
직하방향으로부터 직상방향까지 180도의 범위 내에서 복수 개 설치되는 것을 특징으로 하는 관통전극 웨이퍼 제조방법.The method according to claim 1,
The nozzle
Wherein a plurality of the through-hole electrodes are provided within a range of 180 degrees from the direct downward direction to the upright direction.
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