KR101615426B1 - The slurry injection nozzle and a substrate processing apparatus using the nozzle - Google Patents

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Abstract

본 발명은 슬러리 분사노즐 및 이를 이용한 기판 처리장치에 관한 것으로, 처리대상물의 가장자리가 삽입되어 처리될 수 있는 처리공간부를 사이에 두고, 각각 상하로 결합된 상부바디와 하부바디와, 외부에서 공급되는 슬러리와 압축공기를 혼합하는 공급포트부와, 상기 공급포트부의 슬러리와 압축공기 혼합물을 상기 처리공간부에 분사하는 노즐과, 상기 처리공간부의 입구부와 상기 노즐의 사이에 마련되어 유체 커튼을 형성하는 커튼노즐을 포함한다. 본 발명은 에어와 슬러리 혼합물을 분사하여 프로세스 웨이퍼의 가장자리 및 그 하부의 접착층을 제거하여, 후속 공정에서 접착층에 의한 파티클의 발생을 방지하여, 수율 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a slurry spray nozzle and a substrate processing apparatus using the slurry spray nozzle. The slurry spray nozzle includes an upper body and a lower body coupled to each other with a processing space portion through which an edge of the object is inserted and processed, A supply port portion for mixing the slurry and the compressed air; a nozzle for spraying the slurry and the compressed air mixture of the supply port portion into the processing space portion; and a nozzle provided between the inlet portion of the processing space portion and the nozzle to form a fluid curtain And a curtain nozzle. The present invention has the effect of preventing the yield from being lowered by preventing the generation of particles by the adhesive layer in the subsequent process by removing the edges and the adhesive layer below the process wafer by spraying the air and the slurry mixture.

Description

슬러리 분사노즐 및 이를 이용한 기판 처리장치{The slurry injection nozzle and a substrate processing apparatus using the nozzle}[0001] The present invention relates to a slurry injection nozzle and a substrate processing apparatus using the slurry injection nozzle,

본 발명은 슬러리 분사노즐 및 이를 이용한 기판 처리장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 프로세스 웨이퍼의 손상을 방지하면서 측면으로 노출된 접착제를 제거할 수 있는 슬러리 분사노즐 및 이를 이용한 기판 처리장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a slurry spray nozzle and a substrate processing apparatus using the slurry spray nozzle. More particularly, the present invention relates to a slurry spray nozzle and a substrate processing apparatus using the slurry spray nozzle.

최근 반도체 제조 업체들은 다수의 웨이퍼를 수직으로 적층하고, 각 기판을 전기적으로 연결하기 위한 수직 콘택을 형성하는 방법에 대하여 연구하고 있다. 이때 웨이퍼의 두께를 얇게 만들기 위하여 소자 형성영역의 배면측을 연마가공하거나 수직 콘택을 형성하거나, 둘 이상의 웨이퍼를 적층할 때 위치의 변동을 방지하기 위하여 프로세스 웨이퍼를 지지부재 상에 접착제로 고정하는 방법을 사용하고 있다.
Background of the Invention [0002] Recently, semiconductor manufacturers are studying a method of vertically stacking a plurality of wafers and forming a vertical contact for electrically connecting each substrate. At this time, in order to reduce the thickness of the wafer, there is a method of polishing the back side of the element formation region, forming a vertical contact, or fixing the process wafer on the supporting member with an adhesive in order to prevent positional variation when stacking two or more wafers .

이처럼 프로세스 웨이퍼를 지지부재에 고정하는 방법으로, 공개특허 10-2010-0132545호(2010년 12월 17일 공개, 작은 직경의 고밀도 웨이퍼 관통 비아 다이 스태킹을 위한 정렬/센터링 가이드를 생성하는 방법)의 도 3b에는 실리콘 캐리어(204) 상의 접착층(206)에 의해 고착된 제1다이(200)에 대하여 기재되어 있다. As such a method of securing a process wafer to a support member, a method of producing an alignment / centering guide for small diameter, high density wafer through via die stacking, disclosed in US patent application publication No. 10-2010-0132545, published Dec. 17, 2010 Figure 3b illustrates a first die 200 secured by an adhesive layer 206 on a silicon carrier 204. [

이때 접착층(206)으로 액상의 접착제를 주로 사용하고 있으며, 접착층(206)을 지지부재(실리콘 캐리어 또는 글라스 캐리어, 204) 상에 도포하고, 프로세스 웨이퍼(제1다이, 200)를 부착하여, 후속 공정시 위치의 변동을 방지하게 된다.
The adhesive layer 206 is applied to a supporting member (silicon carrier or glass carrier 204), and a process wafer (first die 200) is attached to the supporting member Thereby preventing positional variations during processing.

그러나 이처럼 액상의 접착제를 도포하고, 지지부재(204)와 프로세스 웨이퍼(200)를 부착할 때 그 액상의 접착제가 측면부로 유출되어 경화되며, 프로세스 웨이퍼(200)를 처리하는 과정에서 이물로 작용하게 된다.
However, when the liquid adhesive is applied and the supporting member 204 and the process wafer 200 are attached, the liquid adhesive flows out to the side portion to be hardened and acts as foreign matter in the process of processing the process wafer 200 do.

이와 같은 종래의 문제점을 단순화된 도면을 통해 상세히 설명하면 다음과 같다.
Such conventional problems will be described in detail with reference to simplified drawings.

도 1 내지 도 3은 종래 관통 전극 제조용 접착제 제거 공정 수순단면도이다.Figs. 1 to 3 are cross-sectional views illustrating a conventional process for removing an adhesive for manufacturing a penetrating electrode.

도 1 내지 도 3을 각각 참조하면 종래 다중 적층형 반도체 제조용 접착제 제거 방법은, 지지부재(204)의 상부에 액상의 접착층(206)을 도포하는 단계(도 1)와, 상기 액상의 접착층(206)의 상부에 프로세스 웨이퍼(200)를 적층하는 단계(도 2)와, 상기 접착상태의 프로세스 웨이퍼(200)의 상부를 연마가공하는 단계(도 3)를 포함한다.
1 to 3, a conventional adhesive removing method for manufacturing a multi-layer type semiconductor includes a step (FIG. 1) of applying a liquid adhesive layer 206 to an upper portion of a support member 204, (Fig. 2) of laminating the process wafer 200 on the upper portion of the process wafer 200 (Fig. 3) and polishing the upper portion of the process wafer 200 in the adhered state.

이하, 상기와 같이 구성되는 종래 관통 전극 제조용 접착제 제거 공정의 구성과 작용을 보다 상세히 설명한다.
Hereinafter, the structure and action of the adhesive removal step for manufacturing a conventional penetrating electrode constructed as described above will be described in more detail.

먼저, 도 1에 도시한 바와 같이 지지부재(204)의 상부에 액상의 접착층(206)을 도포한다. 이때 접착층(206)의 균일한 도포를 위하여 지지부재(204)를 회전시키는 상태에서 액상의 접착제 액적을 지지부재의 상부 중앙에 낙하시켜 고르게 퍼져 액상의 코팅이 이루어지게 된다.
First, as shown in Fig. 1, a liquid adhesive layer 206 is applied to the upper portion of the support member 204. As shown in Fig. At this time, in order to uniformly apply the adhesive layer 206, the liquid adhesive agent droplets drop down on the center of the upper part of the support member in a state of rotating the support member 204, so that the liquid coating is spread evenly.

그 다음, 도 2에 도시한 바와 같이 상기 접착층(206)에 프로세스 웨이퍼(200)를 접착한다. 상기 프로세스 웨이퍼(200)는 상기 접착층(206)과 접하는 면이 소자 형성면이 되며, 이때 접착층(206)은 액상이므로 프로세스 웨이퍼(200)에 의해 하향으로 압력이 작용하기 때문에, 접착층(206)이 측면측으로 퍼져 프로세스 웨이퍼(200)와 지지부재(204)의 측면으로 흐르게 된다.
Then, the process wafer 200 is adhered to the adhesive layer 206 as shown in Fig. Since the adhesive layer 206 is in the form of a liquid, the pressure applied by the process wafer 200 is downward, so that the adhesive layer 206 is in contact with the surface of the adhesive layer 206, And then flows to the side surfaces of the process wafer 200 and the support member 204.

그 다음, 도 3에 도시한 바와 같이 프로세스 웨이퍼(200)의 상면을 일부 제거한다. 상기 프로세스 웨이퍼(200)에 형성된 소자의 예로서 관통전극(Through silicon via)가 형성된 것일 수 있으며, 공개특허 10-2010-0021856호(2010년 2월 26일 공개, 관통 전극을 갖는 반도체 장치의 형성방법 및 관련된 장치)는 관통 전극을 웨이퍼의 두께 전체를 관통하도록 형성하기는 어렵기 때문에 수직으로 관통되는 전극을 형성한 후, 웨이퍼의 배면을 평탄하게 제거하여, 전극의 아랫부분이 노출되도록 하여 실질적인 관통 전극을 형성하는 방법에 대하여 기재하고 있다.
Then, a part of the upper surface of the process wafer 200 is partially removed as shown in Fig. As an example of the device formed on the process wafer 200, a through silicon via may be formed, and a semiconductor device having a penetrating electrode may be formed on the process wafer 200, which is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2010-0021856 Methods and related apparatuses) are difficult to form through electrodes through the entire thickness of the wafer, so that after vertically penetrating electrodes are formed, the backside of the wafer is flat removed to expose the bottom of the electrodes, A method of forming a penetrating electrode is described.

이처럼 프로세스 웨이퍼(200)는 소자 형성면이 접착층(206)에 접합된 상태에서 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 등의 방법으로 연마되어, 관통 전극이 프로세스 웨이퍼(200)의 상하로 노출되도록 할 수 있다.The process wafer 200 may be polished by chemical mechanical polishing (CMP) or the like in a state where the element formation surface is bonded to the adhesive layer 206 so that the penetration electrode is exposed above and below the process wafer 200.

이때 프로세스 웨이퍼(200)와 지지부재(204)의 사이 가장자리에는 접착층(206)이 노출되며 이는 후속공정을 위하여 이동할 때 카세트 등의 측면에 접착층(206)이 묻어 오염을 발생시킬 수 있으며, 진공 열처리 등의 후속공정에서 접착층(206)이 떨어져 나가 오염원으로 작용하여 수율을 저하시키는 문제점이 있었다.
At this time, the adhesive layer 206 is exposed at the edge between the process wafer 200 and the support member 204, which may cause contamination due to the adhesive layer 206 adhering to the side of the cassette or the like when moving for a subsequent process. The adhesive layer 206 may be broken down and may act as a contaminant to lower the yield.

이와 같은 문제점을 고려하여, 도 4에 도시한 바와 같이 프로세스 웨이퍼(200)의 가장자리 영역과 그 가장자리 영역 하부의 접착층(206)을 그라인더(300)로 연마하거나, 케미컬을 사용하여 제거하는 기술이 종래에 사용되었다.In view of such a problem, as shown in Fig. 4, a technique of grinding the adhesive layer 206 on the edge region of the process wafer 200 and the edge region thereof by grinding with a grinder 300, .

그라인더로 연마하는 경우 모서리 부분이 거칠어지는 칩핑 현상과, 에지 부분에 크랙이 발생할 수 있으며, 크랙이 진행되어 이후 프로세스 웨이퍼(200)가 소낭될 수 있는 문제점이 있었으며, 칩핑 및 크랙 현상에 의해 파티클이 발생하여 오염원으로 작용하여, 파티클 제거를 위한 세정공정이 더 필요하여 공정단계가 증가하는 문제점이 있었다.There is a problem that the chipping phenomenon in which the edge portion becomes rough and the crack in the edge portion may occur when the grinder is polished, and the process wafer 200 may be pierced after the crack progresses, So that it acts as a pollution source, and a cleaning process for removing particles is further required, which increases the number of process steps.

또한 케미컬을 사용하는 경우에는 오버에칭(over etching)이 발생할 수 있는 문제점이 있었다.
In addition, when a chemical is used, over etching may occur.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 프로세스 웨이퍼를 지지부재 상에 접착할 때, 측면으로 유출되는 접착층을 슬러리 분사를 통해 제거하여 오염의 발생 원인을 줄일 수 있는 슬러리 분사노즐 및 이를 이용한 기판 처리장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a slurry spraying nozzle capable of reducing the cause of contamination by removing an adhesive layer, And a substrate processing apparatus using the same.

또한 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는, 측면 접착층을 제거할 때 프로세스 웨이퍼에 크랙이 발생하는 등의 손상 발생을 방지할 수 있는 슬러리 분사노즐 및 이를 이용한 기판 처리장치를 제공함에 있다.
Another object of the present invention is to provide a slurry spraying nozzle and a substrate processing apparatus using the slurry spraying nozzle that can prevent damage such as cracking to a process wafer when removing the side adhesive layer.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명 슬러리 분사노즐은,처리대상물의 가장자리가 삽입되어 처리될 수 있는 처리공간부를 사이에 두고, 각각 상하로 결합된 상부바디와 하부바디와, 외부에서 공급되는 슬러리와 압축공기를 혼합하는 공급포트부와, 상기 공급포트부의 슬러리와 압축공기 혼합물을 상기 처리공간부에 분사하는 노즐과, 상기 처리공간부의 입구부와 상기 노즐의 사이에 마련되어 유체 커튼을 형성하는 커튼노즐을 포함한다. In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a slurry spraying nozzle comprising: an upper body and a lower body coupled to each other with a processing space portion through which an edge of a processing object can be inserted and processed, A nozzle for spraying a mixture of the slurry and the compressed air of the supply port portion into the processing space portion; a curtain provided between the inlet portion of the processing space portion and the nozzle to form a fluid curtain; Nozzle.

또한 본 발명 슬러리 분사노즐을 이용한 기판 처리장치는, 상기 슬러리 분사노즐과, 상기 슬러리 분사노즐에 슬러리를 공급하는 슬러리공급부와, 상기 슬러리 분사노즐에 압축공기를 공급하는 압축공기공급부와, 상기 슬러리 분사노즐에 진공압력을 제공하는 진공펌프부와, 상기 슬러리 분사노즐에 유체를 공급하는 유체공급부와, 상기 슬러리 분사노즐과 상기 처리대상물을 상대 회전운동시키는 이동부를 포함한다.
The substrate processing apparatus using the slurry spraying nozzle of the present invention may further include a slurry spray nozzle, a slurry supply unit for supplying slurry to the slurry spray nozzle, a compressed air supply unit for supplying compressed air to the slurry spray nozzle, A vacuum pump unit for supplying a vacuum pressure to the nozzle, a fluid supply unit for supplying fluid to the slurry spray nozzle, and a moving unit for relatively rotating the slurry spray nozzle and the object to be processed.

본 발명 슬러리 분사노즐 및 이를 이용한 기판 처리장치는, 에어와 슬러리 혼합물을 분사하여 프로세스 웨이퍼의 가장자리 및 그 하부의 접착층을 제거하여, 후속 공정에서 접착층에 의한 파티클의 발생을 방지하여, 수율 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다.The slurry spraying nozzle of the present invention and the substrate processing apparatus using the slurry spraying nozzle of the present invention can prevent generation of particles due to the adhesive layer in the subsequent process by preventing the edges and the adhesive layer below the process wafer by spraying air and a slurry mixture, There is an effect that can be done.

또한 본 발명은, 마스크를 형성해야 하는 플라즈마 에칭이나 화학적 에칭에 비하여 별도의 처리 과정이 요구되지 않음으로써, 기판의 처리 시간을 단축하고, 비용을 절감할 수 있는 효과가 있다.In addition, since the present invention does not require a separate processing process as compared with the plasma etching or chemical etching in which a mask is to be formed, the processing time of the substrate can be shortened and the cost can be reduced.

그리고 프로세스 웨이퍼와 접착층의 제거에 각기 다른 슬러리를 선택적으로 분사함으로써, 접착층과 지지부재의 선택비를 높여 접착층을 제거하는 과정에서 지지부재가 손상되는 것을 방지하여, 지지부재를 재사용함이 가능한 효과가 있다.In addition, by selectively spraying different slurries on the removal of the process wafer and the adhesive layer, it is possible to prevent the support member from being damaged in the process of removing the adhesive layer by raising the selectivity ratio of the adhesive layer and the support member, have.

또한 본 발명은, 파티클의 발생을 방지하여 별도의 세정공정이 요구되지 않음으로써, 공정단계를 간소화할 수 있는 효과가 있다.Further, according to the present invention, since the generation of particles is prevented, no separate cleaning process is required, and the process steps can be simplified.

아울러 본 발명은 에어와 함께 슬러리를 분사하여 프로세스 웨이퍼의 가장자리 및 그 하부의 접착층을 제거할 때 상기 프로세스 웨이퍼의 제거 영역 안쪽의 프로세스 웨이퍼 상에 세정수를 분사하여 슬러리의 제거가 용이하도록 함과 아울러 슬러리가 정해진 영역 이내로 분사되어 프로세스 웨이퍼를 손상시키는 것을 방지하여 공정의 안정성을 확보할 수 있는 효과가 있다.
In addition, the present invention facilitates the removal of slurry by spraying cleaning water on a process wafer inside the removal area of the process wafer when the edge of the process wafer and the adhesive layer below the process wafer are removed by spraying the slurry together with air, It is possible to prevent the process wafer from being damaged due to the spraying of the slurry within a predetermined area, thereby ensuring the stability of the process.

도 1 내지 도 3은 종래 기판의 제조공정 수순 단면도이다.
도 4는 종래 관통전극 제조공정의 다른 실시 단면도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 슬러리 분사노즐의 사시도이다.
도 6은 도 5에서 A-A 단면 구성도이다.
도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 슬러리 분사노즐의 주요 부분 확대 단면도이다.
도 8과 도 9는 각각 본 발명에 의해 처리되는 처리대상물의 처리 공정 수순 단면도이다.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 슬러리 분사노즐을 이용한 기판 처리장치의 구성도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 슬러리 분사노즐을 이용한 기판 처리장치의 구성도이다.
1 to 3 are cross-sectional views of a conventional substrate manufacturing process.
4 is another cross-sectional view of a conventional through-hole electrode manufacturing process.
5 is a perspective view of a slurry spray nozzle according to a preferred embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view taken along line AA in Fig.
7 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a slurry spraying nozzle according to a preferred embodiment of the present invention.
Figs. 8 and 9 are cross-sectional views showing the processing steps of the object to be treated according to the present invention, respectively.
10 is a configuration diagram of a substrate processing apparatus using a slurry spray nozzle according to a preferred embodiment of the present invention.
11 is a configuration diagram of a substrate processing apparatus using a slurry spray nozzle according to another embodiment of the present invention.

이하, 본 발명 슬러리 분사노즐 및 이를 이용한 기판 처리장치에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
Hereinafter, a slurry spray nozzle of the present invention and a substrate processing apparatus using the slurry spray nozzle will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 슬러리 분사노즐의 사시도이고, 도 6은 도 5에서 A-A 단면 구성도이다.FIG. 5 is a perspective view of a slurry spray nozzle according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line A-A in FIG.

도 5와 도 6을 각각 참조하면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 슬러리 분사노즐은, 처리대상물(70)의 가장자리 일부가 수용될 수 있는 처리공간부(30)가 사이에 형성되도록 상호 상하 배치된 상부바디(10) 및 하부바디(20)와, 상기 상부바디(10)에 결합 되어 슬러리와 슬러리를 가압하는 압축공기를 공급하는 공급포트부(40,40')와, 상기 상부바디(10)와 하부바디(20)에 각각 유체를 공급하여, 상기 처리공간부(30) 내에서 슬러리 및 처리부산물이 처리대상물(70)의 중앙측으로 이동하는 것을 방지하는 유체 커튼을 형성하는 제1유체공급관(53) 및 제2유체공급관(54)를 포함하여 구성된다.5 and 6, the slurry spray nozzle according to the preferred embodiment of the present invention includes a plurality of processing space portions 30, A supply port portion 40,40'which is connected to the upper body 10 and supplies compressed air for pressing the slurry and the slurry, And the lower body 20 to form a fluid curtain that prevents the slurry and the process by-products from moving toward the center of the object to be processed 70 in the processing space portion 30 53) and a second fluid supply pipe (54).

상기 공급포트부(40,40')는 한 쌍으로 마련되어, 각각에 연결되는 슬러리 공급관(51,51')을 통해 공급되는 각각 서로 다른 종류 또는 입경의 슬러리를 필요에 따라 공급할 수 있도록 구성되며, 역시 압축공기공급관(52,52')을 통해 공급되는 압축공기로 각각 공급된 슬러리를 가압한다.
The supply port portions 40 and 40 'are provided so as to be able to supply slurries of different types or diameters, which are supplied through the slurry supply pipes 51 and 51', respectively, Also pressurize the slurry supplied respectively to the compressed air supplied through the compressed air supply pipes 52 and 52 '.

이하, 상기와 같이 구성된 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 슬러리 분사노즐의 구성과 작용에 대하여 보다 상세히 설명한다.
Hereinafter, the construction and operation of the slurry spraying nozzle according to the preferred embodiment of the present invention will be described in detail.

먼저, 상부바디(10)와 하부바디(20)의 형상은 각각 육면체의 형상일 수 있으나, 반원판형 등 그 형상에 무관하게 적용될 수 있다.First, the shapes of the upper body 10 and the lower body 20 may each be a hexahedral shape, but may be applied irrespective of the shape of a semicircular plate shape or the like.

상기 상부바디(10)와 하부바디(20)의 사이에는 처리될 처리대상물(70)의 일부가 수용되는 처리공간부(30)가 마련된 상태로 결합된다.Between the upper body 10 and the lower body 20, a processing space 30, in which a part of the object to be processed 70 is received, is coupled.

상기 처리공간부(30)는 도 5에서는 하부바디(20)의 상면에 가공된 것으로 도시하였으나, 반대로 상부바디(10)의 저면에 가공된 것일 수 있고, 상부바디(10)와 하부바디(20) 모두에 가공된 것일 수 있으며, 아래의 설명은 도 5에 도시된 상태를 기준으로 하는 것이나 이를 참조하여 변형이 가능하다.5, the processing space 30 may be machined on the bottom surface of the upper body 10 and may be machined on the lower surface of the lower body 20, ), And the following description is based on the state shown in Fig. 5, but can be modified by referring to it.

상기 하부바디(20)의 상면을 가공하여 그 상면의 가장자리에 상기 상부바디(10)의 저면과 접촉 및 결합되는 결합단턱부(23)를 형성한다. 상기 결합단턱부(23)가 형성되지 않은 부분은 앞서 설명한 처리공간부(30)가 된다.
The upper surface of the lower body 20 is processed to form a coupling step 23 to be brought into contact with and coupled to the lower surface of the upper body 10 at the edge of the upper surface. The portion where the coupling step 23 is not formed becomes the processing space portion 30 described above.

상기 상부바디(10)와 하부바디(20)의 내측에는 각각 제1유체공급관(53)과 제2유체공급관(54)을 통해 공급된 유체가 각각 지나는 제1커튼홀(11)과 제2커튼홀(21)이 처리공간부(30)의 입구부와 나란하게 형성되어 있다. 상기 제1커튼홀(11)과 제2커튼홀(21)은 각각 상하로 마주하게 한 쌍으로 배치되며, 각각에 공급된 유체를 상기 처리공간부(30)에 분사할 수 있도록 제1커튼노즐(12)과 제2커튼노즐(22)이 형성되어 있다.A first curtain hole 11 and a second curtain hole are formed in the upper body 10 and the lower body 20, respectively, through which fluids supplied through the first fluid supply pipe 53 and the second fluid supply pipe 54 pass, respectively. And the holes 21 are formed in parallel with the inlet portion of the processing space portion 30. [ The first curtain hole (11) and the second curtain hole (21) are arranged in a pair so as to face each other, and the first curtain nozzle (12) and a second curtain nozzle (22) are formed.

도 6에 도시한 바와 같이 상기 제1커튼홀(11)과 제2커튼홀(21)은 복수로 마련될 수 있으며, 상기 제1커튼노즐(12)과 제2커튼노즐(22)은 슬릿형 또는 다수의 홀(hole)일 수 있다.
6, the first curtain hole 11 and the second curtain hole 21 may be provided in plural, and the first curtain nozzle 12 and the second curtain nozzle 22 may be slit- Or a plurality of holes.

상기 제1커튼노즐(12)을 통해 분사되는 유체는 가공면의 세정을 수행하는 것이고, 제2커튼노즐(22)은 가공에 의해 발생한 비산물의 비산 방지, 슬러리의 비산 방지를 위한 것이다.
The fluid ejected through the first curtain nozzle 12 performs cleaning of the machined surface. The second curtain nozzle 22 is for preventing scattering of scattered particles generated by machining and preventing scattering of slurry.

상기 상부바디(10)의 상부에는 한 쌍의 공급포트부(40,40')가 결합되며, 그 공급포트부(40)의 결합위치의 상부바디(10) 상면에는 노즐(14)이 삽입되는 노즐삽입부(13)가 형성되어 있다. 상기 노즐삽입부(13)는 노즐(14)의 끝단이 상기 처리공간부(30)의 상부측에서 노출되도록 하는 관통구이며, 노즐(14)의 위치는 상기 입구부(31)를 기준으로 상기 제1커튼홀(11)에 비해 더 먼 위치에 위치하게 된다.
A pair of supply port portions 40 and 40 'are coupled to an upper portion of the upper body 10 and a nozzle 14 is inserted into an upper surface of the upper body 10 at a coupling position of the supply port portion 40 A nozzle inserting portion 13 is formed. The nozzle inserting portion 13 is a through-hole through which the end of the nozzle 14 is exposed from the upper side of the process space portion 30. The position of the nozzle 14 is determined based on the position of the inlet portion 31 And is located farther from the first curtain hole 11 than the first curtain hole 11.

상기 한 쌍의 공급포트부(40,40')는 서로 동일한 구성이며, 각각 슬러리가 공급되는 슬러리공급구(41)와, 압축공기가 공급되는 압축공기공급구(42)가 각기 다른 위치에 마련되어 있으며, 상기 슬러리공급구(41)를 통해 공급된 슬러리가 상기 압축공기공급구(42)와 혼합될 수 있도록 슬러리를 혼합부(44)로 투입하는 경사투입구(43)와, 상기 혼합부(44)가 상기 상부바디(10)의 노즐삽입부(13)에 삽입된 조즐(14)에 연결될 수 있도록 상부바디(10)의 상부에 결합하는 체결부(45)로 구성된다.
The pair of supply port portions 40 and 40 'have the same structure. Slurry supply ports 41 through which slurry is supplied and compressed air supply ports 42 through which compressed air is supplied are provided at different positions An inclined inlet 43 for introducing the slurry into the mixing section 44 so that the slurry supplied through the slurry supply port 41 can be mixed with the compressed air supply port 42, And a coupling part 45 for coupling to the upper part of the upper body 10 so as to be connected to the jaws 14 inserted in the nozzle insertion part 13 of the upper body 10.

상기 상부바디(10)와 하부바디(20)의 후단에는 각각 처리공간부(30)의 출구부(32)가 노출되며, 외측으로 돌출되어 배기덕트부(60)가 결합될 수 있는 덕트체결부(15,25)가 마련되어 있다. 즉, 배기덕트부(60)를 통해 진공압력을 상기 처리공간부(30)에 공급하여 분사된 노즐(14)에서 분사된 슬러리 등이 외부로 배출될 수 있게 한다.
The exhaust port 32 of the processing space unit 30 is exposed at the rear ends of the upper body 10 and the lower body 20 and the exhaust ducts 60, (15, 25) are provided. That is, a vacuum pressure is supplied to the processing space portion 30 through the exhaust duct portion 60 so that the slurry injected from the injected nozzle 14 can be discharged to the outside.

아래에서는 처리대상물(70)인 기판의 처리공정에 맞춰 본 발명의 동작을 보다 상세히 설명한다.
Hereinafter, the operation of the present invention will be described in more detail in accordance with the process of the substrate, which is the object 70 to be processed.

도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 슬러리 분사노즐의 주요 부분 확대 단면도이다.7 is an enlarged cross-sectional view of a main part of a slurry spraying nozzle according to a preferred embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 처리공간부(30) 내에 처리대상물(70)의 가장자리 일부가 삽입된 상태에서 처리공정이 진행된다. 상기 처리대상물(70)은 지지부재(71)의 상부에 접착층(72)에 의해 접착된 프로세스 웨이퍼(73)로 구성된다. Referring to FIG. 7, the processing process proceeds in a state where a part of the edge of the object to be processed 70 is inserted into the processing space portion 30. The object to be treated 70 is composed of a process wafer 73 adhered to an upper portion of the support member 71 by an adhesive layer 72.

상기 프로세스 웨이퍼(73)는 기판이며, 상면인 소자형성면의 반대 면을 화학적 기계적 연마법 등의 방법으로 소정 두께 연마하여 평탄하게 제거한상태이다.
The process wafer 73 is a substrate, and the opposite surface of the upper surface, which is the element formation surface, is polished to a predetermined thickness by a method such as chemical mechanical polishing or the like and flatly removed.

이와 같은 구성에서 상기 슬러리공급구(41)를 통해 슬러리를 공급하고, 압축공기공급부(42)를 통해 압축공기를 공급하면, 상기 슬러리는 경사투입구(43)를 통해 혼합부(44)로 투입되어 상기 압축공기와 혼합됨과 아울러 그 압축공기의 압력으로 노즐(14)을 통해 분사된다.When the slurry is supplied through the slurry supply port 41 and the compressed air is supplied through the compressed air supply section 42, the slurry is introduced into the mixing section 44 through the slant inlet 43 Is mixed with the compressed air and is injected through the nozzle (14) under the pressure of the compressed air.

이때 상기 슬러리는 프로세스 웨이퍼(73)의 가장자리 둘레 영역에 분사되며, 프로세스 웨이퍼(73)의 가장자리 둘레 영역과 그 둘레 영역 하부의 접착층(72)을 제거한다.
At this time, the slurry is sprayed on the peripheral region of the process wafer 73, and removes the peripheral region of the process wafer 73 and the adhesive layer 72 under the peripheral region.

상기 프로세스 웨이퍼(73)의 가장자리 둘레 영역의 제거에 사용되는 슬러리와 상기 접착층(72)의 제거에 사용되는 슬러리는 다른 종류의 것을 사용할 수 있다. 즉, 프로세스 웨이퍼(73)와 접착층(72)의 제거에 사용되는 슬러리는 그 경도에 차이가 있는 것을 사용함이 바람직하며, 이때 공급되는 슬러리는 한 쌍의 공급포트부(40,40')에 각각 공급될 수 있다.
The slurry used for removing the peripheral region of the process wafer 73 and the slurry used for removing the adhesive layer 72 may be of different kinds. That is, the slurry used for removing the process wafer 73 and the adhesive layer 72 preferably has a difference in hardness. The slurry to be supplied at this time is supplied to the pair of supply port portions 40, 40 ' Can be supplied.

도 8과 도 9는 각각 본 발명에 의해 처리되는 처리대상물(70)의 처리 공정 수순 단면도이다.Figs. 8 and 9 are cross-sectional views showing the processing steps of the object 70 to be treated according to the present invention, respectively.

도 8에 도시한 바와 같이 상기 프로세스 웨이퍼(73)의 상면인 소자형성면의 반대 면을 화학적 기계적 연마법 등의 방법으로 소정 두께 연마하여 평탄하게 된 상태이며, 그 소자형성면의 반대면으로 전극이 노출된다.As shown in Fig. 8, the opposite surface of the process wafer 73, which is the upper surface of the process wafer 73, is polished to a predetermined thickness by a method such as chemical mechanical polishing or the like. Lt; / RTI >

그 다음, 도 9에 도시한 바와 같이 처리대상물(70)의 가장자리 일부를 처리공간부(30)에 삽입한 상태에서, 상기 프로세스 웨이퍼(73)의 가장자리 둘레 영역(D)에 노즐(14)을 사용하여 에어와 슬러리의 혼합물을 분사하여, 프로세스 웨이퍼(73)의 가장자리 둘레 영역(D)과 그 둘레 영역(D) 하부의 접착층(72)을 제거한다.
Next, as shown in FIG. 9, a nozzle 14 is placed in the peripheral region D of the process wafer 73 in a state where a part of the edge of the object 70 is inserted into the processing space portion 30 A mixture of air and slurry is sprayed to remove the adhesive layer 72 on the edge peripheral area D of the process wafer 73 and the peripheral area D thereof.

앞서 설명한 바와 같이 상기 프로세스 웨이퍼(73)의 가장자리 둘레 영역(D)의 제거에 사용되는 슬러리와 상기 접착층(72)의 제거에 사용되는 슬러리는 다른 종류의 것을 사용할 수 있다. 즉, 프로세스 웨이퍼(73)와 접착층(72)의 제거에 사용되는 슬러리는 그 경도에 차이가 있는 것을 사용함이 바람직하다.As described above, the slurry used for removing the peripheral region D of the process wafer 73 and the slurry used for removing the adhesive layer 72 may be of different kinds. That is, the slurry used for removing the process wafer 73 and the adhesive layer 72 preferably has a difference in hardness.

상기 슬러리의 경도 차는 프로세스 웨이퍼(73)의 경도에 따라 결정될 수 있으며, 프로세스 웨이퍼(73)의 가장자리 둘레 영역을 제거할 때에는 프로세스 웨이퍼(73)의 모스 경도에 대비하여 80 내지 130%의 경도를 가지는 슬러리 입자를 사용함이 바람직하다. 이러한 슬러리 입자의 예로는 알루미나 또는 실리콘 카바이드를 사용할 수 있다.The hardness difference of the slurry can be determined according to the hardness of the process wafer 73. When removing the peripheral region of the process wafer 73, the hardness difference of 80% to 130% It is preferred to use slurry particles. Examples of such slurry particles may include alumina or silicon carbide.

이때 알루미나 또는 실리콘 카바이드의 입경은 0.85 내지 30㎛가 적당하며, 분사압력은 1 내지 5kg/cm2으로 하는 것이 바람직하다. 이때 알루미나 또는 실리콘 카바이드의 입경이 0.85㎛ 미만에서는 제거시간이 많이 소요되며, 30㎛를 초과하는 경우에는 프로세스 웨이퍼(73)의 가장자리가 거칠게 가공될 수 있다.
In this case, the particle size of alumina or silicon carbide is preferably 0.85 to 30 mu m, and the spray pressure is preferably 1 to 5 kg / cm < 2 >. If the particle diameter of alumina or silicon carbide is less than 0.85 mu m, the removal time is long. If the particle diameter exceeds 30 mu m, the edge of the process wafer 73 may be rough.

또한 상기 접착층(72)을 제거할 때에는 경도가 프로세스 웨이퍼(73)에 비해 낮은 슬러리 입자를 사용할 수 있으며, 상기 슬러리 입자의 모스 경도는 프로세스 웨이퍼(73)의 모스 경도에 비하여 20 내지 50%의 경도를 가지는 슬러리 입자를 사용함이 바람직하다. 이러한 슬러리 입자의 예로는 레진 입자를 들 수 있다.Further, when removing the adhesive layer 72, slurry particles having a hardness lower than that of the process wafer 73 can be used, and the Mohs hardness of the slurry particles is preferably 20 to 50% hardness Is preferably used. An example of such a slurry particle is a resin particle.

상기 접착층(72)을 제거할 때 사용하는 슬러리는 그 입경이 50 내지 100㎛가 적당하며, 분사압력은 1 내지 5kg/cm2으로 하는 것이 바람직하다.The slurry used for removing the adhesive layer 72 preferably has a particle diameter of 50 to 100 mu m and an injection pressure of 1 to 5 kg / cm < 2 >.

상기 접착층(72) 제거에 사용되는 슬러리의 입경 제한도 상기 프로세스 웨이퍼(73)의 제거에 사용되는 슬러리의 입경 제한 이유와 같다.
The particle size limitation of the slurry used for removing the adhesive layer 72 is the same as the reason for limiting the particle size of the slurry used for removing the process wafer 73.

상기와 같이 레진 등을 슬러리로 하여 분사하여 접착층(72)을 제거함으로써, 그 제거되는 접착층(72) 하부의 지지부재(71)는 손상되지 않기 때문에 그 지지부재(71)를 반복하여 재사용할 수 있게 된다.
Since the support member 71 under the adhesive layer 72 to be removed is not damaged by spraying the resin or the like as a slurry as described above to remove the adhesive layer 72, the support member 71 can be repeatedly used .

이와 같은 처리와 함께 상기 배기덕트부(60)의 진공압력에 의해 분사된 슬러리가 외부로 배출되며, 상기 슬러리의 분사에 의해 제거되는 프로세스 웨이퍼(73)와 접착층(72) 분쇄물도 배기덕트부(60) 측으로 배출된다.
The slurry injected by the vacuum pressure of the exhaust duct portion 60 is discharged to the outside and the process wafer 73 and the adhesive layer 72 which are removed by the spraying of the slurry are also discharged from the exhaust duct portion 60).

이러한 과정에서 상기 노즐(14)에서 분사되는 슬러리가 프로세스 웨이퍼(73)의 제거 대상인 가장자리 영역이 아닌 다른 부분으로 분사되는 것을 방지하기 위하여, 상기 제1유체공급관(53)과 제2유체공급관(54)을 통해 공급된 유체가 상기 상부바디(10)와 하부바디(20) 각각에 한 쌍씩 마련된 제1커튼홀(11)과 제2커튼홀(22)에 각각 유입된 상태에서 제1커튼노즐(12)과 제2커튼노즐(22)을 통해 각각 분사된다.In order to prevent the slurry injected from the nozzle 14 from being sprayed to a portion other than the edge region of the process wafer 73 to be removed, the first fluid supply pipe 53 and the second fluid supply pipe 54 Is supplied to the first curtain hole 11 and the second curtain hole 22 provided in the upper body 10 and the lower body 20 respectively and the first curtain nozzle 12 and the second curtain nozzle 22, respectively.

이때 유체는 물 또는 공기이거나, 물과 공기가 혼합된 것 일 수 있으며, 상기 제1커튼노즐(12)을 통해 분사되는 물 또는 공기가 가공면을 세정하는 역할을 하며, 제2커튼노즐(22)을 통해 분사되는 물 또는 공기는 워터 커튼 또는 에어 커튼을 형성하여, 슬러리가 프로세스 웨이퍼(73)의 가장자리 둘레 영역을 벗어나 프로세스 웨이퍼(73)의 소자 형성 영역을 손상시키는 것을 방지할 수 있다.In this case, the fluid may be water or air, or may be a mixture of water and air. Water or air sprayed through the first curtain nozzle 12 serves to clean the processed surface, and the second curtain nozzle 22 May form a water curtain or an air curtain to prevent the slurry from leaving the peripheral region of the process wafer 73 and damaging the element forming region of the process wafer 73. [

또한 분사된 유체는 슬러리와 상기 슬러리에 충돌하여 제거되는 프로세스 웨이퍼(73)의 부산물 및 접착층(72)의 부산물을 효과적으로 세정하여 제거할 수 있게 되어 추가적인 세정공정이 요구되지 않는다.
In addition, the injected fluid can effectively clean and remove by-products of the slurry and the by-products of the process wafer 73 and the adhesive layer 72, which are removed by colliding with the slurry, so that no additional cleaning process is required.

도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 슬러리 분사노즐을 이용한 기판 처리장치의 구성도이다.10 is a configuration diagram of a substrate processing apparatus using a slurry spray nozzle according to a preferred embodiment of the present invention.

도 10과 앞서 설명된 도 5 내지 도 7을 각각 참조하면, 처리공간부(30) 내에 삽입된 처리대상물(70)에 압축공기와 슬러리를 혼합분사하여 처리대상물(70)을 처리하는 슬러리 분사노즐(1)과, 상기 슬러리 분사노즐(1)에 슬러리를 공급하는 슬러리공급부(2)와, 상기 슬러리 분사노즐(1)에 압축공기를 공급하는 압축공기공급부(3)와, 상기 슬러리 분사노즐(1)에 진공압력을 제공하여 슬러리 및 처리대상물(70)의 처리로 발생한 이물을 제거하는 진공펌프부(4)와, 상기 슬러리 분사노즐(1)을 상기 처리대상물(70)의 둘레를 따라 이동시키는 이동부(5)와, 상기 슬러리 분사노즐(1)에 유체를 공급하여 슬러리 및 이물의 세정효과를 높이는 유체공급부(7)를 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 10 and FIGS. 5 to 7 described above, a slurry spray nozzle for processing the object to be treated 70 by mixing and spraying compressed air and slurry into the object to be treated 70 inserted in the processing space 30, (2) for supplying a slurry to the slurry spraying nozzle (1), a compressed air supply part (3) for supplying compressed air to the slurry spraying nozzle (1), a slurry spraying nozzle A vacuum pump unit 4 for applying a vacuum pressure to the slurry spray nozzle 1 to remove slurry and foreign objects generated by the treatment of the object to be treated 70; And a fluid supply unit 7 for supplying a fluid to the slurry spraying nozzle 1 to increase the cleaning effect of the slurry and the foreign matter.

상기 압축공기 공급부(3)에서 공급되는 압축공기의 유량을 조절하여 상기 슬러리 분사노즐(1)에 공급하는 유량조절부(6)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
And a flow control unit 6 for controlling the flow rate of the compressed air supplied from the compressed air supply unit 3 to supply the compressed air to the slurry injection nozzle 1.

이와 같이 구성되는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 슬러리 분사노즐을 이용한 기판 처리장치의 구성과 작용을 아래에서 더 상세히 설명한다.
The structure and operation of the substrate processing apparatus using the slurry spray nozzle according to the preferred embodiment of the present invention will be described in detail below.

먼저, 슬러리 분사노즐(1)은 앞서 도 5 내지 도 7을 각각 참조하여 상세히 설명한 구성과 동일한 구성이며, 상기 슬러리공급부(2)에서 공급되는 슬러리는 슬러리공급관(51,51')을 통해 슬러리공급구(41)로 공급된다. 상기 슬러리공급부(2)는 서로 다른 슬러리를 공급하기 위하여 복수로 마련될 수 있다.5 to 7, and the slurry supplied from the slurry supply unit 2 is supplied to the slurry supply unit 51 through the slurry supply pipes 51 and 51 ' And is supplied to the sphere 41. The slurry supply unit 2 may be provided in plurality to supply different slurries.

압축공기공급부(3)는 압축된 공기를 공급하며, 그 압축된 공기는 사용자의 설정에 따라 유량을 제어하는 유량조절부(6)를 통해 정량 정압으로 상기 압축공기공급구(42)로 공급되며, 그 정량 정압의 압축공기와 슬러리가 혼합부(44)에서 혼합되어 노즐(14)을 통해 처리대상물(70)의 가장자리에 분사되어, 지지부재(71)의 상부에 접착층(72)에 의해 접착된 프로세스 웨이퍼(73)의 가장자리 영역과 그 하부의 접착층(72) 일부를 처리하게 된다.
The compressed air supply unit 3 supplies compressed air, and the compressed air is supplied to the compressed air supply port 42 at a constant positive pressure through a flow rate control unit 6 that controls the flow rate according to the user's setting The compressed air and the slurry are mixed in the mixing portion 44 and sprayed to the edge of the object 70 through the nozzle 14 to be adhered to the upper portion of the support member 71 by the adhesive layer 72 The edge region of the processed process wafer 73 and a part of the adhesive layer 72 below the edge region.

이때 분사된 슬러리와 상기 프로세스 웨이퍼(73) 및 접착층(72)의 부산물은 진공압력을 제공하는 진공펌프부(4)가 연결된 배기덕트부(60)를 통해 외부로 배출되고, 유체공급부(7)는 물 또는 공기이거나, 물과 공기가 혼합된 유체를 제1유체공급관(53)과 제2유체공급관(54)을 통해 공급하여, 제1커튼홀(11)과 제2커튼홀(21)로 공급하고, 제1커튼노즐(12)과 제2커튼노즐(22)을 통해 유체 커튼을 형성하게 된다.
At this time, the sprayed slurry, the byproducts of the process wafer 73 and the adhesive layer 72 are discharged to the outside through the exhaust duct part 60 connected to the vacuum pump part 4 providing the vacuum pressure, The first curtain hole 11 and the second curtain hole 21 are formed by supplying water or air or a fluid in which water and air are mixed through the first fluid supply pipe 53 and the second fluid supply pipe 54, And forms a fluid curtain through the first curtain nozzle 12 and the second curtain nozzle 22.

이와 같이 유체커튼을 형성한 상태에서 슬러리와 압축공기를 분사하여 처리대상물(70)을 처리하는 과정과 효과에 대해서는 앞서 충분히 설명되었으며, 더 이상의 설명은 생략하기로 한다.
The process and effect of spraying the slurry and the compressed air in the state where the fluid curtain is formed to treat the object to be treated 70 have been fully described above, and further explanation will be omitted.

다만 앞선 실시예들에서는 처리대상물(70)의 가장자리 일부를 처리공간부(30)에 삽입된 상태로 처리되는 것으로 설명하였으나, 그 처리대상물(70)의 가장자리 전체를 처리하기 위하여, 상기의 처리과정은 슬러리 분사노즐(1)을 처리대상물(70)의 둘레를 따라 회전시키거나, 그 처리대상물(70)이 사각형의 유리기판인 경우에는 직선왕복을 시킨다.In the above embodiments, a part of the edge of the object to be processed 70 is processed to be inserted into the processing space 30. However, in order to process the entire edge of the object 70, The slurry injection nozzle 1 is rotated along the periphery of the object to be processed 70 or when the object to be processed 70 is a quadrangular glass substrate,

상기 이동부(7)에 의해 이루어지는 이때의 회전은 그 중심이 처리대상물(70)의 중심이 되어, 슬러리 분사노즐(1)이 처리대상물(70)의 주변을 돌며 슬러리와 압축공기를 분사하여 프로세스 웨이퍼(73) 및 접착층(72)을 처리하게 된다.At this time, the center of rotation of the moving part 7 is the center of the object to be treated 70, and the slurry spray nozzle 1 rotates around the object to be treated 70, The wafer 73 and the adhesive layer 72 are processed.

상기 이동부(7)가 슬러리 분사노즐(1)을 직선 왕복이동시켜 대면적의 유리 기판의 일면을 가공하게 된다.
The moving unit 7 linearly reciprocates the slurry spraying nozzle 1 to process one surface of the large-area glass substrate.

상기 이동부(7)는 슬러리 분사노즐(1) 전체를 회전시키는 것으로 설명하였으나, 슬러리 분사노즐(1)이 고정된 상태에서 처리대상물(70)을 회전시키도록 구성될 수 있으며, 상기 슬러리 분사노즐(1)과 처리대상물(70)을 반대 방향으로 회전시키도록 구성할 수 있다.The slurry spray nozzle 1 may be configured to rotate the slurry spray nozzle 1 in a state where the slurry spray nozzle 1 is fixed, (1) and the object to be processed (70) in the opposite direction.

즉, 이동부(7)는 슬러리 분사노즐(1)과 처리대상물(70)을 상대 회전이동시켜 그 슬러리 분사노즐(1)의 가장자리 전체를 처리할 수 있게 된다.
That is, the moving unit 7 can move the slurry spraying nozzle 1 and the object to be processed 70 relative to each other to process the entire edge of the slurry spraying nozzle 1.

도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 슬러리 분사노즐을 이용한 기판 처리장치의 구성도이다.11 is a configuration diagram of a substrate processing apparatus using a slurry spray nozzle according to another embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면 본 발명의 다른 실시예에 따른 슬러리 분사노즐을 이용한 기판 처리장치는, 다수의 슬러리 분사노즐(1)을 사용하여 처리대상물(70)을 처리할 수 있다.Referring to FIG. 11, a substrate processing apparatus using a slurry spray nozzle according to another embodiment of the present invention can process a treatment object 70 using a plurality of slurry spray nozzles 1.

이와 같은 구조에서 상기 이동부(7)는 다수의 슬러리 분사노즐(1)을 동일한 속도, 동일한 방향으로 회전시키는 것일 수 있으며, 앞서 설명한 바와 같이 처리대상물(70)을 회전시킬 수 있다. 또한 이동부(7)는 다수의 슬러리 분사노즐(1)을 사각형의 유리 기판의 가장자리를 따라 왕복 이동하도록 하거나 유리기판을 직선 운동시키는 상대적인 운동을 통해 처리대상물(70)을 처리할 수 있다.In this structure, the moving unit 7 may rotate the plurality of slurry spraying nozzles 1 at the same speed and in the same direction, and may rotate the object 70 as described above. Further, the moving part 7 can process the object to be processed 70 through relative movement in which a plurality of slurry jetting nozzles 1 are caused to reciprocate along the edges of the rectangular glass substrate or linearly move the glass substrate.

이처럼 슬러리 분사노즐(1)을 다수 사용함으로써 처리 속도를 높일 수 있다.
By using a number of the slurry spraying nozzles 1 as described above, the processing speed can be increased.

전술한 바와 같이 본 발명에 대하여 바람직한 실시예를 들어 상세히 설명하였지만, 본 발명은 전술한 실시예들에 한정되는 것이 아니고, 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, And this also belongs to the present invention.

10:상부바디 11:제1커튼홀
12:제1커튼노즐 13:노즐삽입부
14:노즐 15:체결부
20:하부바디 21:제2커튼홀
22:제2커튼노즐 23:결합단턱부
25:체결부 30:처리공간부
31:입구부 32:출구부
40,40':공급포트부 41:슬러리공급구
42:압축공기공급구 43:경사투입구
44:혼합부 45:노즐연결부
51,51':슬러리공급관 52,52':압축공기공급관
53:제1유체공급관 54:제2유체공급관
60:배기덕트부 70:처리대상물
71:지지부재 72:접착층
73:프로세스 웨이퍼 1:슬러리 분사노즐
2:슬러리공급부 3:압축공기공급부
4:진공펌프부 5:이동부
6:유량조절부 7:유체공급부
10: upper body 11: first curtain hole
12: first curtain nozzle 13: nozzle insertion portion
14: nozzle 15:
20: lower body 21: second curtain hole
22: second curtain nozzle 23: engaging step jaw
25: fastening part 30: processing space part
31: inlet part 32: outlet part
40, 40 ': supply port portion 41: slurry supply port
42: Compressed air supply port 43: Slope input port
44: mixing portion 45: nozzle connecting portion
51, 51 ': Slurry supply pipe 52, 52': Compressed air supply pipe
53: first fluid supply pipe 54: second fluid supply pipe
60: exhaust duct part 70: object to be treated
71: support member 72: adhesive layer
73: Process wafer 1: Slurry spray nozzle
2: Slurry supply part 3: Compressed air supply part
4: Vacuum pump part 5: Moving part
6: Flow control unit 7: Fluid supply unit

Claims (18)

처리대상물의 가장자리가 삽입되어 처리될 수 있는 처리공간부를 사이에 두고, 각각 상하로 결합된 상부바디와 하부바디;
슬러리가 공급되는 슬러리공급구와, 압축공기가 공급되는 압축공기공급구와, 상기 슬러리공급구를 통해 공급된 슬러리를 혼합부로 공급하여 상기 압축공기공급구를 통해 공급된 압축공기와 혼합되도록 하는 경사투입구로 구성되어 외부에서 공급되는 슬러리와 압축공기를 혼합하는 공급포트부;
상기 공급포트부의 슬러리와 압축공기 혼합물을 상기 처리공간부에 분사하여, 프로세스 웨이퍼의 가장자리 및 그 하부의 접착제를 제거하는 노즐; 및
상기 처리공간부의 입구부와 상기 노즐의 사이에 마련되어 유체 커튼을 형성하는 커튼노즐을 포함하는 슬러리 분사노즐.
An upper body and a lower body coupled to each other with a processing space part through which an edge of the object to be processed can be inserted and processed;
A slurry supply port through which the slurry is supplied, a compressed air supply port through which compressed air is supplied, and an inclined inlet port through which the slurry supplied through the slurry supply port is mixed with the compressed air supplied through the compressed air supply port A supply port portion for mixing the slurry supplied from the outside with the compressed air;
A nozzle for spraying a mixture of a slurry and a compressed air of the supply port portion into the processing space portion to remove an adhesive at an edge and a lower portion of the process wafer; And
And a curtain nozzle provided between an inlet portion of the processing space portion and the nozzle to form a fluid curtain.
제1항에 있어서,
상기 처리공간부의 출구부에 마련되어 슬러리와 압축공기를 배출하는 배기덕트부를 더 포함하는 슬러리 분사노즐.
The method according to claim 1,
And an exhaust duct portion provided at an outlet portion of the processing space portion for discharging slurry and compressed air.
제1항에 있어서,
상기 노즐은,
상기 상부바디의 상면에서 상기 처리공간부까지 관통된 노즐삽입부에 삽입된 것을 특징으로 하는 슬러리 분사노즐.
The method according to claim 1,
The nozzle
Wherein the upper portion of the upper body is inserted into a nozzle inserting portion penetrating from the upper surface of the upper body to the processing space portion.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 커튼노즐은,
상기 상부바디와 상기 하부바디에 각각 마주하게 배치된 것을 특징으로 하는 슬러리 분사노즐.
The method according to claim 1,
The curtain nozzle
Wherein the upper and lower bodies are disposed to face the upper body and the lower body, respectively.
제5항에 있어서,
상기 커튼노즐은,
상기 상부바디와 상기 하부바디 각각에 다수로 마련되며, 상하로 마주하게 배치된 것을 특징으로 하는 슬러리 분사노즐.
6. The method of claim 5,
The curtain nozzle
Wherein a plurality of slurry nozzles are provided in each of the upper body and the lower body, and are disposed to face each other in the vertical direction.
제1항에 있어서,
상기 공급포트부는,
다수로 마련된 것을 특징으로 하는 슬러리 분사노즐.
The method according to claim 1,
The supply port portion,
And a plurality of slurry spray nozzles.
제7항에 있어서,
다수의 상기 공급포트부는,
각각 서로 다른 슬러리를 공급하거나,
각각 서로 다른 압력의 압축공기를 공급하는 것을 특징으로 하는 슬러리 분사노즐.
8. The method of claim 7,
Wherein the plurality of supply port portions comprise:
Respectively, to supply different slurries,
And supplying compressed air having different pressures to the slurry spray nozzles.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 처리대상물은 지지부재에 접착층으로 접착된 프로세스 웨이퍼이며,
상기 노즐에서 분사되는 슬러리와 압축공기 혼합물에 의해 프로세스 웨이퍼의 가장자리 둘레 영역과 그 가장자리 둘레 영역 하부의 접착층을 제거하는 것을 특징으로 하는 슬러리 분사노즐.
The method according to claim 1,
Wherein the object to be treated is a process wafer adhered to the support member with an adhesive layer,
And removing the adhesive layer between the peripheral edge region of the process wafer and the peripheral edge region of the process wafer by the mixture of the slurry and the compressed air injected from the nozzle.
제1항에 있어서,
상기 유체 커튼은,
물 또는 공기 또는 물과 공기를 혼합 분사하여 형성되는 것을 특징으로 하는 슬러리 분사노즐.
The method according to claim 1,
The fluid curtain,
Water or air, or water and air mixedly sprayed on the slurry spray nozzle.
제1항의 슬러리 분사노즐;
상기 공급포트부에 슬러리를 공급하는 슬러리공급부;
상기 공급포트부에 압축공기를 공급하는 압축공기공급부;
상기 커튼노즐에 유체를 공급하는 유체공급부; 및
상기 슬러리 분사노즐과 상기 처리대상물을 상대 운동시키는 이동부를 포함하는 슬러리 분사노즐을 이용한 기판 처리장치.
A slurry spray nozzle according to claim 1;
A slurry supply unit for supplying slurry to the supply port;
A compressed air supply unit for supplying compressed air to the supply port unit;
A fluid supply unit for supplying fluid to the curtain nozzle; And
And a moving unit that relatively moves the slurry spray nozzle and the object to be processed.
제12항에 있어서,
상기 슬러리 분사노즐의 처리공간부에 진공압력을 제공하는 진공펌프부를 더 포함하는 슬러리 분사노즐을 이용한 기판 처리장치.
13. The method of claim 12,
And a vacuum pump unit for supplying a vacuum pressure to the processing space of the slurry spray nozzle.
제12항에 있어서,
상기 슬러리 분사노즐은,
하나 또는 둘 이상으로 마련된 것을 특징으로 하는 슬러리 분사노즐을 이용한 기판 처리장치.
13. The method of claim 12,
The slurry spraying nozzle comprises:
Wherein the at least one slurry spray nozzle is provided with one or more slurry spray nozzles.
제12항에 있어서,
상기 슬러리공급부는,
복수로 마련되어 서로 다른 슬러리를 상기 슬러리 분사노즐로 공급하는 것을 특징으로 하는 슬러리 분사노즐을 이용한 기판 처리장치.
13. The method of claim 12,
The slurry supply unit includes:
And a plurality of different slurries are supplied to the slurry spraying nozzles.
제12항에 있어서,
상기 이동부의 상대운동은,
회전이동 또는 직선왕복운동인 것을 특징으로 하는 슬러리 분사노즐을 이용한 기판 처리장치.
13. The method of claim 12,
The relative movement of the moving part,
Wherein the slurry spray nozzle is a rotary motion or a linear reciprocating motion.
제12항에 있어서,
상기 압축공기공급부를 통해 공급되는 압축공기의 압력과 유량을 조절하여 상기 슬러리 분사노즐로 공급하는 유량조절부를 더 포함하는 슬러리 분사노즐을 이용한 기판 처리장치.
13. The method of claim 12,
And a flow rate controller for controlling the pressure and the flow rate of the compressed air supplied through the compressed air supply unit to supply the compressed air to the slurry spray nozzle.
제17항에 있어서,
상기 유량조절부는,
복수로 마련되어 각각 서로 다른 압력 및 유량의 압축공기를 상기 슬러리 분사노즐에 공급하는 것을 특징으로 하는 슬러리 분사노즐을 이용한 기판 처리장치.
18. The method of claim 17,
Wherein the flow-
Wherein a plurality of compressed air having different pressures and flow rates are supplied to the slurry spraying nozzles.
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