KR20070019342A - Chemical Mechanical Polishing Apparatus - Google Patents

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KR20070019342A KR1020050074227A KR20050074227A KR20070019342A KR 20070019342 A KR20070019342 A KR 20070019342A KR 1020050074227 A KR1020050074227 A KR 1020050074227A KR 20050074227 A KR20050074227 A KR 20050074227A KR 20070019342 A KR20070019342 A KR 20070019342A
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Abstract

본 발명은 화학적 기계적 연마 장치를 제공한다. 이 장치는 연마정반, 연마정반 상에 장착된 홈을 가지는 연마 패드 및 연마 패드의 상부에 위치하는 세정액 분사구를 가지는 세정액 분사 장치를 포함하되, 세정액 분사구 또는 세정액 분사 장치는 연마 패드를 세정하기 위한 세정액을 연마 패드의 회전 속도에 따라 분사하는 각도가 조절되는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 반도체 웨이퍼의 표면에 발생하는 미세 스크래치를 최소화할 수 있는 화학적 기계적 연마 장치를 제공할 수 있다.The present invention provides a chemical mechanical polishing apparatus. The apparatus includes a cleaning liquid spraying device having a polishing table, a polishing pad having grooves mounted on the polishing table, and a cleaning liquid spraying hole located above the polishing pad, wherein the cleaning liquid spraying hole or the cleaning liquid spraying device includes a cleaning liquid for cleaning the polishing pad. The spraying angle is adjusted according to the rotation speed of the polishing pad. Accordingly, it is possible to provide a chemical mechanical polishing apparatus that can minimize fine scratches generated on the surface of a semiconductor wafer.

화학적 기계적 연마, 연마 패드, 세정액 분사 장치, 슬러리 Chemical Mechanical Polishing, Polishing Pads, Cleaning Liquid Sprayers, Slurry

Description

화학적 기계적 연마 장치{Chemical Mechanical Polishing Apparatus}Chemical Mechanical Polishing Apparatus

도 1은 일반적인 화학적 기계적 연마 장치의 모식도;1 is a schematic diagram of a typical chemical mechanical polishing apparatus;

도 2 및 도 3은 일반적인 화학적 기계적 연마 장치의 정면 및 측면 단면도;2 and 3 are front and side cross-sectional views of a typical chemical mechanical polishing apparatus;

도 4 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 화학적 기계적 연마 장치의 측면 단면도들.4 to 6 are side cross-sectional views of the chemical mechanical polishing apparatus according to the embodiment of the present invention.

본 발명은 화학적 기계적 연마 장치에 관한 것으로, 더 구체적으로 연마 패드 세정 장치를 구비한 화학적 기계적 연마 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus, and more particularly to a chemical mechanical polishing apparatus having a polishing pad cleaning apparatus.

반도체 소자의 고집적화에 따라 그 구조가 다층화되고 있다. 이에 따라 반도체 소자의 제조공정 중에는 반도체 웨이퍼(wafer)의 각 층의 평탄화를 위한 연마 공정이 필수적으로 포함된다. 이러한 연마공정을 수행하기 위한 다양한 연마방법들이 제시되고 있으며, 이들 중 웨이퍼를 화학적, 그리고 기계적 연마를 동시에 실시하는 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing : CMP) 장치가 널리 사용된다.As the semiconductor devices are highly integrated, their structures are becoming multilayered. Accordingly, in the manufacturing process of the semiconductor device, a polishing process for planarization of each layer of the semiconductor wafer is essentially included. Various polishing methods for performing such a polishing process have been proposed, and among them, a chemical mechanical polishing (CMP) apparatus for chemically and mechanically polishing a wafer is widely used.

기계적 연마는 회전하는 연마 패드(polishing pad) 위에 웨이퍼를 위치시킨 상태에서 웨이퍼에 소정의 하중을 가하면서 웨이퍼를 회전시킴으로써, 연마 패드와 웨이퍼 표면 사이의 마찰에 의해 웨이퍼 표면의 연마가 이루어지게 하는 것이다. 화학적 연마는 연마 패드와 웨이퍼 사이에 공급되는 화학적 연마제인 슬러리(slurry)에 의해 웨이퍼 표면의 연마가 이루어지게 하는 것이다.Mechanical polishing is to rotate a wafer while applying a predetermined load to the wafer while placing the wafer on a rotating polishing pad, thereby polishing the surface of the wafer by friction between the polishing pad and the wafer surface. . Chemical polishing is the polishing of the wafer surface by slurry, which is a chemical abrasive supplied between the polishing pad and the wafer.

도 1은 연마 패드 세정 장치를 구비한 일반적인 화학적 기계적 연마 장치의 모식도이다.1 is a schematic diagram of a general chemical mechanical polishing apparatus having a polishing pad cleaning apparatus.

도 1을 참조하면, 화학적 기계적 연마 장치(1)는 연마정반(platen, 10) 상에 연마 패드(20) 및 웨이퍼의 연마되는 면이 연마 패드(20)를 향하도록 웨이퍼를 장착하는 연마 헤드(polishing head, 30)를 구비한다. 연마 패드(20)는 폴리 우레탄(polyurethane)으로 만들어질 수 있으며, 표면에는 동심원 형태의 홈(groove, 25)을 구비하고 있다. 연마 헤드(30)는 연마 패드(20)에 마주하는 웨이퍼의 후면을 가압한다. 연마 헤드(30)가 자신의 회전축을 가지고 회전함과 동시에 연마 패드(20)가 장착된 연마정반(10)이 회전할 수 있다. 또는 연마정반(10)이 고정된 상태에서 연마 헤드(30)가 연마정반(10)의 중심축을 기준으로 연마 패드(20) 상에서 회전하게 된다. 연마 패드(20)를 세척하기 위한 세정액 분사 장치(40)를 구비한다.Referring to FIG. 1, a chemical mechanical polishing apparatus 1 includes a polishing head for mounting a wafer on a polishing plate 10 such that the polishing pad 20 and the polished surface of the wafer face the polishing pad 20. polishing head 30). The polishing pad 20 may be made of polyurethane, and has a groove 25 having a concentric shape on its surface. The polishing head 30 presses the rear surface of the wafer facing the polishing pad 20. As the polishing head 30 rotates with its own rotation axis, the polishing plate 10 on which the polishing pad 20 is mounted may rotate. Alternatively, in the state in which the polishing table 10 is fixed, the polishing head 30 is rotated on the polishing pad 20 about the central axis of the polishing table 10. A cleaning liquid spraying device 40 for cleaning the polishing pad 20 is provided.

도 2 및 도 3은 연마 패드 세정 장치를 구비한 일반적인 화학적 기계적 연마 장치의 정면 및 측면 단면도이다. 도 3의 화살표 길이는 연마정반 및 연마 패드가 회전하는 속도의 크기를 보여주기 위한 것이다.2 and 3 are front and side cross-sectional views of a typical chemical mechanical polishing apparatus having a polishing pad cleaning apparatus. The arrow length of FIG. 3 is for showing the magnitude of the speed at which the polishing table and the polishing pad rotate.

도 2를 참조하면, 연마정반(10) 상에 연마 패드(20)가 장착되어 있다. 연마 패드(20)는 표면에는 홈(25)이 구비되어 있다. 화학적 기계적 연마 공정 후, 연마 패드(20)를 세정하기 위한 세정액 분사구(rinse nozzle, 45)를 구비한 세정액 분사 장치(40)가 구비되어 있다. 세정액 분사 장치(40)는 연마 패드(20)와 수평으로 위치하면서 세정액 분사구(45)를 통해 세정액(50)을 연마 패드(40)로 분사할 수 있게 구성되어 있다. 세정액(50)은 연마 패드(20) 상부 및 홈(25)에 잔존하는 슬러리 및 공정 잔유물을 제거하는 역할을 하게 된다.Referring to FIG. 2, a polishing pad 20 is mounted on the polishing plate 10. The polishing pad 20 is provided with a groove 25 on its surface. After the chemical mechanical polishing process, a cleaning liquid spraying device 40 having a cleaning liquid nozzle 45 for cleaning the polishing pad 20 is provided. The cleaning liquid spraying device 40 is configured to be able to spray the cleaning liquid 50 to the polishing pad 40 through the cleaning liquid spraying hole 45 while being positioned horizontally with the polishing pad 20. The cleaning liquid 50 serves to remove the slurry and the process residue remaining on the polishing pad 20 and the groove 25.

전술한 일반적인 화학적 기계적 연마 장치(1)를 사용하면, 공정 진행 중 슬러리 및 공정 잔존물이 연마 패드(20)에 형성되어 있는 홈(25)에 고여 있는 상태에서 외부로 용이하게 빠져나가지 못하는 경우가 많다. 또한, 연마정반(10) 및 연마 패드(20)가 회전되지 않는 경우에는 연마 패드(20) 중심부로 이동된 슬러리가 외부로 배출되지 않고 누적되어 결과적으로 굳어지게 된다.When the above-described general chemical mechanical polishing apparatus 1 is used, in many cases, the slurry and the process residue cannot easily escape to the outside in the state of being stuck in the groove 25 formed in the polishing pad 20 during the process. . In addition, when the polishing table 10 and the polishing pad 20 are not rotated, the slurry moved to the center of the polishing pad 20 is accumulated without being discharged to the outside and consequently hardens.

도 3을 참조하면, 일반적인 화학적 기계적 연마 장치(1)의 세정액 분사 장치(40)의 세정액 분사구(45)는 연마 패드(20)에 대하여 세정액(50)을 고정된 90°의 각도로 고압 분사하게 된다. 연마정반(10) 및 연마 패드(20)가 회전하는 경우, 연마 패드(20) 상부에 잔존하는 슬러리 및 공정 잔존물은 제거가 용이하나, 연마 패드(20)의 홈(25)에 잔존하는 슬러리 및 공정 잔존물은 제거가 용이하지 않은 문제점이 있다. 이는 연마정반(10) 및 연마 패드(20)가 회전함에 따라 발생하는 회전력에 의해 슬러리 및 공정 잔존물이 연마 패드(20)의 홈(25)에서 회전 방향에 반하여 쏠리는 현상과 세정액 분사구(45)에서 분사되는 세정액(50) 방향 사이의 차이에 기인하는 것이다.Referring to FIG. 3, the cleaning liquid injection hole 45 of the cleaning liquid spraying device 40 of the general chemical mechanical polishing apparatus 1 allows high pressure spraying of the cleaning liquid 50 at a fixed 90 ° angle with respect to the polishing pad 20. do. When the polishing plate 10 and the polishing pad 20 rotate, the slurry remaining on the polishing pad 20 and the process residues are easily removed, but the slurry remaining in the groove 25 of the polishing pad 20 and Process residues are not easy to remove. This is because the slurry and process residues are concentrated in the grooves 25 of the polishing pad 20 against the rotational direction due to the rotational force generated as the polishing plate 10 and the polishing pad 20 rotate, and the cleaning liquid injection port 45 This is due to the difference between the directions of the cleaning liquid 50 injected.

연마 패드(20)의 상부 및 홈(25)에 잔존하는 슬러리 및 공정 잔존물은 차후 의 화학적 기계적 연마 공정에서 웨이퍼에 미세 스크래치(micro scratch)를 발생시킨다. 이로 인해 반도체 웨이퍼의 수율이 낮아지는 문제점이 있다.Slurry and process residues remaining on the top and grooves 25 of the polishing pad 20 cause micro scratches in the wafer in subsequent chemical mechanical polishing processes. As a result, there is a problem that the yield of the semiconductor wafer is lowered.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 화학적 기계적 연마 공정에서 웨이퍼 표면에 발생할 수 있는 미세 스크래치의 유발을 최소화할 수 있는 화학적 기계적 연마 장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a chemical mechanical polishing apparatus capable of minimizing the occurrence of fine scratches that may occur on a wafer surface in a chemical mechanical polishing process.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 화학적 기계적 연마 장치를 제공한다. 이 장치는 연마정반, 연마정반 상에 장착된 홈을 가지는 연마 패드 및 연마 패드의 상부에 위치하는 세정액 분사구를 가지는 세정액 분사 장치를 포함하되, 세정액 분사구 또는 세정액 분사 장치는 연마 패드를 세정하기 위한 세정액을 연마 패드의 회전 속도에 따라 분사하는 각도가 조절되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a chemical mechanical polishing apparatus. The apparatus includes a cleaning liquid spraying device having a polishing table, a polishing pad having grooves mounted on the polishing table, and a cleaning liquid spraying hole located above the polishing pad, wherein the cleaning liquid spraying hole or the cleaning liquid spraying device includes a cleaning liquid for cleaning the polishing pad. The spraying angle is adjusted according to the rotation speed of the polishing pad.

화학적 기계적 연마 공정에서 반도체 웨이퍼를 장착하여 반도체 웨이퍼를 연마 패드에 밀착시키는 연마 헤드를 더 포함할 수 있다. 세정액 분사 장치는 초순수(DeIonized water : DI water)를 고압 분사하는 방식일 수 있다. 세정액 분사구 또는 세정액 분사 장치는 연마 패드의 회전 방향에 반대되는 방향으로 세정액을 분사하는 것과 연마 패드의 회전 속도가 빨라질수록 연마 패드 표면과 이루는 각도가 수평에서 점차 작아지는 것을 특징으로 한다.The method may further include a polishing head mounting the semiconductor wafer in a chemical mechanical polishing process to adhere the semiconductor wafer to the polishing pad. The cleaning liquid spraying device may be a high pressure spraying method of ultrapure water (DI water). The cleaning liquid jetting hole or the cleaning liquid spraying device is characterized in that the cleaning liquid is sprayed in a direction opposite to the rotational direction of the polishing pad, and as the rotational speed of the polishing pad increases, the angle formed with the surface of the polishing pad gradually decreases in horizontal direction.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형 태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다. 도면들에 있어서, 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호가 병기되어 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosure may be made thorough and complete, and to fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a clearer description. In the drawings, like reference numerals designate like elements that perform the same function.

도 4 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 연마 패드 세정 장치를 구비한 화학적 기계적 연마 장치의 측면 단면도들이다. 도 5 및 도 6의 화살표 길이는 연마정반 및 연마 패드가 회전하는 속도의 크기를 보여주기 위한 것이다.4 to 6 are side cross-sectional views of a chemical mechanical polishing apparatus having a polishing pad cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. The lengths of the arrows in FIGS. 5 and 6 are for showing the magnitude of the speed at which the polishing table and the polishing pad rotate.

도 4를 참조하면, 연마정반(110) 및 연마 패드(120)가 회전하지 않을 때의 세정액 분사 장치(140)의 세정액 분사구(145)에서 분사되는 세정액(150)의 방향이 연마 패드(120) 표면에 대해 수직이다. 이는 제거되어야할 슬러리 및 공정 잔존물이 연마 패드(120)의 상부 표면 및 홈(125) 하부에 골고루 잔존하기 때문에, 세정액(150)이 연마 패드(120)의 홈(125) 하부에 골고루 분사되어야 하기 때문이다. 따라서 회전하지 않는 연마 패드(120)의 상부 및 홈(125)에 잔존하는 슬러리 및 공정 잔존물을 제거하는 가장 좋은 각도는 90°이다. Referring to FIG. 4, the direction of the cleaning liquid 150 sprayed from the cleaning liquid injection hole 145 of the cleaning liquid spraying device 140 when the polishing plate 110 and the polishing pad 120 does not rotate is the polishing pad 120. Perpendicular to the surface. This is because the slurry and process residues to be removed remain evenly on the upper surface of the polishing pad 120 and below the groove 125, so that the cleaning liquid 150 must be evenly sprayed under the groove 125 of the polishing pad 120. Because. Thus, the best angle to remove the slurry and process residues remaining in the top and groove 125 of the non-rotating polishing pad 120 is 90 °.

도 5를 참조하면, 연마정반(110) 및 연마 패드(120)가 비교적 느린 속도로 회전할 때의 세정액 분사 장치(140)의 세정액 분사구(145) 각도 및 세정액(150) 분사 방향이 변화된 모습이다. 이는 제거되어야할 슬러리 및 공정 잔존물이 연마정반(110) 및 연마 패드(120)의 회전 방향에 반하는 연마 패드(120)의 홈(125) 하부의 한쪽 편으로 쏠리는 현상이 일어나기 때문에, 세정액(150)이 연마 패드(120)의 홈 (125) 하부에 쏠려있는 슬러리 및 공정 잔존물에 분사되어야 하기 때문이다. 따라서 느린 속도로 회전하는 연마 패드(120)의 상부 및 홈(125)에 잔존하는 슬러리 및 공정 잔존물을 제거하는 가장 좋은 각도는 A이다.Referring to FIG. 5, the angle of the cleaning liquid injection port 145 and the cleaning liquid 150 spray direction of the cleaning liquid spraying device 140 when the polishing plate 110 and the polishing pad 120 rotate at a relatively slow speed are changed. . This is because the slurry and the process residue to be removed are concentrated to one side of the lower portion of the groove 125 of the polishing pad 120 against the rotational direction of the polishing plate 110 and the polishing pad 120, and thus the cleaning liquid 150 This is because it must be sprayed on the slurry and the process residues which are lowered in the groove 125 of the polishing pad 120. Thus, the best angle to remove the slurry and process residues remaining in the top and groove 125 of the polishing pad 120 rotating at a slow speed is A.

도 6을 참조하면, 연마정반(110) 및 연마 패드(120)가 비교적 빠른 속도로 회전할 때의 세정액 분사 장치(140)의 세정액 분사구(145) 각도 및 세정액(150) 분사 방향이 변화된 모습이다. 이는 제거되어야할 슬러리 및 공정 잔존물이 연마정반(110) 및 연마 패드(120)의 회전 방향에 반하는 연마 패드(120)의 홈(125) 하부의 한쪽 귀퉁이로 쏠리는 현상이 일어나기 때문에, 세정액(150)이 연마 패드(120)의 홈(125) 하부에 쏠려있는 슬러리 및 공정 잔존물에 분사되어야 하기 때문이다. 따라서 빠른 속도로 회전하는 연마 패드(120)의 상부 및 홈(125)에 잔존하는 슬러리 및 공정 잔존물을 제거하는 가장 좋은 각도는 B이다.Referring to FIG. 6, the angle of the cleaning liquid injection port 145 and the cleaning liquid 150 spray direction of the cleaning liquid spraying device 140 when the polishing plate 110 and the polishing pad 120 rotate at a relatively high speed are changed. . Since the slurry and the process residue to be removed are concentrated to one corner of the lower portion of the groove 125 of the polishing pad 120 opposite to the rotation direction of the polishing plate 110 and the polishing pad 120, the cleaning liquid 150 is removed. This is because it must be sprayed on the slurry and process residues that are lowered in the groove 125 of the polishing pad 120. Therefore, the best angle B to remove the slurry and the process residue remaining in the upper portion and the groove 125 of the polishing pad 120 rotates at a high speed.

세정액 분사 장치(140)는 초순수를 고압 분사 방식으로 분사하는 장치일 수 있다. 세정액 분사구(145)는 연마 패드(120)의 회전 방향에 반대되는 방향으로 세정액(150)을 분사하는 것을 특징으로 할 수 있다.The cleaning liquid injection device 140 may be a device for spraying ultrapure water by a high pressure injection method. The cleaning liquid injection hole 145 may be characterized by spraying the cleaning liquid 150 in a direction opposite to the rotation direction of the polishing pad 120.

상기한 바와 같이, 연마 패드(120)의 회전 속도는 화학적 기계적 연마 공정의 조건에 따라 달라질 수 있다. 연마 패드(120)가 회전하는 속도가 빠를수록 세정액 분사 장치(140)의 세정액 분사구(145)는 연마 패드(120)에 대한 각도 또한 커질 수 있어야 한다. 따라서, 연마 패드(120)의 회전 속도에 무관하게 연마 패드(120)의 홈(125)에 잔존하는 슬러리 및 공정 잔존물을 용이하게 제거할 수 있다.As described above, the rotation speed of the polishing pad 120 may vary depending on the conditions of the chemical mechanical polishing process. The faster the rotation speed of the polishing pad 120 is, the greater the angle of the cleaning liquid jet opening 145 of the cleaning liquid jetting apparatus 140 with respect to the polishing pad 120 is. Accordingly, the slurry and the process residue remaining in the groove 125 of the polishing pad 120 can be easily removed regardless of the rotational speed of the polishing pad 120.

이에 따라, 화학적 기계적 연마 공정에서 반도체 웨이퍼의 표면에 발생할 수 있는 미세 스크래치를 유발하는 연마 패드(120)의 상부 및 홈(125)에 잔존하는 슬러리 및 공정 잔유물을 제거하는 효율을 극대화할 수 있다.Accordingly, in the chemical mechanical polishing process, the efficiency of removing the slurry and the process residue remaining on the top and the groove 125 of the polishing pad 120 causing micro scratches that may occur on the surface of the semiconductor wafer may be maximized.

상술한 것과 같이, 본 발명에 따르면 연마 패드를 세정하는 효과가 극대화된 화학적 기계적 연마 장치를 가질 수 있다. 이에 따라, 화학적 기계적 연마 공정에서 발생하는 미세 스크래치의 발생을 최소화함으로써, 신뢰성과 수율이 높은 반도체 웨이퍼를 만들 수 있다.As described above, according to the present invention, it is possible to have a chemical mechanical polishing apparatus in which the effect of cleaning the polishing pad is maximized. Accordingly, by minimizing the occurrence of fine scratches generated in the chemical mechanical polishing process, it is possible to make a semiconductor wafer with high reliability and yield.

Claims (5)

연마정반;Polishing table; 상기 연마정반 상에 장착된 홈을 가지는 연마 패드; 및A polishing pad having a groove mounted on the polishing table; And 상기 연마 패드의 상부에 위치하는 세정액 분사구를 가지는 세정액 분사 장치를 포함하되, 상기 세정액 분사 장치는 상기 연마 패드를 세정하기 위한 세정액을 상기 연마 패드의 회전 속도에 따라 분사하는 각도가 조절되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장치.And a cleaning liquid spraying device having a cleaning liquid spraying hole positioned above the polishing pad, wherein the cleaning liquid spraying device is configured to adjust an angle at which the cleaning liquid for cleaning the polishing pad is sprayed according to the rotational speed of the polishing pad. Chemical mechanical polishing device. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 화학적 기계적 연마 공정에서 반도체 웨이퍼를 장착하여 상기 반도체 웨이퍼를 상기 연마 패드에 밀착시키는 연마 헤드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장치.And a polishing head for mounting the semiconductor wafer in a chemical mechanical polishing process to adhere the semiconductor wafer to the polishing pad. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 세정액 분사 장치는 초순수를 고압 분사하는 방식인 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장치.The cleaning liquid spraying device is a chemical mechanical polishing device, characterized in that the high-pressure injection of ultrapure water. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 세정액 분사 장치는 상기 연마 패드의 회전 방향에 반대되는 방향으로 상기 세정액을 분사하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장치.And the cleaning liquid spraying device sprays the cleaning liquid in a direction opposite to the rotation direction of the polishing pad. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 세정액 분사 장치는 상기 연마 패드의 회전 속도가 빨라질수록 상기 연마 패드 표면과 이루는 각도가 수직보다 점차 작아지는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장치.The apparatus for chemical mechanical polishing of the cleaning liquid spraying device is characterized in that as the rotational speed of the polishing pad increases, the angle formed with the surface of the polishing pad becomes smaller than vertical.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN102688862A (en) * 2012-06-11 2012-09-26 上海宏力半导体制造有限公司 High-pressure deionized water ejecting device for cleaning grinding gasket and chemical mechanical grinding equipment
KR20150011474A (en) * 2013-07-23 2015-02-02 주식회사 케이씨텍 Chemical mechanical polishing apparatus with improved efficiency of removing slurry from polishing pad

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