JP4336340B2

JP4336340B2 - Polishing method and polishing apparatus

Info

Publication number: JP4336340B2
Application number: JP2005312335A
Authority: JP
Inventors: 篤高田; 良衛金子; 雅一高津; 奈津子池田
Original assignee: Nano TEM Co Ltd
Current assignee: Nano TEM Co Ltd
Priority date: 2005-10-27
Filing date: 2005-10-27
Publication date: 2009-09-30
Anticipated expiration: 2025-10-27
Also published as: JP2007118120A

Description

本発明は、被加工物の表面を研磨加工するための研磨技術に関し、特に平板状の被加工物の肉厚を薄くしつつ表面を鏡面仕上げする場合に適用して好適な研磨技術に関する。 The present invention relates to a polishing technique for polishing a surface of a workpiece, and more particularly to a polishing technique suitable for application to mirror finishing of a surface while reducing the thickness of a flat plate-like workpiece.

ＩＣやＬＳＩ等の半導体装置は、シリコン単結晶インゴットを切断機により切断して板状のシリコンウエハを形成し、シリコンウエハを基板（サブストレート）としてその表面に絶縁膜、半導体膜および金属膜等を積層して回路パターンを形成することにより製造されている。切断機においてはダイヤモンドカッターやワイヤソー等によりインゴットを切断しており、切断時にはシリコンウエハが破損しないようにするとともに、切断後のシリコンウエハの表面を鏡面仕上げするための研磨代を含めるため、半導体装置つまり半導体デバイスとして必要な厚み以上の板厚でシリコンウエハをインゴットから切断する必要がある。したがって、インゴットから切り出されたシリコンウエハは、表面を鏡面仕上げするとともに板厚を薄くするために研磨加工されている。 A semiconductor device such as an IC or LSI cuts a silicon single crystal ingot with a cutting machine to form a plate-like silicon wafer, and uses the silicon wafer as a substrate (substrate) on its surface, an insulating film, a semiconductor film, a metal film, etc. Are laminated to form a circuit pattern. In the cutting machine, the ingot is cut with a diamond cutter, a wire saw, etc., so that the silicon wafer is not damaged at the time of cutting, and the semiconductor device includes a polishing allowance for mirror finishing the surface of the silicon wafer after cutting. That is, it is necessary to cut the silicon wafer from the ingot with a thickness greater than that required for a semiconductor device. Therefore, the silicon wafer cut out from the ingot is polished in order to mirror-finish the surface and reduce the plate thickness.

また、シリコンウエハの表面に回路パターンを形成するためには、シリコンウエハは酸化膜処理、リソグラフィー処理、およびイオン注入処理等の多数の処理プロセスにおいてシリコンウエハは所定の処理が行われており、これらの処理プロセスにおいてシリコンウエハが熱変形しないようにするために、半導体デバイスとして必要な厚み以上の板厚でシリコンウエハをそれぞれの処理プロセスに搬送するようにしている。したがって、表面に回路パターンが形成された後には、シリコンウエハの板厚を薄くするために裏面を研磨加工している。 In addition, in order to form a circuit pattern on the surface of a silicon wafer, the silicon wafer is subjected to predetermined processing in a number of processing processes such as oxide film processing, lithography processing, and ion implantation processing. In order to prevent the silicon wafer from being thermally deformed in this processing process, the silicon wafer is transported to each processing process with a thickness greater than that required for the semiconductor device. Therefore, after the circuit pattern is formed on the front surface, the back surface is polished to reduce the thickness of the silicon wafer.

シリコンウエハ等のような脆性材料を砥石により回路形成前のシリコンウエハの表面を研磨加工したり、回路形成後のシリコンウエハの裏面を研磨加工したりするには、砥石によるシリコンウエハに対する押し付け力を大きくすると、シリコンウエハが破損することになるとともにシリコンウエハの内部に加工歪みが発生するので、押し付け力を大きくすることができず、押し付け力を大きくすることなく研磨加工を行う必要がある。このため、シリコンウエハを研磨加工するには、加工時間を長くする必要があり、研磨加工効率を向上させることが困難であった。 To grind the surface of a silicon wafer before circuit formation with a grindstone, such as a silicon wafer, or to polish the back surface of a silicon wafer after circuit formation, press the silicon wafer against the silicon wafer. If it is increased, the silicon wafer is damaged and processing distortion occurs inside the silicon wafer. Therefore, the pressing force cannot be increased, and it is necessary to perform polishing without increasing the pressing force. For this reason, in order to polish the silicon wafer, it is necessary to lengthen the processing time, and it is difficult to improve the polishing efficiency.

同様に、ガラス製のハードディスクを製造する場合には、ガラス製のサブストレートの表面に磁気記憶層を形成するようにしており、磁気記憶層を形成する前にはガラス製のサブストレートの表面を研磨加工しており、さらに、サファイヤをサブストレートとしてその表面にダイオード等の電子回路を積層形成する場合には、サファイヤ製の板材を研磨加工している。これらの脆性材料からなるサブストレートを研磨加工するには、砥石によりサブストレートに対して大きな押し付け力を加えることなく、研磨加工量を高めることができれば、短時間でサブストレートの加工を行うことができる。 Similarly, when manufacturing a hard disk made of glass, a magnetic storage layer is formed on the surface of the glass substrate. Before forming the magnetic storage layer, the surface of the glass substrate is In addition, when a sapphire is used as a substrate and an electronic circuit such as a diode is laminated on the surface thereof, a sapphire plate is polished. In order to polish a substrate made of these brittle materials, the substrate can be processed in a short time if the polishing amount can be increased without applying a large pressing force to the substrate with a grindstone. it can.

本発明の目的は、被加工物の表面を短時間で効率的に研磨加工を行うことができるようにすることにある。 An object of the present invention is to enable efficient polishing of the surface of a workpiece in a short time.

本発明の他の目的は、被加工物に対して砥石から大きな押し付け力を加えることなく、効率的に研磨加工を行うことができるようにすることにある。 Another object of the present invention is to enable efficient polishing without applying a large pressing force from the grindstone to the workpiece.

本発明の研磨方法は、被加工物の被加工面に粉粒体を吹き付けて前記被加工面を微細な凹凸を有する粗面にブラスト加工するブラスト工程と、前記ブラスト工程により粗面に加工された後の被加工面を砥石により研磨加工する研磨工程とを有し、前記ブラスト工程と前記研磨工程とを複数回繰り返し前記研磨工程により研磨加工しつつ前記被加工面を鏡面に仕上げることを特徴とする。 The polishing method of the present invention includes a blasting process in which a granular material is sprayed on a processed surface of a workpiece to blast the processed surface into a rough surface having fine irregularities, and the roughened surface is processed by the blasting process. the surface to be processed have a polishing step of polishing the grindstone after, characterized by finishing the workpiece surface to a mirror surface while polished by the polishing step is repeated a plurality of times and the polishing step and the blast process And

本発明の研磨方法は、回転する被加工物の被加工面の一部を粗面にブラスト加工すると同時に前記被加工面の他の一部を研磨加工し、被加工物の回転によりブラスト加工と研磨加工とを連続的に繰り返すことを特徴とする。 The polishing method of the present invention, polished another part of the same time the surface to be processed when blasting part roughening of the surface to be processed of the workpiece to be rotating, blasting by the rotation of the workpiece And polishing process are continuously repeated.

本発明の研磨装置は、被加工物を支持して回転させるワーク支持台と、前記ワーク支持台に対向する加工台に設けられ、前記被加工物の被加工面に粉粒体を吹き付けて前記被加工面を微細な凹凸を有する粗面にブラスト加工するブラスト加工機と、前記加工台に回転自在に設けられた砥石を備え、前記粗面に加工された後の前記被加工面を研磨加工する研磨加工機とを有し、前記被加工面に対する前記ブラスト加工機によるブラスト加工と前記研磨加工機による研磨加工とを複数回繰り返し、前記研磨加工機により前記被加工面を鏡面に仕上げることを特徴とする。 The polishing apparatus of the present invention is provided on a workpiece support table that supports and rotates a workpiece, and a workpiece table that faces the workpiece support table, and sprays powder particles on the workpiece surface of the workpiece. A blasting machine for blasting a processed surface into a rough surface having fine irregularities, and a grindstone provided rotatably on the processing table, and polishing the processed surface after being processed into the rough surface grinding machine and has the a polishing by blasting and before Symbol Migaku Ken machine according to the blasting machine against the work surface is repeated a plurality of times, finish the surface to be processed to a mirror surface by the grinding machine to It is characterized by that.

本発明の研磨装置は、前記ワーク支持台を前記ブラスト加工機と前記研磨加工機との間を移動自在とし、前記ワーク支持台を移動させて前記ブラスト加工機により粗面に加工された前記被加工面に前記研磨加工機により研磨加工し、ブラスト加工及び研磨加工を連続的に行うことを特徴とする。 In the polishing apparatus according to the present invention, the workpiece support table is movable between the blasting machine and the polishing machine, the workpiece support table is moved, and the workpiece is processed into a rough surface by the blasting machine. polished by pre Symbol grinding machine on the processed surface, and carrying out blasting and polishing continuously.

本発明の研磨装置は、前記ブラスト加工機に対向する位置に前記被加工物を対向させるブラスト加工ステージと、前記研磨加工機に前記被加工物を対向させる研磨加工ステージとを前記ワーク支持台に設け、別々の被加工物に前記ブラスト加工ステージでブラスト加工すると同時に前記研磨加工ステージで研磨加工し、前記ブラストステージで前記ブラスト加工機により粗面に加工された被加工物を前記研磨ステージで前記研磨加工機により研磨加工し、ブラスト加工及び研磨加工を連続的に行うことを特徴とする。 In the polishing apparatus of the present invention, a blasting stage that opposes the workpiece to a position facing the blasting machine and a polishing stage that opposes the workpiece to the polishing machine are provided on the work support base. And blasting the separate workpieces with the blasting stage and simultaneously polishing with the polishing stage, and the workpieces processed into a rough surface with the blasting machine with the blasting stage with the polishing stage. grinding machine by Ri and Migaku Ken processed into, and performing blasting and polishing continuously.

本発明の研磨装置は、被加工物の一部を粗面にブラスト加工するブラスト加工機と、ブラスト加工と同時に被加工物の他の一部を研磨加工する研磨加工機とを加工台に設け、被加工物の回転に伴って前記ブラスト加工機により粗面に加工された部分を前記研磨加工機により研磨加工し、被加工物の回転により粗面加工と研磨加工とを連続的に繰り返すことを特徴とする。 The polishing apparatus of the present invention is provided with a blasting machine for blasting a part of the workpiece into a rough surface and a polishing machine for polishing the other part of the workpiece simultaneously with the blasting. The portion processed into a rough surface by the blast processing machine with the rotation of the workpiece is polished by the polishing processing machine, and the rough surface processing and the polishing processing are continuously repeated by the rotation of the workpiece. It is characterized by.

本発明によれば、被加工物の被加工面を、これに粉粒体を吹き付けて砥石加工面の表面荒さよりも粗い粗面にブラスト加工した後に、砥石により研磨加工するので、研磨加工時には被加工物に対して大きな押し付け力を加えることなく、短時間で大きな研磨量で被加工面を研磨加工することができる。研磨量が多い場合には、ブラスト加工と研磨加工とを複数回繰り返すことにより、短時間で所定の研磨加工を行うことができる。 According to the present invention, the work surface of the work piece is polished by a grindstone after blasting to a rough surface that is rougher than the surface roughness of the grindstone work surface by spraying powder particles on the work surface. The surface to be processed can be polished with a large polishing amount in a short time without applying a large pressing force to the workpiece. When the amount of polishing is large, a predetermined polishing process can be performed in a short time by repeating the blasting process and the polishing process a plurality of times.

本発明によれば、シリコンウエハ等の脆性材料からなる板状の被加工物の厚みを薄く研磨加工するとともに表面を鏡面に仕上げる場合に、被加工物には砥石から大きな押し付け力を加えることがないので、被加工物の内部に歪みを発生させることなく、効率的に研磨加工を行うことができる。 According to the present invention, when a plate-like workpiece made of a brittle material such as a silicon wafer is thinly polished and the surface is mirror-finished, a large pressing force can be applied to the workpiece from a grindstone. Therefore, the polishing process can be efficiently performed without generating distortion in the workpiece.

本発明によれば、加工台に設けられたブラスト加工機と研磨加工機とにワーク支持台により被加工物を移動させて１つの被加工物に対して連続的にブラスト加工と研磨加工とを行うようにしても良い。また、ブラスト加工機に対応させて被加工物を支持するブラスト加工ステージと、研磨加工機に対応させて被加工物を支持する研磨加工ステージとをワーク支持台に設けることにより、別々の被加工物に対して同時にブラスト加工と研磨加工とを行うことができる。さらに、１つの被加工物の被加工面の一部をブラスト加工し、他の一部を研磨加工することにより、１つの被加工物を同時にブラスト加工と研磨加工とを行うことができる。 According to the present invention, a workpiece is moved by a work support table to a blasting machine and a polishing machine provided on a machining table, and blasting and polishing are continuously performed on one workpiece. You may make it do. In addition, by providing a workpiece support base with a blasting stage for supporting a workpiece corresponding to a blasting machine and a polishing stage for supporting a workpiece corresponding to a polishing machine, separate workpieces can be processed. Blasting and polishing can be simultaneously performed on an object. Furthermore, by blasting a part of the processing surface of one workpiece and polishing the other part, one workpiece can be blasted and polished simultaneously.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の一実施の形態である研磨装置を示す側面図であり、図２（Ａ）（Ｂ）はそれぞれ図１の研磨装置の正面図であり、図２（Ａ）は被加工物をブラスト加工している状態を示し、図２（Ｂ）は被加工物を研磨加工している状態を示す。図３（Ａ）は図２（Ａ）の概略平面図であり、図３（Ｂ）は図２（Ｂ）の概略平面図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a side view showing a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIGS. 2A and 2B are front views of the polishing apparatus in FIG. 1, respectively, and FIG. FIG. 2B shows a state where the workpiece is being blasted, and FIG. 2B shows a state where the workpiece is being polished. 3 (A) is a schematic plan view of FIG. 2 (A), and FIG. 3 (B) is a schematic plan view of FIG. 2 (B).

図示する研磨装置１０は、図１に示すように、加工台１１とこの加工台１１に支持コラム１２を介して取り付けられるワーク支持台１３とを有している。図２に示すように、加工台１１にはブラスト加工機１４と研磨加工機１５とが隣り合って設けられている。ワーク支持台１３にはワーク回転シャフト１６が上下方向（Ｚ方向）に移動自在に装着され、ワーク回転シャフト１６は図示しないモータに連結されて符号Ｒ１で示すように回転自在となっている。ワーク回転シャフト１６には被加工物Ｗを支持するチャック１７が設けられており、被加工物Ｗはチャック１７により支持されてワーク回転シャフト１６により回転駆動される。チャック１７は被加工物Ｗを吸着して保持するバキュームチャックとなっている。 As shown in FIG. 1, the illustrated polishing apparatus 10 includes a processing table 11 and a work support table 13 attached to the processing table 11 via a support column 12. As shown in FIG. 2, the processing table 11 is provided with a blasting machine 14 and a polishing machine 15 adjacent to each other. A workpiece rotation shaft 16 is mounted on the workpiece support 13 so as to be movable in the vertical direction (Z direction). The workpiece rotation shaft 16 is connected to a motor (not shown) and is rotatable as indicated by reference numeral R1. The workpiece rotating shaft 16 is provided with a chuck 17 that supports the workpiece W. The workpiece W is supported by the chuck 17 and is driven to rotate by the workpiece rotating shaft 16. The chuck 17 is a vacuum chuck that sucks and holds the workpiece W.

ワーク支持台１３は支持コラム１２に水平方向に固定されたガイドレール１８に沿って水平方向（Ｘ方向）に移動自在に装着されており、図２（Ａ）に示すように、ワーク支持台１３をブラスト加工機１４に対向させる位置に移動させると、被加工物Ｗの被加工面Ｓはブラスト加工機１４に対向し、図２（Ｂ）に示すように、ワーク支持台１３を研磨加工機１５に対向させると被加工物Ｗの被加工面Ｓは研磨加工機１５に対向する。このように、ブラスト加工機１４と研磨加工機１５はワーク支持台１３の移動によりそれぞれワーク支持台１３に対向するようになっている。 The work support 13 is mounted so as to be movable in the horizontal direction (X direction) along a guide rail 18 fixed to the support column 12 in the horizontal direction. As shown in FIG. Is moved to a position facing the blasting machine 14, the work surface S of the workpiece W faces the blasting machine 14, and the workpiece support 13 is moved to the polishing machine as shown in FIG. When facing 15, the work surface S of the work piece W faces the polishing machine 15. As described above, the blasting machine 14 and the polishing machine 15 are opposed to the workpiece support 13 by the movement of the workpiece support 13.

ブラスト加工機１４は、図３に示すように、被加工物Ｗの直径にほぼ対応した長さのスリット状の噴出口２１が設けられたノズル２２を有し、このノズル２２の噴出口２１からは粉粒体が空気とともに被加工物Ｗに向けて噴出され、被加工物Ｗの被加工面Ｓは粉粒体によりブラスト加工され、被加工面は凹凸を有する粗面に加工される。 As shown in FIG. 3, the blasting machine 14 has a nozzle 22 provided with a slit-like jet port 21 having a length substantially corresponding to the diameter of the workpiece W. From the jet port 21 of the nozzle 22, Are blown together with air toward the workpiece W, the workpiece surface S of the workpiece W is blasted by the granules, and the workpiece surface is processed into a rough surface having irregularities.

一方、研磨加工機１５は、図２に示すように、加工台１１には、符号Ｒ２で示すように、回転自在に砥石回転シャフト２３が取り付けられ、この砥石回転シャフト２３の先端に設けられた砥石ホルダー２４には円板形状の砥石２５が取り付けられるようになっている。砥石２５の一方の端面は被加工面Ｓを研磨加工する加工面２６になり、反対面は砥石ホルダー２４に固定される基端面２７になっており、ブラスト加工機１４により粗面に加工された被加工面Ｓは砥石２５により研磨加工される。 On the other hand, as shown in FIG. 2, the grinding machine 15 is provided with a grindstone rotating shaft 23 rotatably attached to the processing table 11 as indicated by reference numeral R <b> 2 and provided at the tip of the grindstone rotating shaft 23. A disc-shaped grindstone 25 is attached to the grindstone holder 24. One end surface of the grindstone 25 is a processing surface 26 for polishing the processing surface S, and the opposite surface is a base end surface 27 fixed to the grindstone holder 24, and is processed into a rough surface by the blast processing machine 14. The work surface S is polished by the grindstone 25.

図１〜図３に示す研磨装置による被加工物Ｗの研磨加工手順について説明すると以下の通りである。 The polishing procedure of the workpiece W by the polishing apparatus shown in FIGS. 1 to 3 will be described as follows.

例えば、表面側に回路パターンが形成されたシリコンウエハを被加工物Ｗとしてこれの裏面側を研磨加工してウエハの厚みを薄くするために裏面側を研磨加工する場合には、図示しないワークローディング装置により被加工物Ｗは裏面側が加工台１１を向くようにチャック１７に装着される。被加工物Ｗがチャック１７に装着されると、図２（Ａ）および図３（Ａ）に示すように、被加工物Ｗがブラスト加工機１４に対向するようにワーク支持台１３はブラスト加工機１４に対向する位置に移動される。この状態のもとで、ワーク回転シャフト１６を回転させながら、ブラスト加工機１４の噴出口２１から粉粒体を空気とともに被加工物Ｗに向けて噴出し、被加工物Ｗの被加工面Ｓを粉粒体によりブラスト加工する。これにより、被加工面Ｓはブラスト加工されて砥石２５の加工面２６の平坦度よりも粗い凹凸を有する粗面に加工される。 For example, when a back surface of a silicon wafer having a circuit pattern formed on the front surface side is processed as a workpiece W and the back surface is polished to reduce the thickness of the wafer, workpiece loading (not shown) is performed. The workpiece W is mounted on the chuck 17 by the apparatus so that the back side faces the processing table 11. When the workpiece W is mounted on the chuck 17, the workpiece support 13 is blasted so that the workpiece W faces the blasting machine 14 as shown in FIGS. 2 (A) and 3 (A). It is moved to a position facing the machine 14. Under this state, while rotating the workpiece rotating shaft 16, the powder and the particles are ejected from the jetting port 21 of the blasting machine 14 together with the air toward the workpiece W, and the workpiece surface S of the workpiece W is processed. Is blasted with powder. Thereby, the to-be-processed surface S is blast-processed and processed into the rough surface which has an unevenness | corrugation rougher than the flatness of the processing surface 26 of the grindstone 25. FIG.

次いで、ワーク支持台１３を被加工物Ｗが研磨加工機１５に対向するように水平方向に移動するとともに被加工物Ｗの被加工面Ｓが砥石２５の加工面２６に接触するまでワーク支持台１３を下降移動させる。この状態のもとで、ワーク回転シャフト１６を回転させながら、砥石２５を回転させることにより、ブラスト加工機１４によりブラスト加工された被加工面Ｓは砥石２５により研磨加工される。研磨加工時には砥石２５と被加工物Ｗとの間には研磨液が供給される。このように、まずブラスト工程により粗面となった被加工面Ｓを砥石２５により研磨加工すると、砥石２５による被加工物Ｗに対する押し付け力を小さくしても、砥石２５の加工面２６の凹凸よりも粗い凹凸面にブラスト加工された被加工面Ｓを研磨加工するので、短時間で迅速に所定の研磨量で研磨加工することができる。しかも、押し付け力を小さくしても研磨加工することができるので、被加工物Ｗの内部に歪みを発生させることなく無歪みの研磨加工を行うことができる。 Next, the workpiece support 13 is moved in the horizontal direction so that the workpiece W faces the polishing machine 15 and the workpiece support surface 13 until the workpiece surface S of the workpiece W contacts the machining surface 26 of the grindstone 25. 13 is moved downward. Under this state, by rotating the grindstone 25 while rotating the workpiece rotating shaft 16, the work surface S blasted by the blasting machine 14 is polished by the grindstone 25. A polishing liquid is supplied between the grindstone 25 and the workpiece W during the polishing process. As described above, when the processed surface S roughened by the blasting process is first polished by the grindstone 25, the unevenness of the processed surface 26 of the grindstone 25 is reduced even if the pressing force of the grindstone 25 against the workpiece W is reduced. In addition, since the processed surface S that has been blasted into a rough concavo-convex surface is polished, it can be quickly polished with a predetermined polishing amount in a short time. In addition, since polishing can be performed even if the pressing force is reduced, distortion-free polishing can be performed without causing distortion in the workpiece W.

被加工物Ｗの被加工面Ｓを研磨加工により加工する量が多い場合には、ブラスト工程と研磨工程とを複数回繰り返すことにより、短時間で所望の厚みまで被加工物Ｗの厚みを薄くすることができる。繰り返す回数は研磨加工により除去する寸法によって任意に設定される。 When the amount of the workpiece surface S of the workpiece W to be processed by polishing is large, the thickness of the workpiece W is reduced to a desired thickness in a short time by repeating the blasting step and the polishing step a plurality of times. can do. The number of repetitions is arbitrarily set according to the size to be removed by polishing.

砥石２５は砥粒と砥粒相互を連結する結合材とにより形成され、内部には微細な気孔が形成された多孔質体となっている。このように、砥石は硬質の粒子つまり砥粒を結合材で固めて形成される工具であり、砥石を用いた加工には、研削加工と研磨加工とがあり、習慣的には荒加工は研削加工と言われ、仕上げ加工は研磨加工と言われている。これらの加工は、砥石を被加工物に押し付けた状態のもとで砥石と被加工物とを相対的に移動させることによって被加工面を砥粒により多数の切りくずとして削り取る加工であって、両者は機能的には同義でありこの明細書では両者を含めて研磨加工と言い、研磨加工には砥石と被加工物との間に研磨液を供給する場合と研磨液を供給しない場合があるが、図示する場合には研磨液を供給するようにしている。 The grindstone 25 is formed of abrasive grains and a binder that connects the abrasive grains, and is a porous body having fine pores formed therein. In this way, a grindstone is a tool formed by solidifying hard particles, that is, abrasive grains, with a binder, and there are two types of grinding using grinding and polishing, and customarily roughing is grinding. The finishing process is said to be a polishing process. These processes are processes to scrape the processed surface as a number of chips with abrasive grains by relatively moving the grindstone and the workpiece under a state in which the grindstone is pressed against the workpiece, The two are functionally synonymous, and in this specification, both are referred to as a polishing process. The polishing process may or may not supply a polishing liquid between a grindstone and a workpiece. However, in the illustrated case, the polishing liquid is supplied.

図４は図１〜図３に示された砥石２５の断面図であり、図５は図４の一部拡大断面図であり、図６は図４における６−６線に沿う断面図である。 4 is a cross-sectional view of the grindstone 25 shown in FIGS. 1 to 3, FIG. 5 is a partially enlarged cross-sectional view of FIG. 4, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line 6-6 in FIG. .

砥石２５は、図５に示すように、加工面２６から所定の厚みｔの部分が研磨層３１であり、その下側の部分が砥石基部３２であり、砥石基部３２の厚み寸法はＴとなっている。砥石基部３２には図６に示すように同心円状に複数の流体流路３３が形成され、それぞれの流体流路３３を相互に連通させるためにそれぞれの流体流路３３に対して厚み方向に基端面２７側にずらして放射状に複数の流体流路３４が形成されている。さらにそれぞれの流体流路３４に連通する給排口３５が砥石基部３２の径方向中央部に外部に開口して形成されており、砥石２５を砥石ホルダー２４に取り付けると、砥石ホルダー２４に形成された流体流路３６に給排口３５が対向して連通するようになっている。したがって、それぞれの流体流路３３は流体流路３４および給排口３５を介して流体流路３６に連通する。 As shown in FIG. 5, the grindstone 25 has a polishing layer 31 at a portion having a predetermined thickness t from the processing surface 26, a grindstone base 32 at a lower portion thereof, and the thickness dimension of the grindstone base 32 is T. ing. As shown in FIG. 6, a plurality of fluid flow paths 33 are concentrically formed in the grindstone base portion 32, and in order to communicate the fluid flow paths 33 with each other, the fluid flow paths 33 are based on the thickness direction. A plurality of fluid flow paths 34 are formed radially so as to be shifted toward the end face 27 side. Further, a supply / discharge port 35 communicating with each fluid passage 34 is formed to open to the outside in the radial center of the grindstone base 32, and when the grindstone 25 is attached to the grindstone holder 24, it is formed in the grindstone holder 24. The supply / discharge port 35 is opposed to and communicates with the fluid flow path 36. Accordingly, each fluid channel 33 communicates with the fluid channel 36 via the fluid channel 34 and the supply / discharge port 35.

研磨層３１の厚みｔの部分と砥石基部３２のうち流体流路３３が形成された厚みｔ１の部分は、気孔が連通した開気孔(open pore)構造の多孔質体となっており、他の部分は気孔が閉じられた閉気孔(close pore)構造の多孔質体となっている。開気孔構造の多孔質体における気孔率は２０％以下であり、開気孔構造の多孔質体における気孔率は２０〜６０％となっている。このように、砥石基部３２の基端面２７側は閉気孔構造となっているので、流体流路３６から研磨液等の加圧流体を供給すると、閉気孔構造の砥石基部３２の外周面からは加圧流体は漏出することなく、開気孔構造の研磨層３１を加圧流体が透過して加圧流体は加工面２６に供給される。一方、流体流路３６に負圧供給源を連通させると、砥石基部３２の外周面からは外部の流体が浸入することなく、加工面２６に供給された研磨液は開気孔構造の研磨層３１を透過して給排口３５から排出される。ただし、砥石２５全体を開気孔構造の多孔質体により形成し、砥石２５のうち加工面２６以外の外面つまり基端面２７と外周面とを封孔処理し、これらの面からの流体の漏出と流入とを防止するようにしても良い。 The portion of the polishing layer 31 having a thickness t and the portion of the grinding wheel base 32 having the thickness t1 where the fluid flow path 33 is formed are porous bodies having an open pore structure in which pores communicate with each other. The part is a porous body having a closed pore structure in which the pores are closed. The porosity of the porous body having an open pore structure is 20% or less, and the porosity of the porous body having an open pore structure is 20 to 60%. Thus, since the base end surface 27 side of the grindstone base 32 has a closed pore structure, when a pressurized fluid such as a polishing liquid is supplied from the fluid flow path 36, the outer peripheral surface of the grindstone base 32 having the closed pore structure is used. The pressurized fluid passes through the polishing layer 31 having an open pore structure without leaking the pressurized fluid, and the pressurized fluid is supplied to the processing surface 26. On the other hand, when a negative pressure supply source is communicated with the fluid flow path 36, the external fluid does not enter from the outer peripheral surface of the grindstone base 32, and the polishing liquid supplied to the processing surface 26 is a polishing layer 31 having an open pore structure. And is discharged from the supply / discharge port 35. However, the entire grindstone 25 is formed of a porous body having an open pore structure, and the outer surface of the grindstone 25 other than the processing surface 26, that is, the base end surface 27 and the outer peripheral surface are sealed, and fluid leakage from these surfaces Inflow may be prevented.

図４に示すように、砥石２５は砥石ホルダー２４を介して研磨装置の砥石回転シャフト２３に取り付けられるようになっており、砥石回転シャフト２３を駆動する図示しないモータにより砥石２５は砥石ホルダー２４を介して回転駆動される。砥石回転シャフト２３に形成された流体案内流路３７は、ロータリジョイント３８を介して真空ポンプ４１に接続され、真空ポンプ４１とロータリジョイント３８とを接続する流体案内流路４２ａには流路開閉弁４３ａと圧力調整弁４４ａとが取り付けられている。したがって、流路開閉弁４３ａを開いた状態のもとで真空ポンプ４１を作動させると、研磨層３１の気孔は、流体案内流路３７を介して真空ポンプ４１に連通して大気圧よりも低い真空状態つまり負圧状態となり、砥石２５の加工面２６には外部から気孔内に周囲空気や液体が流入することになる。 As shown in FIG. 4, the grindstone 25 is attached to the grindstone rotating shaft 23 of the polishing apparatus via the grindstone holder 24, and the grindstone 25 moves the grindstone holder 24 by a motor (not shown) that drives the grindstone rotating shaft 23. It is rotationally driven through. A fluid guide channel 37 formed on the grindstone rotating shaft 23 is connected to a vacuum pump 41 via a rotary joint 38, and a channel opening / closing valve is connected to the fluid guide channel 42 a connecting the vacuum pump 41 and the rotary joint 38. 43a and a pressure regulating valve 44a are attached. Therefore, when the vacuum pump 41 is operated with the flow path opening / closing valve 43a opened, the pores of the polishing layer 31 communicate with the vacuum pump 41 via the fluid guide flow path 37 and are lower than the atmospheric pressure. A vacuum state, that is, a negative pressure state occurs, and ambient air or liquid flows into the pores from the outside on the processing surface 26 of the grindstone 25.

ロータリジョイント３８には加圧ポンプ４５が接続され、加圧ポンプ４５とロータリジョイント３８とを接続する流体案内流路４２ｂには流路開閉弁４３ｂと圧力調整弁４４ｂとが取り付けられている。加圧ポンプ４５は容器４６内に収容された研磨液等の液体を加圧して吐出し、流路開閉弁４３ｂを開いた状態のもとで加圧ポンプ４５を作動させると、液体が流体案内流路３７を介して研磨層３１の気孔内に入り込んで加工面２６から流出することになる。 A pressure pump 45 is connected to the rotary joint 38, and a flow path opening / closing valve 43b and a pressure adjusting valve 44b are attached to the fluid guide flow path 42b connecting the pressure pump 45 and the rotary joint 38. The pressurizing pump 45 pressurizes and discharges a liquid such as polishing liquid contained in the container 46, and when the pressurizing pump 45 is operated with the flow path opening / closing valve 43b opened, the liquid is guided to the fluid. It enters the pores of the polishing layer 31 through the flow path 37 and flows out of the processing surface 26.

ワーク回転シャフト１６に設けられたチャック１７は、複数の吸気孔４７形成されたチャック板４８を有し、バキュームチャックとなっている。それぞれの吸気孔４７に連通する真空流路４９がワーク回転シャフト１６に形成されており、真空流路４９はロータリジョイント５０を介して真空ポンプ５１に接続され、真空ポンプ５１とロータリジョイント５０とを接続する真空供給路５２には流路開閉弁５３が取り付けられている。したがって、真空ポンプ５１を作動させて真空流路４９を大気圧よりも低い圧力にすると、吸気孔４７内に外部空気が流入して被加工物Ｗはチャック１７に真空吸着されて保持される。 The chuck 17 provided on the workpiece rotating shaft 16 has a chuck plate 48 formed with a plurality of intake holes 47, and is a vacuum chuck. A vacuum channel 49 communicating with each intake hole 47 is formed in the work rotation shaft 16, and the vacuum channel 49 is connected to the vacuum pump 51 via the rotary joint 50, and the vacuum pump 51 and the rotary joint 50 are connected to each other. A flow path opening / closing valve 53 is attached to the vacuum supply path 52 to be connected. Therefore, when the vacuum pump 51 is operated to set the vacuum flow path 49 to a pressure lower than the atmospheric pressure, external air flows into the intake hole 47 and the workpiece W is vacuum-adsorbed and held on the chuck 17.

図６に示すように、それぞれの流体流路３３は、径方向に等ピッチとなって形成され、加工面２６に沿う平面に分散して形成されているので、給排口３５から研磨液等の加圧流体を供給すると加工面２６全体から加圧流体が流出し、被加工物Ｗの被加工面Ｓと砥石２５の加工面２６との間には研磨液等の流体の流れが生成される。一方、給排口３５から負圧流体を供給すると加工面２６全体から外部の流体が研磨層３１内に浸入することになり、被加工物Ｗの被加工面Ｓと砥石２５の加工面２６との間には外部空気や研磨液等の流体の流れが生成される。 As shown in FIG. 6, the respective fluid flow paths 33 are formed at equal pitches in the radial direction and are formed in a distributed manner on a plane along the processing surface 26. When the pressurized fluid is supplied, the pressurized fluid flows out from the entire processing surface 26, and a fluid flow such as a polishing liquid is generated between the processing surface S of the workpiece W and the processing surface 26 of the grindstone 25. The On the other hand, when a negative pressure fluid is supplied from the supply / discharge port 35, an external fluid enters the polishing layer 31 from the entire processing surface 26, and the processing surface S of the workpiece W and the processing surface 26 of the grindstone 25. In between, a flow of fluid such as external air or polishing liquid is generated.

なお、流体流路３３の形状としては、図６に示すような同心円状に限られず、渦巻き状に連なった形状としても良く、格子状としても良い。渦巻き状ないし格子状に流体流路３３を形成すると、流体流路３３は全体的に連なった形状となるので、流体流路３４を設けることなく、流体流路３３に直接給排口３５を連通させることができる。 Note that the shape of the fluid flow path 33 is not limited to the concentric shape as shown in FIG. 6, and may be a spiral shape or a lattice shape. When the fluid flow path 33 is formed in a spiral shape or a lattice shape, the fluid flow path 33 has an overall continuous shape. Therefore, the supply / exhaust port 35 is directly connected to the fluid flow path 33 without providing the fluid flow path 34. Can be made.

砥石２５を構成する砥粒としては、ダイヤモンドつまりダイヤモンド砥粒が使用されており、その平均粒径は０．１〜３００μｍとなっている。ただし、ダイヤモンドに代えて、立方晶窒化ホウ素(CBN)砥粒つまりCBNを使用するようにしても良く、ダイヤモンドとCBNとの混合物を使用するようにしても良く、さらには、炭化ケイ素SiCつまりGC、ムライト(3Al₂O₃-2SiO₂)、または溶融アルミナAl₂O₃つまりWAの単体或いはこれらの混合体を使用するようにしても良い。砥石２５を構成する結合材としては、ビトリファイドボンドが使用されているが、それぞれの結合材としてはビトリファイドボンド以外に、レジノイドボンド、メタルボンド、電着ボンドなど種々のボンド材を使用することができる。 As the abrasive grains constituting the grindstone 25, diamond, that is, diamond abrasive grains, is used, and the average particle diameter is 0.1 to 300 μm. However, instead of diamond, cubic boron nitride (CBN) abrasive grains or CBN may be used, a mixture of diamond and CBN may be used, and silicon carbide SiC or GC. , Mullite (3Al ₂ O ₃ -2SiO ₂ ), or molten alumina Al ₂ O _3, that is, WA alone or a mixture thereof may be used. Vitrified bonds are used as the binding material constituting the grindstone 25, but various bonding materials such as resinoid bonds, metal bonds, and electrodeposition bonds can be used as the respective binding materials in addition to vitrified bonds. .

図７は本発明の他の実施の形態である研磨装置１０ａを示す側面図であり、図８は図７に示された加工台を示す平面図である。なお、図７および図８においては、上記研磨装置１０を構成する部材と共通する機能を有する部材には同一の符号が付されている。 FIG. 7 is a side view showing a polishing apparatus 10a according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a plan view showing a processing table shown in FIG. 7 and 8, members having the same function as the members constituting the polishing apparatus 10 are denoted by the same reference numerals.

図７に示すように、この研磨装置１０ａは、図１〜図３に示した研磨装置１０では加工台１１の上側にワーク支持台１３が設けられているのに対し、ワーク支持台１３の上側に加工台１１が設けられている。加工台１１には上述した研磨装置１０と同様に、ブラスト加工機１４と研磨加工機１５とが隣り合って設けられており、図７に示す場合にはブラスト加工機１４と研磨加工機１５とが加工台１１の下側に設けられている。 As shown in FIG. 7, the polishing apparatus 10 a has an upper side of the work support base 13, whereas the polishing apparatus 10 shown in FIGS. 1 to 3 is provided with a work support base 13 on the upper side of the processing base 11. Is provided with a processing table 11. As in the polishing apparatus 10 described above, a blasting machine 14 and a polishing machine 15 are provided adjacent to each other on the processing table 11. In the case shown in FIG. Is provided below the processing table 11.

ワーク支持台１３には、割り出し回転体５５が回転自在に設けられており、この割り出し回転体５５には回転方向９０度毎に４つのワーク回転シャフト１６が設けられ、それぞれのワーク回転シャフト１６の先端には被加工物Ｗをそれぞれ支持するチャック１７が設けられている。この割り出し回転体５５を図８において矢印Ｒ３で示す方向に回転させるとすると、割り出し回転体５５のうち、ブラスト加工機１４に被加工物Ｗを対向させる位置がブラスト加工ステージ５６になり、研磨加工機１５に被加工物Ｗを対向させる位置が研磨加工ステージ５７になり、他の２つはアイドルステージ５８，５９になる。このように、ワーク支持台１３にはブラスト加工ステージ５６と研磨加工ステージ５７とが設けられているので、別々の被加工物Ｗにブラスト加工ステージ５６でのブラスト加工と、研磨加工ステージ５７での研磨加工とを同時に行うことができる。さらに、割り出し回転体５５を矢印Ｒ３方向に割り出し回転させると、ブラスト加工ステージ５６で粗面に加工された被加工物Ｗは研磨加工ステージ５７で粗面が研磨加工される。 An indexing rotator 55 is rotatably provided on the workpiece support 13. The indexing rotator 55 is provided with four workpiece rotating shafts 16 every 90 degrees in the rotation direction. A chuck 17 for supporting the workpiece W is provided at the tip. If the indexing rotator 55 is rotated in the direction indicated by the arrow R3 in FIG. 8, the position of the indexing rotator 55 that opposes the workpiece W to the blasting machine 14 is the blasting stage 56, and polishing processing is performed. The position where the workpiece W is opposed to the machine 15 is the polishing stage 57, and the other two are the idle stages 58 and 59. In this way, since the workpiece support 13 is provided with the blasting stage 56 and the polishing stage 57, the blasting on the blasting stage 56 and the polishing stage 57 on different workpieces W are performed. Polishing can be performed simultaneously. Further, when the indexing rotator 55 is indexed and rotated in the direction of the arrow R 3, the workpiece W processed into a rough surface by the blasting stage 56 is polished by the polishing stage 57.

それぞれのステージ５６〜５９に被加工物Ｗを配置した状態で割り出し回転体５５を一方向に回転させると、４枚の被加工物Ｗのうち２枚を同時に加工することができるとともに、ブラスト加工と研磨加工とをそれぞれの被加工物Ｗに対して所定回数繰り返すことができる。所定回数それぞれの加工を繰り返して所定の厚みとなった被加工物Ｗを例えばステージ５９から外部に搬出（アンローディング）し、全ての被加工物Ｗが外部に搬出されたら、ステージ５８から順次それぞれのチャック１７に新たな被加工物Ｗを搬入（ローディング）することができる。 When the indexing rotator 55 is rotated in one direction with the workpieces W arranged on the respective stages 56 to 59, two of the four workpieces W can be simultaneously processed and blasted. And polishing can be repeated a predetermined number of times for each workpiece W. The workpiece W having a predetermined thickness by repeating each machining a predetermined number of times, for example, is unloaded from the stage 59 to the outside (unloading). A new workpiece W can be loaded into the chuck 17.

図９（Ａ）は本発明の更に他の実施の形態である研磨装置１０ｂを示す正面図であり、図９（Ｂ）は図９（Ａ）の加工台１１を示す平面図である。なお、図９においては、上記研磨装置１０，１０ａを構成する部材と共通する機能を有する部材には同一の符号が付されている。この研磨装置１０ｂは、上述した研磨装置１０と同様に、加工台１１には支持コラム１２を介して加工台１１の上方に位置させてワーク支持台１３が配置されている。加工台１１にはブラスト加工機１４と研磨加工機１５とが上記研磨装置１０に示す場合よりも接近して設けられており、ワーク支持台１３のチャック１７に支持された被加工物Ｗはその一部がブラスト加工機１４により粗面にブラスト加工されると同時に被加工物Ｗの他の部分が研磨加工機１５により研磨加工される。したがって、被加工物Ｗをワーク回転シャフト１６により回転させると、ブラスト加工機１４により粗面に加工された被加工面は砥石２５により連続的に研磨加工されることになる。 FIG. 9 (A) is a front view showing a polishing apparatus 10b according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 9 (B) is a plan view showing the processing table 11 of FIG. 9 (A). In FIG. 9, members having the same function as the members constituting the polishing apparatuses 10 and 10 a are denoted by the same reference numerals. In this polishing apparatus 10 b, similarly to the above-described polishing apparatus 10, a work support base 13 is disposed on the processing base 11 via a support column 12 so as to be positioned above the processing base 11. The processing table 11 is provided with a blast processing machine 14 and a polishing processing machine 15 closer to those shown in the polishing apparatus 10, and the workpiece W supported by the chuck 17 of the workpiece support base 13 is A part of the workpiece W is blasted into a rough surface by the blasting machine 14 and the other part of the workpiece W is polished by the polishing machine 15. Therefore, when the workpiece W is rotated by the workpiece rotating shaft 16, the workpiece surface processed into a rough surface by the blast processing machine 14 is continuously polished by the grindstone 25.

上述のように、加工台１１とワーク支持台１３のいずれを上側としても良く、図１および図２に示すように１つの被加工物Ｗをブラスト加工機１４と研磨加工機１５との間で直線往復動させるようにしても良く、図７および図８に示すように複数の被加工物Ｗをワーク支持台１３に支持するようにしてブラスト加工ステージ５６と研磨加工ステージ５７とで同時に別々の被加工物Ｗを加工するようにしても良い。また、図９に示すように、１枚の被加工物Ｗに同時にブラスト加工と研磨加工とを行うようにしても良く、この場合には表裏両面を同時に加工するようにしても良い。さらに、一台の研磨加工機によりブラスト加工と研磨加工とを行うことなく、別々の加工機によりブラスト加工と研磨加工とを行うようにしても良い。 As described above, any one of the processing table 11 and the work support table 13 may be set on the upper side, and one workpiece W is placed between the blasting machine 14 and the polishing machine 15 as shown in FIGS. 7 and FIG. 8, a plurality of workpieces W may be supported on the work support base 13 so that the blasting stage 56 and the polishing stage 57 are separated at the same time. The workpiece W may be processed. In addition, as shown in FIG. 9, blasting and polishing may be simultaneously performed on one workpiece W. In this case, both front and back surfaces may be simultaneously processed. Further, blasting and polishing may be performed by separate processing machines without performing blasting and polishing by one polishing machine.

本発明は前記実施の形態に限定されることなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。例えば、図示する砥石２５は平坦な加工面２６が設けられて平面を研磨加工するためのディスク状の砥石であるが、ディスク状に代えてカップ状ないしリング状に砥石を形成し、その端面を加工面として平面研磨加工を行うようにしても良い。また、被加工物の円筒形状の外周面を加工する円筒研磨加工や、被加工物の円筒形状の内周面を加工する内面研磨加工を行うための砥石にも本発明を適用して、被加工物を研磨加工するようにしても良い。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. For example, the grindstone 25 shown in the figure is a disc-shaped grindstone for polishing a flat surface provided with a flat machining surface 26. Instead of the disc shape, a grindstone is formed in a cup shape or a ring shape, and its end surface is formed. You may make it perform a plane grinding | polishing process as a process surface. The present invention is also applied to a grindstone for processing a cylindrical polishing process for processing a cylindrical outer peripheral surface of a workpiece and an inner polishing process for processing a cylindrical inner peripheral surface of a workpiece. The workpiece may be polished.

本発明の一実施の形態である研磨装置を示す側面図である。1 is a side view showing a polishing apparatus according to an embodiment of the present invention. （Ａ）（Ｂ）はそれぞれ図１の研磨装置の正面図であり、（Ａ）は被加工物をブラスト加工している状態を示し、（Ｂ）は被加工物を研磨加工している状態を示す。(A) and (B) are front views of the polishing apparatus of FIG. 1, respectively (A) shows a state where the workpiece is blasted, and (B) shows a state where the workpiece is polished. Indicates. （Ａ）は図２（Ａ）の概略平面図であり、（Ｂ）は図２（Ｂ）の概略平面図である。2A is a schematic plan view of FIG. 2A, and FIG. 2B is a schematic plan view of FIG. 図１〜図３に示された砥石の断面図である。It is sectional drawing of the grindstone shown by FIGS. 1-3. 図４の一部拡大断面図である。It is a partially expanded sectional view of FIG. 図４における６−６線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the 6-6 line in FIG. 本発明の他の実施の形態である研磨装置を示す側面図である。It is a side view which shows the grinding | polishing apparatus which is other embodiment of this invention. 図７に示された加工台を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing the processing table shown in FIG. 7. （Ａ）は本発明の更に他の実施の形態である研磨装置を示す正面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の加工台を示す平面図である。(A) is a front view which shows the grinding | polishing apparatus which is further another embodiment of this invention, (B) is a top view which shows the processing stand of (A).

Explanation of symbols

１０〜１０ｂ研磨装置
１１加工台
１３ワーク支持台
１４ブラスト加工機
１５研磨加工機
１６ワーク回転シャフト
１７チャック
２１噴出口
２２ノズル
２３砥石回転シャフト
２４砥石ホルダー
２５砥石
２６加工面
２７基端面
３１研磨層
３２砥石基部
３３流体流路
５５割り出し回転体
５６ブラスト加工ステージ
５７研磨加工ステージ 10 to 10b Polishing device 11 Processing base 13 Work support base 14 Blast processing machine 15 Polishing processing machine 16 Work rotating shaft 17 Chuck 21 Jet port 22 Nozzle 23 Grinding wheel rotating shaft 24 Grinding wheel holder 25 Grinding wheel 26 Processing surface 27 Base end surface 31 Polishing layer 32 Wheel base 33 Fluid flow path 55 Indexing rotator 56 Blasting stage 57 Polishing stage

Claims

A blasting step of blasting the processed surface into a rough surface having irregularities by spraying a granular material on the processed surface of the workpiece;
A polishing step of polishing a processed surface with a grindstone after being processed into a rough surface by the blasting step,
A polishing method, wherein the blasting step and the polishing step are repeated a plurality of times, and the surface to be processed is finished into a mirror surface while being polished by the polishing step.

The polishing method according to claim 1,
A part of the processed surface of the rotating workpiece is blasted into a rough surface, and at the same time, another part of the processed surface is polished, and the blasting and the polishing are continuously performed by rotating the workpiece. A polishing method characterized by repeating.

A work support that rotates while supporting the workpiece;
A blasting machine that is provided on a processing table facing the workpiece support table, and blasts the processed surface into a rough surface having concavo-convex parts by spraying a granular material on the processed surface of the workpiece;
A grinding machine provided with a grindstone rotatably provided on the processing table, and polishing the processed surface after being processed into the rough surface;
Wherein the polishing by blasting and before Symbol Migaku Ken machine according to the blasting machine against the work surface is repeated a plurality of times, a polishing apparatus characterized by finishing the workpiece surface to a mirror surface by the polishing machine.

The polishing apparatus according to claim 3, wherein
Wherein the workpiece support is movable between said grinding machine and the blasting machine, said blasting machine by pre Symbol polishing the processed surface of the workpiece is roughened by moving the workpiece support A polishing apparatus characterized by performing polishing by a machine and continuously performing blasting and polishing .

The polishing apparatus according to claim 3, wherein
A blasting stage that opposes the workpiece to a position facing the blasting machine, and a polishing stage that opposes the workpiece to the polishing machine are provided on the workpiece support table, and separate workpieces the blasting stage when blasting and polishing simultaneously the polishing stage, the polishing machine by Ri Research on the workpiece by the polishing stage, which is processed into a rough surface by the blasting machine in the blast stage Polishing apparatus characterized by performing polishing and continuously performing blasting and polishing .

The polishing apparatus according to claim 3, wherein
A blasting machine that blasts a part of the workpiece into a rough surface and a polishing machine that polishes the other part of the workpiece simultaneously with the blasting are provided on the processing table to rotate the workpiece. A polishing apparatus characterized in that a portion processed into a rough surface by the blasting machine is polished by the polishing machine, and blasting and polishing are continuously repeated by rotation of the workpiece.