JP6164924B2 - 検出装置、及び、検出システム - Google Patents
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Description
先ず、図1(a)〜図1(c)を用いて第1の実施形態に係る検出装置について説明する。図1(a)は検出装置を構成する1画素の平面模式図であり、図1(b)は1画素あたりの画素電極の平面模式図であり、図1(c)は図1(a)のA−A’における断面模式図である。なお、図1(a)は、後述する各絶縁層、被覆部材、半導体層、及び、各不純物半導体層は、簡便化の為に省略している。
ここで、CSは変換素子12の容量、RONはTFT13のオン抵抗、Tは要求されるS/N比を満たす画像信号を出力するために駆動回路2が複数の画素11のTFT13を行単位で順次駆動するのに必要な時間である。また、nは複数の画素11の行数、RSは不純物半導体層123及び画素電極からなる部材の抵抗である。ここで、要求されるS/N比とは、変換素子12で生成され得る電荷の量とTFT13の導通によって転送され得る電荷の量の差分、即ち、画素11に残留する電荷の量を変換素子12で生成され得る電荷の量で除算した値の逆数である。なお、図1(c)に示す形態にあっては、不純物半導体層123のシート抵抗は、TFT13のオン抵抗RONの200倍以下であることが好ましい。
次に、図5(a)及び図5(b)を用いて第2の実施形態に係る検出装置について説明する。図5(a)は検出装置を構成する1画素の平面模式図であり、図5(b)は図5(a)のB−B’における断面模式図である。なお、図5(a)では、各絶縁層、被覆部材、半導体層、及び、各不純物半導体層は、簡便化の為に省略している。図5(a)及び図5(b)に示す第2の実施形態では、図1(a)及び図1(c)に示す第1の実施形態に比べて、以下の点で相違する。
次に、図6を用いて第3の実施形態に係る検出装置について説明する。図6は検出装置を構成する1画素の平面模式図である。なお、図6では、各絶縁層、被覆部材、半導体層、及び、各不純物半導体層は、簡便化の為に省略している。図6に示す第3の実施形態では、図1(a)に示す第1の実施形態に比べて、以下の点で相違する。
次に、図7(a)及び図7(b)を用いて第4の実施形態に係る検出装置について説明する。図7(a)は検出装置を構成する1画素の平面模式図であり、図7(b)は図7(a)のC−C’における断面模式図である。なお、図7(a)では、各絶縁層、被覆部材、半導体層、及び、各不純物半導体層は、簡便化の為に省略している。図7(a)及び図7(b)に示す第4の実施形態では、図1(a)及び図1(c)に示す第1の実施形態に比べて、以下の点で相違する。
次に、図8(a)及び図8(b)を用いて第5の実施形態に係る検出装置について説明する。図8(a)は検出装置を構成する1画素の平面模式図であり、図8(b)は図8(a)のC−C’における断面模式図である。なお、図8(a)では、各絶縁層、被覆部材、半導体層、及び、各不純物半導体層は、簡便化の為に省略している。図8(a)及び図8(b)に示す第5の実施形態では、図7(a)及び図7(c)に示す第4の実施形態に比べて、以下の点で相違する。
ここで、S(cm2)は半導体層124の面積、dは半導体層124の厚さ、εr(F cm−1)は半導体層124の比誘電率、ε0(Fcm−1)は真空の比誘電率、V(v)は変換素子12の電圧、q(c)は素電荷である。一方、図4(a)及び図4(b)に示す光源24からの可視光の照射によって変換素子12で発生するフォトキャリアN2は、以下の式(3)で示される。
ここで、Tsは光源24が出射する可視光に対する基板100の透過率、Taは変換素子12と基板100の間の構成物の透過率、Tcは導電層129の透過率、Tiは不純物半導体層123の透過率である。また、ηは半導体層124の内部量子効率、Pはフォトン流束(個・cm−2・S−1)、t(s)は可視光の照射の時間、S0(cm2)は間隙122の面積である。
なお、フォトン流束Pは、光源24が出射する可視光のピーク波長λ(nm)、照度E(lx)、最大視感度Km(lmW−1)、波長λにおける比視感度F、プランク定数h(Js)、光速c(ms−1)から以下の式(5)によって導き出せる。
式(4)及び式(5)より
Tc≧(ε0*εr*S*V*Km*F*h*c)/(d*q*Ts*Ta*Ti*η*t*So*E*λ) ・・・(6)
このような構成により、第1〜4の実施形態に比べて不純物半導体層123と画素電極の密着性は高くなる。また、画素電極のシート抵抗は第1の実施形態に比べて低くできるため、第1の実施形態に比べて間隙122の面積を大きくすることができる。それにより、光源から照射される光の透過率を第1の実施形態に比べて高くすることが可能となり、第1の実施形態に比べて残像がより抑制され得る。なお、導電層129は、薄膜にすると光透過性を有し、ドライエッチングにより加工できる、MoやMoを含む合金,AlやAlを含む合金が望ましい。
次に、図9を用いて、本発明の検出装置を用いた放射線検出システムを説明する。
12 変換素子
13 スイッチ素子
14 電極配線
15 制御配線
16 信号配線
100 基板
120 層間絶縁層
121 被覆部材
122 金属層
122’間隙
123 第1導電型の不純物半導体層
124 半導体層
125 第2導電型の不純物半導体層
126 対向電極
Claims (12)
- 可視光を透過し得る基板と、
前記基板側から順に画素電極と不純物半導体層と半導体層とを有して放射線又は光を電荷に変換する変換素子と、
前記基板を透過して前記半導体層へ可視光を照射するための光源と、
を含む検出装置であって、
前記画素電極は、前記半導体層の正射影と重なる領域内に位置する間隙を備える金属層を含み、
前記基板と前記画素電極との間に配置されたトランジスタと、前記トランジスタに電気的に接続された配線を更に含み、
前記配線は、前記間隙の正射影を含む位置に間隙が備えられていることを特徴とする検出装置。 - 各々が、前記変換素子と、前記画素電極に電気的に接続され前記電荷を転送する前記トランジスタと、を含み、前記基板の上に行列状に配置された複数の画素と、
前記電荷に基づく画像信号を前記複数の画素から出力するために前記複数の画素のトランジスタを行単位で順次駆動する駆動回路と、
を含み、
前記変換素子の容量をCS、前記トランジスタのオン抵抗をRON、要求されるS/N比を満たす前記画像信号を出力するために前記駆動回路が前記複数の画素のトランジスタを行単位で順次駆動するのに必要な時間をT、前記複数の画素の行数をn、前記不純物半導体層及び前記画素電極からなる部材の抵抗をRSとすると、
RS≦T/(n×CS)−RON
を満たすことを特徴とする請求項1に記載の検出装置。 - 前記基板及び前記トランジスタと前記画素電極との間には層間絶縁層が配置されており、
前記層間絶縁層は、前記画素電極と前記トランジスタとを電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられており、
前記コンタクトホールにおいて前記トランジスタと前記画素電極とが電気的に接続されることを特徴とする請求項2に記載の検出装置。 - 前記画素電極は、前記金属層と前記不純物半導体層との間に配置された導電層を更に含み、
前記導電層は、金属材料又は合金材料からなり、前記金属層よりも光透過率が高く、前記金属層と接しており、且つ、前記間隙において前記不純物半導体層と接していることを特徴とする請求項3に記載の検出装置。 - 前記画素電極は、前記金属層と前記層間絶縁層との間に配置された導電層を更に含み、
前記導電層は、前記金属層よりも光透過率が高く、前記金属層と接しており、前記間隙において前記不純物半導体層と接していることを特徴とする請求項3に記載の検出装置。 - 前記導電層は、透明導電性酸化物からなることを特徴とする請求項5に記載の検出装置。
- 前記層間絶縁層の表面を画素電極と覆うように配置された被覆部材を更に有することを特徴とする請求項3〜6のいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記金属層の間隙は、前記コンタクトホールに位置する領域を除いて備えられることを特徴とする請求項3〜7のいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記半導体層は非晶質シリコンからなり、前記不純物半導体層はn型の非晶質シリコンからなることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記変換素子は、前記画素電極と対向して配置された対向電極と、前記半導体層と前記対向電極との間に配置されたp型の非晶質シリコンからなる他の不純物半導体層と、を更に有することを特徴とする請求項9に記載の検出装置。
- 請求項1から10のいずれか1項に記載の検出装置と、
前記検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
を具備する検出システム。 - 前記検出装置に向かって放射線を出射する放射線源を更に含む請求項11に記載の検出システム。
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