JP6160152B2 - Drive circuit - Google Patents

Drive circuit Download PDF

Info

Publication number
JP6160152B2
JP6160152B2 JP2013059279A JP2013059279A JP6160152B2 JP 6160152 B2 JP6160152 B2 JP 6160152B2 JP 2013059279 A JP2013059279 A JP 2013059279A JP 2013059279 A JP2013059279 A JP 2013059279A JP 6160152 B2 JP6160152 B2 JP 6160152B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
input stage
current
terminal
capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013059279A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2014187443A (en
Inventor
正嗣 小倉
正嗣 小倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP2013059279A priority Critical patent/JP6160152B2/en
Publication of JP2014187443A publication Critical patent/JP2014187443A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6160152B2 publication Critical patent/JP6160152B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Description

本発明は、ICの出力に基づいて負荷を駆動するドライブ回路に関する。   The present invention relates to a drive circuit that drives a load based on an output of an IC.

フォトカプラ搭載のIC等からの出力に基づいて負荷を駆動するドライブ回路としては、多段のトランジスタにて構成したものが様々提案されている(例えば特許文献1の第6図等参照)。   Various drive circuits configured with multistage transistors have been proposed as drive circuits for driving a load based on an output from an IC or the like equipped with a photocoupler (see, for example, FIG. 6 of Patent Document 1).

特許第4968487号公報Japanese Patent No. 4968487

上記のようなドライブ回路は、ICの出力に対して個々のトランジスタの応答性が高くなるような回路構成とし、負荷駆動に対する応答性をより向上させるが検討課題の一つとなっている。   The drive circuit as described above has a circuit configuration in which the responsiveness of each transistor is high with respect to the output of the IC and further improves the responsiveness to load driving, which is one of the problems to be studied.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、応答性の向上を図ることができるドライブ回路を提供することにある。   The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a drive circuit capable of improving responsiveness.

上記課題を解決するドライブ回路は、ICの出力に基づいて負荷を駆動するドライブ回路であって、入力バッファを構成する一対の入力段トランジスタと、該トランジスタ間の出力ノードからの出力に基づいて動作する出力段スイッチとを備え、前記ICの出力を受けて前記入力段トランジスタが動作し次いで前記出力段スイッチが動作して前記負荷を駆動するものであり、前記入力段トランジスタの動作速度を第1コンデンサの充放電態様に基づいて変更可能とするその第1コンデンサが前段の抵抗を介して前記入力段トランジスタの制御端子に接続され、その制御端子と前記ICの出力端子とが直接接続されると共に、前記出力段スイッチの出力端子と逆方向には前記入力段トランジスタ間の出力ノードとの間にダイオードを接続し、負荷電流の検出に用いる前記出力段スイッチの出力端子間電圧を含む所定電圧まで第2コンデンサを充電させる充電電流を前記入力段トランジスタ間の出力ノードから得るべく該出力ノードと前記第2コンデンサとが接続されており、前記入力段トランジスタ間の出力ノードは、第2の抵抗を介して前記出力段スイッチの制御端子に接続されているとともに、第4の抵抗を介して前記ダイオードと接続されており、該出力ノードに接続されている前記第4の抵抗と前記第2の抵抗とは並列になっているA drive circuit that solves the above problem is a drive circuit that drives a load based on an output of an IC, and operates based on a pair of input stage transistors that constitute an input buffer and an output from an output node between the transistors. An output stage switch that receives the output of the IC, operates the input stage transistor, and then operates the output stage switch to drive the load. The first capacitor, which can be changed based on the charge / discharge mode of the capacitor, is connected to the control terminal of the input stage transistor via the resistor in the previous stage, and the control terminal and the output terminal of the IC are directly connected. , the output terminal and the reverse direction of the output stage switch to connect a diode between the output node between said input stage transistor, negative The output node and the second capacitor are connected to obtain a charging current for charging the second capacitor to a predetermined voltage including a voltage between the output terminals of the output stage switch used for current detection from the output node between the input stage transistors. The output node between the input stage transistors is connected to the control terminal of the output stage switch via a second resistor, and is connected to the diode via a fourth resistor, The fourth resistor and the second resistor connected to the output node are in parallel .

この構成によれば、ICの出力端子からの出力電流が第1コンデンサの充電以外で分岐経路や抵抗も無く入力段トランジスタの制御端子に直接的に作用することから、入力段トランジスタの制御端子に供給する制御電流が速やかに変化する。また、入力段トランジスタ間の出力ノードからの出力電流の一部は第2コンデンサの充電電流として分岐するが、その出力電流が十分に大きいために分岐の影響は小さく、出力段スイッチの制御端子に供給する制御電流の変化も速やかである。これらにより、入力段トランジスタ及び出力段スイッチの動作速度が敏速となり、負荷駆動に対する応答性が向上する。   According to this configuration, since the output current from the output terminal of the IC directly acts on the control terminal of the input stage transistor without any branch path or resistance other than charging the first capacitor, The supplied control current changes quickly. Also, a part of the output current from the output node between the input stage transistors branches as the charging current of the second capacitor, but the influence of the branch is small because the output current is sufficiently large, and it is connected to the control terminal of the output stage switch. Changes in the supplied control current are also rapid. As a result, the operation speeds of the input stage transistor and the output stage switch become quick, and the response to load driving is improved.

本発明のドライブ回路によれば、応答性の向上を図ることができる。   According to the drive circuit of the present invention, the responsiveness can be improved.

実施形態におけるドライブ回路の回路図である。It is a circuit diagram of the drive circuit in an embodiment. 実施形態の動作を説明するための各所の波形図である。It is a wave form diagram of each place for demonstrating operation | movement of embodiment. 比較例におけるドライブ回路の回路図である。It is a circuit diagram of the drive circuit in a comparative example.

以下、ドライブ回路の一実施形態について説明する。
図1に示すように、ドライブ回路10は、フォトカプラ21や保護回路22等を搭載するハイブリッドIC20に対して用いるドライバ回路であり、該IC20からの出力(出力信号Sa)に基づいて負荷を駆動する。
Hereinafter, an embodiment of the drive circuit will be described.
As shown in FIG. 1, the drive circuit 10 is a driver circuit used for a hybrid IC 20 equipped with a photocoupler 21, a protection circuit 22, and the like, and drives a load based on an output (output signal Sa) from the IC 20. To do.

ドライブ回路10は、入力バッファとして電源線間に直列接続された一対の入力段トランジスタQ1,Q2を備え、プルアップ側の入力段トランジスタQ1にはNPNバイポーラトランジスタが、プルダウン側の入力段トランジスタQ2にはPNPバイポーラトランジスタがそれぞれ用いられている。入力段トランジスタQ1のコレクタ端子はプラス側電源線VCCに、入力段トランジスタQ2のコレクタ端子はマイナス側電源線VEEにそれぞれ接続され、トランジスタQ1,Q2の各エミッタ端子は互いに接続されている。入力段トランジスタQ1,Q2のベース端子(制御端子)は、フォトカプラ搭載のIC20の出力端子T1と接続、本実施形態では抵抗等の他の素子を介さず直接接続されている。また、入力段トランジスタQ1,Q2のベース端子(IC20の出力端子T1)とトランジスタQ2のコレクタ端子(マイナス側電源線VEE)との間には、ベース端子側から順に抵抗R1とコンデンサC1とが直列接続されている。 The drive circuit 10 includes a pair of input stage transistors Q1 and Q2 connected in series between power lines as an input buffer. An NPN bipolar transistor is connected to the pull-up side input stage transistor Q1, and an input stage transistor Q2 is connected to the pull-down side. PNP bipolar transistors are used. The collector terminal of the input stage transistor Q1 to the positive side power supply line V CC, a collector terminal of the input stage transistor Q2 is connected to the negative side power line V EE, the emitter terminals of the transistors Q1, Q2 are connected to each other. The base terminals (control terminals) of the input stage transistors Q1 and Q2 are connected to the output terminal T1 of the IC 20 equipped with a photocoupler, and in this embodiment are directly connected without passing through other elements such as resistors. In addition, a resistor R1 and a capacitor C1 are arranged in order from the base terminal side between the base terminal of the input stage transistors Q1 and Q2 (output terminal T1 of the IC 20) and the collector terminal of the transistor Q2 (minus side power line VEE ) They are connected in series.

入力段トランジスタQ1,Q2のエミッタ端子間のノードN1は、抵抗R2を介して出力段スイッチQ3のゲート端子(制御端子)と接続されている。出力段スイッチQ3は、本実施形態ではMOSFETが用いられるが、IGBT等であってもよい。出力段スイッチQ3のゲート端子とソース端子との間には、抵抗R3が接続されている。   A node N1 between the emitter terminals of the input stage transistors Q1 and Q2 is connected to the gate terminal (control terminal) of the output stage switch Q3 via the resistor R2. The output stage switch Q3 is a MOSFET in this embodiment, but may be an IGBT or the like. A resistor R3 is connected between the gate terminal and the source terminal of the output stage switch Q3.

また、出力段スイッチQ3のドレイン端子と、入力段トランジスタQ1,Q2のエミッタ端子間のノードN1との間には、出力段スイッチQ3が駆動する負荷電流Ioが過電流か否かを検出するための過電流検出回路11が備えられている。   Further, between the drain terminal of the output stage switch Q3 and a node N1 between the emitter terminals of the input stage transistors Q1 and Q2, it is detected whether or not the load current Io driven by the output stage switch Q3 is an overcurrent. The overcurrent detection circuit 11 is provided.

過電流検出回路11は、抵抗R4,R5及び複数のダイオード列Daがこの順で直列接続され、抵抗R4の一端が入力段トランジスタQ1,Q2のエミッタ端子間のノードN1に、最終のダイオード列Daのカソード端子が出力段スイッチQ3のドレイン端子にそれぞれ接続されている。また、抵抗R4,R5間のノードN2とグランド線GNDとの間には、コンデンサC2が接続されている。   In the overcurrent detection circuit 11, resistors R4 and R5 and a plurality of diode arrays Da are connected in series in this order, and one end of the resistor R4 is connected to the node N1 between the emitter terminals of the input stage transistors Q1 and Q2, and the final diode array Da. Are respectively connected to the drain terminal of the output stage switch Q3. A capacitor C2 is connected between the node N2 between the resistors R4 and R5 and the ground line GND.

また、ノードN2は、IC20の検出端子T2と接続されている。IC20内には保護回路22が備えられ、該保護回路22を構成するコンパレータ23の非反転入力端子はその検出端子T2と接続されている。コンパレータ23の反転入力端子には、基準電圧Vrefが入力されている。コンパレータ23は、コンデンサC2の充電電圧(ノードN2の電圧)を検出電圧Vaとして入力し、該検出電圧Vaと基準電圧Vrefとの比較に基づいて負荷電流Ioが過電流かを判定する。そして、コンパレータ23による過電流判定に基づいて、IC20内の保護回路22の動作が通常動作と保護動作のいずれかに切り替えられる。   The node N2 is connected to the detection terminal T2 of the IC 20. The protection circuit 22 is provided in the IC 20, and the non-inverting input terminal of the comparator 23 constituting the protection circuit 22 is connected to the detection terminal T2. A reference voltage Vref is input to the inverting input terminal of the comparator 23. The comparator 23 receives the charging voltage of the capacitor C2 (the voltage at the node N2) as the detection voltage Va, and determines whether the load current Io is an overcurrent based on a comparison between the detection voltage Va and the reference voltage Vref. Based on the overcurrent determination by the comparator 23, the operation of the protection circuit 22 in the IC 20 is switched between the normal operation and the protection operation.

次に、本実施形態のドライブ回路10の動作(作用)を説明する。
IC20は、外部からH・Lレベルの制御信号を受けると、IC20内のフォトカプラ21を介して出力端子T1から出力信号Saを入力段トランジスタQ1,Q2のベース端子に出力する。
Next, the operation (action) of the drive circuit 10 of this embodiment will be described.
When receiving an H / L level control signal from the outside, the IC 20 outputs the output signal Sa from the output terminal T1 to the base terminals of the input stage transistors Q1, Q2 via the photocoupler 21 in the IC 20.

IC20の出力端子T1からの出力信号SaがHレベルになると、入力段トランジスタQ1がオン、入力段トランジスタQ2がオフし、ノードN1の電圧はHレベルとなる。すると、ノードN1の電圧をゲート端子に受ける出力段スイッチQ3はオンし、これにより負荷電流Ioが流れ出す。一方、IC20の出力端子T1からの出力信号SaがLレベルになると、入力段トランジスタQ1がオフ、入力段トランジスタQ2がオンし、ノードN1の電圧はLレベルとなる。すると、ノードN1の電圧をゲート端子に受ける出力段スイッチQ3はオフし、これにより負荷電流Ioは流れない。   When the output signal Sa from the output terminal T1 of the IC 20 becomes H level, the input stage transistor Q1 is turned on, the input stage transistor Q2 is turned off, and the voltage of the node N1 becomes H level. Then, the output stage switch Q3 that receives the voltage of the node N1 at the gate terminal is turned on, whereby the load current Io flows out. On the other hand, when the output signal Sa from the output terminal T1 of the IC 20 becomes L level, the input stage transistor Q1 is turned off, the input stage transistor Q2 is turned on, and the voltage at the node N1 becomes L level. Then, the output stage switch Q3 that receives the voltage of the node N1 at the gate terminal is turned off, so that the load current Io does not flow.

ここで、図3は、比較例におけるドライブ回路10xを示す。このドライブ回路10xでは、コンデンサC1の前段に挿入する抵抗R1がIC20の出力端子T1と入力段トランジスタQ1,Q2のベース端子との間に配置されている。また、過電流検出回路11を構成する抵抗R4の一端の接続先がIC20の出力端子T1に変更されている。つまり、IC20の出力端子T1からの出力信号SaがHレベルで、入力段トランジスタQ1をオン(入力段トランジスタQ2はオフ)、次いで出力段スイッチQ3をオンさせる場合、IC20の出力端子T1から出力される出力電流Iaに着目すると、該出力電流Iaの一部は分岐して検出回路11のコンデンサC2の充電電流Ixとして消失し、残りの電流が抵抗R1を介し更にコンデンサC1の充電後に初めて入力段トランジスタQ1のベース電流Ibとなる構成となっている。   Here, FIG. 3 shows the drive circuit 10x in the comparative example. In this drive circuit 10x, a resistor R1 inserted before the capacitor C1 is disposed between the output terminal T1 of the IC 20 and the base terminals of the input stage transistors Q1 and Q2. Further, the connection destination of one end of the resistor R4 constituting the overcurrent detection circuit 11 is changed to the output terminal T1 of the IC 20. That is, when the output signal Sa from the output terminal T1 of the IC 20 is at the H level, the input stage transistor Q1 is turned on (the input stage transistor Q2 is turned off), and then the output stage switch Q3 is turned on, the output signal T1 is output from the IC 20 Focusing on the output current Ia, a part of the output current Ia branches and disappears as the charging current Ix of the capacitor C2 of the detection circuit 11, and the remaining current is input to the input stage only after the capacitor C1 is further charged through the resistor R1. The base current Ib of the transistor Q1 is configured.

そのため、図3及び図2の一点鎖線で示すように、論理ゲート等を搭載するIC20は出力電流Iaの駆動能力が低いこともあり、入力段トランジスタQ1のベース電流Ibの立ち上がりが緩やかとなり、該トランジスタQ1の出力電流Ic、即ち出力段スイッチQ3のゲート端子に向かうゲート電流Igの立ち上がりも緩やかとなる。結果、出力段スイッチQ3のゲート・ソース間電圧Vgsの立ち上がりも緩やかとなって、該スイッチQ3のオンへの切り替わりが緩慢な動作となる。   Therefore, as shown by the one-dot chain line in FIG. 3 and FIG. 2, the IC 20 mounted with a logic gate or the like may have a low driving capability of the output current Ia, and the rise of the base current Ib of the input stage transistor Q1 becomes gradual. The rise of the output current Ic of the transistor Q1, that is, the gate current Ig directed to the gate terminal of the output stage switch Q3 also becomes gentle. As a result, the rise of the gate-source voltage Vgs of the output stage switch Q3 also becomes gentle, and the switch Q3 is turned on slowly.

これに対して本実施形態では、同じくIC20の出力端子T1からの出力信号SaがHレベルで、入力段トランジスタQ1をオン(入力段トランジスタQ2はオフ)、次いで出力段スイッチQ3をオンさせる場合、IC20の出力端子T1から出力される出力電流Iaが分岐経路や抵抗も無く入力段トランジスタQ1のベース端子に直接的に作用する構成となっている。   On the other hand, in the present embodiment, similarly, when the output signal Sa from the output terminal T1 of the IC 20 is at the H level, the input stage transistor Q1 is turned on (the input stage transistor Q2 is turned off), and then the output stage switch Q3 is turned on. The output current Ia output from the output terminal T1 of the IC 20 directly acts on the base terminal of the input stage transistor Q1 without any branch path or resistance.

そのため、図1及び図2の実線で示すように、入力段トランジスタQ1のベース電流Ibの立ち上がりが速やかとなり、該トランジスタQ1の出力電流Ic、即ち出力段スイッチQ3のゲート端子に向かうゲート電流Igの立ち上がりも速やかとなる。ここで、入力段トランジスタQ1(ノードN1)の出力電流Icの一部は分岐して検出回路11のコンデンサC2の充電電流Ixとして消失するのが懸念されるが、出力電流IcはIC20の出力電流Iaと比べて十分に大きく分岐の充電電流Ixが十分に小さくなることから、出力段スイッチQ3のゲート電流Igへの影響は小さい。結果、出力段スイッチQ3のゲート・ソース間電圧Vgsの立ち上がりも速やかであり、該スイッチQ3のオンへの切り替わりが敏速な動作となる。   Therefore, as indicated by the solid line in FIG. 1 and FIG. 2, the rise of the base current Ib of the input stage transistor Q1 becomes rapid, and the output current Ic of the transistor Q1, that is, the gate current Ig directed to the gate terminal of the output stage switch Q3. The rise is also quick. Here, there is a concern that part of the output current Ic of the input stage transistor Q1 (node N1) branches and disappears as the charging current Ix of the capacitor C2 of the detection circuit 11, but the output current Ic is the output current of the IC 20. Since the branch charging current Ix is sufficiently larger than Ia and sufficiently small, the influence on the gate current Ig of the output stage switch Q3 is small. As a result, the rise of the gate-source voltage Vgs of the output stage switch Q3 is rapid, and the switch Q3 is turned on quickly.

因みに、本実施形態で用いるIC20は、ドライブ回路10との組み合わせにおいて、入力段トランジスタQ1がオフ、入力段トランジスタQ2がオンし、出力段スイッチQ3がオフする場合、負荷電流Ioが許容範囲である場合には出力段スイッチQ3は速やかにオフするが、過電流が生じた場合には緩やかにオフする所謂ソフトターンオフ機能を備えている。   Incidentally, in the IC 20 used in the present embodiment, when the input stage transistor Q1 is turned off, the input stage transistor Q2 is turned on, and the output stage switch Q3 is turned off in the combination with the drive circuit 10, the load current Io is in an allowable range. In this case, the output stage switch Q3 is quickly turned off, but has a so-called soft turn-off function that turns off slowly when an overcurrent occurs.

過電流検出回路11のコンデンサC2の充電電圧(ノードN1の電圧)は、ダイオード列Daの順方向電圧V1と出力段スイッチQ3のソース・ドレイン間電圧V2との加算電圧値であり、出力段スイッチQ3が駆動する負荷電流Ioの大きさに応じてコンデンサC2の充電電圧、即ち検出電圧Vaが変化する。IC20内の保護回路22を構成するコンパレータ23はその検出電圧Vaと基準電圧Vrefとを比較し、負荷電流Ioの電流値が許容範囲内では検出電圧Vaが基準電圧Vrefを下回り、コンパレータ23の出力はLレベルとなっている。一方、負荷電流Ioが過電流になると、コンデンサC2の充電電圧が上昇して検出電圧Vaが高くなり、コンパレータ23の基準電圧Vrefを上回る。そして、コンパレータ23の出力は、過電流異常を示すHレベルに切り替わる。コンパレータ23の出力がHレベルになると、IC20内の保護回路22は通常動作から保護動作に切り替わる。   The charging voltage (the voltage at the node N1) of the capacitor C2 of the overcurrent detection circuit 11 is a sum voltage value of the forward voltage V1 of the diode array Da and the source-drain voltage V2 of the output stage switch Q3. The charging voltage of the capacitor C2, that is, the detection voltage Va changes according to the magnitude of the load current Io driven by Q3. The comparator 23 constituting the protection circuit 22 in the IC 20 compares the detected voltage Va with the reference voltage Vref. When the current value of the load current Io is within an allowable range, the detected voltage Va falls below the reference voltage Vref, and the output of the comparator 23 Is at L level. On the other hand, when the load current Io becomes an overcurrent, the charging voltage of the capacitor C2 rises and the detection voltage Va becomes high and exceeds the reference voltage Vref of the comparator 23. Then, the output of the comparator 23 is switched to the H level indicating an overcurrent abnormality. When the output of the comparator 23 becomes H level, the protection circuit 22 in the IC 20 switches from normal operation to protection operation.

ここで、入力段トランジスタQ1をオフ、入力段トランジスタQ2をオンさせる際には、入力段トランジスタQ1側のオン時に充電されたコンデンサC1の充電電荷のIC20の出力端子T1に向けての放電が行われる。IC20内においては、そのコンデンサC1の放電を行うために出力端子T1に接続され互いに並列をなす第1放電経路24と第2放電経路25が用意されている。第2放電経路25の放電能力は、第1放電経路24の放電能力に比べて例えば50倍小さく構成されている。   Here, when the input stage transistor Q1 is turned off and the input stage transistor Q2 is turned on, the charge of the capacitor C1 charged when the input stage transistor Q1 is turned on is discharged toward the output terminal T1 of the IC 20. Is called. In the IC 20, a first discharge path 24 and a second discharge path 25 connected to the output terminal T1 and parallel to each other are prepared in order to discharge the capacitor C1. The discharge capacity of the second discharge path 25 is configured to be, for example, 50 times smaller than the discharge capacity of the first discharge path 24.

そして、負荷電流Ioの電流値が許容範囲内でコンパレータ23の出力がLレベルの時には、通常動作として第1放電経路24が選択され、コンデンサC1の放電が速やかに行われる。つまり、速やかに入力段トランジスタQ1がオフ、入力段トランジスタQ2がオンし、次いで出力段スイッチQ3が速やかにオフする。   When the current value of the load current Io is within an allowable range and the output of the comparator 23 is at the L level, the first discharge path 24 is selected as a normal operation, and the capacitor C1 is discharged quickly. That is, the input stage transistor Q1 is quickly turned off, the input stage transistor Q2 is turned on, and then the output stage switch Q3 is quickly turned off.

これに対し、負荷電流Ioの電流値が過電流となってコンパレータ23の出力がHレベルになると、保護動作に切り替わるべく第2放電経路25が選択され、コンデンサC1の放電が緩やかに行われる。従って、入力段トランジスタQ1のオフ、入力段トランジスタQ2のオンも緩やかとなり、出力段スイッチQ3も緩やかにオフするソフトターンオフ動作となり、負荷回路の過電流保護が図られるようになっている。   On the other hand, when the current value of the load current Io becomes an overcurrent and the output of the comparator 23 becomes the H level, the second discharge path 25 is selected to switch to the protection operation, and the capacitor C1 is discharged slowly. Accordingly, the input stage transistor Q1 is turned off and the input stage transistor Q2 is turned on gradually, and the output stage switch Q3 is also turned off gently. Thus, the overcurrent protection of the load circuit is achieved.

次に、本実施形態の特徴的な効果を記載する。
(1)IC20の出力がHレベルで出力段スイッチQ3をオンさせる場合、IC20の出力端子T1からの出力電流IaがコンデンサC1の充電以外で分岐経路や抵抗も無く入力段トランジスタQ1のベース端子に直接的に作用することから、入力段トランジスタQ1のベース電流Ibが速やかに変化する。また、入力段トランジスタQ1,Q2間のノードN1からの出力電流Icの一部はコンデンサC2の充電電流Ixとして分岐するが、その出力電流Icが十分に大きいために分岐の影響は小さく、出力段スイッチQ3のゲート端子に供給するゲート電流Igの変化も速やかである。これらにより、入力段トランジスタQ1及び出力段スイッチQ3の動作速度が敏速となり、負荷駆動に対する応答性を向上させることができる。
Next, characteristic effects of the present embodiment will be described.
(1) When the output of the IC 20 is H level and the output stage switch Q3 is turned on, the output current Ia from the output terminal T1 of the IC 20 is not charged to the capacitor C1 and has no branch path or resistance, and is input to the base terminal of the input stage transistor Q1 Since it acts directly, the base current Ib of the input stage transistor Q1 changes rapidly. Further, a part of the output current Ic from the node N1 between the input stage transistors Q1 and Q2 branches as the charging current Ix of the capacitor C2. However, since the output current Ic is sufficiently large, the influence of branching is small, and the output stage The change in the gate current Ig supplied to the gate terminal of the switch Q3 is also quick. As a result, the operation speeds of the input stage transistor Q1 and the output stage switch Q3 become quick, and the response to load driving can be improved.

尚、上記実施形態は、以下のように変更してもよい。
・ドライブ回路10の回路構成は一例であり、素子の種類や数、接続態様等はこの限りではなく、適宜変更してもよい。
In addition, you may change the said embodiment as follows.
The circuit configuration of the drive circuit 10 is an example, and the type and number of elements, the connection mode, etc. are not limited to this, and may be changed as appropriate.

・フォトカプラ21を搭載したIC20のドライブ回路10に適用したが、その他の構成のICのドライブ回路に適用してもよい。   -Although it applied to the drive circuit 10 of IC20 carrying the photocoupler 21, you may apply to the drive circuit of IC of another structure.

10…ドライブ回路、20…IC、Q1,Q2…入力段トランジスタ、Q3…出力段スイッチ、C1…コンデンサ(第1コンデンサ)、C2…コンデンサ(第2コンデンサ)、Da…ダイオード列(ダイオード)、R1…抵抗、T1…出力端子、N1…ノード(出力ノード)、Io…負荷電流、Ix…充電電流、Ib…ベース電流(制御電流)、Ig…ゲート電流(制御電流)、V2…ソース・ドレイン間電圧(出力端子間電圧)、Va…検出電圧(所定電圧)。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Drive circuit, 20 ... IC, Q1, Q2 ... Input stage transistor, Q3 ... Output stage switch, C1 ... Capacitor (first capacitor), C2 ... Capacitor (second capacitor), Da ... Diode array (diode), R1 ... resistor, T1 ... output terminal, N1 ... node (output node), Io ... load current, Ix ... charging current, Ib ... base current (control current), Ig ... gate current (control current), V2 ... between source and drain Voltage (voltage between output terminals), Va ... detection voltage (predetermined voltage).

Claims (1)

ICの出力に基づいて負荷を駆動するドライブ回路であって、入力バッファを構成する一対の入力段トランジスタと、該トランジスタ間の出力ノードからの出力に基づいて動作する出力段スイッチとを備え、前記ICの出力を受けて前記入力段トランジスタが動作し次いで前記出力段スイッチが動作して前記負荷を駆動するものであり、
前記入力段トランジスタの動作速度を第1コンデンサの充放電態様に基づいて変更可能とするその第1コンデンサが前段の抵抗を介して前記入力段トランジスタの制御端子に接続され、その制御端子と前記ICの出力端子とが直接接続されると共に、
前記出力段スイッチの出力端子と逆方向には前記入力段トランジスタ間の出力ノードとの間にダイオードを接続し、負荷電流の検出に用いる前記出力段スイッチの出力端子間電圧を含む所定電圧まで第2コンデンサを充電させる充電電流を前記入力段トランジスタ間の出力ノードから得るべく該出力ノードと前記第2コンデンサとが接続されており、
前記入力段トランジスタ間の出力ノードは、第2の抵抗を介して前記出力段スイッチの制御端子に接続されているとともに、第4の抵抗を介して前記ダイオードと接続されており、該出力ノードに接続されている前記第4の抵抗と前記第2の抵抗とは並列になっていることを特徴とするドライブ回路。
A drive circuit that drives a load based on an output of an IC, comprising: a pair of input stage transistors that constitute an input buffer; and an output stage switch that operates based on an output from an output node between the transistors, In response to the output of the IC, the input stage transistor operates, and then the output stage switch operates to drive the load.
The first capacitor, which enables the operating speed of the input stage transistor to be changed based on the charge / discharge mode of the first capacitor, is connected to the control terminal of the input stage transistor via a previous stage resistor, and the control terminal and the IC Is connected directly to the output terminal of
A diode is connected between the output terminal of the output stage switch and the output node between the input stage transistors in the opposite direction, and the first voltage up to a predetermined voltage including the voltage between the output terminals of the output stage switch used for detecting the load current. The output node and the second capacitor are connected to obtain a charging current for charging two capacitors from the output node between the input stage transistors ;
The output node between the input stage transistors is connected to the control terminal of the output stage switch via a second resistor, and is connected to the diode via a fourth resistor. The drive circuit, wherein the connected fourth resistor and the second resistor are in parallel .
JP2013059279A 2013-03-22 2013-03-22 Drive circuit Active JP6160152B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013059279A JP6160152B2 (en) 2013-03-22 2013-03-22 Drive circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013059279A JP6160152B2 (en) 2013-03-22 2013-03-22 Drive circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014187443A JP2014187443A (en) 2014-10-02
JP6160152B2 true JP6160152B2 (en) 2017-07-12

Family

ID=51834598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013059279A Active JP6160152B2 (en) 2013-03-22 2013-03-22 Drive circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6160152B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104617751A (en) * 2015-02-03 2015-05-13 辉芒微电子(深圳)有限公司 Audion drive circuit and drive method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59103567A (en) * 1982-12-01 1984-06-15 Fuji Electric Co Ltd Overcurrent protecting circuit for transistor
JP2747911B2 (en) * 1988-08-12 1998-05-06 株式会社日立製作所 Driving circuit of electrostatic induction type self-extinguishing element and inverter device having electrostatic induction type self-extinguishing element
JP2913699B2 (en) * 1988-11-16 1999-06-28 富士電機株式会社 Drive circuit for voltage-driven semiconductor devices
JPH03106217A (en) * 1989-09-20 1991-05-02 Hitachi Ltd Driving circuit for isolate gate transistor, overcurrent detection circuit and semiconductor
JP3791393B2 (en) * 2001-10-23 2006-06-28 富士電機デバイステクノロジー株式会社 Inverter circuit
JP2008017650A (en) * 2006-07-07 2008-01-24 Fuji Electric Systems Co Ltd Power converter
JP5348912B2 (en) * 2008-03-19 2013-11-20 株式会社豊田中央研究所 Semiconductor device drive circuit
JP5487746B2 (en) * 2009-06-15 2014-05-07 富士電機株式会社 IGBT overcurrent protection circuit with reverse breakdown voltage
JP4968487B2 (en) * 2010-03-08 2012-07-04 サンケン電気株式会社 Gate drive circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014187443A (en) 2014-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4619812B2 (en) Gate drive circuit
JP6349855B2 (en) Drive device
US20120099234A1 (en) Driving circuit and semiconductor device with the driving circuit
US9692406B2 (en) Power device drive circuit
JP2017079534A (en) Gate control circuit
JP6512193B2 (en) Transistor drive circuit
JP2017212583A (en) Protection circuit of semiconductor element
JP5823098B2 (en) Cell balance system
JP5282492B2 (en) Switching element drive circuit
JP5348115B2 (en) Load drive device
JP6160152B2 (en) Drive circuit
JP5252055B2 (en) Load drive device
WO2013161201A1 (en) Driving device
US11496125B2 (en) Switch circuit capable of overcurrent protection with small and simple circuit, and with simple operation, without affecting normal operation
JP6476049B2 (en) Temperature sensor circuit
JP5928417B2 (en) Semiconductor element module and gate drive circuit
EP2161761A2 (en) Relay circuit
JP2013258549A (en) Driver circuit
JP2022051278A (en) Semiconductor device
US8848331B2 (en) Protection device, complementary protection device, signal output device, latch-up preventing method, and computer-readable medium
WO2018216338A1 (en) Driver circuit
JP6119413B2 (en) Semiconductor circuit and voltage measurement system
JP5757184B2 (en) Gate drive circuit
WO2022255009A1 (en) Gate driving device
JP5965663B2 (en) Semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160121

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160909

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160913

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161110

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170516

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170529

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6160152

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250