JP6155885B2 - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子デバイス、この電子デバイスの製造方法、この電子デバイスを備えている電子機器及び移動体に関する。

従来、電子機器などに用いられる電子デバイスの一例として、振動部品と、振動部品を支持固定するパッケージ基台と、振動部品を外界から遮断するようにしてパッケージ基台に固定されるパッケージ上蓋と、を有し、パッケージ基台がシリコンからなり、パッケージ基台の一部に、パッケージ内部側の開口部の面積よりもパッケージ外部側の開口部の面積の方が大きい貫通孔が形成されており、貫通孔が封止材によって塞がれている構成の電子デバイスが知られている（例えば、特許文献１参照）。

上記電子デバイスは、パッケージ内部の空気などの気体が貫通孔から十分に排気された減圧状態（真空状態）で、レーザービームなどの照射で溶融した封止材によって貫通孔が塞がれる（封止される）ことにより、パッケージ内部が真空状態に保持されている。
これにより、上記電子デバイスは、振動部品の振動が空気などの気体のダンピング（粘性抵抗）の影響を受け減衰することを抑制できるとされている。

特開２００５−６４０２４号公報

特許文献１によれば、上記電子デバイスは、シリコンからなるパッケージ基台への貫通孔の形成を、ウエットエッチングにより行っている。
上記電子デバイスは、このウエットエッチングに、一般的なエッチング液（例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム）を含むエッチング液が想定される）を用いたことと、シリコンの性状とにより、貫通孔の形状が、所定の角度で傾いた四つの斜面を内壁とする略四角錐状の角孔形状となっている。
このことから、上記電子デバイスは、貫通孔に封止材を投入し、封止材を溶融させる際のレーザービームなどの照射によって、貫通孔の斜面同士の接合部の角張った部分から、シリコンの劈開面に沿ったクラックが発生する虞がある。

これにより、上記電子デバイスは、このクラックからパッケージ内部に空気などの気体が侵入することによって、パッケージ内部を真空状態に保持できなくなる虞がある。
この結果、上記電子デバイスは、パッケージ内部に徐々に侵入してくる空気などの気体の影響を受け、気体のダンピング（粘性抵抗）による振動部品の振動の減衰や、気体との接触（例えば酸化）による振動部品の劣化などの不具合が生じる虞がある。
これらの不具合によって、上記電子デバイスは、安定した性能を維持できず信頼性が低下する虞がある。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例にかかる電子デバイスは、基板と、蓋体と、前記基板と前記蓋体とで覆われている空間内に配置されている機能素子と、を備え、前記蓋体は、前記機能素子と向かい合う側の第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、を有し、前記蓋体は、シリコンを含んでなり、前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔を有し、前記貫通孔は、前記第２面の開口形状が略四角形で、前記第１面側の開口面積より前記第２面側の開口面積の方が大きくなるように、前記第１面側と前記第２面側とを繋ぐ四つの斜面を含み、前記斜面同士の接合部は、隅部が面取りされた形状または丸められた形状であり、前記貫通孔は、封止部材により封止されていることを特徴とする。

これによれば、電子デバイスは、蓋体（上蓋に相当）がシリコンを含んでなり、第１面と第２面との間を貫通する貫通孔を有している。この貫通孔は、平面形状が略四角形で、第１面側の開口面積より第２面側（外部空間側）の開口面積の方が大きくなるように、第１面側と第２面側とを繋ぐ四つの斜面を含んで形成されている。この斜面同士の接合部は、角が面取りされた形状または丸められた形状である。そして、貫通孔は、封止部材により封止されている。

このように、電子デバイスは、貫通孔の斜面同士の接合部に従来（例えば、特許文献１）のような角張った部分がないことから、封止部材（封止材に相当）を溶融させる際のレーザービームなどの照射に起因する貫通孔周辺のクラック（例えば、劈開面に沿ったクラックなど）の発生を抑制できる。
この結果、電子デバイスは、基板と蓋体の第１面側とを含んで構成される内部空間を気密状態に保持することが可能となり、例えば、機能素子の安定した動作の維持や、外気との接触による機能素子の劣化などの不具合を抑制できる。
これによって、電子デバイスは、安定した性能を維持でき、従来の構成（例えば、特許文献１の構成）より信頼性を向上させることができる。

［適用例２］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記貫通孔の前記斜面及び接合部には、金属膜が設けられていることが好ましい。

これによれば、電子デバイスは、貫通孔の斜面及び接合部に金属膜が設けられていることから、溶融した封止部材を貫通孔内に容易に濡れ広がらせることができる。

［適用例３］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記貫通孔は、平面視で前記機能素子と重ならない位置に配置されていることが好ましい。

これによれば、電子デバイスは、貫通孔が平面視で機能素子と重ならない位置に配置されていることから、例えば、封止部材を溶融させる際のレーザービームなどの照射によって、貫通孔から第１面側に飛散する封止部材のスプラッシュ（飛沫）の機能素子への付着を抑制できる。
この結果、電子デバイスは、更に信頼性を向上させることができる。

［適用例４］上記適用例にかかる電子デバイスにおいて、前記基板は、ガラスを含んでなることが好ましい。

これによれば、電子デバイスは、基板がガラスを含んでなることから、シリコンを含んでなる蓋体と、基板とを陽極接合することができる。
これにより、電子デバイスは、両者の接合のための別部材が不要となることから、生産性を向上させることができる。

［適用例５］本適用例にかかる電子デバイスの製造方法は、基板と、蓋体と、前記基板と前記蓋体とで覆われている空間内に配置されている機能素子と、を備え、前記蓋体は、前記機能素子と向かい合う側の第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、を有し、前記蓋体は、シリコンを含んでなり、前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔を有し、前記貫通孔は、前記第２面の開口平面形状が略四角形で、前記第１面側の開口面積より前記第２面側の開口面積の方が大きくなるように、前記第１面側と前記第２面側とを繋ぐ四つの斜面を含み、前記斜面同士の接合部は、隅部が面取りされた形状または丸められた形状である電子デバイスの製造方法であって、前記蓋体の前記貫通孔の形成過程の少なくとも一部に、弗酸及び硝酸を含むエッチング液を用いたウエットエッチング工程を含むことを特徴とする。

これによれば、電子デバイスの製造方法は、蓋体の貫通孔の形成過程の少なくとも一部に、弗酸及び硝酸を含むエッチング液を用いたウエットエッチング工程を含むことから、弗酸及び硝酸を含むエッチング液の特性（等方性エッチング）とシリコンの性状とにより、貫通孔の斜面同士の接合部を、角が丸められた形状に形成することが容易に行える。
この結果、電子デバイスの製造方法は、貫通孔周辺のクラックの発生が抑制され、信頼性が向上した電子デバイスを提供することができる。

［適用例６］上記適用例にかかる電子デバイスの製造方法において、前記エッチング液は、酢酸及び水の少なくとも一方を更に含むことが好ましい。

これによれば、電子デバイスの製造方法は、エッチング液が酢酸及び水の少なくとも一方を更に含むことから、弱酸性の酢酸または水によって、強酸性の弗酸、硝酸を含むエッチング液のＰＨ（ペーハー）が弱酸性側に調整され、エッチングを好適な状態で行うことができる。

［適用例７］上記適用例にかかる電子デバイスの製造方法において、前記蓋体の前記貫通孔の前記斜面を仮形成した後に、前記エッチング液を用いた前記ウエットエッチング工程を行い、前記斜面を本形成しつつ、前記斜面同士の前記接合部を角が丸められた形状に形成することが好ましい。

これによれば、電子デバイスの製造方法は、貫通孔の斜面を仮形成した後に、上記エッチング液を用いたウエットエッチング工程を行い、斜面を本形成しつつ、斜面同士の接合部を角が丸められた形状に形成する。
このことから、電子デバイスの製造方法は、例えば、貫通孔の斜面を上記エッチング液よりエッチングレートが高い別のエッチング液（例えば、ＫＯＨを含むエッチング液など）で仮形成し、以降の工程で上記エッチング液を用いたウエットエッチング工程を行うことにより、貫通孔の形成を効率的に行うことができる。
この結果、電子デバイスの製造方法は、電子デバイスの生産性を向上させることができる。

［適用例８］本適用例にかかる電子デバイスの製造方法は、基板と、蓋体と、前記基板と前記蓋体とで覆われている空間内に配置されている機能素子と、を備え、前記蓋体は、前記機能素子と向かい合う側の第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、を有し、前記蓋体は、シリコンを含んでなり、前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔を有し、前記貫通孔は、前記第２面の開口平面形状が略四角形で、前記第１面側の開口面積より前記第２面側の開口面積の方が大きくなるように、前記第１面側と前記第２面側とを繋ぐ四つの斜面を含み、前記斜面同士の接合部は、隅部が面取りされた形状または丸められた形状である電子デバイスの製造方法であって、前記蓋体の前記貫通孔の形成過程の少なくとも一部に、熱酸化工程を含むことを特徴とする。

これによれば、電子デバイスの製造方法は、熱酸化工程を含むことから、貫通孔の内壁が酸化され、貫通孔の斜面同士をつなぐ接合部は角が丸まり、劈開面を消失させることができる。
この結果、電子デバイスの製造方法は、貫通孔周辺のクラックの発生が抑制され、信頼性が向上した電子デバイスを提供することができる。

［適用例９］上記適用例にかかる電子デバイスの製造方法において、前記蓋体の前記貫通孔の前記斜面を仮形成した後に、前記熱酸化工程により形成された酸化膜の少なくとも一部を除去する工程を行い、前記斜面を本形成しつつ、前記斜面同士の前記接合部を隅部が丸められた形状に形成することが好ましい。

これによれば、電子デバイスの製造方法は、例えば、貫通孔の斜面を上記エッチング液よりエッチングレートが高い別のエッチング液（例えば、ＫＯＨを含むエッチング液など）で仮形成し、以降に酸化膜の少なくとも一部を除去する工程を行い、斜面を本形成しつつ、斜面同士の接合部を隅部が丸められた形状に形成することにより、貫通孔の形成を効率的に行うことができる。
この結果、電子デバイスの製造方法は、電子デバイスの生産性を向上させることができる。
本適用例にかかる電子デバイスの製造方法は、基板と、蓋体と、少なくとも前記基板と前記蓋体とで覆われている空間内に配置されている機能素子と、を備え、前記蓋体は、前記機能素子と向かい合う側の第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、を有し、前記蓋体は、シリコンを含んでなり、前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔を有し、前記貫通孔は、前記第２面の開口平面形状が略四角形で、前記第１面側の開口面積より前記第２面側の開口面積の方が大きくなるように、前記第１面側と前記第２面側とを繋ぐ四つの斜面を含み、前記斜面同士の接合部は、隅部が面取りされた形状または丸められた形状である電子デバイスの製造方法であって、前記蓋体の前記貫通孔の形成過程の少なくとも一部に、熱酸化工程を含み、前記蓋体の前記貫通孔の前記斜面を仮形成した後に、前記熱酸化工程により形成された酸化膜の少なくとも一部を除去する工程を行い、前記斜面を本形成しつつ、前記斜面同士の前記接合部を隅部が丸められた形状に形成することを特徴とする。
また、本適用例にかかる電子デバイスの製造方法において、平面視にて、前記基板には、前記貫通孔の少なくとも一部と重なる位置に金属膜が形成されており、前記貫通孔に封止部材を配置する工程と、前記封止部材を溶融させる過熱工程と、を含み、前記過熱工程において、前記金属膜は、前記金属膜と前記封止部材とが共晶可能な温度以上に加熱されていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。

［適用例１０］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。

これによれば、本構成の電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えていることから、上記適用例に記載の効果が反映され、信頼性に優れた電子機器を提供することができる。

［適用例１１］本適用例にかかる移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。

これによれば、本構成の移動体は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えていることから、上記適用例に記載の効果が反映され、信頼性に優れた移動体を提供することができる。

本実施形態の角速度センサーの概略構成を示す模式平面図。 図１のＡ−Ａ線での模式断面図。 図１のＢ部の模式拡大図。 機能素子の概略構成を示す模式平面図。 機能素子の動作を説明する模式平面図。 機能素子の動作を説明する模式平面図。 機能素子の動作を説明する模式平面図。 機能素子の動作を説明する模式平面図。 角速度センサーの主要な製造工程を示すフローチャート。 角速度センサーの主要な製造工程を説明する模式図。 角速度センサーの主要な製造工程を説明する模式図。 角速度センサーの主要な製造工程を説明する模式図。 角速度センサーの主要な製造工程を説明する模式図。 変形例の角速度センサーの概略構成を示す模式断面図。 電子デバイスを備えている電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す模式斜視図。 電子デバイスを備えている電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す模式斜視図。 電子デバイスを備えている電子機器としてのデジタルスチルカメラの構成を示す模式斜視図。 電子デバイスを備えている移動体の一例としての自動車を示す模式斜視図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。

（角速度センサー）
最初に、電子デバイスの一例としての角速度センサー（ジャイロセンサー）について説明する。
図１は、本実施形態の角速度センサーの概略構成を示す模式平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線での模式断面図である。図３は、図１のＢ部の模式拡大図である。なお、上記各図では、説明の便宜上、一部の構成要素を省略してある。また、各図において、分かり易くするために、各構成要素の寸法比率は実際と異なる。また、図中のＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、互いに直交する座標軸であり、矢印の方向が＋（プラス）方向である。

図１〜図３に示すように、角速度センサー１は、略矩形平板状の基板１０と、蓋体２０と、基板１０と蓋体２０とで覆われている空間（内部空間Ｓ）内に配置されている機能素子２００と、を備えている。
蓋体２０は、機能素子２００と向かい合う側の第１面としての凹部２１と、凹部２１と反対側の第２面としての外面（外部空間側の面）２２と、を有し、凹部２１側で機能素子２００を覆い、基板１０に気密に接合されている。
機能素子２００は、基板１０上に配置された図示しない半導体基板から、フォトリソグラフィー及びエッチングにより図示の形状に形成され、角速度を検出するセンサー素子として機能する。なお、図２の括弧内の符号を含め、機能素子２００の詳細については後述する。

基板１０には、機能素子２００と向き合う主面１１に、機能素子２００と基板１０との干渉を回避するために平面形状が略矩形状の凹部１２が設けられている。これにより、機能素子２００は、平面視で凹部１２内に収まることになる。凹部１２の所々には、機能素子２００を支持（固定）する突起部１４が設けられている。突起部１４の上面（支持面）は、主面１１と同一面になっている。なお、突起部１４の平面形状は、支持する機能素子２００の部位と略同一形状になっている。

基板１０の構成材料としては、ガラス、石英、水晶などの絶縁材料を用いるのが好ましい。特に、機能素子２００となる半導体基板が、シリコンなどの半導体材料を主材料として構成されている場合には、基板１０の構成材料として、アルカリ金属イオン（可動イオン）を含むガラス（例えば、パイレックス（登録商標）のような硼珪酸ガラス）を用いるのが好ましい。
これにより、角速度センサー１は、基板１０と半導体基板とを陽極接合することができる。また、角速度センサー１は、基板１０にアルカリ金属イオンを含むガラスを用いることにより、基板１０と半導体基板とを容易に絶縁分離することができる。

なお、基板１０は、必ずしも絶縁性を有さなくてもよく、例えば低抵抗シリコンからなる導電性基板であってもよい。この場合は、基板１０と半導体基板との間に絶縁膜を挟んで双方を絶縁分離することになる。
また、基板１０の構成材料は、半導体基板の構成材料との熱膨張係数差ができるだけ小さいことが好ましく、具体的には、基板１０の構成材料と半導体基板の構成材料との熱膨張係数差が３ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。これにより、角速度センサー１は、基板１０と半導体基板との間の残留応力を低減することができる。
ここでは、基板１０の主材料としてガラスを用いることを想定している。

蓋体２０は、シリコンを含んでなり、凹部２１と外面２２との間を貫通する貫通孔２３を有している。
蓋体２０は、シリコンの（１００）面が外面２２に沿うように形成されている。
図１に示すように、貫通孔２３は、Ｚ軸方向から見た平面視で、機能素子２００と重ならない位置に配置されている。

貫通孔２３は、Ｚ軸方向から見た平面形状が略四角形で、凹部２１側の開口面積より外面２２側の開口面積の方が大きくなるように、凹部２１側と外面２２側とを繋ぐ四つの斜面２４を含んで、外面２２側から四角錐を突き刺して形成したような形状に形成されている。
貫通孔２３の斜面２４同士の接合部２５は、角が面取りされた形状または丸められた形状（本実施形態では、角が丸められた状態を示す）となっている。
なお、四つの斜面２４は、接合部２５を除いた部分が図示のような平面ではなく、図３に２点鎖線で示すような、外側に湾曲した曲面であってもよい。

貫通孔２３は、封止部材３０により封止されている。
詳述すると、蓋体２０が基板１０の主面１１に、例えば、陽極接合法、接合部材を用いた接合法、直接接合法などを用いて気密に接合（固定）された後、真空チャンバー内などで基板１０の凹部１２と蓋体２０の凹部２１とを含んで構成された内部空間Ｓ内の気体が排出される。そして、外面２２側から貫通孔２３内に、凹部２１側に抜け落ちない大きさの球状の封止部材３０が載置され、レーザービームや電子ビームなどが封止部材３０に照射され、溶融した封止部材３０が貫通孔２３内に広がり、貫通孔２３が封止される。
これにより、内部空間Ｓは、真空状態に保持される。

封止部材３０の構成材料としては、特に限定されないが、Ａｕ−Ｇｅ合金、Ａｕ−Ｓｎ合金、Ｐｂ−Ａｇ合金などを好適に用いることができる。
なお、角速度センサー１は、貫通孔２３の斜面２４に金属膜が設けられていると、封止部材３０が濡れ広がりやすくなり、封止の信頼性が向上する。なお、図３では、説明の便宜上、封止部材３０を省略してある。
また、基板１０の主面１１の貫通孔２３と対向する位置には、例えば、Ａｕなどを含む金属膜１３が形成されていることが好ましい（理由は後述）。

ここで、機能素子２００の構成について説明する。
図４は、機能素子の概略構成を示す模式平面図である。

図４に示すように、機能素子２００は、振動系構造体１０４と、駆動用固定電極１３０と、検出用固定電極１４０と、固定部１５０と、を有している。

振動系構造体１０４など上記構成要素は、上述したように、基板１０に接合された一枚のシリコンなどの半導体基板を、エッチング加工することにより、一体的に形成されている。これにより、シリコン半導体デバイスの製造に用いられる微細な加工技術の適用が可能となり、機能素子２００の小型化を図ることができる。

駆動用固定電極１３０、検出用固定電極１４０、固定部１５０は、基板１０の突起部１４（図２参照）に固定されている。
振動系構造体１０４は、固定部１５０によって支持されており、基板１０の凹部１２との間に空間を有して配置されている。
振動系構造体１０４は、第１振動体１０６と、第２振動体１０８と、を有している。第１振動体１０６及び第２振動体１０８は、Ｘ軸に沿って互いに連結されている。

第１振動体１０６及び第２振動体１０８は、両者の境界線Ｃ（Ｙ軸に沿った直線）に対して、対称となる形状となっていることが好ましい。したがって、以下では、第１振動体１０６の構成について説明し、第２振動体１０８の構成ついては、説明を省略する。

第１振動体１０６は、駆動部１１０と、検出部１２０と、を有している。駆動部１１０は、駆動用支持部１１２と、駆動用バネ部１１４と、駆動用可動電極１１６と、を有している。

駆動用支持部１１２は、例えば、フレーム状の形状を有しており、駆動用支持部１１２の内側には、検出部１２０が配置されている。図示の例では、駆動用支持部１１２は、Ｘ軸に沿って延在する一対の第１延在部１１２ａと、Ｙ軸に沿って延在する一対の第２延在部１１２ｂと、を含んで構成されている。

駆動用バネ部１１４は、駆動用支持部１１２の外側に配置されている。図示の例では、駆動用バネ部１１４の一端は、駆動用支持部１１２の角部（第１延在部１１２ａと第２延在部１１２ｂとの接続部）近傍に接続されている。駆動用バネ部１１４の他端は、固定部１５０に接続されている。

図示の例では、駆動用バネ部１１４は、第１振動体１０６において、四つ設けられている。これにより、第１振動体１０６は、四つの固定部１５０によって支持されている。なお、第１振動体１０６と第２振動体１０８との境界線Ｃ上の固定部１５０は、設けられていなくてもよい。

駆動用バネ部１１４は、Ｙ軸に沿って往復しながらＸ軸に沿って延在する形状を有している。複数の駆動用バネ部１１４は、駆動用支持部１１２の中心を通るＸ軸に沿った仮想線（図示せず）、及び駆動用支持部１１２の中心を通るＹ軸に沿った仮想線（図示せず）に対して、対称に設けられている。
駆動用バネ部１１４を上記のような形状とすることにより、駆動用バネ部１１４が、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に変形することを抑制し、駆動用バネ部１１４を、駆動部１１０の振動方向であるＸ軸方向にスムーズに伸縮させることができる。そして、駆動用バネ部１１４の伸縮に伴い、駆動用支持部１１２を（駆動部１１０を）、Ｘ軸に沿って振動させることができる。なお、駆動用バネ部１１４は、駆動用支持部１１２をＸ軸に沿って振動させることができれば、その数は特に限定されない。

駆動用可動電極１１６は、駆動用支持部１１２の外側に、駆動用支持部１１２に接続されて配置されている。より具体的には、駆動用可動電極１１６は、駆動用支持部１１２の一対の第１延在部１１２ａのそれぞれに接続されている。

駆動用固定電極１３０は、駆動用支持部１１２の外側に配置されている。駆動用固定電極１３０は、基板１０上に固定されている。図示の例では、駆動用固定電極１３０は、複数設けられ、駆動用可動電極１１６を介して、対向配置されている。
図示の例では、駆動用固定電極１３０は、櫛歯状の形状を有しており、駆動用可動電極１１６は、駆動用固定電極１３０の櫛歯の間に挿入可能な突出部１１６ａを有している。機能素子２００は、駆動用固定電極１３０と突出部１１６ａとの間の距離（ギャップ）を小さくすることにより、駆動用固定電極１３０と駆動用可動電極１１６との間に作用する静電力を、大きくすることができる。

駆動用固定電極１３０及び駆動用可動電極１１６に、電圧を印加すると、駆動用固定電極１３０と駆動用可動電極１１６との間に静電力を発生させることができる。これにより、駆動用バネ部１１４をＸ軸に沿って伸縮させつつ、駆動用支持部１１２（駆動部１１０）を、Ｘ軸に沿って振動させることができる。このとき、振動系構造体１０４は減圧雰囲気（真空状態）、特に１０Ｐａ以下にすることで振動の効率は高くなる。

なお、図示の例では、駆動用可動電極１１６は、第１振動体１０６において、四つ設けられているが、駆動用支持部１１２をＸ軸に沿って振動させることができれば、その数は特に限定されない。また、図示の例では、駆動用固定電極１３０は、駆動用可動電極１１６を介して、対向配置されているが、駆動用支持部１１２をＸ軸に沿って振動させることができれば、駆動用固定電極１３０は、駆動用可動電極１１６の一方側にのみ配置されていてもよい。

検出部１２０は、駆動部１１０に連結されている。図示の例では、検出部１２０は、駆動用支持部１１２の内側に配置されている。検出部１２０は、検出用支持部１２２と、検出用バネ部１２４と、検出用可動電極１２６と、を有している。なお、図示はしないが、検出部１２０は、駆動部１１０に連結されていれば、駆動用支持部１１２の外側に配置されていてもよい。

検出用支持部１２２は、例えば、フレーム状の形状を有している。図示の例では、検出用支持部１２２は、Ｘ軸に沿って延在する一対の第３延在部１２２ａと、Ｙ軸に沿って延在する一対の第４延在部１２２ｂと、を含んで構成されている。

検出用バネ部１２４は、検出用支持部１２２の外側に配置されている。検出用バネ部１２４は、検出用支持部１２２と駆動用支持部１１２とを接続している。より具体的には、検出用バネ部１２４の一端は、検出用支持部１２２の角部（第３延在部１２２ａと第４延在部１２２ｂとの接続部）近傍に接続されている。検出用バネ部１２４の他端は、駆動用支持部１１２の第１延在部１１２ａに接続されている。

検出用バネ部１２４は、Ｘ軸に沿って往復しながらＹ軸に沿って延在する形状を有している。図示の例では、検出用バネ部１２４は、第１振動体１０６において、四つ設けられている。複数の検出用バネ部１２４は、検出用支持部１２２の中心を通るＸ軸に沿った仮想線（図示せず）、及び検出用支持部１２２の中心を通るＹ軸に沿った仮想線（図示せず）に対して、対称に設けられている。
検出用バネ部１２４を上記のような形状とすることにより、検出用バネ部１２４が、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に変形することを抑制し、検出用バネ部１２４を、検出部１２０の振動方向であるＹ軸方向にスムーズに伸縮させることができる。そして、検出用バネ部１２４の伸縮に伴い、検出用支持部１２２（検出部１２０）を、Ｙ軸に沿って変位させることができる。なお、検出用バネ部１２４は、検出用支持部１２２をＹ軸に沿って変位させることができれば、その数は特に限定されない。

検出用可動電極１２６は、検出用支持部１２２の内側に、検出用支持部１２２に接続されて配置されている。図示の例では、検出用可動電極１２６は、Ｘ軸に沿って延在しており、検出用支持部１２２の一対の第４延在部１２２ｂ間に接続されている。

検出用固定電極１４０は、検出用支持部１２２の内側に配置されている。検出用固定電極１４０は、基板１０の主面１１上に固定されている。図示の例では、検出用固定電極１４０は、複数設けられ、検出用可動電極１２６を介して、対向配置されている。

検出用可動電極１２６及び検出用固定電極１４０の数及び形状は、検出用可動電極１２６と検出用固定電極１４０との間の静電容量の変化を検出することができれば、特に限定されない。

次に、機能素子２００（角速度センサー１）の動作について説明する。
図５〜図８は、機能素子の動作を説明する模式平面図である。なお、説明の便宜上、図５〜図８では、機能素子の各部分を簡略化して示してある。

駆動用固定電極１３０及び駆動用可動電極１１６に、図示しない電源によって、電圧を印加すると、駆動用固定電極１３０と駆動用可動電極１１６との間に静電力が発生する。これにより、図５及び図６に示すように、駆動用バネ部１１４がＸ軸に沿って伸縮し、駆動部１１０がＸ軸に沿って振動する。

より具体的には、第１振動体１０６の駆動用可動電極１１６と駆動用固定電極１３０との間に第１交番電圧を印加し、第２振動体１０８の駆動用可動電極１１６と駆動用固定電極１３０との間に第１交番電圧と位相が１８０度ずれた第２交番電圧を印加する。
これにより、第１振動体１０６の第１駆動部１１０ａ、及び第２振動体１０８の第２駆動部１１０ｂが、互いに逆位相でかつ所定の周波数で、Ｘ軸に沿って振動する。つまり、Ｘ軸に沿って互いに連結された第１駆動部１１０ａ及び第２駆動部１１０ｂは、Ｘ軸に沿って、互いに逆位相で振動する。
図５に示す例では、第１駆動部１１０ａは、α１方向に変位し、第２駆動部１１０ｂは、α１方向と反対方向のα２方向に変位している。図６に示す例では、第１駆動部１１０ａは、α２方向に変位し、第２駆動部１１０ｂは、α１方向に変位している。

なお、検出部１２０は、駆動部１１０に連結されているため、検出部１２０も駆動部１１０の振動に伴い、Ｘ軸に沿って振動する。つまり、第１振動体１０６及び第２振動体１０８は、Ｘ軸に沿って、互いに反対方向に変位する。
このように、機能素子２００は、図５、図６の状態を交互に繰り返すことでＸ軸に沿って振動する。

図７及び図８に示すように、第１駆動部１１０ａ、第２駆動部１１０ｂが上記の振動状態のときに、機能素子２００にＺ軸回りの角速度ωが加わると、コリオリ力が働き、検出部１２０は、Ｙ軸に沿って変位する。すなわち、第１駆動部１１０ａに連結された第１検出部１２０ａ、及び第２駆動部１１０ｂに連結された第２検出部１２０ｂは、上記の振動及びコリオリ力によって、Ｙ軸に沿って、互いに反対方向に変位する。
図７に示す例では、第１検出部１２０ａは、β１方向に変位し、第２検出部１２０ｂは、β１方向と反対方向のβ２方向に変位している。
図８に示す例では、第１検出部１２０ａは、β２方向に変位し、第２検出部１２０ｂは、β１方向に変位している。
このように、検出部１２０は、図７、図８の状態を交互に繰り返すことでＹ軸に沿って振動する。

機能素子２００は、第１検出部１２０ａ、第２検出部１２０ｂがＹ軸に沿って変位することにより、検出用可動電極１２６と検出用固定電極１４０との間の距離Ｌが変化し、検出用可動電極１２６と検出用固定電極１４０との間の静電容量が変化する。
これにより、機能素子２００は、検出用可動電極１２６と検出用固定電極１４０との間の静電容量の変化量を検出することで、Ｚ軸回りの角速度ωを求めることができる。

なお、上記では、静電力によって、駆動部１１０を駆動させる形態（静電駆動方式）について説明したが、駆動部１１０を駆動させる方法は、特に限定されず、圧電駆動方式や、磁場のローレンツ力を利用した電磁駆動方式などを適用することができる。

上述したように、本実施形態の角速度センサー１は、蓋体２０がシリコンを含んでなり、凹部２１と外面２２との間を貫通する貫通孔２３を有している。この貫通孔２３は、外面２２側から見た平面形状が略四角形で、凹部２１側の開口面積より外面２２側の開口面積の方が大きくなるように、凹部２１側と外面２２側とを繋ぐ四つの斜面２４を含んで形成されている。
この斜面２４同士の接合部２５は、角が面取りされた形状または丸められた形状である。

このように、角速度センサー１は、貫通孔２３の斜面２４同士の接合部２５に、従来（例えば、特許文献１）のような角張った部分がないことから、封止部材３０を溶融させる際のレーザービームなどの照射に起因する貫通孔２３周辺のクラックの発生を抑制できる。
より具体的には、図３に破線で示すシリコンの劈開面（（１１０）面）と交差する接合部２５の形状が、角が面取りされた形状または丸められた形状であることによって、レーザービームなどの照射時の加熱により生じる応力の集中が緩和され、劈開面に沿ったクラックなどの発生を抑制できる。

この結果、角速度センサー１は、基板１０の凹部１２と蓋体２０の凹部２１とを含んで構成された内部空間Ｓを真空状態に保持することが可能となり、例えば、機能素子２００の安定した振動の維持や、外気との接触による機能素子２００の劣化などの不具合を抑制できる。
これによって、角速度センサー１は、安定した角速度検出性能を維持でき、従来の構成（例えば、特許文献１の構成）より信頼性を向上させることができる。

また、角速度センサー１は、貫通孔２３が平面視で機能素子２００と重ならない位置に配置されていることから、例えば、封止部材３０を溶融させる際のレーザービームなどの照射によって、貫通孔２３から凹部２１（内部空間Ｓ）内に飛散する封止部材３０のスプラッシュ（飛沫）の機能素子２００への付着を抑制できる。
この結果、角速度センサー１は、更に信頼性を向上させることができる。
なお、角速度センサー１は、封止部材３０のスプラッシュの機能素子２００への付着の虞がない場合には、貫通孔２３を機能素子２００と重なる位置に配置してもよい。これによれば、角速度センサー１は、平面サイズを小型化できる。

また、角速度センサー１は、基板１０がガラスを含んでなることから、シリコンを含んでなる蓋体２０と、基板１０とを陽極接合することができる。
これにより、角速度センサー１は、両者の接合のための別部材が不要となることから、生産性を向上させることができる。

また、角速度センサー１は、基板１０の主面１１の貫通孔２３と対向する位置に、金属膜１３が形成されている場合には、例えば、貫通孔２３の封止時に金属膜１３を封止部材３０との共晶可能温度近くまたは以上に加熱しておくことで、封止部材３０を溶融させる際のレーザービームなどの照射によって、貫通孔２３から凹部２１内に飛散する封止部材３０のスプラッシュの少なくとも一部が、金属膜１３と共晶状態となり、金属膜１３に固着することになる。
この結果、角速度センサー１は、飛散した封止部材３０のスプラッシュが、基板１０上を移動して機能素子２００へ影響を及ぼすなどの不具合を抑制できる。
なお、角速度センサー１は、飛散した封止部材３０のスプラッシュが、基板１０上を移動して機能素子２００へ影響を及ぼす虞がない場合には、金属膜１３がなくてもよい。

次に、角速度センサー１の製造方法の一例について説明する。
図９は、角速度センサーの主要な製造工程を示すフローチャートである。図１０（ａ）〜図１０（ｄ）、図１１（ｅ）〜図１１（ｈ）、図１２（ｉ）〜図１２（ｋ）、図１３（ｌ）〜図１３（ｏ）は、角速度センサーの主要な製造工程を説明する模式図（断面図または平面図）である。なお、断面図の断面位置は、図２と同様である。

図９に示すように、角速度センサーの製造方法は、蓋体準備工程と、第１ウエットエッチング工程と、第２ウエットエッチング工程と、蓋体接合工程と、貫通孔封止工程と、分割工程と、を含んでいる。

［蓋体準備工程］
まず、図１０（ａ）に示すように、複数個取りされ、平板のウエハー状に形成されている加工前の蓋体２０（シリコン基板）を用意する。

［第１ウエットエッチング工程］
ついで、図１０（ｂ）に示すように、蓋体２０の外面２２側及び基板１０への接合面２６側の全面にエッチング保護膜３１０，３１１を成膜する。なお、このエッチング保護膜３１０，３１１は、シリコンの表面を熱酸化させて形成するＳｉＯ₂などの酸化膜でもよい。なお、酸化膜の膜厚は、一例として８００ｎｍ程度が想定される。

ついで、図１０（ｃ）に示すように、接合面２６側のエッチング保護膜３１１を、図示しないレジストによりフォトリソグラフィー技術などを用いて凹部２１の平面形状に合わせてパターニングし、エッチングする。
この際、外面２２側のエッチング保護膜３１０が一緒にエッチングされないように、図示しない保護テープなどで保護しておくことが好ましい。

ついで、図１０（ｄ）に示すように、ＫＯＨ（水酸化カリウム）を含む第１エッチング液を用いたウエットエッチングにより、凹部２１の形状を形成する。この際、ＫＯＨを含む第１エッチング液の特性（異方性エッチング）と、シリコンの性状とにより凹部２１の側壁は、紙面上方に向かうほど凹部２１が狭くなるように傾斜して形成される。
なお、第１エッチング液のＫＯＨの濃度は、２５（質量％）程度が好ましく、温度は８０℃程度が好ましい。

ついで、一旦、エッチング保護膜３１０，３１１を剥離した後、図１１（ｅ）に示すように、外面２２側及び凹部２１側（接合面２６側）の全面に再度エッチング保護膜３１０，３１１を成膜する。

ついで、図１１（ｆ）に示すように、外面２２側のエッチング保護膜３１０を、図示しないレジストによりフォトリソグラフィー技術などを用いて貫通孔２３の平面形状に合わせてパターニングし、エッチングする。
この際、凹部２１側（接合面２６側）のエッチング保護膜３１１が一緒にエッチングされないように、図示しない保護テープなどで保護しておくことが好ましい。

ついで、図１１（ｇ）に示すように、第１エッチング液を用いたウエットエッチングにより、貫通孔２３の形状を仮形成する。
この際、ＫＯＨ（水酸化カリウム）を含む第１エッチング液の特性（異方性エッチング）と、シリコンの性状とにより貫通孔２３の内壁は、凹部２１側の開口面積より外面２２側の開口面積の方が大きくなるように、換言すれば、紙面下方に向かうほど貫通孔２３が狭くなるように傾斜した四つの斜面２４によって形成される。なお、四つの斜面２４は、シリコンの（１，１，１）面に沿って形成される。
これにより、貫通孔２３の四つの斜面２４は、仮形成されたことになる。

ここで、図１１（ｇ）の矢印Ｄ方向から見た平面図である図１１（ｈ）に示すように、この段階では、貫通孔２３の斜面２４同士をつなぐ接合部２５は、角が角張っており従来の構成（例えば、特許文献１の構成）と同じ形状となっている。

［第２ウエットエッチング工程］
ついで、図１２（ｉ）に示すように、弗酸及び硝酸と、酢酸と、を含むエッチング液としての第２エッチング液を用いたウエットエッチングにより、四つの斜面２４を本形成しつつ、斜面２４同士の接合部２５を、図１２（ｉ）の矢印Ｅ方向から見た平面図である図１２（ｊ）に示すような、角が丸められた形状に形成する。
なお、図１２（ｊ）のように、斜面２４の平面形状が外側に湾曲した形状になることや、接合部２５の角が丸められた形状になること、図１２（ｉ）のように、斜面２４の断面形状が、貫通孔２３が膨らむように湾曲した形状になることは、第２エッチング液が、シリコンに対して等方性エッチングを行っていることによる。

第２エッチング液における弗酸、硝酸、酢酸の割合は、適宜設定されるが、いずれの場合でも硝酸を５０（質量％）以上含むことが好ましく、好適な割合の一例として、弗酸：硝酸：酢酸＝１３：８４：３（質量％）が挙げられる。この割合におけるウエットエッチングの時間は、１分〜２分程度が好ましい。
なお、第２エッチング液に弱酸性の酢酸が含まれることにより、強酸性の弗酸、硝酸を含む第２エッチング液のＰＨ（ペーハー）が弱酸性側に調整され、ウエットエッチングが好適な状態で行われる。
なお、第２エッチング液は、酢酸を含まなくてもよく、酢酸の代わりに水（純水）を用いてもよい。

ついで、図１２（ｋ）に示すように、外面２２側のエッチング保護膜３１０及び凹部２１側（接合面２６側）のエッチング保護膜３１１を剥離（除去）する。

上述では第２のウエットエッチング工程で、弗酸、硝酸、酢酸の混合液を用いた製造方法について述べたがこれに限らず、熱酸化技術を用いてもよい。図１１（ｇ）で示されているようにエッチング保護膜３１０，３１１を形成した状態で熱酸化を行うと、貫通孔２３の内壁は酸化される。熱酸化では、水素ガス及び酸素ガスを用いてもよい。このような熱酸化処理を行うと、貫通孔２３の斜面２４同士をつなぐ接合部２５は角が丸まり、劈開面（（１１０）面）が消失することになる。そして、弗酸あるいはバッファード弗酸（ＢＨＦ）を用いてエッチング保護膜３１０，３１１と内壁の熱酸化膜を同時に剥離（除去）すると、所望する形状（図１２（ｊ））の貫通孔２３を備えた蓋体が得られる。

［蓋体接合工程］
ついで、図１３（ｌ）に示すように、エッチングやスパッタリングなどにより、凹部１２や金属膜１３が設けられ、Ｂｏｓｃｈ法などのエッチングにより形成された機能素子２００が配置された複数個取りのウエハー状の基板１０に、蓋体２０を、凹部２１で機能素子２００を覆うようにして接合（固定）する。
蓋体２０の接合方法としては、例えば、低融点ガラス（ガラスフリット）などの接合部材を用いた接合法、陽極接合法、直接接合法、金属薄膜を用いた共晶接合法などを好適に用いることができる。ここでは、陽極接合法を想定している。なお、図１３の各図における左右の２点鎖線は、個別分割時の分割位置を示す。

［貫通孔封止工程］
ついで、図１３（ｍ）に示すように、図示しない真空チャンバーなどを用いて、内部空間Ｓ内の空気などの気体を排出し、内部空間Ｓを真空状態（１０Ｐａ以下が好ましい）にして、球状の封止部材３０を、蓋体２０の貫通孔２３に載置する。
ついで、図１３（ｎ）に示すように、レーザービームや電子ビームなどを球状の封止部材３０に照射して封止部材３０を溶融し、封止部材３０を貫通孔２３内に広がらせ、貫通孔２３を封止する。これにより、内部空間Ｓは、真空状態で気密に封止されたことになる。
なお、レーザービームには、ＹＡＧレーザービーム、ＣＯ₂レーザービームなどの比較的短波長のレーザービームを用いて、短時間で溶融させることが好ましい。
この際、貫通孔２３の接合部２５の形状が、角が丸められた形状であることによって、上記レーザービームなどの照射時の加熱により生じる応力の集中が緩和され、貫通孔２３におけるシリコンの劈開面に沿ったクラックなどの発生が抑制される。

ここで、基板１０の主面１１の貫通孔２３と対向する位置に、金属膜１３が形成されている場合には、貫通孔２３の封止時に金属膜１３を封止部材３０との共晶可能温度以上（例えば、金属膜１３がＡｕで、封止部材３０がＡｕ−Ｇｅ合金の場合には、ＡｕとＧｅとの共晶化が始まる２８０℃以上が好ましい）に加熱しておく。
これにより、封止部材３０を溶融させる際のレーザービームなどの照射によって、貫通孔２３から凹部２１（内部空間Ｓ）内に飛散する封止部材３０のスプラッシュの一部は、金属膜１３と共晶状態となり金属膜１３に固着することになる。
このことから、飛散した封止部材３０のスプラッシュが、基板１０上を移動して機能素子２００へ影響を及ぼすなどの不具合を抑制できる。

［分割工程］
ついで、図１３（ｏ）に示すように、図示しないダイシングソーなどの切断装置を用いて、個別に分割する。
上記の各工程などを経ることにより、図１、図２に示すような角速度センサー１を得ることができる。

上述したように、角速度センサー１の製造方法は、蓋体２０の貫通孔２３の形成過程の少なくとも一部に、弗酸及び硝酸を含む第２エッチング液を用いたウエットエッチング工程（第２ウエットエッチング工程）を含むことから、第２エッチング液の特性（等方性エッチング）とシリコンの性状とにより、貫通孔２３の斜面２４同士の接合部２５を角が丸められた形状に形成することが容易に行える。あるいは、蓋体２０の貫通孔２３の形成過程の少なくとも一部に熱酸化を含む工程により、貫通孔２３の斜面２４同士の接合部２５を角が丸められた形状に形成することが容易に行える。
この結果、角速度センサー１の製造方法は、貫通孔２３周辺のクラックの発生（特に、シリコンの劈開面（（１，１，０）面）に沿ったクラックの発生）が抑制され、信頼性が向上した角速度センサー１を提供することができる。

また、角速度センサー１の製造方法は、第２エッチング液が酢酸を更に含むことから、弱酸性の酢酸によって、強酸性の弗酸、硝酸を含む第２エッチング液のＰＨ（ペーハー）が弱酸性側に調整され、ウエットエッチング（第２ウエットエッチング工程）を好適な状態で行うことができる。

また、角速度センサー１の製造方法は、貫通孔２３の斜面２４を仮形成した後に、第２エッチング液を用いたウエットエッチング工程（第２ウエットエッチング工程）を行い、斜面２４を本形成しつつ、斜面２４同士の接合部２５を角が丸められた形状に形成する。
このことから、角速度センサー１の製造方法は、貫通孔２３の斜面２４を第２エッチング液よりエッチングレートが高い別のエッチング液（ここでは、ＫＯＨを含む第１エッチング液）で仮形成し（第１ウエットエッチング工程）、以降の工程で第２エッチング液を用いたウエットエッチング工程（第２ウエットエッチング工程）を行うことにより、貫通孔２３の形成を効率的に行うことができる。
この結果、角速度センサー１の製造方法は、角速度センサー１の生産性を向上させることができる。

なお、角速度センサー１の製造方法は、貫通孔２３の斜面２４（接合部２５を含む）に金属膜を成膜する工程を更に含んでいてもよい。これによれば、角速度センサー１の製造方法は、貫通孔２３の斜面２４（接合部２５を含む）に金属膜を成膜することによって、溶融した封止部材３０を貫通孔２３内に濡れ広がらせることが容易となる。
この結果、角速度センサー１の製造方法は、貫通孔２３の封止を、より確実に行うことができる。
また、角速度センサー１の製造方法は、上記のような複数個取り方式ではなく、個別に製造してもよい。

また、角速度センサー１の製造方法は、貫通孔２３の斜面２４の仮形成の工程において、第１エッチング液の代わりに、第２エッチング液を用いてもよい。
これによれば、角速度センサー１の製造方法は、第２エッチング液の特性（等方性エッチング）によって、第１エッチング液を用いる場合より、エッチング時間は要するものの、斜面２４同士の接合部２５を、最初から角が丸められた形状に形成することが可能となる。
このことから、角速度センサー１の製造方法は、貫通孔２３の平面形状を円形に近付けることができ、貫通孔２３周辺のクラックの発生を更に抑制できる。

（変形例）
次に、角速度センサー１の変形例について説明する。
図１４は、変形例の角速度センサーの概略構成を示す模式断面図である。なお、上記実施形態との共通部分については、同一の符号を付与して詳細な説明を省略し、上記実施形態と異なる点を中心に説明する。

図１４に示すように、変形例の角速度センサー２は、角速度センサー１と比較して、貫通孔３２３の形状が異なる。
角速度センサー２の貫通孔３２３は、蓋体２０の凹部２１（内部空間Ｓ）側に外面２２側より小さい子孔部３２３ａを有する段付の貫通孔となっている。すなわち、貫通孔３２３の形状には、その内部に外面２２と平行な面が形成される。貫通孔３２３の外面２２側の形状は、角速度センサー１の貫通孔２３と同様である。
貫通孔３２３の子孔部３２３ａは、貫通孔２３を反転させて小さくした形状となっており、子孔部３２３ａの平面形状は、貫通孔２３と同様の略四角形に形成されている。また、子孔部３２３ａの斜面同士の接合部は、貫通孔２３と同様に角が面取りされた形状または丸められた形状となっている。但し、前記子孔部３２３ａの平面形状は、略四角に限らず、円形や多角形であってもよい。

これによれば、角速度センサー２は、角速度センサー１と同様の効果を奏するとともに、貫通孔３２３が外面２２側より小さい子孔部３２３ａを有する段付の貫通孔となっていることから、封止部材３０の凹部２１への流出（突出）を抑制できる。

（電子機器）
次に、上述した電子デバイスを備えている電子機器について説明する。
図１５は、電子デバイスを備えている電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す模式斜視図である。
図１５に示すように、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０１を有する表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター１１００には、電子デバイスとしての角速度センサー１（または２）が内蔵されている。

図１６は、電子デバイスを備えている電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す模式斜視図である。
図１６に示すように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４及び送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０１が配置されている。
このような携帯電話機１２００には、電子デバイスとしての角速度センサー１（または２）が内蔵されている。

図１７は、電子デバイスを備えている電子機器としてのデジタルスチルカメラの構成を示す模式斜視図である。なお、この図１７には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面（図中手前側）には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中奥側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。

撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。
また、このデジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。更に、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
このようなデジタルスチルカメラ１３００には、電子デバイスとしての角速度センサー１（または２）が内蔵されている。

このような電子機器は、上述した電子デバイスを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れている。
なお、上述した電子デバイスを備えている電子機器としては、これら以外に、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類、フライトシミュレーターなどが挙げられる。いずれの場合にも、これらの電子機器は、上述した電子デバイスを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れている。

（移動体）
次に、上述した電子デバイスを備えている移動体について説明する。
図１８は、電子デバイスを備えている移動体の一例としての自動車を示す模式斜視図である。
自動車１５００は、電子デバイスとしての角速度センサー１（または２）を、例えば、搭載されているナビゲーション装置、姿勢制御装置などの姿勢検出センサーとして用いている。
これによれば、自動車１５００は、上述した電子デバイスを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れている。

上述した電子デバイスは、上記自動車１５００に限らず、自走式ロボット、自走式搬送機器、列車、船舶、飛行機、人工衛星などを含む移動体の姿勢検出センサーなどとして好適に用いることができ、いずれの場合にも、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れた移動体を提供することができる。

なお、上述した電子デバイスは、角速度センサーに限定されるものではなく、機能素子が加速度検出機能を備えている加速度センサー、機能素子が圧力検出機能を備えている圧力センサー、機能素子が重量検出機能を備えている重量センサーや、これらのセンサー（角速度センサーを含む）が複合した複合センサーなどであってもよい。
なお、加速度センサーの場合には、内部空間に窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガスが充填され、不活性ガスのダンピング（粘性抵抗）により機能素子の過度の変位を抑制している。
また、電子デバイスは、機能素子が振動片である振動子、発振器、周波数フィルターなどであってもよい。

１，２…電子デバイスとしての角速度センサー、１０…基板、１１…主面、１２…凹部、１３…金属膜、１４…突起部、２０…蓋体、２１…第１面としての凹部、２２…第２面としての外面、２３…貫通孔、２４…斜面、２５…接合部、２６…接合面、３０…封止部材、１０４…振動系構造体、１０６…第１振動体、１０８…第２振動体、１１０…駆動部、１１２…駆動用支持部、１１２ａ…第１延在部、１１２ｂ…第２延在部、１１４…駆動用バネ部、１１６…駆動用可動電極、１１６ａ…突出部、１２０…検出部、１２２…検出用支持部、１２２ａ…第３延在部、１２２ｂ…第４延在部、１２４…検出用バネ部、１２６…検出用可動電極、１３０…駆動用固定電極、１４０…検出用固定電極、１５０…固定部、２００…機能素子、３１０，３１１…エッチング保護膜、３２３…貫通孔、３２３ａ…子孔部、１１００…電子機器としてのパーソナルコンピューター、１１０１…表示部、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１２００…電子機器としての携帯電話機、１２０１…表示部、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１３００…電子機器としてのデジタルスチルカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１３１２…ビデオ信号出力端子、１３１４…入出力端子、１４３０…テレビモニター、１４４０…パーソナルコンピューター、１５００…移動体としての自動車、Ｃ…境界線、Ｓ…内部空間。

Claims (2)

1. 基板と、蓋体と、少なくとも前記基板と前記蓋体とで覆われている空間内に配置されている機能素子と、を備え、前記蓋体は、前記機能素子と向かい合う側の第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、を有し、前記蓋体は、シリコンを含んでなり、前記第１面と前記第２面との間を貫通する貫通孔を有し、前記貫通孔は、前記第２面の開口平面形状が略四角形で、前記第１面側の開口面積より前記第２面側の開口面積の方が大きくなるように、前記第１面側と前記第２面側とを繋ぐ四つの斜面を含み、前記斜面同士の接合部は、隅部が面取りされた形状または丸められた形状である電子デバイスの製造方法であって、
   前記蓋体の前記貫通孔の形成過程の少なくとも一部に、熱酸化工程を含み、
   前記蓋体の前記貫通孔の前記斜面を仮形成した後に、
   前記熱酸化工程により形成された酸化膜の少なくとも一部を除去する工程を行い、
   前記斜面を本形成しつつ、前記斜面同士の前記接合部を隅部が丸められた形状に形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
2. 請求項１に記載の電子デバイスの製造方法において、
   平面視にて、前記基板には、前記貫通孔の少なくとも一部と重なる位置に金属膜が形成されており、
   前記貫通孔に封止部材を配置する工程と、
   前記封止部材を溶融させる過熱工程と、を含み、
   前記過熱工程において、前記金属膜は、前記金属膜と前記封止部材とが共晶可能な温度以上に加熱されていることを特徴とする電子デバイスの製造方法。

Images