JP2868397B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2868397B2
JP2868397B2 JP21038793A JP21038793A JP2868397B2 JP 2868397 B2 JP2868397 B2 JP 2868397B2 JP 21038793 A JP21038793 A JP 21038793A JP 21038793 A JP21038793 A JP 21038793A JP 2868397 B2 JP2868397 B2 JP 2868397B2
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順治 山田
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ケースに設けられた
開口部から、このケース内の電極端子が外方に導かれて
いる、パワーモジュールのような半導体装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】図14は従来の半導体装置(例えばパワ
ーモジュール)の外観斜視図である。図において、1は
絶縁基板、2絶縁基板1上に固着されたパワートランジ
スタ等の半導体素子(図示せず)等を覆うケースであ
る。ケース2は絶縁基板1の外縁部を囲むように取り付
けられるケース本体2aと、ケース本体2aの上部を覆
うケース蓋2bとから構成されている。3は断面が矩形
状をした半導体素子用の電極端子、4は電極端子3をケ
ース2外方に引き出すために、ケース蓋2bに設けられ
た矩形状の開口部である。
【0003】この場合、電極端子3のケース2外方への
引き出しは、ケース蓋2bの開口部4に、ケース蓋2b
の裏面(内面B)側から電極端子3を差し込むようにし
て行なわれる。そして、最終的には、図14の鎖線で示
されるように、電極端子3はケース蓋2bの外面Aに沿
うよう、略90度曲げられる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体装置では、ケース蓋2bの取り扱い時や、電
極端子3をケース蓋2bに沿って折り曲げる時等に、ケ
ース蓋2bの開口部4周りに力が加わる。このため、図
15で示されるように、ケース蓋2bの開口部4周りの
角部Mや突辺部Nに応力の集中が生じ、ここに除々にク
ラックKが生じてしまうという課題があった。
【0005】この発明は上記のような課題を解消するた
めになされたもので、ケースの端子用開口部周りのクラ
ックの発生を効果的に防止できる半導体装置を提供する
ことを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明の第1の発明
は、ケースに設けられた開口部から、このケース内の電
極端子が外方に引き出されている半導体装置において、
開口部に臨むケースの端面の角部に、平面状または曲面
状の面取り部を形成したことである。
【0007】この発明の第2の発明は、ケースに設けら
れた開口部から、このケース内の電極端子が外方に引き
出されている半導体装置において、開口部に臨むケース
の端面の角部に、平面状または曲面状の面取り部を形成
し、かつ、この面取り部の面幅または曲率半径をケース
の外面側に比べ内面側を大きくしたことである。
【0008】この発明の第3の発明は、ケースに設けら
れた開口部から、このケース内の電極端子が外方に引き
出されている半導体装置において、開口部に臨むケース
の端面の角部に、平面状または曲面状の面取り部を形成
し、かつ開口部をケースの外面側から内面側に向かって
漸次大きく形成し、面取り部の面幅または曲率半径を前
記ケースの外面側から内面側に向かって漸次大きくした
ことである。
【0009】この発明の第4の発明は、ケースに設けら
れた開口部から、このケース内の電極端子が外方に引き
出されている半導体装置において、開口部に臨むケース
の端面の角部に、平面状または曲面状の面取り部を形成
し、かつ開口部をケースの外面側から内面側に向かって
段階的に大きく形成し、面取り部の面幅または曲率半径
を開口部のサイズに合わせて、ケースの外面側から内面
側に向かって段階的に大きくしたことである。
【0010】この発明の第5の発明は、ケースに設けら
れた開口部から、このケース内の電極端子が外方に引き
出されている半導体装置において、開口部に臨むケース
の端面の角部に、平面状または曲面状の第1の面取り部
を形成するとともに、ケースの端面の突辺部に、平面状
または曲面状の第2の面取り部を形成したことである。
【0011】この発明の第6の発明は、ケースに設けら
れた開口部から、このケース内の電極端子が外方に引き
出されている半導体装置において、開口部に臨むケース
の端面の角部に、平面状または曲面状の第1の面取り部
を形成するとともに、ケースの端面の突辺部に、平面状
または曲面状の第2の面取り部を形成し、かつ、この第
2面取り部の面幅または曲率半径をケースの外面側に比
べ内面側を大きくしたことである。
【0012】
【作用】この発明の第1の発明によれば、開口部に臨む
ケースの端面の角部に平面状または曲面状の面取り部を
形成しているので、この角部への応力の集中が防止され
る。
【0013】この発明の第2乃至第4の発明によれば、
上記第1の発明の場合において、面取り部の面幅または
曲率半径をケースの外面側に比べ内面側を大きくして、
ケース内面側での応力の集中をより一層防止している。
特に第3および第4の発明では開口部を介した端子のケ
ースへの差し込み等も容易となる。
【0014】この発明の第5の発明によれば、上記第1
の発明の場合において、ケースの端面の突辺部にも平面
状または曲面状の第2の面取り部を形成しているので、
この突辺部への応力の集中も防止される。
【0015】この発明の第6の発明によれば、上記第5
の発明の場合において、第2の面取り部の面幅または曲
率半径をケースの外面側に比べ内面側を大きくして、ケ
ースの内面側での突辺部に対する応力の集中をより一層
防止している。また、このため、開口部を介した端子の
ケースへの差し込み等も容易となる。
【0016】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例1.図1はこの発明の第1の発明の一実施例に係
る半導体装置の外観斜視図、図2はこの半導体装置のケ
ースの開口部周りの平面図、図3はケースの開口部周り
の部分的斜視図である。なお、図14および図15で示
した半導体装置と同一または相当部分には同一符号を付
し、その説明を省略する。
【0017】図において、10は電極端子3をケース2
外方に引き出すために、ケース蓋2bに設けられた開口
部である。この開口部10の平面形状は電極端子3の断
面形状よりやや大きい矩形状をしている。11はケース
蓋2bの開口部10に臨む端面である。この端面11は
電極端子3の外表面と平行に形成されている。12はケ
ース蓋2bの端面11の各角部Mに、隣接する端面11
を凹曲面12aで斜状に連結するように形成された面取
り部である。この面取り部12はケース蓋2bの内面B
側から外面A側まで同一形状で形成されている。この場
合、面取り部12の凹曲面12aの曲率半径Rは電極端
子3の板厚t(電極端子3の断面寸法のうち小さい方の
寸法)の1/3以上の大きさとなっている。
【0018】以上のように、この実施例1による半導体
装置ではケース蓋2bの開口部10に臨む端面11の角
部Mに、面取り部12を形成したため、電極端子3の折
り曲げ等によりケース蓋2bに力が加わっても、端面1
1の角部Mには応力の集中は生じない。したがって、ケ
ース蓋2bの端面11の角部MにクラックKが発生する
のが効果的に防止される。ここで、面取り部12の凹曲
面12aの曲率半径Rが電極端子3の板厚tの1/3以
上の大きさとなっている場合、この端面11の角部Mに
は、特に応力の集中が生じにくいことが経験的に確かめ
られている。したがって、この半導体装置ではケース蓋
2bの端面11の角部Mにクラックが発生するのが、更
に効果的に防止される。
【0019】実施例2.図4はこの発明の第1の発明の
他の実施例に係る半導体装置のケース蓋の開口部回りの
部分的斜視図であり、この実施例2では、面取り部12
を、ケース蓋2bの端面11の各角部Mに、2つの端面
11を斜状(例えば45度)の平面で連結するよう設け
るものとし、上記実施例1と同様の効果を奏する。この
場合、面取り部12の面幅aは、特に応力の集中が生じ
ないことが経験的に確かめられている、電極端子3の板
厚tの1/3以上の大きさとしている。
【0020】実施例3.図5はこの発明の第2および第
3の発明の一実施例に係る半導体装置のケース蓋の開口
部周りの部分的斜視図、図6はケース蓋の開口部周りの
部分的平面図である。
【0021】図において、20は電極端子3をケース2
外方に引き出すために、ケース蓋2bに設けられた開口
部である。この開口部20の形状は、全体的には矩形状
をしているが、その大きさはケース蓋2bの内面B側か
ら外面A側に向かって漸次小さくなっている。21はケ
ース蓋2bの開口部20に臨む端面である。この端面2
1はケース蓋2bの内面B側から外面A側に向かって漸
次電極端子3の外面に近接するように斜状に形成されて
いる。
【0022】22はケース蓋2bの端面21の各角部M
に、隣接する端面21どうしを斜状(例えば45度)の
平面で連結するように形成された面取り部である。この
面取り部22のケース蓋2bの内面B側の面幅a2は、
外面A側の面幅a1より大きくなっている。この場合、
図6で示されるように、面取り部22はそのケース蓋2
bの内面B側が外面A側より内方に突出しないように、
テーパー状に形成されている。また、面取り部22のケ
ース蓋2bの外面A側の面幅a1は、電極端子3の板厚
tの1/3以上の大きさとなっている。なお、他の構成
は上記実施例1の半導体装置と同一である。
【0023】この実施例3による半導体装置でも、ケー
ス蓋2bの開口部20に臨む端面21の角部Mに、上記
サイズの面取り部22が形成されているため、上記実施
例1の場合と同様な効果を得ることができる。ここで、
ケース2内にパワートランジスタ等の半導体素子が収納
されているので、ケース2内方は外方に比べ温度が高く
なり、ケース蓋2bの開口部20周りに応力の集中が生
じやすい。ところが、この半導体装置では、ケース蓋2
bの内面B側の面取り部22の面幅a2を、外面A側の
面幅a1より大きくとってあるため、ケース蓋2bの内
面B側および外面A側ともに充分に応力の集中が防止さ
れる。
【0024】また、この実施例3による半導体装置では
ケース蓋2bの端面21がケース蓋2bの外面A側に向
かって電極端子3に近接するよう斜状に形成されてい
る。このため、ケース蓋2bの外面A側では電極端子3
とケース蓋2bとの間の隙間が小さくなり、ケース2内
への異物の侵入が充分に防止される。また、この場合、
開口部20のケース蓋2b内面B側のサイズが大きいた
め、電極端子3のケース蓋2bの開口部20内への差し
込み作業が容易となる。したがって、特にインテリジェ
ント化により外部に引き出す電極端子3の数の多い半導
体装置では、複数の開口部20から複数の電極端子3を
同時に容易に引き出すことができ、組立作業の大幅な容
易化が図られる。
【0025】実施例4.図7はこの発明の第2および第
3の発明の他の実施例に係る半導体装置のケース蓋の開
口部回りの部分的斜視図であり、この実施例4では、面
取り部22を、隣接する端面21どうしを凹曲面22a
で斜状に連結して構成するものとし、上記実施例3と同
様の効果を奏する。この場合、面取り部22のケース蓋
2bの内面B側の曲率半径R2は、外面A側の曲率半径
1より大きく、かつ、この外面A側の曲率半径R1は電
極端子3の板厚tの1/3以上の大きさとしている。
【0026】実施例5.図8はこの発明の第2および第
4の発明の一実施例に係る半導体装置のケース蓋の開口
部周りの部分的斜視図である。
【0027】図において、30は電極端子3をケース2
の外方に引き出すために、ケース蓋2bに設けられた開
口部である。この開口部30の形状は全体的に矩形状を
しているが、その大きさは、ケース蓋2bの外面A側に
比べ内面B側が段階的に大きくなっている。31はケー
ス蓋2bの開口部30に臨む端面である。この端面31
はケース蓋2bの内面B側から外面A側に向かって階段
状に形成されている。すなわち、この端面31は、ケー
ス蓋2bの外面A側の垂直面31aと、ケース蓋2bの
内面B側の垂直面31bと、この垂直面31bと垂直面
31aと連結する水平面31cとから構成されている。
【0028】32はケース蓋2bの端面31の各角部M
に、隣接する端面31どうしを斜状(例えば45度)の
平面で連結するよう形成された面取り部である。この面
取り部32は、垂直面31aの位置に形成される外面側
面取り部32aと、垂直面31bの位置に形成される内
面側面取り部32bとから構成される。そして、内面側
面取り部32bの面幅a4が外面側面取り部32aの面
幅a3より大きくなっている。また、外面側面取り部3
2aの面幅a3は電極端子3の板厚tの1/3以上の大
きさとなっている。なお、他の構成は上記実施例1の半
導体装置と同一である。
【0029】以上のように構成されているため、この実
施例5による半導体装置でも、上記実施例3と同様な効
果を得ることができる。
【0030】実施例6.図9はこの発明の第2および第
4の発明の他の実施例に係る半導体装置のケース蓋の開
口部回りの部分的斜視図であり、この実施例6では、面
取り部32を、隣接する端面31どうしを凹曲面で斜状
に連結して構成するものとし上記実施例5と同様の効果
を奏する。この場合、垂直面31bの位置に形成される
内面側面取り部32dの曲率半径R4は、垂直面31a
の位置に形成される外面側面取り部32cの曲率半径R
3より大きいものとする。また、外面側面取り部32c
の曲率半径R3は、電極端子3の板厚tの1/3以上の
大きさとしている。
【0031】実施例7.図10はこの発明の第5および
第6の発明の一実施例に係る半導体装置のケース蓋の開
口部周りの部分的斜視図、図11は図10の第XI−XI矢
視断面図である。
【0032】図において、40はケース蓋2bの端面2
1とケース蓋2bの外面Aとの間に形成される突辺部N
1を、斜状に削って形成される第2の面取り部としての
外辺面取り部、41はケース蓋2bの端面21とケース
蓋2bの内面Bとの間に形成される突辺部N2を、斜状
に削って形成される第2の面取り部としての内辺面取り
部である。この場合、内辺面取り部41の面幅b2は外
辺面取り部40の面幅b1より大きくなっている。ま
た、外辺面取り部40の面幅b1は電極端子3の板厚t
の1/3以上の大きさとなっている。なお、ケース蓋2
bの端面21の各角部Mには、第1の面取り部としての
面取り部22が形成されている。他の構成は上記実施例
3の半導体装置と同一である。
【0033】この実施例7による半導体装置では、ケー
ス蓋2bの開口部20周りの突辺部N1,N2にも第2の
面取り部である外辺面取り部40と内辺面取り部41と
を形成しているため、電極端子3の折り曲げの際に、電
極端子3を外辺面取り部40に沿って折り曲げることが
でき、折り曲げ部分でのメッキ割れを防止でき、曲げ作
業の応力が内部回路に作用せず、回路の破壊を防止でき
るとともに、突辺部N1,N2における応力の集中を防止
でき、突辺部N1,N2におけるクラックKの発生を防止
できる。特に外辺および内辺面取り部40,41は、そ
の面幅b1,b2が電極端子3の板厚tの1/3以上の大
きさとなっているため、応力の集中を効果的に防止でき
る。また、この半導体装置では面幅b1より面幅b2が大
きいため、温度が高く応力の集中が生じやすいケース2
の内部側の応力の集中をより効果的に防止できる。さら
に、この場合、ケース蓋2bの開口部20への電極端子
3の差し込みが容易となる。また、この半導体装置では
上記実施例3で示した半導体装置と同様な効果も得るこ
とができる。
【0034】なお、この外辺および内辺面取り部40,
41は平面的なものでなく、凸曲面にて形成されるもの
でもよい。この場合、凸曲面の曲率半径は電極端子3の
板厚tの1/3以上の大きさとする。
【0035】実施例8.図12はこの発明の第5および
第6の発明の他の実施例に係る半導体装置のケース蓋の
開口部回りの部分的斜視図、図13は図12のXIII−XI
II矢視断面図であり、この実施例8では、ケース蓋2b
の端面31がケース蓋2bの内面B側から外面A側に向
かって階段状に変成されている半導体装置に対し、外辺
面取り部40と内辺面取り部41を上記実施例7と同様
に形成するものとし、上記実施例7と同様の効果を奏す
る。
【0036】
【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るので、以下に記載されるような効果を奏する。
【0037】この発明の第1の発明によれば、ケースに
設けられた開口部から、このケース内の電極端子が外方
に引き出されている半導体装置において、開口部に臨む
ケースの端面の角部に、平面状または曲面状の面取り部
を形成したので、ケースの端子用開口部周りの角部にお
ける応力の集中を防止でき、ここでのクラックの発生を
効果的に防止できる。
【0038】この発明の第2の発明によれば、ケースに
設けられた開口部から、このケース内の電極端子が外方
に引き出されている半導体装置において、開口部に臨む
ケースの端面の角部に、平面状または曲面状の面取り部
を形成し、かつ、この面取り部の面幅または曲率半径を
ケースの外面側に比べ内面側を大きくしたので、上記第
1の発明と同様な効果を得ることができるとともに、応
力の集中が生じやすいケース内面側の角部におけるクラ
ックの発生をより効果的に防止できる。
【0039】この発明の第3の発明によれば、ケースに
設けられた開口部から、このケース内の電極端子が外方
に引き出されている半導体装置において、開口部に臨む
ケースの端面の角部に、平面状または曲面状の面取り部
を形成し、かつ開口部をケースの外面側から内面側に向
かって漸次大きく形成し、面取り部の面幅または曲率半
径を前記ケースの外面側から内面側に向かって漸次大き
くしたので、上記第1の発明と同様な効果を得ることが
できるとともに、応力の集中が生じやすいケース内面側
でのクラックの発生をより効果的に防止できる。また、
ケース内への異物の侵入が効果的に防止されるととも
に、電極端子のケースの開口部への差し込み作業も容易
となる。
【0040】この発明の第4の発明によれば、ケースに
設けられた開口部から、このケース内の電極端子が外方
に引き出されている半導体装置において、開口部に臨む
ケースの端面の角部に、平面状または曲面状の面取り部
を形成し、かつ開口部をケースの外面側から内面側に向
かって段階的に大きく形成し、面取り部の面幅または曲
率半径を開口部のサイズに合わせて、ケースの外面側か
ら内面側に向かって段階的に大きくしたので、上記第3
の発明と同様な効果を得ることができる。
【0041】この発明の第5の発明によれば、ケースに
設けられた開口部から、このケース内の電極端子が外方
に引き出されている半導体装置において、開口部に臨む
ケースの端面の角部に、平面状または曲面状の第1の面
取り部を形成するとともに、ケースの端面の突辺部に、
平面状または曲面状の第2の面取り部を形成したので、
上記第1の発明と同様な効果を得ることができるととも
に、特に、ケースの端面の突辺部での応力の集中が防止
でき、ここでのクラックの発生か効果的に防止される。
【0042】この発明の第6の発明によれば、ケースに
設けられた開口部から、このケース内の電極端子が外方
に引き出されている半導体装置において、開口部に臨む
ケースの端面の角部に、平面状または曲面状の第1の面
取り部を形成するとともに、ケースの端面の突辺部に、
平面状または曲面状の第2の面取り部を形成し、かつ、
この第2面取り部の面幅または曲率半径をケースの外面
側に比べ内面側を大きくしたので、上記第5の発明と同
様な効果を得ることができるとともに、特に、応力の集
中が生じやすいケース内面側での、突辺部におけるクラ
ックの発生を効果的に防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例1に係る半導体装置の外観斜
視図である。
【図2】図1の半導体装置の開口部周りの平面図であ
る。
【図3】図1の半導体装置のケース蓋の開口部周りの部
分的斜視図である。
【図4】この発明の実施例2に係る半導体装置のケース
蓋の開口部周りの部分的斜視図である。
【図5】この発明の実施例3に係る半導体装置のケース
蓋の開口部周りの部分的斜視図である。
【図6】図5の半導体装置のケース蓋の開口部周りの部
分的平面図である。
【図7】この発明の実施例4に係る半導体装置のケース
蓋の開口部周りの部分的斜視図である。
【図8】この発明の実施例5に係る半導体装置のケース
蓋の開口部周りの部分的斜視図である。
【図9】この発明の実施例6に係る半導体装置のケース
蓋の開口部周りの部分的斜視図である。
【図10】この発明の実施例7に係る半導体装置のケー
ス蓋の開口部周りの部分的斜視図である。
【図11】図10のXI−XI矢視断面図である。
【図12】この発明の実施例8に係る半導体装置のケー
ス蓋の開口部周りの部分的斜視図である。
【図13】図12のXIII−XIII矢視断面図である。
【図14】従来の半導体装置の外観斜視図である。
【図15】図14の半導体装置の開口部周りの斜視図で
ある。
【符号の説明】
2 ケース 2b ケース蓋(ケース) 3 電極端子 10 開口部 11 端面 12 面取り部 20 開口部 21 端面 22 面取り部 30 開口部 31 端面 32 面取り部 40 内辺面取り部(第2の面取り部) 41 外辺面取り部(第2の面取り部) A ケースの外面 a 面幅 a1 面幅 a2 面幅 a3 面幅 a4 面幅 b1 面幅 b2 面幅 B ケースの内面 M 角部 N1 突辺部 N2 突辺部 R 曲率半径 R1 曲率半径 R2 曲率半径 R3 曲率半径 R4 曲率半径

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ケースに設けられた開口部から、このケ
    ース内の電極端子が外方に引き出されている半導体装置
    において、 前記開口部に臨む前記ケースの端面の角部に、平面状ま
    たは曲面状の面取り部を形成したことを特徴とする半導
    体装置。
  2. 【請求項2】 ケースに設けられた開口部から、このケ
    ース内の電極端子が外方に引き出されている半導体装置
    において、 前記開口部に臨む前記ケースの端面の角部に、平面状ま
    たは曲面状の面取り部を形成し、かつ、この面取り部の
    面幅または曲率半径を前記ケースの外面側に比べ内面側
    を大きくしたことを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項3】 ケースに設けられた開口部から、このケ
    ース内の電極端子が外方に引き出されている半導体装置
    において、 前記開口部に臨む前記ケースの端面の角部に、平面状ま
    たは曲面状の面取り部を形成し、かつ前記開口部を前記
    ケースの外面側から内面側に向かって漸次大きく形成
    し、前記面取り部の面幅または曲率半径を前記ケースの
    外面側から内面側に向かって漸次大きくしたことを特徴
    とする半導体装置。
  4. 【請求項4】 ケースに設けられた開口部から、このケ
    ース内の電極端子が外方に引き出されている半導体装置
    において、 前記開口部に臨む前記ケースの端面の角部に、平面状ま
    たは曲面状の面取り部を形成し、かつ前記開口部を前記
    ケースの外面側から内面側に向かって段階的に大きく形
    成し、前記面取り部の面幅または曲率半径を前記開口部
    のサイズに合わせて、前記ケースの外面側から内面側に
    向かって段階的に大きくしたことを特徴とする半導体装
    置。
  5. 【請求項5】 ケースに設けられた開口部から、このケ
    ース内の電極端子が外方に引き出されている半導体装置
    において、 前記開口部に臨む前記ケースの端面の角部に、平面状ま
    たは曲面状の第1の面取り部を形成するとともに、 前記ケースの端面の突辺部に、平面状または曲面状の第
    2の面取り部を形成したことを特徴とする半導体装置。
  6. 【請求項6】 ケースに設けられた開口部から、このケ
    ース内の電極端子が外方に導引き出されている半導体装
    置において、 前記開口部に臨む前記ケースの端面の角部に、平面状ま
    たは曲面状の第1の面取り部を形成するとともに、 前記ケースの端面の突辺部に、平面状または曲面状の第
    2の面取り部を形成し、かつ、この第2面取り部の面幅
    または曲率半径を前記ケースの外面側に比べ内面側を大
    きくしたことを特徴とする半導体装置。
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