JP6152896B2 - 非可逆回路素子 - Google Patents
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Description
永久磁石により直流磁界が印加される磁性体と、
前記磁性体に互いに絶縁状態で交差して配置された複数の中心電極と、
を備え、
前記複数の中心電極のうち、第1中心電極はその一端が第1入出力ポートに接続され、第2中心電極はその一端が第2入出力ポートに接続され、
前記第1入出力ポートと前記第2入出力ポートとの間に抵抗素子が直列に接続されるとともに、移相回路が前記抵抗素子に直列に接続されており、
第1中心電極の他端及び第2中心電極の他端は第3入出力ポートに接続されていること、
を特徴とする。
永久磁石により直流磁界が印加される磁性体と、
前記磁性体に互いに絶縁状態で交差して配置された第1中心電極、第2中心電極及び第3中心電極と、
を備え、
前記第1中心電極はその一端が第1入出力ポートに接続され、他端がグランドに接続され、
前記第2中心電極はその一端が第2入出力ポートに接続され、他端がグランドに接続され、
前記第3中心電極はその一端が第3入出力ポートに接続され、他端がグランドに接続され、
前記第1中心電極、前記第2中心電極及び前記第3中心電極にそれぞれ容量素子が並列に接続されて第1LC並列共振回路、第2LC並列共振回路及び第3LC並列共振回路が形成されており、
前記第1入出力ポートと前記第2入出力ポートとの間に抵抗素子が直列に接続されるとともに、移相回路が前記抵抗素子に直列に接続されていること、
を特徴とする。
永久磁石により直流磁界が印加される磁性体と、
前記磁性体に互いに絶縁状態で交差して配置された第1中心電極及び第2中心電極と、
を備え、
前記第1中心電極はその一端が第1入出力ポートに接続され、他端がグランドに接続され、
前記第2中心電極はその一端が第2入出力ポートに接続され、他端がグランドに接続され、
前記第1中心電極及び前記第2中心電極にそれぞれ容量素子が並列に接続されて第1LC並列共振回路及び第2LC並列共振回路が形成されており、
前記第1入出力ポートと前記第2入出力ポートとの間に抵抗素子が直列に接続されるとともに、移相回路が前記抵抗素子に直列に接続されていること、
を特徴とする。
本発明の第4の形態である非可逆回路素子は、
永久磁石により直流磁界が印加される磁性体と、
前記磁性体に互いに絶縁状態で交差して配置された複数の中心電極と、
を備え、
前記複数の中心電極のうち、第1中心電極はその一端が第1入出力ポートに接続され、第2中心電極はその一端が第2入出力ポートに接続され、
前記第1入出力ポートと前記第2入出力ポートとの間に抵抗素子が直列に接続されるとともに、移相回路が前記抵抗素子に直列に接続されており、
前記移相回路がインダクタンス素子と容量素子とで構成されるLC並列共振回路であること、
を特徴とする。
第1実施例である非可逆回路素子は、図1に示す等価回路にて構成されている。即ち、一対の永久磁石31(図2、図3参照)と、永久磁石31により直流磁界が印加される磁性体10(以下、フェライトと記す)と、フェライト10に互いに絶縁状態で交差して配置された第1中心電極21及び第2中心電極22と、を備えている。そして、第1中心電極21はその一端が第1入出力ポートP1に接続され、他端がグランドに接続されている。第2中心電極22はその一端が第2入出力ポートP2に接続され、他端がグランドに接続されている。
第2実施例である非可逆回路素子(2ポート型アイソレータ2)は、図7に示すように、抵抗素子Rに対して並列にリアクタンス素子Xを接続したものであり、他の構成は前記第1実施例であるアイソレータ1と同様の構成である。本第2実施例の作用効果は前記第1実施例と基本的に同じであり、リアクタンス素子Xを設けることにより、アイソレーション特性の中心周波数を調整することができる。アイソレーション特性の中心周波数は、中心電極21,22の交差角度を最適化することにより所望の周波数に合わせ込む。しかし、中心電極21,22の製造上のばらつきなどにより、所望の周波数からずれてしまう場合があり、調整が必要となる。
第3実施例である非可逆回路素子(2ポート型アイソレータ3)は、図8に示すように、第1ポートP1と出力端子OUTとの間にさらに容量素子Cjを直列に接続したものあり、他の構成は前記第1実施例であるアイソレータ1と同様の構成である。本第3実施例の作用効果は前記第1実施例と基本的に同様である。特に、容量素子Cjは、ポートP1,P2間のインピーダンス整合用であり、容量素子Cjの容量値を変えることでアイソレーション特性と挿入損失特性の減衰量の微調整が可能となる。それゆえ、容量素子Cjを設けることにより、所望の特性を容易に得ることができる。
第4実施例である非可逆回路素子(3ポート型サーキュレータ4)は、図9に示すように、第1中心電極21の他端及び第2中心電極22の他端を第3入出力ポートP3とし、該ポートP3をインピーダンス整合用の容量素子Cs3を介して入出力端子T3に接続したものである。また、第1中心電極21の一端(入出力ポートP1)の入出力部を端子T1、第2中心電極22の一端(入出力ポートP2)の入出力部を端子T2とする。他の構成は前記第1実施例であるアイソレータ1と基本的に同様である。
第5実施例である非可逆回路素子(3ポート型サーキュレータ5)は、図10に示すように、第1中心電極21及び第2中心電極22に加えて、第3中心電極23をフェライト10に中心電極21,22とは絶縁状態で交差して配置したものである。第3中心電極23はその一端が第3入出力ポートP3に相当し、当該ポートP3がインピーダンス整合用の容量素子Cs3を介して端子T3に接続される。第3中心電極23の他端はグランドに接続されている。さらに、第3中心電極23に容量素子C3が並列に接続されて第3並列共振回路が形成されている。また、第1中心電極21の一端(入出力ポートP1)の入出力部を端子T1、第2中心電極22の一端(入出力ポートP2)の入出力部を端子T2とする。他の構成は前記第1実施例であるアイソレータ1と基本的に同様である。
なお、本発明に係る非可逆回路素子は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
4,5…3ポート型サーキュレータ
6…多層基板
10…フェライト
21,22,23…中心電極
31…永久磁石
P1,P2,P3…ポート
C1,C2,C3,C5,Cj…容量素子
L5…インダクタンス素子
R…抵抗素子
X…リアクタンス素子
Claims (8)
- 永久磁石により直流磁界が印加される磁性体と、
前記磁性体に互いに絶縁状態で交差して配置された複数の中心電極と、
を備え、
前記複数の中心電極のうち、第1中心電極はその一端が第1入出力ポートに接続され、第2中心電極はその一端が第2入出力ポートに接続され、
前記第1入出力ポートと前記第2入出力ポートとの間に抵抗素子が直列に接続されるとともに、移相回路が前記抵抗素子に直列に接続されており、
前記第1中心電極の他端及び前記第2中心電極の他端は第3入出力ポートに接続されていること、
を特徴とする非可逆回路素子。 - 永久磁石により直流磁界が印加される磁性体と、
前記磁性体に互いに絶縁状態で交差して配置された第1中心電極、第2中心電極及び第3中心電極と、
を備え、
前記第1中心電極はその一端が第1入出力ポートに接続され、他端がグランドに接続され、
前記第2中心電極はその一端が第2入出力ポートに接続され、他端がグランドに接続され、
前記第3中心電極はその一端が第3入出力ポートに接続され、他端がグランドに接続され、
前記第1中心電極、前記第2中心電極及び前記第3中心電極にそれぞれ容量素子が並列に接続されて第1LC並列共振回路、第2LC並列共振回路及び第3LC並列共振回路が形成されており、
前記第1入出力ポートと前記第2入出力ポートとの間に抵抗素子が直列に接続されるとともに、移相回路が前記抵抗素子に直列に接続されていること、
を特徴とする非可逆回路素子。 - 永久磁石により直流磁界が印加される磁性体と、
前記磁性体に互いに絶縁状態で交差して配置された第1中心電極及び第2中心電極と、
を備え、
前記第1中心電極はその一端が第1入出力ポートに接続され、他端がグランドに接続され、
前記第2中心電極はその一端が第2入出力ポートに接続され、他端がグランドに接続され、
前記第1中心電極及び前記第2中心電極にそれぞれ容量素子が並列に接続されて第1LC並列共振回路及び第2LC並列共振回路が形成されており、
前記第1入出力ポートと前記第2入出力ポートとの間に抵抗素子が直列に接続されるとともに、移相回路が前記抵抗素子に直列に接続されていること、
を特徴とする非可逆回路素子。 - 前記移相回路がインダクタンス素子と容量素子とで構成されるLC並列共振回路であること、を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の非可逆回路素子。
- 前記抵抗素子に対して並列にリアクタンス素子が接続されていること、を特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の非可逆回路素子。
- 前記第1入出力ポートと前記第2入出力ポートとの間にいま一つの容量素子が直列に接続されていること、を特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の非可逆回路素子。
- さらに、前記磁性体を搭載した多層基板を備え、
前記多層基板には容量素子、前記抵抗素子及びリアクタンス素子の少なくともいずれかが内蔵されていること、を特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の非可逆回路素子。 - 永久磁石により直流磁界が印加される磁性体と、
前記磁性体に互いに絶縁状態で交差して配置された複数の中心電極と、
を備え、
前記複数の中心電極のうち、第1中心電極はその一端が第1入出力ポートに接続され、第2中心電極はその一端が第2入出力ポートに接続され、
前記第1入出力ポートと前記第2入出力ポートとの間に抵抗素子が直列に接続されるとともに、移相回路が前記抵抗素子に直列に接続されており、
前記移相回路がインダクタンス素子と容量素子とで構成されるLC並列共振回路であること、
を特徴とする非可逆回路素子。
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