JP6152060B2 - 固体撮像装置及びカメラ - Google Patents

Description

本発明は、固体撮像装置及びカメラに関する。

固体撮像装置は、例えば、半導体基板に形成されたウエルと、該ウエルに該ウエルとは異なる導電型の不純物を注入して形成された光電変換部と、を備える。ウエルには、該ウエルに電位が与えるためのコンタクトプラグが電気的に接続されている。

特開２０１１−２１０８３７号公報

特許文献１によると、コンタクトプラグを介してウエルに流入される少数キャリアが光電変換部に到達すると、固体撮像装置により得られる画像の品質低下をもたらしうる。また、特許文献１には、上記少数キャリアが光電変換部に到達することを防ぐため、ウエルのコンタクトプラグとの接続部分と光電変換部との間に、ウエルよりも不純物濃度の高い領域が形成された構造が開示されている。この構造によると、該領域は、上記少数キャリアに対するポテンシャル障壁として機能する。しかしながら、このポテンシャル障壁よりも大きいエネルギーを得た少数キャリアは、光電変換部に到達してしまう。

本発明の目的は、光電変換部への少数キャリアの流入を防ぐのに有利な技術を提供することにある。

本発明の一つの側面は固体撮像装置にかかり、前記固体撮像装置は、基板に形成された第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域に形成された互いに隣り合う第１の光電変換部及び第２の光電変換部と、前記基板の上面に対する平面視において前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部との間に配され、第１の電位が与えられる前記第１導電型の第１部分と、前記第１の半導体領域と接触し且つ前記平面視における前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部との間において前記第１部分を覆う前記第１導電型の第２部分であって、該第２部分を介して前記第１部分から前記第１の半導体領域に前記第１の電位を与える第２部分と、前記第１の電位とは異なる第２の電位が与えられる第２導電型の第２の半導体領域と、を備え、前記第２の半導体領域は、前記平面視において、前記第１部分及び前記第２部分と前記第１の光電変換部との間および前記第１部分及び前記第２部分と前記第２の光電変換部との間にそれぞれ配されていることを特徴とする。

本発明によれば、光電変換部への少数キャリアの流入を防ぐことができる。

固体撮像装置の構成例を説明する図。 画素のレイアウトおよび断面構造の参考例を説明する図。 画素のレイアウトおよび断面構造の例を説明する図。 画素のレイアウトおよび断面構造の例を説明する図。 画素のレイアウトおよび断面構造の例を説明する図。

（１． 固体撮像装置の全体構成例）
図１は、固体撮像装置Ｉの全体構成例を示している。固体撮像装置Ｉは、複数の画素Ｐが配列された画素アレイと、垂直走査回路ＶＳＣと、読出部Ｕ_ＲＯと、水平走査回路ＨＳＣと、出力部Ｕ_ＯＵＴと、を備えている。

複数の画素Ｐは、ここでは説明を容易にするため、４行×４列に配列された構成を例示する。なお、図中において、第Ｍ行目・第Ｎ列目の画素を「Ｐ_ＭＮ」と示す。図中に例示されるように、画素Ｐ_１１は、光電変換部ＰＤ（例えば、フォトダイオード）、転送トランジスタＴ_ＴＸ、フローティングディフュージョン容量ＦＤ、リセットトランジスタＴ_ＲＥＳ、増幅トランジスタＴ_ＳＦ、選択トランジスタＴ_ＳＥＬを含んでいる。他の画素Ｐ_１２〜Ｐ_４４についても同様である。

転送トランジスタＴ_ＴＸのゲート端子には、信号線Ｌ_ＴＸを介して制御信号ＴＸが与えられる。制御信号ＴＸが活性化されたことに応答して、転送トランジスタＴ_ＴＸは、光電変換部ＰＤにおいて受光によって生じた電荷を、フローティングディフュージョン容量ＦＤに転送する。増幅トランジスタＴ_ＳＦはソースフォロワ動作を行い、増幅トランジスタＴ_ＳＦのソース電位は、フローティングディフュージョン容量ＦＤに転送された電荷量の変動に応じて変化する。選択トランジスタＴ_ＳＥＬのゲート端子には、信号線Ｌ_ＳＥＬを介して制御信号ＳＥＬが与えられる。制御信号ＳＥＬが活性化されたことに応答して、選択トランジスタＴ_ＳＥＬは、増幅トランジスタＴ_ＳＦのソース電位に応じた画素信号を、対応する列信号線Ｌ_Ｃに出力する。また、リセットトランジスタＴ_ＲＥＳのゲート端子には、信号線Ｌ_ＲＥＳを介して制御信号ＲＥＳが与えられる。制御信号ＲＥＳが活性化されたことに応答して、リセットトランジスタＴ_ＲＥＳは画素Ｐを初期化する。本構成では、リセットトランジスタＴ_ＲＥＳは、フローティングディフュージョン容量ＦＤを電源ノードに接続し、フローティングディフュージョン容量ＦＤの電位をリセットする。画素Ｐの初期化の他の例としては、光電変換部ＰＤの電位をリセットしてもよい。

垂直走査回路ＶＳＣは、各画素Ｐから画素信号を読み出すための上記制御信号ＴＸ等を各画素Ｐに行ごとに出力する。読出部Ｕ_ＲＯは、各画素Ｐからの画素信号を列ごとに読み出す。なお、読出部Ｕ_ＲＯは、読み出された画素信号に所定の処理を行ってもよい。水平走査回路ＨＳＣは、スイッチＳＷを列ごとに駆動して、読出部Ｕ_ＲＯにより列ごとに読み出された画素信号を順に水平転送する。出力部Ｕ_ＯＵＴは、水平転送された画素信号を外部に出力する。

（２． 画素構造の参考例）
図２は、単位画素Ｐ’の構造の参考例を示す模式図である。図２（ａ）は、画素Ｐ’のレイアウト配置を示している。図２（ｂ）は、カットラインＸ−Ｘ’の断面構造を示している。なお、図２（ａ）において、前述のトランジスタＴ_ＴＸ、Ｔ_ＲＥＳ、Ｔ_ＳＦ、Ｔ_ＳＥＬのゲート電極を、それぞれ、「Ｇ_ＴＸ」、「Ｇ_ＲＥＳ」、「Ｇ_ＳＦ」、「Ｇ_ＳＥＬ」と示している。

光電変換部ＰＤやトランジスタＴ_ＴＸ等の各素子（以下、単に「各素子」と記す）は、基板上のＰ型（第１導電型）のウエルＷ_Ｐに形成されている。なお、ここでは、各素子がＰ型のウエルＷ_Ｐに形成された構造を例示したが、各素子は、Ｐ型の半導体基板の上に形成されてもよいし、Ｐ型のエピタキシャル成長層等の半導体領域の上に形成されてもよい。

各素子は、ウエルＷ_Ｐ表面に形成された素子分離部Ｐ_ＩＳＯによって互いに電気的に分離されている。素子分離部Ｐ_ＩＳＯは、例えばＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）法やＬＯＣＯＳ（ＬＯＣａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）法により形成される。

光電変換部ＰＤは、ウエルＷ_Ｐに、Ｎ型（第２導電型）の不純物を注入してＮ型領域Ｒ１を形成することにより形成される。Ｎ型領域Ｒ１は、ウエルＷ_Ｐとの間でＰＮ接合を形成する。光電変換部ＰＤは、領域Ｒ１の上（ウエルＷ_Ｐ表面）にＰ型の不純物をさらに注入してＰ型領域Ｒ２を形成することにより、いわゆる埋め込み型で形成されてもよい。なお、ここでは、ウエルＷ_ＰにＮ型の不純物を注入して光電変換部ＰＤを形成する方法を例示したが、光電変換部ＰＤは、ウエルＷ_Ｐの隣にウエルＷ_Ｐに接するようにＮ型領域Ｒ１を形成することによって形成されてもよい。

トランジスタＴ_ＴＸ等のソース及びドレインは、例えばゲート電極Ｇ_ＴＸ等を自己整合マスクとして用いて、Ｎ型の不純物を注入することにより形成される。

コンタクトＣＴ_ＶＤＤは、トランジスタＴ_ＲＥＳ及びＴ_ＳＦのドレインに電位を供給する。トランジスタＴ_ＲＥＳ及びＴ_ＳＦのドレインには固定電位ないし電源電位（本実施形態では、電源電圧ＶＤＤ）が供給される。ただし、固定電位であっても、電流の変化などの過渡的な応答によりその電位は変動することがある。本明細書において、固定電位が供給されているとは、過渡的な電位変動が生じても所定の電位に収束することを意味する。

コンタクトＣＴ_ＧＮＤは、ウエルＷ_Ｐに電気的に接続されており、ウエルＷ_Ｐを接地する（ウエルＷ_Ｐをグランド電位ないし基準電位に固定する）。領域Ｒ３は、ウエルＷ_ＰよりもＰ型不純物濃度が高いＰ型領域であり、ウエルＷ_ＰとコンタクトＣＴ_ＧＮＤとのオーミック接触を形成している（第１部分）。

なお、コンタクトＣＴ_ＶＤＤ及びＣＴ_ＧＮＤは、「コンタクトプラグ」と称されてもよいし、「電極」と称されてもよい。

ここで、図２（ｂ）に例示されるように、基板の上面に対する平面視おいて、光電変換部ＰＤとコンタクトＣＴ_ＧＮＤとの間には、ウエルＷ_ＰよりもＰ型不純物濃度が高いＰ型領域Ｒ４が形成されている。領域Ｒ４は、ウエルＷ_Ｐにおいて、コンタクトＣＴ_ＧＮＤから流入した少数キャリア（電子）に対するポテンシャル障壁として機能しうる。しかしながら、図中に矢印で示されるように、該少数キャリアが、その拡散によって光電変換部ＰＤに到達する虞がある。このことは、画素信号を取得する際の暗電流成分として、画像の品質の低下をもたらしうる。

（３． 本発明にかかる画素構造の例）
（３−１． 第１実施形態）
図３は、画素アレイの構造の一部の領域を例示する模式図である。図３（ａ）は、主に、４つの画素Ｐの各々の光電変換部ＰＤと、それらの間に配されたトランジスタＴ_ＳＦ及びＴ_ＳＥＬと、のレイアウト配置を示している。図３（ｂ）は、カットラインＹ−Ｙ’の断面構造を示している。なお、ここでは説明を容易にするため、各素子の接続関係を示す配線パターンは不図示としている。

ここで、基板の上面に対する平面視において、上下方向または左右方向を「対辺方向」と称し、斜め方向を「対角方向」と称する。複数の光電変換部ＰＤで構成された画素アレイは、対辺方向、対角方向などの方向について周期性を有する。例えば、複数の光電変換部ＰＤのうちの２０個が、対辺方向に沿った約１００マイクロメートルの距離に配列されていれば、当該複数の光電変換部ＰＤの対辺方向の周期は約５マイクロメートルである。また、２０個の光電変換部ＰＤが、対角方向に沿った約１４１．４マイクロメートルの距離に配列されていれば、当該２０個の光電変換部ＰＤの対角方向の周期は約７．１マイクロメートルである。

本実施形態では、図３（ａ）に例示されるように、対角方向で互いに隣接する光電変換部ＰＤ間に、ウエルＷ_Ｐの電位を接地するためのコンタクトＣＴ_ＧＮＤが形成されている。なお、図３（ｂ）に例示されるように、ウエルＷ_ＰとコンタクトＣＴ_ＧＮＤとのオーミック接触を形成するＰ型領域Ｒ３の下には、領域Ｒ３を覆うように、Ｐ型不純物濃度が領域Ｒ３と同等または領域Ｒ３よりも低いＰ型領域Ｒ３’が形成されてもよい。領域Ｒ３から図示された光電変換部ＰＤまでの距離は、複数の光電変換部の配列する周期よりも短い。

なお、ここでは、領域Ｒ３及びＲ３’並びにコンタクトＣＴ_ＧＮＤを、対角方向での隣接画素間に配置した場合について例示したが、対辺方向での隣接画素間に配置した場合についても同様である。即ち、対辺方向および対角方向において、間に他の画素が存在しない２つの画素は「隣接画素」と称され、該２つの画素の関係は「互いに隣接する」と表現される。複数の光電変換部の所定の方向に沿った周期は、その方向において隣接する２つの隣接画素の光電変換部ＰＤの中心どうしの距離にほぼ等しい。

領域Ｒ３及びＲ３’と光電変換部ＰＤとの間には、Ｎ型領域Ｒ５が形成されている。領域Ｒ５には、コンタクトＣＴ_ＶＤＤにより電源電圧ＶＤＤが供給される。

なお、領域Ｒ３及びＲ３’と領域Ｒ５との間と、領域Ｒ５と光電変換部ＰＤとの間とには、絶縁材料で形成された素子分離部Ｐ_ＩＳＯがそれぞれ形成されてもよい。

上記構成によると、図中に矢印で示されるように、コンタクトＣＴ_ＧＮＤから流入した少数キャリアは、領域Ｒ５に電界拡散によって導かれ、光電変換部ＰＤに到達しない。そのため、画素信号を取得する際の暗電流成分が抑制され、固体撮像装置Ｉにより得られる画像の品質が向上する。領域Ｒ５の電位が領域Ｒ１の電位よりも高く維持されることによって、少数キャリアがより効果的に領域Ｒ５に導かれる。また、コンタクトＣＴ_ＧＮＤからの少数キャリアに限らず、半導体領域とその上の絶縁膜との界面の界面トラップや半導体領域の格子欠陥に起因する少数キャリアについても同様である。

Ｎ型領域Ｒ５は、その不純物濃度が、画素アレイ外の各ユニット（垂直走査回路ＶＳＣ、読出部Ｕ_ＲＯ、水平走査回路ＨＳＣ、出力部Ｕ_ＯＵＴ等）を形成するＮＭＯＳトランジスタのソース及びドレインの不純物濃度よりも低くなるように形成されてもよい。これにより、例えば電源ノイズ等の過電圧に対する耐圧が向上しうる。

また、領域Ｒ５に電気的に接続されるコンタクトＣＴ_ＶＤＤは、平面視において、４つの光電変換部ＰＤの各々と領域Ｒ３及びＲ３’との間に配されるとよい。特に、コンタクトＣＴ_ＶＤＤは、４つの光電変換部ＰＤの各々とコンタクトＣＴ_ＧＮＤとの間に配されるとよく、これらを結ぶ直線上に配されると更によい。

また、領域Ｒ３及びＲ３’並びにコンタクトＣＴ_ＧＮＤは、４つの光電変換部ＰＤの各々からの距離が最短かつ実質的に等しい位置に配されるとよい。これにより、各光電変換部ＰＤに対する暗電流成分が均一に抑制され、画素間の特性ばらつきが効果的に抑制される。

なお、領域Ｒ３、Ｒ３’及びＲ５並びにコンタクトＣＴ_ＧＮＤ及びＣＴ_ＶＤＤは、各画素間に配されてもよいし、画素アレイの中の隣接画素間に所定の間隔で（例えば、所定行ないし所定列ごとに）配されてもよい。

以上、本実施形態によると、光電変換部への少数キャリアの流入が防止され、その結果、画素信号を取得する際の暗電流成分が抑制されるため、画質の向上に有利である。

なお、本実施形態では、電源電圧ＶＤＤがトランジスタＴ_ＲＥＳ及びＴ_ＳＦのドレインに供給されるため、該電源電圧ＶＤＤをコンタクトＣＴ_ＶＤＤに供給して領域Ｒ５に固定電位を与える構造を例示した。しかしながら、領域Ｒ５には、固体撮像装置Ｉが適切に動作する範囲で、他の固定電位が供給されてもよい。

（３−２． 第２実施形態）
図４は、画素アレイの構造の一部の領域を、前述の第１実施形態（図３）と同様に例示しており、図４（ａ）はレイアウト配置を示し、図３（ｂ）はカットラインＹ−Ｙ’の断面構造を示している。

本実施形態は、主に、基板の上面に対する平面視において、Ｎ型領域Ｒ５がＰ型領域Ｒ３及びＲ３’を取り囲むように形成されている、という点で前述の第１実施形態と異なる。この構造によると、コンタクトＣＴ_ＧＮＤからの少数キャリアが、より効果的に領域Ｒ５に導かれる。

領域Ｒ５の下には、領域Ｒ５を覆うように、Ｎ型不純物濃度が領域Ｒ５と同等または領域Ｒ５よりも低いＮ型領域Ｒ５’が形成されてもよい。なお、ここでは、領域Ｒ３’とＲ５’とが互いに接するように形成された構造を示したが、これらは互いに離れていてもよい。

領域Ｒ５’は、光電変換部ＰＤよりも、ウエルＷ_Ｐ表面から深い位置まで形成されるとよい。この構造によると、コンタクトＣＴ_ＧＮＤからの少数キャリアは領域Ｒ５及びＲ５’に効果的に導かれる。同様の理由で、領域Ｒ５’は、領域Ｒ３’よりもウエルＷ_Ｐ表面から深い位置まで形成されてもよいし、さらに、ウエルＷ_Ｐと領域Ｒ３及びＲ３’とが電気的に分離されないように、領域Ｒ３’の下の領域の一部まで延在してもよい。

また、領域Ｒ３及びＲ３’を取り囲む領域Ｒ５及びＲ５’には、電源電圧ＶＤＤが供給され、領域Ｒ５及びＲ５’は、例えばトランジスタＴ_ＲＥＳ及びＴ_ＳＦのドレインに電気的に接続されてもよいし、該ドレインと一体に形成されてもよい。この構造によると、画素Ｐのレイアウト効率が向上する。

一方、トランジスタＴ_ＲＥＳ及びＴ_ＳＦのドレインは、領域Ｒ５及びＲ５’の機能を兼ねることが可能である。そのため、領域Ｒ３及びＲ３’と、ある画素（「画素Ｐ_Ａ」とする）の光電変換部ＰＤとの間に、画素Ｐ_ＡのトランジスタＴ_ＲＥＳ及びＴ_ＳＦが配される場合には、領域Ｒ３及びＲ３’と画素Ｐ_Ａとの間には領域Ｒ５及びＲ５’は形成されなくてもよい。

また、例えば固体撮像装置Ｉの仕様によっては、コンタクトＣＴ_ＧＮＤからの少数キャリアに起因するノイズを考慮しなくてよい場合もある。そのため、該仕様によっては、領域Ｒ３及びＲ３’と、一部の画素の光電変換部ＰＤとの間に、トランジスタＴ_ＲＥＳ及びＴ_ＳＦ並びに領域Ｒ５のいずれもが形成されていなくてもよい。例えば、ノイズの影響を相対的に受けにくい画素（ベイヤ配列等のカラー対応の画素アレイにおいてノイズの影響が相対的に小さい色の画素）や、領域Ｒ３までの距離が他の画素よりも相対的に大きい画素等が挙げられる。また、例えば、他の画素に比べて開口が小さい焦点検出用の画素では、光電変換部からコンタクトまでの距離を相対的に大きくすることができる。

よって、本実施形態によると、前述の第１実施形態と同様の効果が得られる他、レイアウト効率の向上にも有利である。

図５は、本実施形態にかかる画素アレイの構造の一部の領域の変形例を、図４と同様に示しており、図５（ａ）はレイアウト配置を示し、図５（ｂ）はカットラインＹ−Ｙ’の断面構造を示している。前述の図４では、領域Ｒ３’とＲ５’とが互いに接するように形成された構造を示したが、図５に例示されるように、領域Ｒ３’とＲ５’との間に素子分離部Ｐ_ＩＳＯが形成されてもよい。

（４． その他）
以上、２つの好適な実施形態を例示したが、本発明はこれらに限られるものではないことは言うまでもなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、その一部を目的等に応じて変更してもよい。例えば、上記各実施形態では、第１導電型をＰ型とし、第２導電型をＮ型として述べたが、各半導体領域の導電型の極性を反対にした場合も同様である。

また、上述の各実施形態では、カメラ等に代表される撮像システムに含まれる固体撮像装置について述べた。撮像システムの概念には、撮影を主目的とする装置のみならず、撮影機能を補助的に備える装置（例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末）も含まれる。撮像システムは、上述の各実施形態で例示された固体撮像装置と、該固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部とを含みうる。処理部は、例えば、Ａ／Ｄ変換部や該Ａ／Ｄ変換部からのデジタルデータを処理するプロセッサを含みうる。

Claims (21)

1. 基板に形成された第１導電型の第１の半導体領域と、
   前記第１の半導体領域に形成された互いに隣り合う第１の光電変換部及び第２の光電変換部と、
   前記基板の上面に対する平面視において前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部との間に配され、第１の電位が与えられる前記第１導電型の第１部分と、
   前記第１の半導体領域と接触し且つ前記平面視における前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部との間において前記第１部分を覆う前記第１導電型の第２部分であって、該第２部分を介して前記第１部分から前記第１の半導体領域に前記第１の電位を与える第２部分と、
   前記第１の電位とは異なる第２の電位が与えられる第２導電型の第２の半導体領域と、を備え、
   前記第２の半導体領域は、前記平面視において、前記第１部分及び前記第２部分と前記第１の光電変換部との間および前記第１部分及び前記第２部分と前記第２の光電変換部との間にそれぞれ配されている
   ことを特徴とする固体撮像装置。
2. 前記第１部分に電気的に接続され、前記第１の電位を前記第１部分に供給するための第１電極と、
   前記第２の半導体領域に電気的に接続され、前記第２の電位を前記第２の半導体領域に供給するための第２電極と、をさらに備えており、
   前記第２電極は、前記平面視において、前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部の各々と前記第１電極との間に配されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部の少なくとも１つを含む画素を備え、
   前記画素は、前記第１の半導体領域に形成された少なくとも１つのＭＯＳトランジスタを有し、
   前記第２の半導体領域は、前記少なくとも１つのＭＯＳトランジスタのドレインである
   ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の固体撮像装置。
4. 前記少なくとも１つのＭＯＳトランジスタは、
   前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部の前記少なくとも１つで生じた電荷量に基づく信号を増幅するための増幅トランジスタと、
   前記画素を初期化するためのリセットトランジスタと、
   の少なくとも一方を含む
   ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
5. 前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部からの信号を読み出すためのユニットをさらに備え、
   前記ユニットを形成する少なくとも１つのＭＯＳトランジスタのソース及びドレインは前記第２導電型で形成されており、
   前記第２の半導体領域は、該ソース及びドレインよりも不純物濃度が低い
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
6. 前記第２の半導体領域は、前記平面視において前記第１部分を取り囲むように形成されている
   ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
7. 前記第１の半導体領域は、前記第２の半導体領域の下の領域を介して、前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部まで延在している
   ことを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
8. 前記第１部分と前記第２の半導体領域との間に絶縁材料で形成された素子分離部をさらに備える
   ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
9. 前記第１の半導体領域は、前記素子分離部の下の領域を介して、前記第１の光電変換部または前記第２の光電変換部まで延在している
   ことを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置。
10. 前記第２の半導体領域は、前記第１の光電変換部および前記第２の光電変換部よりも深い位置まで形成されている
    ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
11. 前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部のそれぞれは、前記第１の半導体領域とＰＮ接合を構成する前記第２導電型の第３の半導体領域を含む
    ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
12. 前記第２の電位は、電源電位である
    ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
13. 前記第１の電位は、グランド電位である
    ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
14. 基板に形成された第１導電型の第１の半導体領域と、
    前記第１の半導体領域に形成された互いに隣り合う第１の光電変換部及び第２の光電変換部と、
    前記基板の上面に対する平面視において前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部との間に配され、第１の電位が与えられる前記第１導電型の第１部分と、
    前記第１の半導体領域と接触し且つ前記平面視における前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部との間において前記第１部分を覆う前記第１導電型の第２部分であって、該第２部分を介して前記第１部分から前記第１の半導体領域に前記第１の電位を与える第２部分と、
    前記第１の電位とは異なる第２の電位が与えられる第２導電型の第２の半導体領域と、を備え、
    前記第２の半導体領域は、前記平面視において、前記第１部分及び前記第２部分と前記第１の光電変換部との間および前記第１部分及び前記第２部分と前記第２の光電変換部との間に、前記第１部分及び前記第２部分を取り囲むように配されている
    ことを特徴とする固体撮像装置。
15. 基板に形成された第１導電型の第１の半導体領域と、
    前記第１の半導体領域に配列された互いに隣り合う第１の光電変換部及び第２の光電変換部と、
    第１の電位が与えられる前記第１導電型の第１部分と、
    前記第１の半導体領域と接触し且つ前記第１部分を覆う前記第１導電型の第２部分であって、該第２部分を介して前記第１部分から前記第１の半導体領域に前記第１の電位を与える第２部分と、
    前記第１の電位とは異なる第２の電位が与えられる第２導電型の第２の半導体領域と、を備え、
    前記基板の上面に対する平面視において、
    前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部は、行列状に配列された複数の光電変換部の一部であり、
    前記第１部分及び前記第２部分は、前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部の各々から前記複数の光電変換部の配列の周期よりも小さい距離だけ離れた位置に配され、
    前記第１部分と前記第２の半導体領域との間の最短距離は、前記第１の光電変換部と前記第１部分との間の最短距離より小さく、前記第２の光電変換部と前記第１部分との間の最短距離より小さい
    ことを特徴とする固体撮像装置。
16. 前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部の少なくとも１つを含む画素を備えており、
    前記平面視において、
    前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部とは、行方向および列方向の一方で隣り合っており、
    前記画素は、前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部の前記少なくとも１つで生じた電荷量に基づく信号を読み出すためのＭＯＳトランジスタであって、前記第１の光電変換部と前記第２の光電変換部との間に配されたＭＯＳトランジスタを有しており、
    前記第１部分は、前記ＭＯＳトランジスタから、前記行方向および列方向の他方にずれた位置に配されている
    ことを特徴とする請求項１５に記載の固体撮像装置。
17. 前記平面視において、
    前記画素は、前記第１の光電変換部及び前記第２の光電変換部の前記少なくとも１つから、前記行方向および列方向の前記他方にずれた位置に配されたフローティングディフュージョンをさらに有しており、
    前記第１部分及び前記第２部分と前記フローティングディフュージョンとは、前記行方向および列方向の前記一方で隣り合っている
    ことを特徴とする請求項１６に記載の固体撮像装置。
18. 前記第２の半導体領域は、前記第１の光電変換部と前記第１部分及び前記第２部分との間、及び、前記第２の光電変換部と前記第１部分及び前記第２部分との間にそれぞれ配されている
    ことを特徴とする請求項１５乃至１７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
19. 前記第１の光電変換部と前記第１部分及び前記第２部分との間に位置する前記第２の半導体領域と、前記第２の光電変換部と前記第１部分及び前記第２部分との間に位置する前記第２の半導体領域とは互いに繋がっている
    ことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
20. 前記第２部分は、前記第１導電型の不純物濃度が前記第１部分より低い
    ことを特徴とする請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
21. 請求項１乃至２０のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、を備える
    ことを特徴とするカメラ。
    

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