JP6150299B2 - マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6150299B2 JP6150299B2 JP2014070685A JP2014070685A JP6150299B2 JP 6150299 B2 JP6150299 B2 JP 6150299B2 JP 2014070685 A JP2014070685 A JP 2014070685A JP 2014070685 A JP2014070685 A JP 2014070685A JP 6150299 B2 JP6150299 B2 JP 6150299B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- pattern
- mask
- shielding film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
-
- H10P50/642—
-
- H10P50/692—
-
- H10P50/695—
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014070685A JP6150299B2 (ja) | 2014-03-30 | 2014-03-30 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| PCT/JP2015/059852 WO2015152123A1 (ja) | 2014-03-30 | 2015-03-30 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| US15/129,904 US9864268B2 (en) | 2014-03-30 | 2015-03-30 | Mask blank, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device |
| TW104110324A TWI621906B (zh) | 2014-03-30 | 2015-03-30 | 光罩基底、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 |
| KR1020167030032A KR102295453B1 (ko) | 2014-03-30 | 2015-03-30 | 마스크 블랭크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014070685A JP6150299B2 (ja) | 2014-03-30 | 2014-03-30 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017097967A Division JP6430585B2 (ja) | 2017-05-17 | 2017-05-17 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015191218A JP2015191218A (ja) | 2015-11-02 |
| JP2015191218A5 JP2015191218A5 (enExample) | 2017-04-27 |
| JP6150299B2 true JP6150299B2 (ja) | 2017-06-21 |
Family
ID=54240446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014070685A Active JP6150299B2 (ja) | 2014-03-30 | 2014-03-30 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9864268B2 (enExample) |
| JP (1) | JP6150299B2 (enExample) |
| KR (1) | KR102295453B1 (enExample) |
| TW (1) | TWI621906B (enExample) |
| WO (1) | WO2015152123A1 (enExample) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017161931A (ja) * | 2017-05-17 | 2017-09-14 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6292581B2 (ja) * | 2014-03-30 | 2018-03-14 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP6608613B2 (ja) * | 2015-05-12 | 2019-11-20 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP6158460B1 (ja) * | 2015-11-06 | 2017-07-05 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP6744100B2 (ja) * | 2016-01-15 | 2020-08-19 | Hoya株式会社 | 転写用マスクの製造方法 |
| JP6495472B2 (ja) | 2016-03-29 | 2019-04-03 | Hoya株式会社 | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| JP6556673B2 (ja) * | 2016-07-26 | 2019-08-07 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、描画装置、表示装置の製造方法、フォトマスク基板の検査方法、及びフォトマスク基板の検査装置 |
| JP6297766B1 (ja) * | 2016-08-26 | 2018-03-20 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP6780550B2 (ja) * | 2017-03-10 | 2020-11-04 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
| TWI778039B (zh) * | 2017-03-31 | 2022-09-21 | 日商凸版印刷股份有限公司 | 相位移空白遮罩、相位移遮罩及相位移遮罩之製造方法 |
| US11048160B2 (en) * | 2017-06-14 | 2021-06-29 | Hoya Corporation | Mask blank, phase shift mask and method for manufacturing semiconductor device |
| JP6819546B2 (ja) | 2017-11-13 | 2021-01-27 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法 |
| CN109917616B (zh) * | 2017-12-12 | 2022-07-05 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 用于双重图案化的掩模版的制作方法及双重图案化方法 |
| JP7219010B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2023-02-07 | 株式会社トッパンフォトマスク | 位相シフトマスクブランク |
| JP7280171B2 (ja) * | 2019-12-05 | 2023-05-23 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
| JP7350682B2 (ja) * | 2020-03-23 | 2023-09-26 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
| KR102402742B1 (ko) * | 2021-04-30 | 2022-05-26 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 포토마스크 블랭크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR102475672B1 (ko) * | 2021-11-03 | 2022-12-07 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR102535171B1 (ko) * | 2021-11-04 | 2023-05-26 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2909317B2 (ja) * | 1992-08-20 | 1999-06-23 | 三菱電機株式会社 | フォトマスク |
| KR101511926B1 (ko) | 2003-04-09 | 2015-04-13 | 호야 가부시키가이샤 | 포토 마스크의 제조방법 및 포토 마스크 블랭크 |
| TWI451191B (zh) * | 2005-12-26 | 2014-09-01 | Hoya股份有限公司 | A manufacturing method of a mask blank and a mask, and a method of manufacturing the semiconductor device |
| JP4614877B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-01-19 | Hoya株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
| JP4509050B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2010-07-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| JP5702920B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2015-04-15 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法 |
| JP5175932B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2013-04-03 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク |
| JP5123349B2 (ja) * | 2010-04-19 | 2013-01-23 | Hoya株式会社 | 多階調マスクの製造方法 |
| KR101883025B1 (ko) * | 2010-12-24 | 2018-07-27 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 및 전사용 마스크 및 그 제조 방법 |
| JP6062195B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2017-01-18 | Hoya株式会社 | 転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP5739375B2 (ja) * | 2012-05-16 | 2015-06-24 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクの製造方法 |
| US9886104B2 (en) | 2013-02-17 | 2018-02-06 | Adonit Co., Ltd. | Stylus for capacitive touchscreen |
| JP5779290B1 (ja) * | 2014-03-28 | 2015-09-16 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法 |
-
2014
- 2014-03-30 JP JP2014070685A patent/JP6150299B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-30 TW TW104110324A patent/TWI621906B/zh active
- 2015-03-30 KR KR1020167030032A patent/KR102295453B1/ko active Active
- 2015-03-30 WO PCT/JP2015/059852 patent/WO2015152123A1/ja not_active Ceased
- 2015-03-30 US US15/129,904 patent/US9864268B2/en active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017161931A (ja) * | 2017-05-17 | 2017-09-14 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9864268B2 (en) | 2018-01-09 |
| WO2015152123A1 (ja) | 2015-10-08 |
| US20170168384A1 (en) | 2017-06-15 |
| JP2015191218A (ja) | 2015-11-02 |
| TW201600922A (zh) | 2016-01-01 |
| TWI621906B (zh) | 2018-04-21 |
| KR20160138247A (ko) | 2016-12-02 |
| KR102295453B1 (ko) | 2021-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6150299B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP6571224B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP6266842B2 (ja) | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP6389375B2 (ja) | マスクブランクおよび転写用マスク並びにそれらの製造方法 | |
| US10527931B2 (en) | Mask blank, transfer mask, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device | |
| US20200150524A1 (en) | Mask blank, transfer mask, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP6545795B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
| JP6084391B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
| JP5917020B2 (ja) | マスクブランクおよび多階調マスクの製造方法 | |
| JP6165871B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスクおよび転写用マスクの製造方法 | |
| WO2020066591A1 (ja) | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
| WO2020066590A1 (ja) | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
| JP6608613B2 (ja) | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP6430585B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP6266919B2 (ja) | 転写用マスクの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170324 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170324 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20170324 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20170328 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170418 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170517 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6150299 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |