TWI621906B - 光罩基底、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

光罩基底、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI621906B
TWI621906B TW104110324A TW104110324A TWI621906B TW I621906 B TWI621906 B TW I621906B TW 104110324 A TW104110324 A TW 104110324A TW 104110324 A TW104110324 A TW 104110324A TW I621906 B TWI621906 B TW I621906B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
film
pattern
shielding film
mask
Prior art date
Application number
TW104110324A
Other languages
English (en)
Chinese (zh)
Other versions
TW201600922A (zh
Inventor
宍戶博明
野澤順
Original Assignee
日商Hoya股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商Hoya股份有限公司 filed Critical 日商Hoya股份有限公司
Publication of TW201600922A publication Critical patent/TW201600922A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI621906B publication Critical patent/TWI621906B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/48Protective coatings
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80Etching
    • H10P50/642
    • H10P50/692
    • H10P50/695

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
TW104110324A 2014-03-30 2015-03-30 光罩基底、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 TWI621906B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014070685A JP6150299B2 (ja) 2014-03-30 2014-03-30 マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2014-070685 2014-03-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201600922A TW201600922A (zh) 2016-01-01
TWI621906B true TWI621906B (zh) 2018-04-21

Family

ID=54240446

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104110324A TWI621906B (zh) 2014-03-30 2015-03-30 光罩基底、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9864268B2 (enExample)
JP (1) JP6150299B2 (enExample)
KR (1) KR102295453B1 (enExample)
TW (1) TWI621906B (enExample)
WO (1) WO2015152123A1 (enExample)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6292581B2 (ja) * 2014-03-30 2018-03-14 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP6608613B2 (ja) * 2015-05-12 2019-11-20 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP6158460B1 (ja) * 2015-11-06 2017-07-05 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP6744100B2 (ja) * 2016-01-15 2020-08-19 Hoya株式会社 転写用マスクの製造方法
JP6495472B2 (ja) 2016-03-29 2019-04-03 Hoya株式会社 マスクブランク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
JP6556673B2 (ja) * 2016-07-26 2019-08-07 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、描画装置、表示装置の製造方法、フォトマスク基板の検査方法、及びフォトマスク基板の検査装置
JP6297766B1 (ja) * 2016-08-26 2018-03-20 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法
JP6780550B2 (ja) * 2017-03-10 2020-11-04 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
TWI778039B (zh) * 2017-03-31 2022-09-21 日商凸版印刷股份有限公司 相位移空白遮罩、相位移遮罩及相位移遮罩之製造方法
JP6430585B2 (ja) * 2017-05-17 2018-11-28 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
US11048160B2 (en) * 2017-06-14 2021-06-29 Hoya Corporation Mask blank, phase shift mask and method for manufacturing semiconductor device
JP6819546B2 (ja) 2017-11-13 2021-01-27 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法
CN109917616B (zh) * 2017-12-12 2022-07-05 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 用于双重图案化的掩模版的制作方法及双重图案化方法
JP7219010B2 (ja) * 2018-03-30 2023-02-07 株式会社トッパンフォトマスク 位相シフトマスクブランク
JP7280171B2 (ja) * 2019-12-05 2023-05-23 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク
JP7350682B2 (ja) * 2020-03-23 2023-09-26 Hoya株式会社 マスクブランク及び転写用マスクの製造方法
KR102402742B1 (ko) * 2021-04-30 2022-05-26 에스케이씨솔믹스 주식회사 포토마스크 블랭크 및 이를 이용한 포토마스크
KR102475672B1 (ko) * 2021-11-03 2022-12-07 에스케이씨솔믹스 주식회사 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
KR102535171B1 (ko) * 2021-11-04 2023-05-26 에스케이엔펄스 주식회사 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009157506A1 (ja) * 2008-06-25 2009-12-30 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク
TW201329616A (zh) * 2011-11-30 2013-07-16 Hoya Corp 轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法
JP2013238776A (ja) * 2012-05-16 2013-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクの製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2909317B2 (ja) * 1992-08-20 1999-06-23 三菱電機株式会社 フォトマスク
KR101511926B1 (ko) 2003-04-09 2015-04-13 호야 가부시키가이샤 포토 마스크의 제조방법 및 포토 마스크 블랭크
TWI451191B (zh) * 2005-12-26 2014-09-01 Hoya股份有限公司 A manufacturing method of a mask blank and a mask, and a method of manufacturing the semiconductor device
JP4614877B2 (ja) * 2005-12-27 2011-01-19 Hoya株式会社 フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法
JP4509050B2 (ja) * 2006-03-10 2010-07-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP5702920B2 (ja) * 2008-06-25 2015-04-15 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法
JP5123349B2 (ja) * 2010-04-19 2013-01-23 Hoya株式会社 多階調マスクの製造方法
KR101883025B1 (ko) * 2010-12-24 2018-07-27 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 및 전사용 마스크 및 그 제조 방법
US9886104B2 (en) 2013-02-17 2018-02-06 Adonit Co., Ltd. Stylus for capacitive touchscreen
JP5779290B1 (ja) * 2014-03-28 2015-09-16 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009157506A1 (ja) * 2008-06-25 2009-12-30 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク
TW201329616A (zh) * 2011-11-30 2013-07-16 Hoya Corp 轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法
JP2013238776A (ja) * 2012-05-16 2013-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9864268B2 (en) 2018-01-09
JP6150299B2 (ja) 2017-06-21
WO2015152123A1 (ja) 2015-10-08
US20170168384A1 (en) 2017-06-15
JP2015191218A (ja) 2015-11-02
TW201600922A (zh) 2016-01-01
KR20160138247A (ko) 2016-12-02
KR102295453B1 (ko) 2021-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI621906B (zh) 光罩基底、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法
KR102243419B1 (ko) 마스크 블랭크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI605301B (zh) 遮罩基底及轉印用遮罩以及該等製造方法
US10527931B2 (en) Mask blank, transfer mask, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device
JP6058757B1 (ja) マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
TWI569093B (zh) 遮罩基底、轉印用遮罩、轉印用遮罩之製造方法及半導體元件之製造方法
WO2015146422A1 (ja) マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法
KR20170122181A (ko) 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조방법 및 반도체 디바이스의 제조방법
WO2020066591A1 (ja) マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法
JP6608613B2 (ja) 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2014006469A (ja) マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
TW202338492A (zh) 遮罩基底、轉印用遮罩之製造方法、及半導體元件之製造方法
JP6430585B2 (ja) マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法