JP6149592B2 - 電源装置 - Google Patents

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Description

本発明は、突入電流が負荷回路に流れることを抑制する電源装置に関する。
従来より、電源装置において、電源投入時に発生する突入電流が負荷回路へ流れることを抑制する技術が提案されている(例えば、特許文献1〜4を参照)。
例えば、特許文献1には、電源の入力端子に、自己発熱により抵抗値が低下するサーミスタ(NTCサーミスタ)を用いることにより、電源投入時の大電流が出力側の回路に流れることを防止するDC-DC変換回路が示されている。しかし、この回路は、一旦電源をオフした後に、短時間で再度電源をオンにした場合、NTCサーミスタの温度が高くて抵抗値が低いことがあり、突入電流が負荷回路へ流れることを防止できないおそれがある。
また、特許文献2に開示された電源装置は、整流回路とコンデンサの間に設けられた突入防止回路が有する制限抵抗を流れる電流により生じる磁界を、ホール素子によって検出できるようにして、コンデンサの充電時に磁界が非検出の場合、及びコンデンサの定常時に磁界が検出された場合に突入防止回路の異常を検出する。
さらに、特許文献3に開示された突入電流防止回路は、電源への入力電流を制限する制限抵抗と、制限抵抗に並列接続されたリレー接点を有し、入力側の電圧が所定値以上になるまでは制限抵抗を介して電源に電流を供給し、所定値以上となった場合には制限抵抗を介さずに電源に電流を供給する。
特許文献2または3に開示された技術では、制限抵抗と並列に設けられたリレー回路が故障したときに、制限抵抗に電流が流れ続けることになり、制限抵抗が発熱したり、最悪の場合には、発火するおそれがある。
一方、特許文献4に開示された突入電流防止回路では、電流制限手段として温度上昇に伴って抵抗値が増加するPTCサーミスタが使用され、PTCサーミスタと直列にヒューズが接続される。そしてこの突入電流防止回路では、PTCサーミスタと並列に設けられたリレー接点が正常に閉じない時に負荷回路が短絡故障するとそのヒューズが溶断してPTCサーミスタの焼断が防止される。
特開2005−33940号公報 特開2008−206364号公報 特開平8−6650号公報 特開2007−267473号公報
しかしながら、特許文献4に開示された技術では、リレー接点が正常に動作しない時に負荷回路が短絡故障していなければ、ヒューズ及びPTCサーミスタに流れる電流が少なく、ヒューズが溶断しない。そのため、PTCサーミスタに電流が流れ続けて発熱し、場合によっては、PTCサーミスタが発火するなど、電流制限回路が故障するおそれがある。
そこで、本発明は、突入電流が負荷回路へ流れることを防止するとともに、電流制限回路が故障することを防止できる電源装置を提供することを目的とする。
本発明の一つの形態として、電源装置が提供される。この電源装置は、入力された交流電圧を直流電圧に変換する整流回路と、整流回路の正極側出力端子と一端で接続され、かつ、整流回路の負極側出力端子と他端で接続され、整流回路から出力された直流電圧を平滑化して負荷回路へ出力するコンデンサと、整流回路とコンデンサの間に接続され、電源装置及び負荷回路に流れる電流を制限する電流制限回路とを有する。この電源装置において、電流制限回路は、整流回路とコンデンサの間に接続され、発熱により抵抗値が増加する抵抗値可変素子と、整流回路とコンデンサの間に抵抗値可変素子と直列に接続される電流制御素子であって、電流制御端子を有し、電流制御端子に印加される電圧または流入する電流が低下すると電流制御素子及び抵抗値可変素子に流れる電流を少なくする電流制御素子と、抵抗値可変素子の両端子間電圧が基準電圧よりも高くなると、電流制御素子の電流制御端子に印加される電圧または流入する電流を、抵抗値可変素子の両端子間電圧が基準電圧以下のときよりも低下させる調節素子とを有することを特徴とする。
この電源装置において、調節素子は第1の端子、第2の端子及び第3の端子を有し、第1の端子は抵抗値可変素子の下流側の端子と接続され、第2の端子は抵抗可変素子の上流側の端子と接続され、第3の端子は電流制御素子の電流制御端子と接続される。そして調節素子は、第1の端子と第2の端子間の電圧が基準電圧よりも高くなると、第3の端子の電圧を、抵抗値可変素子の両端子間電圧が基準電圧以下のときよりも低下させることが好ましい。
また、この電源装置において、調節素子の第2の端子は抵抗可変素子の上流側の端子と第1の抵抗を介して接続され、かつ下流側の端子とも第2の抵抗を介してさらに接続されることが好ましい。
また、この電源装置において、整流回路とコンデンサの間に電流制限回路と並列に接続され、オンになると整流回路とコンデンサ間を短絡し、一方、オフになると整流回路とコンデンサ間を短絡しない短絡素子と、コンデンサの両端子間電圧が所定の電圧未満の場合、短絡素子をオフにし、一方、コンデンサの両端子間電圧が所定の電圧以上の場合、短絡素子をオンにする電圧検知回路とをさらに有することが好ましい。
本発明に係る電源装置は、突入電流が負荷回路へ流れることを防止するとともに、電流制限回路が故障することを防止できるという効果を奏する。
本発明の一つの実施形態に係る電源装置の概略構成図である。 他の変形例による電源装置の概略構成図である。 さらに他の変形例による電源装置の概略構成図である。 さらに他の変形例による電源装置の概略構成図である。 さらに他の変形例による電源装置の概略構成図である。
以下、本発明の一つの実施形態による電源装置を、図を参照しつつ説明する。この電源装置は、交流電源から供給された交流電圧を整流回路によって直流電圧に変換し、平滑コンデンサを介して負荷回路へその直流電圧を供給する。そしてこの電源装置は、突入電流が負荷回路へ流れることを防止するための電流制限回路としてPTCサーミスタを利用するとともに、PTCサーミスタと直列に接続されたMOSFETと、PTCサーミスタの両端子間の電圧を入力とするシャントレギュレータとを有する。この電源装置では、電流制限回路と並列に接続され、通常時に電流制限回路の代わりに電流が流れる短絡素子に何らかの異常が発生して電流制限回路に電流が流れ続けてPTCサーミスタが発熱し、PTCサーミスタの両端子間の電圧が上昇すると、シャントレギュレータがMOSFETのゲート端子に印加される電圧を低下させる。これにより、MOSFET及びPTCサーミスタに流れる電流が抑制されるので、この電源装置は、PTCサーミスタが異常発熱して故障したり発火することを防止できる。
図1は、本発明の一つの実施形態に係る電源装置の概略構成図である。図1に示されるように、電源装置1は、整流回路2と、平滑コンデンサ3と、電流制限回路4と、短絡素子5と、電圧検知回路6とを有する。
整流回路2は、交流電源8(例えば、商用交流電源)から入力された交流電圧を直流電圧に変換する。そのために、整流回路2は、例えば、図1に示されるように、ブリッジ型に接続された4個のダイオードを有する全波整流回路とすることができる。なお、整流回路2から出力される直流電圧は、脈流電圧となる。
平滑コンデンサ3は、その正極が整流回路2の正極側出力端子と接続され、一方、負極が電流制限回路4または短絡素子5を介して整流回路2の負極側出力端子と接続される。そして平滑コンデンサ3は、整流回路2から出力された脈流電圧を平滑化して、負荷回路7へ出力する。
電流制限回路4は、平滑コンデンサ3の負極と整流回路2の負極側出力端子との間に接続される。そして電流制限回路4は、突入電流が負荷回路7に流れることを防止するため、整流回路2への電力供給が開始されてから平滑コンデンサ3の両端子間電圧が、平滑化された直流電圧に相当する所定の電圧に達するまでの間、電源回路1及び負荷回路7に流れる電流を制限する。
そのために、電流制限回路4は、MOSFET41と、PTCサーミスタ42と、シャントレギュレータ43とを有する。
MOSFET41は、電流制御素子の一例であり、平滑コンデンサ3と整流回路2の負極側出力端子の間に接続され、MOSFET41及びPTCサーミスタ42に流れる電流を制御する。具体的に、MOSFET41のドレイン端子は平滑コンデンサ3の負極と接続され、ソース端子はPTCサーミスタ42の一端と接続される。そしてMOSFET41の電流制御端子であるゲート端子は、抵抗Rを介して整流回路2の正極側出力端子と接続されるとともに、シャントレギュレータ43のカソード端子と接続される。ゲート端子に印加される電圧が低下すると、MOSFET41のドレイン端子とソース端子の間に流れる電流が少なくなる。そして、ゲート端子に印加される電圧が閾値電圧未満になると、MOSFET41のドレイン端子とソース端子の間には、電流はほとんど流れなくなる。
PTCサーミスタ42は、発熱により抵抗値が増加する抵抗値可変素子の一例であり、平滑コンデンサ3と整流回路2の負極側出力端子の間に、MOSFET41と直列に接続される。すなわち、PTCサーミスタ42の上流側の一端は、上記のように、MOSFET41のソース端子と接続され、一方、PTCサーミスタ42の下流側の他端は、整流回路2の負極側出力端子と接続される。したがって、負荷回路7から帰還する電流が電流制限回路4を流れる場合には、その電流はMOSFET41→PTCサーミスタ42→整流回路2の順に流れる。
シャントレギュレータ43は、PTCサーミスタ42の両端子間電圧が所定の基準電圧よりも高くなると、電流制御素子の電流制御端子の電圧を、PTCサーミスタ42の両端子間電圧がその基準電圧以下のときよりも低くする調節素子の一例である。そのために、シャントレギュレータ43のリファレンス端子は、MOSFET41とPTCサーミスタ42の間に接続され、一方、シャントレギュレータ43のアノード端子は、PTCサーミスタ42と整流回路2の負極側出力端子の間に接続される。そして上記のように、シャントレギュレータ43のカソード端子は、MOSFET41のゲート端子に接続される。
短絡素子5は、電流制限回路4のMOSFET41及びPTCサーミスタ42と並列に、平滑コンデンサ3の負極と整流回路2の負極側出力端子の間に接続される。そして短絡素子5は、平滑コンデンサ3の両端子間電圧が所定の電圧以上になったときに、電圧検知回路6からの制御信号に応じてオンとなり、平滑コンデンサ3の負極と整流回路2の負極側出力端子間を短絡し、電源回路1及び負荷回路7に流れる電流が電流制限回路4を経由せずに流れるようにする。一方、平滑コンデンサ3の両端子間電圧が所定の電圧未満の間は、電圧検知回路6からの制御信号に応じてオフとなり、平滑コンデンサ3の負極と整流回路2の負極側出力端子間を短絡せず、短絡素子4自体に電流が流れないようにする。なお、短絡素子5として、例えば、リレー素子またはMOSFETを用いることができる。
電圧検知回路6は、平滑コンデンサ3の両端子間電圧を測定し、その両端子間電圧が上記の所定の電圧以上になると短絡素子4に対してオンとなる制御信号を出力し、一方、平滑コンデンサ3の両端子間電圧がその所定の電圧未満の場合には、短絡素子4に対してオフとなる制御信号を出力する。そのために、電圧検知回路6は、例えば、その所定の電圧を出力する回路と、その回路から出力された電圧と平滑コンデンサ3の両端子間電圧とを入力とし、平滑コンデンサ3の両端子間電圧がその所定の電圧以上となったときとその所定の電圧未満のときとで異なる電圧を出力するコンパレータと同様な機能の回路を有する。
以下、電源装置1の動作の詳細について説明する。
最初に、電源装置1及び負荷回路7に異常がない場合における、電源装置1の動作を説明する。整流回路2に交流電圧を供給する交流電源8がオンにされてから、平滑コンデンサ3が十分に充電されて平滑コンデンサ3の両端子間電圧が所定の電圧に達するまでの間、電圧検知回路6は、短絡素子5をオフにするので、電源装置1及び負荷回路7を流れる直流電流は、電流制限回路4を経由する。そのため、電源投入時に突入電流が生じても、その突入電流は、電流制限回路4のPTCサーミスタ42を経由するので、電源装置1は、負荷回路7及び電源装置1に大きな電流が流れることを防止できる。
平滑コンデンサ3の両端子間電圧が所定の電圧以上となると、電圧検知回路6は、そのことを検知して、短絡素子5にオンとなる制御信号を出力する。そのため、その両端子間電圧がその所定の電圧に達した後、短絡素子5がオンとなり、電源装置1及び負荷回路7を流れる電流は、電流制限回路4を経由する代わりに、短絡素子5を経由して流れるようになる。そのため、電源装置1による電力消費が抑制される。
次に、短絡素子5に何らかの異常が発生し、短絡素子5を経由して電流が流れなくなった場合について説明する。
この場合、平滑コンデンサ3の両端子間電圧が所定の電圧以上となり、電圧検知回路6が短絡素子5をオンにする制御信号を出力しても、直流電流は電流制限回路4を経由して流れ続けることになる。その結果、PTCサーミスタ42が発熱すると、PTCサーミスタ42の抵抗値が大きくなるので、PTCサーミスタ42による電圧降下が大きくなる。すなわち、PTCサーミスタ42の両端子間電圧が高くなる。PTCサーミスタ42の両端子間電圧が高くなると、シャントレギュレータ43のアノード端子とリファレンス端子間の電圧も高くくなる。そしてPTCサーミスタ42の両端子間の電圧がシャントレギュレータ43の基準電圧を超えると、シャントレギュレータ43のカソード端子の電圧、すなわち、MOSFET41のゲート端子に印加される電圧が低下する。その結果として、MOSFET41及びPTCサーミスタ42に流れる電流が少なくなる。場合によっては、MOSFET41のゲート端子に印加される電圧が低下して、MOSFET41の閾値電圧よりも低くなると、MOSFET41及びPTCサーミスタ42にはほとんど電流が流れなくなる。したがって、PTCサーミスタ42の発熱が抑制される。
以上に説明してきたように、この電源装置は、上述した構成を有することにより、短絡素子に何らかの異常が発生して電流制限回路のPTCサーミスタに電流が流れ続けてPTCサーミスタが発熱するとPTCサーミスタに流れる電流が抑制される。そのため、この電源装置は、短絡素子に異常が発生しても、電流制限回路が発熱して故障したり、発火することを防止できる。
また、MOSFET41及びPTCサーミスタ42に流れる電流の最大値は、PTCサーミスタ42の抵抗値とシャントレギュレータ42の基準電圧により任意に設定することができる。そのため、PTCサーミスタ42の抵抗値とシャントレギュレータ42の基準電圧を適切に設定することで、PTCサーミスタ42として、定格の小さいPTCサーミスタを利用できる。同様に、PTCサーミスタ42の抵抗値とシャントレギュレータ42の基準電圧を適切に設定することで、MOSFET41の特性に合わせてMOSFET41をその安全動作領域内で動作させることができるので、MOSFET41として定格の小さいMOSFETを利用できる。定格の小さいPTCサーミスタまたはMOSFETを利用することにより、この電源装置は小型化できる。
なお、変形例によれば、電流制御素子として、MOSFETの代わりにバイポーラトランジスタが使用されてもよい。
図2は、この変形例による電源装置の概略構成図である。この変形例では、電流制限回路の構成のみが上記の実施形態と異なるので、以下では、電流制限回路について説明する。電源装置の他の構成要素に関しては、上記の実施形態の対応する構成要素の説明を参照されたい。
この変形例では、MOSFET41の代わりに、NPN型のバイポーラトランジスタ41’が使用される。バイポーラトランジスタ41’の電流制御端子であるベース端子にシャントレギュレータ43のカソード端子が接続され、コレクタ端子に平滑コンデンサ3の負極が接続される。そしてそのバイポーラトランジスタ41’のエミッタ端子にPTCサーミスタ42の一端が接続される。バイポーラトランジスタ41’では、ベース端子に流入する電流が少なくなると、コレクタ端子とエミッタ端子の間に流れる電流が少なくなる。
この変形例では、PTCサーミスタ42が発熱してPTCサーミスタ42による電圧降下が大きくなり、PTCサーミスタ42の両端子間の電圧がシャントレギュレータ43の基準電圧を超えると、バイポーラトランジスタ41’のベース端子に流れる電流が少なくなる。そのため、バイポーラトランジスタ41’及びPTCサーミスタ42に流れる電流も少なくなる。
また他の変形例によれば、調節素子として、シャントレギュレータの代わりに、バイポーラトランジスタが使用されてもよい。
図3は、この変形例による電源装置の概略構成図である。この変形例でも、電流制限回路の構成のみが上記の実施形態と異なるので、以下では、電流制限回路について説明する。電源装置の他の構成要素に関しては、上記の実施形態の対応する構成要素の説明を参照されたい。
この変形例では、シャントレギュレータの代わりに使用されるバイポーラトランジスタ43’のベース端子は、MOSFET41とPTCサーミスタ42の上流側の一端間に接続され、エミッタ端子は、PTCサーミスタ42の下流側の他端と整流回路2の負極側出力端子間に接続される。そしてコレクタ端子は、MOSFET41のゲート端子と、抵抗Rを介して整流回路2の正極側出力端子とに接続される。この変形例では、PTCサーミスタ42の発熱が小さく、PTCサーミスタ42の抵抗値が小さい間、バイポーラトランジスタ43’のコレクタ端子とエミッタ端子間には電流はほとんど流れず、比較的高い電圧がMOSFET41のゲート端子に印加される。
一方、短絡素子5の異常によってPTCサーミスタ42が発熱し、PTCサーミスタ42の両端子間電圧が基準電圧よりも高くなると、すなわち、バイポーラトランジスタ43’のベース端子に印加される電圧が基準電圧よりも高くなると、抵抗R及びバイポーラトランジスタ43’を介して電流が流れる。その結果としてMOSFET41のゲート端子に印加される電圧が低下するので、MOSFET41及びPTCサーミスタ42を流れる電流も少なくなる。
なお、この変形例においても、MOSFET41の代わりにバイポーラトランジスタが使用されてもよい。
図4は、さらに他の変形例による電源装置の概略構成図である。この変形例でも、電流制限回路の構成のみが上記の実施形態と異なるので、以下では、電流制限回路について説明する。電源装置の他の構成要素に関しては、上記の実施形態の対応する構成要素の説明を参照されたい。
この変形例では、シャントレギュレータ43のリファレンス端子は、PTCサーミスタ42の両端子と、それぞれ、抵抗R1、R2を介して接続される。そのため、シャントレギュレータ43のリファレンス端子に入力される電圧は、PTCサーミスタ42の両端子間電圧を抵抗R1、R2によって分圧した値となる。これにより、シャントレギュレータ43のリファレンス端子に入力される電圧と、アノード端子に入力される電圧の差に対して、PTCサーミスタの両端子間電圧を大きくすることができる。また、抵抗R1とR2を適切に調節することで、リファレンス端子に入力される電圧と、アノード端子に入力される電圧の差に対する、PTCサーミスタの両端子間電圧の比を調節できる。したがって、この変形例では、PTCサーミスタに印加される電圧を任意に設定できる。
なお、この変形例においても、図2または図3に示された変形例のように、シャントレギュレータ43及びMOSFET41の何れか一方または両方の代わりに、バイポーラトランジスタが使用されてもよい。
図5は、さらに他の変形例による電源装置の概略構成図である。この変形例では、電流制限回路4及び短絡素子5は、整流回路2の正極側出力端子と平滑コンデンサ3の正極側端子との間に並列に接続される。この変形例でも、電圧検知回路6は平滑コンデンサ3の両端子間電圧を検出する。そして平滑コンデンサ3の両端子間電圧が所定の電圧に達するまでは、電圧検知回路6は短絡素子5をオフにし、一方、平滑コンデンサ3の両端子間電圧が所定の電圧以上になると電圧検知回路6は短絡素子5をオンにする。そして短絡素子5に何らかの異常が発生して電流制限回路4に電流が流れ続けることにより、PTCサーミスタ42が発熱したとする。この場合、PTCサーミスタ42の抵抗増加によって電圧降下が大きくなり、バイポーラトランジスタ43’のベース端子に印加される電圧が基準電圧よりも高くなる。その結果、バイポーラトランジスタ43’を電流が流れて、バイポーラトランジスタ41’のベース端子に流れる電流が少なくなる。そのため、バイポーラトランジスタ41’及びPTCサーミスタ42に流れる電流が少なくなる。
なお、この変形例においても、バイポーラトランジスタ41’の代わりにMOSFETが使用されてもよく、バイポーラトランジスタ43’の代わりにシャントレギュレータが使用されてもよい。
上記の実施形態または変形例による電源装置は、弾球遊技機または回胴遊技機といった遊技機に搭載されてもよい。
このように、当業者は、本発明の範囲内で、実施される形態に合わせて様々な変更を行うことができる。
1 電源装置
2 整流回路
3 平滑コンデンサ
4 電流制限回路
41 MOSFET
41’ バイポーラトランジスタ
42 PTCサーミスタ
43 シャントレギュレータ
43’ バイポーラトランジスタ
5 短絡素子
6 電圧検知回路
7 負荷回路
8 交流電源

Claims (4)

  1. 電源装置であって、
    入力された交流電圧を直流電圧に変換する整流回路と、
    前記整流回路の正極側出力端子と一端で接続され、かつ、前記整流回路の負極側出力端子と他端で接続され、前記整流回路から出力された直流電圧を平滑化して負荷回路へ出力するコンデンサと、
    前記整流回路と前記コンデンサの間に接続され、前記電源装置及び前記負荷回路に流れる電流を制限する電流制限回路と、
    を有し、
    前記電流制限回路は、
    前記整流回路と前記コンデンサの間に接続され、発熱により抵抗値が増加する抵抗値可変素子と、
    前記整流回路と前記コンデンサの間に前記抵抗値可変素子と直列に接続される電流制御素子であって、電流制御端子を有し、前記電流制御端子に印加される電圧または流入する電流が低下すると当該電流制御素子及び前記抵抗値可変素子に流れる電流を少なくする電流制御素子と、
    前記抵抗値可変素子の両端子間電圧が基準電圧よりも高くなると、前記電流制御素子の前記電流制御端子に印加される電圧または流入する電流を、前記抵抗値可変素子の両端子間電圧が前記基準電圧以下のときよりも低下させる調節素子と、
    を有することを特徴とする電源装置。
  2. 前記調節素子は第1の端子、第2の端子及び第3の端子を有し、該第1の端子は前記抵抗値可変素子の下流側の端子と接続され、該第2の端子は前記抵抗可変素子の上流側の端子と接続され、前記第3の端子は前記電流制御素子の前記電流制御端子と接続され、前記第1の端子と前記第2の端子間の電圧が前記基準電圧よりも高くなると、前記第3の端子の電圧を前記抵抗値可変素子の両端子間電圧が前記基準電圧以下のときよりも低下させる、請求項1に記載の電源装置。
  3. 前記調節素子の前記第2の端子は前記抵抗可変素子の上流側の端子と第1の抵抗を介して接続され、かつ前記下流側の端子と第2の抵抗を介して接続される、請求項2に記載の電源装置。
  4. 前記整流回路と前記コンデンサの間に前記電流制限回路と並列に接続され、オンになると前記整流回路と前記コンデンサを短絡し、一方、オフになると前記整流回路と前記コンデンサ間を短絡しない短絡素子と、
    前記コンデンサの両端子間電圧が所定の電圧未満の場合、前記短絡素子をオフにし、一方、前記コンデンサの両端子間電圧が前記所定の電圧以上の場合、前記短絡素子をオンにする電圧検知回路とをさらに有する、請求項1〜3の何れか一項に記載の電源装置。
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