JP6128254B2 - リードフレーム及び半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するために用いられるリードフレーム、及びこのようなリードフレームを備えた半導体装置に関する。

従来、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、ディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、リードフレームとＬＥＤ素子とを有する半導体装置を含むものがある。

このような半導体装置として、例えば特許文献１には、配線基板上に配置されたＬＥＤ素子載置部材及び配線導体と、ＬＥＤ素子載置部材上に載置され、配線導体とボンディングワイヤによって接続されたＬＥＤ素子と、ＬＥＤ素子載置部材、ＬＥＤ素子、配線導体及びボンディングワイヤを封止する封止樹脂部とを備えたものが開示されている。特許文献１では、ＬＥＤ素子載置部材の中央がＬＥＤ素子載置領域となっており、ＬＥＤ素子載置領域の周縁に位置する周縁領域からＬＥＤ素子載置領域に向かって下方へ落ち込む凹部が形成され、ＬＥＤ素子載置領域及び周縁領域の表面は、ＬＥＤ素子からの光を反射する反射面として機能するようになっている。

ＬＥＤ素子からの光の一部は封止樹脂部の表面で反射するため、封止樹脂部内では光が散乱（多重反射）する。上述のような従来の半導体装置では、ＬＥＤ素子載置部材と配線導体との間の領域を介して配線基板側へ光が漏れることによる光の損失が生じ、光取り出し効率が低下するという問題があった。

特開２０１１−９６９７０号公報

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、ＬＥＤ素子からの光の取り出し効率を向上させることができるリードフレーム及び半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様によるリードフレームは、ＬＥＤ素子が載置されるリードフレームであって、前記ＬＥＤ素子が載置されるＬＥＤ素子載置部と、前記ＬＥＤ素子載置部に離間して配置されたリード部と、を備え、前記リード部の端面のうち前記ＬＥＤ素子載置部に対向する端面、又は前記ＬＥＤ素子載置部の端面のうち前記リード部に対向する端面に、高さ方向全長にわたって、上方からの光を上方へ戻すよう反射する傾斜面が形成されているものである。

本発明の一態様によるリードフレームにおいては、前記傾斜面は、前記リード部の端面のうち前記ＬＥＤ素子載置部に対向する端面及び前記ＬＥＤ素子載置部の端面のうち前記リード部に対向する端面の両方に形成されていることが好ましい。

本発明の一態様によるリードフレームにおいては、前記リード部の端面のうち前記ＬＥＤ素子載置部に対向する端面に前記傾斜面が形成され、前記ＬＥＤ素子載置部の端面のうち前記リード部に対向する端面に、前記傾斜面とは逆向きの傾斜となる逆傾斜面が形成されていることが好ましい。

本発明の一態様によるリードフレームにおいては、前記傾斜面に金属層が形成されていることが好ましい。

本発明の一態様による半導体装置は、ＬＥＤ素子載置部と、前記ＬＥＤ素子載置部に載置されたＬＥＤ素子と、前記ＬＥＤ素子載置部に離間して配置されたリード部と、前記ＬＥＤ素子と前記リード部とを電気的に接続する導電部と、前記ＬＥＤ素子載置部、前記ＬＥＤ素子、前記リード部、及び前記導電部を封止する封止樹脂部と、を備え、前記リード部の端面のうち前記ＬＥＤ素子載置部に対向する端面、又は前記ＬＥＤ素子載置部の端面のうち前記リード部に対向する端面に、高さ方向全長にわたって、上方からの光を上方へ戻すよう反射する傾斜面が形成されているものである。

本発明の一態様による半導体装置においては、前記傾斜面は、前記リード部の端面のうち前記ＬＥＤ素子載置部に対向する端面及び前記ＬＥＤ素子載置部の端面のうち前記リード部に対向する端面の両方に形成されていることが好ましい。

本発明の一態様による半導体装置においては、前記リード部の端面のうち前記ＬＥＤ素子載置部に対向する端面に前記傾斜面が形成され、前記ＬＥＤ素子載置部の端面のうち前記リード部に対向する端面に、前記傾斜面とは逆向きの傾斜となる逆傾斜面が形成されていることが好ましい。

本発明の一態様による半導体装置においては、前記傾斜面に金属層が形成されていることが好ましい。

本発明の一態様による半導体装置においては、前記封止樹脂部は、光反射性フィラーを含むことが好ましい。

本発明の一態様による半導体装置においては、前記封止樹脂部は、蛍光体を含むことが好ましい。

本発明によれば、ＬＥＤ素子載置部に離間して配置されたリード部のＬＥＤ素子載置部側の端面又はＬＥＤ素子載置部のリード部側の端面に、光を上部へ反射させる傾斜面を形成するので、基板側へ光が漏れることによる光の損失を抑制し、光の取り出し効率を向上させることができる。

本実施形態によるリードフレームの断面図である。 本実施形態によるリードフレームのリード部の傾斜面における光の反射例を示す図である。 本実施形態による半導体装置の断面図である。 本実施形態による半導体装置のリード部の傾斜面における光の反射例を示す図である。 傾斜面の断面形状の例を示す図である。 本実施形態によるリードフレームの製造方法を説明する工程断面図である。 変形例による半導体装置の断面図である。 変形例による半導体装置の断面図である。 変形例による半導体装置の断面図である。 変形例によるリードフレームの断面図である。 リードフレームの上面図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。

図１は、本実施形態によるリードフレームの断面を示している。図１に示すようにＬＥＤ用リードフレーム１０（以下、リードフレーム１０ともいう）は、ＬＥＤ素子２１（後述）を載置する載置面１１ａを有するＬＥＤ素子載置部１１と、ＬＥＤ素子載置部１１から離間して設けられたリード部１２とを備えている。

リード部１２のうちＬＥＤ素子載置部１１側の端面（ＬＥＤ素子載置部１１に対向する端面）は、高さ方向（厚み方向）全長にわたって、上向きの傾斜面１３になっている。図２に示すように、この傾斜面１３は、上方からＬＥＤ素子載置部１１とリード部１２との間の領域に向かって入射された光Ｌを、上方へ戻すように反射させることができる。

ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２は、１枚の金属基板をエッチング加工することにより形成されたものである。ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２の材料としては、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等を挙げることができる。ＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２の厚みは、０．０５ｍｍ〜０．８ｍｍとすることが好ましい。

リード部１２の表面（図１の上面）には、後述するボンディングワイヤ２２が接続されるボンディング面１２ａが形成されている。また、リード部１２の裏面（図１の下面）には、外部端子１２ｂが形成されている。

次に、図３を用いて、本実施形態による半導体装置の概略について説明する。図３は、本実施形態による半導体装置の断面を示している。

図３に示すように、半導体装置３０は、図１に示すリードフレーム１０と、ＬＥＤ素子載置部１１の載置面１１ａに載置されたＬＥＤ素子２１と、ＬＥＤ素子２１とリード部１２とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。ＬＥＤ素子載置部１１、ＬＥＤ素子２１、リード部１２、及びボンディングワイヤ２２は封止樹脂部２３により封止されている。

ＬＥＤ素子２１は従来一般に用いられているものを使用することができる。また、ＬＥＤ素子２１の発光層として、例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡＬＩｎＧａＰ又はＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光にわたる発光波長を選択することができる。

また、ＬＥＤ素子２１は、はんだ、またはダイボンディングペースト（図示せず）により、ＬＥＤ素子載置部１１の載置面１１ａ上に固定されている。このようなダイボンディングペーストとしては、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することができる。

ボンディングワイヤ２２は、例えば金等の導電性のよい材料からなり、その一端がＬＥＤ素子２１の端子部２１ａに接続されるとともに、その他端がリード部１２のボンディング面１２ａに接続されている。

封止樹脂部２３は、ＬＥＤ素子２１の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択することが好ましい。耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリオレフィン等を選択することができる。封止樹脂部２３の形状は、様々に実現することが可能であるが、例えば、封止樹脂部２３の全体形状を直方体、円筒形または錐形等の形状とすることが可能である。ＬＥＤ素子２１からの光は、封止樹脂部２３の上面や側面から放出される。

封止樹脂部２３により封止されているＬＥＤ素子載置部１１、ＬＥＤ素子２１、リード部１２、及びボンディングワイヤ２２からなるＬＥＤ素子パッケージは、配線基板３５上に配置して用いることができる。このような配線基板３５は、基板本体３６と、基板本体３６上に形成された配線端子部３７、３８とを有している。配線端子部３７は、接続金属部３３を介してＬＥＤ素子載置部１１の下面に接続されている。また、配線端子部３８は、接続金属部３４を介してリード部１２の外部端子１２ｂと接続されている。接続金属部３３、３４は、例えば、はんだから構成することができる。

配線端子部３７、３８間に電流を流した場合、ＬＥＤ素子載置部１１上のＬＥＤ素子２１に電流が流れ、ＬＥＤ素子２１が点灯する。

このとき、ＬＥＤ素子２１からの光は、図４に示すように、様々な方向に放出される。
例えば、ＬＥＤ素子２１から上方へ放出された光Ｌ１は、封止樹脂部２３の外方へ放出される。また、ＬＥＤ素子２１から斜め下方向へ放出された光Ｌ２は、リード部１２の傾斜面１３で反射して上方に戻り、封止樹脂部２３の外方へ放出される。また、また、ＬＥＤ素子２１から斜め上方向へ放出された光Ｌ３は、封止樹脂部２３の上面２３ａで反射した後、リード部１２の傾斜面１３で反射して上方に戻り、封止樹脂部２３の外方へ放出される。

このように、リード部１２の傾斜面１３は、ＬＥＤ素子２１から斜め下方向へ放出された光や、封止樹脂部２３の界面等で反射した光などの、上方からＬＥＤ素子載置部１１とリード部１２との間の領域に向かって入射される光を、上方へ戻すように反射させることができる。そのため、本実施形態によれば、ＬＥＤ素子載置部１１とリード部１２との間から配線基板３５側へ光が漏れることによる光の損失を抑制し、光取り出し効率を向上させることができる。

本実施形態による半導体装置は、ＰＬＣＣ（plastic leaded chip carrier）のような、パッケージ側面からリードが引き出されるものでもよいし、ＳＯＮ（small outline non-lead）パッケージのような、リード裏面に外部端子があるものでもよい。特に、ＳＯＮパッケージのような構成では、パッケージ裏面への光の漏れがパッケージ側面から取り出せないため、より効果的である。

なお、傾斜面１３の断面形状は、図５（ａ）に示すように、リード部１２の内方に向けて湾曲する１つの曲線形状からなっているが、これに限られるものではない。傾斜面１３の断面形状は、図５（ｂ）に示すように、リード部１２の内方に向けて湾曲する２つの曲線を上下に連結したような形状からなっていてもよい。あるいは、傾斜面１３の断面形状は、図５（ｃ）に示すように、リード部１２の上面から下面へ延びる略直線形状からなっていてもよい。

次に、図１に示すリードフレーム１０の製造方法について図６（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。

まず、図６（ａ）に示すように、平板状の金属基板４１を準備する。この金属基板４１としては、上述のように銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等からなる金属基板を使用することができる。なお、金属基板４１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。

次に、金属基板４１の表裏に感光性レジストを塗布、乾燥し、これを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像してエッチング用レジスト層４２、４３を形成する（図６（ｂ））。なお、感光性レジストとしては、従来公知のものを使用することができる。

次に、エッチング用レジスト層４２、４３をマスクとして金属基板４１にウェットエッチングを施す。例えば、金属基板４１として銅を用いる場合、塩化第二鉄水溶液を使用してウェットエッチングを行うことができる。

その後、図６（ｃ）に示すように、金属基板４１が厚さ方向に貫通して空間４４が形成され、同時に、空間４４を介してＬＥＤ素子載置部１１及びリード部１２が形成される。
また、リード部１２のうちＬＥＤ素子載置部１１側の端面に、高さ方向（厚み方向）全長にわたって上向きの傾斜面１３が形成される。

続いて、図６（ｄ）に示すように、エッチング用レジスト層４２、４３を剥離して除去する。このようにして、ＬＥＤ素子載置部１１と、ＬＥＤ素子載置部１１から離間して設けられたリード部１２とを備えたリードフレーム１０が得られる。

なお、傾斜面１３の断面形状は、図６（ｂ）に示す工程で形成されるエッチング用レジスト層４２、４３のパターン形状に応じて変化する。そのため、図６（ｂ）に示す工程では、傾斜面１３の断面形状が所望の形状となるように、エッチング用レジスト層４２、４３を形成する。

また、図６（ｃ）では、ＬＥＤ素子載置部１１のリード部１２側の端面が垂直平面に示されているが、エッチングの進行に伴い、ＬＥＤ素子載置部１１の内方に向けて多少湾曲した形状になり得る。

図３に示す半導体装置３０を作製する場合は、まず、図６（ａ）〜（ｄ）に示す工程によりリードフレーム１０を作製した後、ＬＥＤ素子載置部１１に、はんだ又はダイボンディングペーストを用いて、ＬＥＤ素子２１を載置して固定する。次に、ＬＥＤ素子２１とリード部１２とをボンディングワイヤ２２によって接続する。次に、ＬＥＤ素子載置部１１、ＬＥＤ素子２１、リード部１２、及びボンディングワイヤ２２を封止樹脂部２３により封止する。その後、配線基板３５の配線端子部３７及び３８と、ＬＥＤ素子載置部１１の下面及びリード部１２の外部端子１２ｂとをそれぞれはんだ等の接続金属部３３、３４を介して接続する。このようにして、図３に示す半導体装置３０を得ることができる。

なお、上記実施形態では、リード部１２のうちＬＥＤ素子載置部１１側の端面を上向きの傾斜面１３としていたが、図７に示すように、ＬＥＤ素子載置部１１のうちリード部１２側の端面（リード部１２に対向する端面）を上向きの傾斜面１４としてもよい。傾斜面１４は、傾斜面１３と同様に、封止樹脂部２３の界面等で反射した光などの、上方からＬＥＤ素子載置部１１とリード部１２との間の領域に向かって入射される光を、上方へ戻すように反射させることができる。そのため、図７に示すような構成によっても、ＬＥＤ素子載置部１１とリード部１２との間から配線基板３５側へ光が漏れることによる光の損失を抑制し、光取り出し効率を向上させることができる。

また、図８に示すように、リード部１２のうちＬＥＤ素子載置部１１側の端面とＬＥＤ素子載置部１１のうちリード部１２側の端面の両方を上向きの傾斜面１３、１４としてもよい。２つの傾斜面１３、１４が、上方からＬＥＤ素子載置部１１とリード部１２との間の領域に向かって入射される光を、上方へ戻すように反射させる。そのため、図８に示すような構成にすることで、ＬＥＤ素子載置部１１とリード部１２との間から配線基板３５側へ光が漏れることによる光の損失をさらに抑制し、光取り出し効率をさらに向上させることができる。

また、図９に示すように、ＬＥＤ素子載置部１１のうちリード部１２側の端面を、傾斜面１３とは逆向きの傾斜、すなわち下向きの逆傾斜面１５としてもよい。このような逆傾斜面１５を設けることで、上述した効果に加え、リードフレーム１０と封止樹脂部２３との密着性が向上し、封止樹脂部２３がリードフレーム１０から外れることを防止できるため、ＬＥＤ素子パッケージを容易に取り扱うことができる。これとは逆に、ＬＥＤ素子載置部１１のうちリード部１２側の端面を上向きの傾斜面、リード部１２のうちＬＥＤ素子載置部１１側の端面を逆傾斜面とすることもできる。

また、図１０に示すように、傾斜面１３に金属層１６を形成してもよい。金属層１６は例えば電界メッキ法により形成することができる。金属層１６には、例えば銀、金、パラジウム、ニッケル／パラジウム／金の三層構造等の、可視光の反射率が高い材料が使用される。金属層１６の厚みは、例えば銀の場合は１μｍ〜５μｍとすることが好ましい。金属層１６を形成することで、傾斜面１３における光反射率が高まり、半導体装置３０における光取り出し効率をさらに向上させることができる。図７、図８に示す構成では、傾斜面１４に金属層１６を形成するで、傾斜面１４における光反射率が高まり、光取り出し効率をさらに向上させることができる。

金属層をリードフレーム全面に設けるようにしてもよい。これにより、パッケージ裏面に漏れた僅かな光も取り出すことができる。特に、はんだ接合に供されない外部端子がある場合は、より有効である。

上記実施形態において封止樹脂部２３に光反射性フィラーを含有させてもよい。光反射性フィラーを含有させることで、封止樹脂部２３内で光をより散乱させて、光取り出し効率をさらに向上させることができる。光反射性フィラーとしては、銀、ニッケル、コバルト、白金、チタン、鉛、スズ、タングステン、アルミニウム、亜鉛、金、銅、鉄、クロム等の金属やこれらの合金の金属微粒子を用いることができる。

また、上記実施形態において封止樹脂部２３に蛍光体を含有させてもよい。例えばＬＥＤ素子２１に青色ＬＥＤを使用し、封止樹脂部２３に黄色発光蛍光体を含有させた場合、青色ＬＥＤからの光が蛍光体に吸収されると、蛍光体が黄色光を発し、この黄色光と、蛍光体に吸収されなかった青色光とが混ざり合って、白色光を得ることができる。黄色発光蛍光体としては、例えば、セリウムで賦活したイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）を用いることができる。また、封止樹脂部２３に蛍光体を含有させることで、封止樹脂部２３内で光をより散乱させて、光取り出し効率をさらに向上させることができる。

上記実施形態において、リードフレーム１０のリード部１２は、図１１（ａ）に示すように、ＬＥＤ素子載置部１１に対向する端面を１つ有し、この端面が傾斜面１３となっていてもよいし、図１１（ｂ）に示すように、リード部１２がＬＥＤ素子載置部１１を囲むように設けられ、リード部１２の複数の端面のうち、ＬＥＤ素子載置部１１に対向する複数の端面が傾斜面１３になっていてもよい。リード部１２が、ＬＥＤ素子載置部１１に対向する端面を複数有している場合、ＬＥＤ素子載置部１１に対向するすべての端面を傾斜面１３にしてもよいし、一部を傾斜面１３にするのでもよい。なお、図１１（ａ）、（ｂ）はリードフレーム１０の上面図であり、Ａ−Ａ線に沿った断面、Ｂ−Ｂ線に沿った断面が図１に対応している。

同様に、ＬＥＤ素子載置部１１が、リード部１２に対向する端面を複数有する場合は、リード部１２に対向するすべての端面を傾斜面１４にしてもよいし、一部を傾斜面１４にするのでもよい。

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

１０ リードフレーム
１１ ＬＥＤ素子載置部
１２ リード部
１３、１４ 傾斜面
１５ 逆傾斜面
１６ 金属層
２１ ＬＥＤ素子
２２ ボンディングワイヤ
２３ 封止樹脂部
３０ 半導体装置
３３、３４ 接続金属部
３５ 配線基板
３６ 基板本体
３７、３８ 配線端子部
４１ 金属基板
４２、４３ エッチング用レジスト層
４４ 空間

Claims (12)

1. 平板状の金属基板からなり、前記金属基板の表面にＬＥＤ素子が載置されるリードフレームであって、
   前記ＬＥＤ素子が載置されるＬＥＤ素子載置部と、
   前記ＬＥＤ素子載置部に離間して配置されたリード部と、
   を備え、
   前記リード部の端面のうち前記ＬＥＤ素子載置部に対向する端面、又は前記ＬＥＤ素子載置部の端面のうち前記リード部に対向する端面に、高さ方向全長にわたって、上方からの光を上方へ戻すよう反射する傾斜面が形成され、
   前記ＬＥＤ素子載置部の端面のうち前記リード部に対向する端面、又は前記リード部の端面のうち前記ＬＥＤ素子載置部に対向する端面に、前記傾斜面とは逆向きの傾斜となる逆傾斜面が形成され、
   前記傾斜面及び前記逆傾斜面の断面形状は、それぞれ前記ＬＥＤ素子載置部または前記リード部の内方に向けて湾曲する曲線形状であることを特徴とするリードフレーム。
2. 前記傾斜面に金属層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
3. 前記傾斜面の断面形状は、前記ＬＥＤ素子載置部または前記リード部の内方に向けて湾曲する１つの曲線形状であることを特徴とする請求項１または２に記載のリードフレーム。
4. 前記傾斜面の断面形状は、前記ＬＥＤ素子載置部または前記リード部の内方に向けて湾曲する２つの曲線を上下に連結した形状であることを特徴とする請求項１または２に記載のリードフレーム。
5. 前記リード部が前記ＬＥＤ素子載置部を囲むように設けられ、前記リード部が前記ＬＥＤ素子載置部に対向する複数の端面を有し、前記複数の端面のうち少なくとも１つが前記傾斜面になっていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のリードフレーム。
6. 平板状の金属基板からなるＬＥＤ素子載置部と、
   前記ＬＥＤ素子載置部に載置されたＬＥＤ素子と、
   平板状の金属基板からなり、前記ＬＥＤ素子載置部に離間して配置されたリード部と、 前記ＬＥＤ素子と前記リード部とを電気的に接続する導電部と、
   前記ＬＥＤ素子載置部、前記ＬＥＤ素子、前記リード部、及び前記導電部を封止する封止樹脂部と、
   を備え、
   前記リード部の端面のうち前記ＬＥＤ素子載置部に対向する端面、又は前記ＬＥＤ素子載置部の端面のうち前記リード部に対向する端面に、高さ方向全長にわたって、上方からの光を上方へ戻すよう反射する傾斜面が形成され、
   前記ＬＥＤ素子載置部の端面のうち前記リード部に対向する端面、又は前記リード部の端面のうち前記ＬＥＤ素子載置部に対向する端面に、前記傾斜面とは逆向きの傾斜となる逆傾斜面が形成され、
   前記傾斜面及び前記逆傾斜面の断面形状は、それぞれ前記ＬＥＤ素子載置部または前記リード部の内方に向けて湾曲する曲線形状であることを特徴とする半導体装置。
7. 前記傾斜面に金属層が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記傾斜面の断面形状は、前記ＬＥＤ素子載置部または前記リード部の内方に向けて湾曲する１つの曲線形状であることを特徴とする請求項６または７に記載の半導体装置。
9. 前記傾斜面の断面形状は、前記ＬＥＤ素子載置部または前記リード部の内方に向けて湾曲する２つの曲線を上下に連結した形状であることを特徴とする請求項６または７に記載の半導体装置。
10. 前記リード部が前記ＬＥＤ素子載置部を囲むように設けられ、前記リード部が前記ＬＥＤ素子載置部に対向する複数の端面を有し、前記複数の端面のうち少なくとも１つが前記傾斜面になっていることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の半導体装置。
11. 前記封止樹脂部は、光反射性フィラーを含むことを特徴とする請求項６乃至１０のいずれかに記載の半導体装置。
12. 前記封止樹脂部は、蛍光体を含むことを特徴とする請求項６乃至１１のいずれかに記載の半導体装置。

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