JP6122560B1 - 蛍光体微粒子、蛍光体微粒子の製造方法、蛍光体薄膜、波長変換膜、波長変換デバイス及び太陽電池 - Google Patents

蛍光体微粒子、蛍光体微粒子の製造方法、蛍光体薄膜、波長変換膜、波長変換デバイス及び太陽電池 Download PDF

Info

Publication number
JP6122560B1
JP6122560B1 JP2016560854A JP2016560854A JP6122560B1 JP 6122560 B1 JP6122560 B1 JP 6122560B1 JP 2016560854 A JP2016560854 A JP 2016560854A JP 2016560854 A JP2016560854 A JP 2016560854A JP 6122560 B1 JP6122560 B1 JP 6122560B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fine particles
wavelength conversion
phosphor fine
phosphor
mol
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2016560854A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2017022344A1 (ja
Inventor
達也 菱木
達也 菱木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Application granted granted Critical
Publication of JP6122560B1 publication Critical patent/JP6122560B1/ja
Publication of JPWO2017022344A1 publication Critical patent/JPWO2017022344A1/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/661Chalcogenides
    • C09K11/663Chalcogenides with alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G19/00Compounds of tin
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G19/00Compounds of tin
    • C01G19/006Compounds containing, besides tin, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/453Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/453Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
    • C04B35/457Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates based on tin oxides or stannates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/55Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing beryllium, magnesium, alkali metals or alkaline earth metals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/055Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means where light is absorbed and re-emitted at a different wavelength by the optical element directly associated or integrated with the PV cell, e.g. by using luminescent material, fluorescent concentrators or up-conversion arrangements
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/30Three-dimensional structures
    • C01P2002/34Three-dimensional structures perovskite-type (ABO3)
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/50Solid solutions
    • C01P2002/52Solid solutions containing elements as dopants
    • C01P2002/54Solid solutions containing elements as dopants one element only
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3215Barium oxides or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3284Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/76Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C04B2235/768Perovskite structure ABO3
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators

Abstract

本発明は、蛍光体微粒子、蛍光体微粒子の製造方法、蛍光体薄膜、波長変換膜、波長変換デバイス及び太陽電池に関する。BaSnO3:Znで表されるペロブスカイト型構造を有する蛍光体微粒子であって、Zn(亜鉛)の含有量が0.0質量%より多く、8.0質量%未満である。また、BaSnO3:Mgで表されるペロブスカイト型構造を有する蛍光体微粒子であって、Mg(マグネシウム)の含有量が0.0質量%より多く、0.1質量%未満である。

Description

本発明は、ペロブスカイト型酸化物の蛍光体微粒子、該蛍光体微粒子の製造方法、該蛍光体微粒子を用いた蛍光体薄膜、波長変換膜、波長変換デバイス及び太陽電池に関する。
近時、太陽光の波長の一部を太陽電池の分光感度の高い長波長側に変換して発電効率を向上させる、という基本的な考え方が特許第3698215号公報に記載されている。また、波長変換機能を有する材料として、下記文献1及び特開2007−146102号公報に記載があり、波長変換層を具備した太陽電池については、特開2013−004806号公報に記載がある。さらに、BaSnO3の発光特性に及ぼす仕込み組成の影響については、下記文献2に記載がある。
文献1:Hiroshi Mizoguchi,Patrick M. Woodward,Cheol−Hee Park,and Douglas A. Keszler 「Strong Near−Infrared Luminescence in BaSnO3」 J.AM.CHEM.SOC.2004,126,9796−9800
文献2:大矢陽介、黒木雄一郎、岡元智一郎、高田雅介「BaSnxO3の近赤外発光における仕込み組成の影響」日本セラミックス協会 2014年 年会 講演予稿集 3L10
具体的には、特許第3698215号公報には、希土類イオンの光活性化特性に着目し、光エネルギーを波長変換して光電変換部に伝送することにより、高効率の太陽電池受光素子を提供するという考え方が示されている。波長変換材料としてEu(ユウロピウム)あるいはCe(セリウム)の希土類金属を用い、波長変換域の一例として、太陽光のピーク波長370nmを410nm程度のピークの光に変換した例が記載されている。
上記文献1には、BaSnO3が励起スペクトル300〜400nmで、発光スペクトル800〜1100nm程度を示すとの記載がある。水熱合成法でBaSn(OH)6を作製し、熱分解させてBaSnO3を得る製法が記載されている。また、BaSnO3の粒径に関する記載はなく、結晶子サイズは100〜350nmとの記載がある。粒径と発光強度は関係がないと記載されている。
特開2007−146102号公報には、ASnO3又はAn+1Snn3n+1で表されるアルカリ土類金属とSnの酸化物からなる母体に、希土類元素及び/又は遷移金属元素を添加した無機酸化物蛍光体が記載されている。但し、AはMg、Ca、Sr及びBaからなる群から選ばれた1又は2以上のアルカリ土類金属元素を表し、n=1又は2である。蛍光体の一般論として「蛍光体が光電変換素子又は光電変換機器等に応用されている」との記載がある。BaSnO3の波長変換に関するデータはなく、また、BaSnO3の形状や粒径に関する記載もない。なお、製法は固相反応(原料を混ぜて焼成する方法)について記載されている。
特開2013−004806号公報には、太陽電池セルの受光面上に、最外層となる表面保護層、波長変換層、封止樹脂層を設けた太陽電池が記載されている。表面保護層は、350nm以下の短波長域の光を透過する。波長変換層は、表面保護層の直下に設けられ、350nm以下の短波長域の光を吸収すると共に、より長波長域の発光波長を有する波長変換材料を有する。
上記文献2には、BaSnx3(0.8≦x≦1.6)の発光は、近赤外領域890nmにピークを持ち、その発光強度は、Baに対するSnの仕込み組成比xが1.3のときに最大となることが記載されている。
しかしながら、特許第3698215号公報及び特開2007−146102号公報では、希土類を含む材料を用いていることから、製造コストが高くなるという問題がある。
特開2013−004806号公報では、波長変換層を有機材料で構成しているため、太陽電池の最外表面に設置できない等、設置できる箇所に制約があった。
また、特許第3698215号公報及び特開2007−146102号公報並びに上記文献1及び2には、内部量子効率についての記載がないため、光電変換素子等に利用した場合に特性がどのように変わったのかを客観的に知ることができない。
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、波長変換するシフト量を大きくすることができると共に、透明性の向上、並びに内部量子効率の向上を図ることができ、例えば太陽電池の発電効率の向上、製造コストの低減化を図ることができる蛍光体微粒子及び蛍光体微粒子の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の目的は、波長変換するシフト量を大きくすることができ、しかも、透明性を向上させて、例えば太陽電池の発電効率を向上させることができ、製造コストも低減させることができる蛍光体薄膜、波長変換膜及び波長変換デバイスを提供することにある。
本発明の目的は、上述した蛍光体微粒子あるいは波長変換膜あるいは波長変換デバイスを用いることで、発電効率の向上を図ることができ、しかも、波長変換膜あるいは波長変換機能を有する部分の設置個所を任意に選択することができ、設計の自由度を向上させることができる太陽電池を提供することにある。
[1] 第1の本発明に係る蛍光体微粒子は、BaSnO3:Zn(Zn−doped BaSnO3)で表されるペロブスカイト型構造を有する蛍光体微粒子であって、Zn(亜鉛)の含有量が0.0質量%より多く、8.0質量%未満であることを特徴とする。
[2] 第2の本発明に係る蛍光体微粒子は、BaSnO3:Mg(Mg−doped BaSnO3)で表されるペロブスカイト型構造を有する蛍光体微粒子であって、Mg(マグネシウム)の含有量が0.0質量%より多く、0.1質量%未満であることを特徴とする。
[3] 粒子径が100nm以下であってもよい。
[4] 第3の本発明に係る蛍光体微粒子の製造方法は、BaSnO3:Znで表されるペロブスカイト型構造を有する蛍光体微粒子の製造方法であって、Ba(バリウム)、Sn(スズ)及びZn(亜鉛)を含む原料を用い、これらを反応させて蛍光体微粒子を得る反応工程を有し、SnとBaとが等モル、Znが原料(Sn)1モルに対して0.000モル%より多く、40.262モル%未満となるように調整することを特徴とする。
[5] 第4の本発明に係る蛍光体微粒子の製造方法は、BaSnO3:Mgで表されるペロブスカイト型構造を有する蛍光体微粒子の製造方法であって、Ba(バリウム)、Sn(スズ)及びMg(マグネシウム)を含む原料を用い、これらを反応させて蛍光体微粒子を得る反応工程を有し、SnとBaとが等モル、Mgが原料(Sn)1モルに対して0.000モル%より多く、1.198モル%未満となるように調整することを特徴とする。
[6] 第3及び第4の本発明において、前記反応工程でプラズマ合成を行うことが好ましい。
[7] 第3及び第4の本発明において、前記反応工程でマイクロ波水熱合成を行うことが好ましい。
[8] 第3及び第4の本発明において、前記反応工程でチタン合金製容器を用いた超臨界水熱合成を行うことが好ましい。
[9] 第3及び第4の本発明において、前記反応工程で噴霧熱分解合成を行うことが好ましい。
[10] 第5の本発明に係る蛍光体薄膜は、上述した第1、第2の本発明に係る蛍光体微粒子もしくは上述した第3、第4の本発明に係る蛍光体微粒子の製造方法にて製造された蛍光体微粒子を含むことを特徴とする。
[11] 第6の本発明に係る波長変換膜は、上述した第1、第2の本発明に係る蛍光体微粒子もしくは上述した第3、第4の本発明に係る蛍光体微粒子の製造方法にて製造された蛍光体微粒子を含み、紫外線領域の光を赤外線領域の光に変換することを特徴とする。
[12] 第7の本発明に係る波長変換膜は、上述した第1、第2の本発明に係る蛍光体微粒子もしくは上述した第3、第4の本発明に係る蛍光体微粒子の製造方法にて製造された蛍光体微粒子を液相に分散させ、塗布方法により作製したことを特徴とする。
[13] この場合、前記液相がシロキサン結合を生成する化合物を含み、前記蛍光体微粒子を取り込みつつ硬化してなるようにしてもよい。
[14] 第8の本発明に係る波長変換デバイスは、基板と、前記基板上に形成された上述した第6、第7の本発明に係る波長変換膜とを含むことを特徴とする。
[15] この場合、前記基板がフレキシブルな樹脂シートあるいは樹脂と無機材料の複合シートであってもよい。
[16] 第9の本発明に係る太陽電池は、太陽電池の少なくとも1つの構成部材に上述した第1、第2の本発明に係る蛍光体微粒子もしくは上述した第3、第4の本発明に係る蛍光体微粒子の製造方法にて製造された蛍光体微粒子が含まれていることを特徴とする。
[17] 第10の本発明に係る太陽電池は、太陽電池の少なくとも1つの構成部材の表面あるいは裏面に上述した第6、第7の本発明に係る波長変換膜が形成されていることを特徴とする。
[18] 第11の本発明に係る太陽電池は、太陽電池の複数の構成部材間あるいは光入射表面に上述した第8の本発明に係る波長変換デバイスを備えたことを特徴とする。
本発明に係る蛍光体微粒子及び蛍光体微粒子の製造方法によれば、波長変換するシフト量を大きくすることができると共に、透明性の向上、並びに内部量子効率の向上を図ることができ、例えば太陽電池の発電効率の向上、製造コストの低減化を図ることができる。
本発明に係る蛍光体薄膜、波長変換膜及び波長変換デバイスは、波長変換するシフト量を大きくすることができ、しかも、透明性を向上させて、例えば太陽電池の発電効率を向上させることができ、製造コストも低減させることができる。
本発明に係る太陽電池によれば、上述した蛍光体微粒子あるいは波長変換膜あるいは波長変換デバイスを用いることで、発電効率の向上を図ることができ、しかも、波長変換膜あるいは波長変換機能を有する部分の設置個所を任意に選択することができ、設計の自由度を向上させることができる。
図1は、第1及び第2の実施の形態に係る蛍光体微粒子の製造方法にて作製される蛍光体微粒子の結晶構造を示す説明図である。 図2は、本実施の形態に係る蛍光体薄膜を基板上に成膜した状態を示す断面図である。 図3は、本実施の形態に係る波長変換膜を石英ガラス上に成膜した状態を示す断面図である。 図4は、波長変換膜の製造方法の一例を示すフローチャートである。 図5は、本実施の形態に係る波長変換デバイスを示す断面図である。 図6は、本実施の形態に係る太陽電池の要部を示す断面図である。 図7Aは、サンプル1に係る蛍光体微粒子のXRDパターンを示す図である。図7Bは、サンプル1に係る蛍光体微粒子のTEM(透過型電子顕微鏡)による微構造(以下、単にTEM微構造と記す)を示す写真である。 図8Aは、x軸に原料1モルに対するZnの添加量(モル%)、y軸にZn含有量(質量%)をとり、サンプル4〜8の結果をプロットして示すグラフである。図8Bは、x軸に原料1モルに対するMgの添加量(モル%)、y軸にMg含有量(質量%)をとり、サンプル11〜16の結果をプロットして示すグラフである。 図9は、サンプル1に係る蛍光体微粒子の蛍光スペクトルを示す図である。 図10は、Zn濃度(Znの含有量)に対する内部量子効率の変化を示すグラフである。 図11は、Mg濃度(Mgの含有量)に対する内部量子効率の変化を示すグラフである。 図12は、比較例1に係る太陽電池の要部を示す断面図である。
以下、本発明に係る蛍光体微粒子及び蛍光体微粒子の製造方法の実施の形態例を図1〜図12を参照しながら説明する。なお、本明細書において数値範囲を示す「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味として使用される。
(蛍光体微粒子)
第1の実施の形態に係る蛍光体微粒子(以下、第1蛍光体微粒子と記す)は、BaSnO3:Znで表されるペロブスカイト型構造を有し、Zn(亜鉛)の含有量が0.0質量%より多く、8.0質量%未満である。これにより、内部量子効率を50%より向上させることができ、例えば太陽電池の発電効率を向上、製造コストの低減化を図ることができる。
Znの含有量は、好ましくは0.005質量%以上、3.000質量%以下、さらに好ましくは0.01質量%以上、1.30質量%以下である。
第2の実施の形態に係る蛍光体微粒子(以下、第2蛍光体微粒子と記す)は、BaSnO3:Mgで表されるペロブスカイト型構造を有し、Mg(マグネシウム)の含有量が0.0質量%より多く、0.1質量%未満である。これにより、内部量子効率を50%より向上させることができ、例えば太陽電池の発電効率を向上、製造コストの低減化を図ることができる。
Mgの含有量は、好ましくは0.0005質量%以上、0.0300質量%以下、さらに好ましくは0.001質量%以上、0.010質量%以下である。
蛍光体微粒子は、図1に示すようにペロブスカイト型構造の結晶構造を有し、各頂点にBa(バリウム)が配置され、体心にSn(スズ)が配置され、Snを中心として、各面心にO(酸素)が配置される。
第1蛍光体微粒子及び第2蛍光体微粒子を製造する方法は、Ba(バリウム)及びSn(スズ)を含む原料を用い、これら原料を反応させる工程を含む。
そして、第1蛍光体微粒子を製造する場合、SnとBaとが等モル、Znが原料(Sn)1モルに対して0.000モル%より多く、40.262モル%未満であることが好ましい。さらに好ましくは、Znが原料(Sn)1モルに対して0.025モル%以上、15.098モル%以下、より好ましくはZnが原料(Sn)1モルに対して0.050モル%以上、6.543モル%以下である。
第2蛍光体微粒子を製造する場合、SnとBaとが等モル、Mgが原料(Sn)1モルに対して0.000モル%より多く、1.198モル%未満であることが好ましい。さらに好ましくは、Mgが原料(Sn)1モルに対して0.006モル%以上、0.359モル%以下、より好ましくはZnが原料(Sn)1モルに対して0.012モル%以上、0.120モル%以下である。
そして、第1蛍光体微粒子及び第2蛍光体微粒子を製造する方法において、原料を反応させる工程は、例えばプラズマ合成、マイクロ波水熱合成、チタン合金製容器を用いた超臨界水熱合成、噴霧熱分解合成等がある。
プラズマ合成は、Ba原料としてBaCO3粉末、Sn原料としてSnO2粉末を用い、SnとBaが等モルとなるように準備する。これらの原料をエタノールと共にメノウ乳鉢に入れ、エタノールが蒸発して流動性が消失するまで粉砕混合したのち、乾燥機等で乾燥することにより、プラズマ合成の原料となる混合粉末を得る。この混合粉末を高温のプラズマチャンバー内に投入することにより、BaSnO3微粒子粉末を得る。
マイクロ波水熱合成は、Ba原料としてBa(OH)2、Sn原料としてSnO2ゾル及び適量の水をテフロン(登録商標)製の攪拌子と共に、内側にテフロン(登録商標)の被膜が形成された樹脂製耐圧容器に入れて密封する。容器内の混合液を撹拌しつつ、最高出力600Wのマイクロ波を照射して容器内を270℃に加熱し、10時間以上、水熱状態に保持することにより、BaSnO3粒子が分散された水溶液を得る。遠心分離処理により、上澄み液を除去した後、純水を追加して再度遠心分離処理を行う工程を繰り返した後、乾燥機で乾燥して、BaSnO3微粒子粉末を得る。Ba原料、Sn原料として、特に限定されるものではなく、塩化物、硝酸化合物等を用いてもよい。
チタン合金製容器を用いた超臨界水熱合成は、Ba原料としてBa(OH)2、Sn原料としてSnO2ゾル及び適量の水をチタン合金製の耐圧容器に入れて密封する。乾燥機等で400℃に加熱して1時間以上超臨界水熱状態に保持することにより、BaSnO3粒子が分散された水溶液を得る。遠心分離処理により、上澄み液を除去した後、純水を追加して再度遠心分離処理を行う工程を繰り返した後、乾燥機で乾燥して、BaSnO3微粒子粉末を得る。Ba原料、Sn原料として、特に限定されるものではなく、塩化物、硝酸化合物等を用いてもよい。
噴霧熱分解合成は、Ba原料としてBaCl2、Sn原料としてSnCl2を用い、SnとBaが等モルとなるように準備する。これらの原料を水に溶解させた原料水溶液を、高温の反応容器内に噴霧投入することにより、BaSnO3微粒子粉末を得る。Ba原料、Sn原料として、特に限定されるものではなく、水酸化物、硝酸化合物等を用いてもよい。
上述の噴霧熱分解合成としては、塩添加噴霧熱分解法による合成を用いてもよい。塩添加噴霧熱分解法は、原料溶液中に目的物質粒子成分以外の無機化合物を溶解させて噴霧熱分解を実施することによって、該無機化合物の内部に目的物質の一次粒子を含んだ構造の凝集粒子を合成し、その後、凝集粒子から無機化合物を分離して目的物質の一次粒子を得ることを特徴とするプロセスである。
蛍光体微粒子の組成としては、エネルギー分散型X線分析装置により測定することができる。また、結晶構造としては、粉末X線回折装置(XRD)により測定することができる。さらに、粒子径としては、透過型電子顕微鏡(TEM)等の電子顕微鏡により観察することができる。
本実施の形態では、蛍光体微粒子の粒子径がμmオーダーでもよいが、好ましくは100nm以下である。
なお、蛍光体微粒子の粒子径は、透過型電子顕微鏡(TEM)等の電子顕微鏡により観察することができる。また、蛍光体微粒子の粒子径は、粉砕処理及び分級処理等の二次的処理を行わない状態における粒子径を示す。また、粒子径の平均としては、電子顕微鏡の観察野に存在する蛍光体微粒子の粒子径を平均化して求めることができる。
(蛍光体薄膜)
本実施の形態に係る蛍光体薄膜50は、図2に示すように、上述した本実施の形態に係る蛍光体微粒子を含む。蛍光体薄膜50の形成方法としては、本実施の形態に係る蛍光体微粒子を含む限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、一般的なスプレー法やディッピング法でもよい。図2は、基板52上に蛍光体薄膜50を成膜した状態を示す。
(波長変換膜)
本実施の形態に係る波長変換膜54は、図3に示すように、上述した本実施の形態に係る蛍光体微粒子を含み、紫外線領域の光56を赤外線領域の光58に変換する。この波長変換膜54は、例えば石英ガラス60の表面に形成される。
波長変換膜54は以下の方法にて作製することができる。すなわち、液相に蛍光体微粒子を分散させ、塗布方法によって、波長変換膜54を作製する。
具体的には、図4のステップS1において、蛍光体微粒子の粉末が入れられた容器内にエタノール溶液を投入する。ステップS2において、容器内の蛍光体微粒子の粉末を超音波分散する。
その後、ステップS3において、容器内にポリシロキサンオリゴマー含有コーティング材(例えば商品名グラスカ:JSR社製、製品名:HP7003)を投入する。ここで、ポリシロキサンオリゴマー含有コーティング材とは、アルコキシシランを原料としたポリシロキサンオリゴマーを含んだ溶液である。この溶液を塗布乾燥することにより、主骨格がシロキサン結合のネットワーク構造−(Si−O)n−で構成される強固な透明皮膜を形成する。
ステップS4において、容器内の蛍光体微粒子の粉末を超音波分散して、成膜用スラリーを作製する。ステップS5において、例えば石英ガラス60の表面に成膜用スラリーを塗布する。例えば成膜用スラリーを用いてスピンコートを行う。
そして、ステップS6において、石英ガラス60上の成膜用スラリーを常温乾燥する。この乾燥によって、液相が蛍光体微粒子を取り込みつつ硬化し、上述したように、主骨格がシロキサン結合のネットワーク構造−(Si−O)n−で構成される強固な波長変換膜54が形成される。
(波長変換デバイス)
本実施の形態に係る波長変換デバイス70は、図5に示すように、基板72と、該基板72の一主面に形成された上述した波長変換膜54とを有する。基板72としては、上述した石英ガラス60、太陽電池に使用されるソーダガラス等を用いることができる。また、基板72としては、可撓性を有する透明な樹脂シートあるいは樹脂と無機材料の複合シート等を用いることができる。この場合、透明性のフィルムが好ましい。
(太陽電池)
本実施の形態に係る太陽電池80の主要部は、図6に示すように、平面状に配列された複数の発電セル82と、これら発電セル82を被覆するように形成された封止層84と、封止層84上に積層されたガラス86と、ガラス86の表面に成膜された波長変換膜54とを有する。
封止層84としては、例えばポリエチレン−ポリ酢酸ビニル共重合体(EVA)等の透光性封止樹脂が用いられる。封止層84は、波長200〜800nmにおける光透過率が80%以上であることが好ましい。ガラス86は、保護ガラスであって、一般にソーダガラスが使用される。
太陽電池80の他の例としては、図示しないが、太陽電池80の少なくとも1つの構成部材の表面あるいは裏面に波長変換膜54が形成されていてもよい。あるいは、太陽電池80の複数の構成部材間あるいは光入射表面に波長変換デバイス70を備えていてもよい。
波長変換膜54及び波長変換デバイス70は、基本的には、発電セル82と太陽光の入射表面との間に設置すればよい。但し、ガラス86(保護ガラス:一般的にソーダガラス)及び封止層84(EVA等の樹脂)は一部の紫外線を吸収するため、波長変換膜54は、好ましくは、より太陽光の入射表面側に近い方がよい。
上述した特開2013−004806号公報では、波長変換層が有機材料で構成されているため、外気にさらされる最外表面に設置することは好ましくないと間接的に述べている。本実施の形態では、波長変換膜54を無機材料で構成しているため、最外表面に設置してもよい。すなわち、波長変換膜54あるいは波長変換デバイス70の設置個所を任意に選択することができ、設計の自由度を向上させることができる。また、これに関連し、特開2013−004806号公報では保護ガラスに紫外光を透過する石英ガラスを用いているが、実際の太陽電池に高コストな石英ガラスを用いることはありえないと考えられる。
[第1実施例]
サンプル1〜16に係る蛍光体微粒子について、XRDパターンを確認し、さらに、サンプル1〜16に係る蛍光体微粒子に各種励起波長の光を照射して測定した蛍光スペクトルの発光強度を確認した。また、原料へのZn、Mgの添加による内部量子効率の影響を確認した。
(サンプル1)
Baの原料としてBaCO3粉末(BAH07XB:高純度化学研究所製)、Snの原料としてSnO2粉末(SNO06PB:高純度化学研究所製)を準備し、これらの原料をプラズマ合成によって反応させてサンプル1に係る蛍光体微粒子を作製した。このサンプル1では、原料(Sn)1モルに対してZnを0.010モル%添加して蛍光体微粒子を作製した。プラズマ合成におけるZnのカチオンの添加方法は、以下のようにして実施した。すなわち、原料(Sn)1モルに対して指定モル比になるように、Zn(NO32・6H2O(ZNH09XAG:高純度化学研究所製)をエタノールに添加溶解させ、このエタノール溶液を用いて、上記のBaCO3粉末とSnO2粉末の粉砕混合を実施した。
(サンプル2)
Znを原料(Sn)1モルに対して0.020モル%添加したこと以外は、サンプル1と同様にして、サンプル2に係る蛍光体微粒子を作製した。
(サンプル3)
Znを原料(Sn)1モルに対して0.040モル%添加したこと以外は、サンプル1と同様にして、サンプル3に係る蛍光体微粒子を作製した。
(サンプル4)
Znを原料(Sn)1モルに対して0.200モル%添加したこと以外は、サンプル1と同様にして、サンプル4に係る蛍光体微粒子を作製した。
(サンプル5)
Znを原料(Sn)1モルに対して1.000モル%添加したこと以外は、サンプル1と同様にして、サンプル5に係る蛍光体微粒子を作製した。
(サンプル6)
Znを原料(Sn)1モルに対して4.000モル%添加したこと以外は、サンプル1と同様にして、サンプル6に係る蛍光体微粒子を作製した。
(サンプル7)
Znを原料(Sn)1モルに対して20.000モル%添加したこと以外は、サンプル1と同様にして、サンプル7に係る蛍光体微粒子を作製した。
(サンプル8)
Znを原料(Sn)1モルに対して40.000モル%添加したこと以外は、サンプル1と同様にして、サンプル8に係る蛍光体微粒子を作製した。
(サンプル9)
Ba及びSnを含む原料をプラズマ合成によって反応させてサンプル9に係る蛍光体微粒子を作製した。このサンプル9では、原料(Sn)1モルに対してMgを0.002モル%添加して蛍光体微粒子を作製した。プラズマ合成におけるMgのカチオンの添加方法は、以下のようにして実施した。すなわち、原料(Sn)1モルに対して指定モル比になるように、Mg(NO32・6H2O(MGH12XB:高純度化学研究所製)をエタノールに添加溶解させ、このエタノール溶液を用いて、上記のBaCO3粉末とSnO2粉末の粉砕混合を実施した。
(サンプル10)
Mgを原料(Sn)1モルに対して0.005モル%添加したこと以外は、サンプル9と同様にして、サンプル10に係る蛍光体微粒子を作製した。
(サンプル11)
Mgを原料(Sn)1モルに対して0.010モル%添加したこと以外は、サンプル9と同様にして、サンプル11に係る蛍光体微粒子を作製した。
(サンプル12)
Mgを原料(Sn)1モルに対して0.040モル%添加したこと以外は、サンプル9と同様にして、サンプル12に係る蛍光体微粒子を作製した。
(サンプル13)
Mgを原料(Sn)1モルに対して0.064モル%添加したこと以外は、サンプル9と同様にして、サンプル13に係る蛍光体微粒子を作製した。
(サンプル14)
Mgを原料(Sn)1モルに対して0.200モル%添加したこと以外は、サンプル9と同様にして、サンプル14に係る蛍光体微粒子を作製した。
(サンプル15)
Mgを原料(Sn)1モルに対して0.500モル%添加したこと以外は、サンプル9と同様にして、サンプル15に係る蛍光体微粒子を作製した。
(サンプル16)
Mgを原料(Sn)1モルに対して3.000モル%添加したこと以外は、サンプル9と同様にして、サンプル16に係る蛍光体微粒子を作製した。
サンプル1〜16の内訳、Zn及びMgの含有量並びに内部量子効率について、下記表1及び表2に示す。
Figure 0006122560
Figure 0006122560
<評価:XRDパターン及びTEM微構造>
(サンプル1)
代表的に、サンプル1に係る蛍光体微粒子のXRDパターンを図7Aに示す。このXRDパターンは、立方晶BaSnO3のXRDパターンとほぼ一致した。さらに、サンプル1に係る蛍光体微粒子のTEM微構造を図7Bに示す。図7Bからわかるように、粒子径が10〜40nm程度の蛍光体微粒子の生成が確認された。
(サンプル2〜16)
サンプル2〜16についても、サンプル1と同様の結果(図7A及び図7B参照)を得た。
<評価:Znの含有量>
先ず、サンプル1〜3は、Znの含有量が蛍光X線スペクトルからFP法による検出限界以下であったため、次のようにして、Zn含有量を推定した。すなわち、図8Aに示すように、x軸に原料1モルに対するZnの添加量(モル%)、y軸にZn含有量(質量%)をとり、サンプル4〜8のプロットから最小二乗法にて直線の式を求めた。そして、この直線の式(y=0.2033x,R2=0.9993)から、サンプル1〜3のZnの添加量に対応するZnの含有量を求めた。
(サンプル1〜3)
上述した直線の式から、サンプル1、2及び3のZnの含有量は、0.002質量%、0.004質量%及び0.008質量%であった。
(サンプル4)
サンプル4のZnの含有量は、得られた蛍光X線スペクトルからFP法に基づいたノンスタンダード分析による半定量分析結果では、0.030質量%であった。
(サンプル5〜8)
サンプル5、6、7及び8のZnの含有量は、0.180質量%、0.800質量%、4.230質量%及び8.050質量%であった。
<評価:Mgの含有量>
サンプル9及び10は、上述したサンプル1及び2と同様に、Mgの含有量が蛍光X線スペクトルからFP法による検出限界以下であったため、次のようにして、Mg含有量を推定した。すなわち、図8Bに示すように、x軸に原料1モルに対するMgの添加量(モル%)、y軸にMg含有量(質量%)をとり、サンプル11〜16のプロットから最小二乗法にて直線の式を求めた。そして、この直線の式(y=0.0835x,R2=0.9995)から、サンプル9及び10のMgの添加量に対応するMgの含有量を求めた。
(サンプル9及び10)
上述した直線の式から、サンプル9及び10のMgの含有量は、0.0002質量%及び0.0004質量%であった。
(サンプル11)
サンプル11のMgの含有量は、得られた蛍光X線スペクトルからFP法に基づいたノンスタンダード分析による半定量分析結果では、0.0010質量%であった。
(サンプル12〜16)
サンプル12、13、14、15及び16のMgの含有量は、0.0020質量%、0.0060質量%、0.0150質量%、0.0460質量%及び0.2500質量%であった。
<評価:内部量子効率>
(サンプル1)
サンプル1に係る蛍光体微粒子による試料(サンプル1に係る試料(SPECIMEN))について、分光蛍光光度計(日本分光社製、FP−8600)、φ60mm積分球を用いて内部量子効率を測定した。この内部量子効率の測定においては、サンプル1に係る試料に向けて励起光を照射した。励起光の波長を360nmとした。
この内部量子効率の測定において、図9に示すように、波長360nmの励起光に対して、中心波長がほぼ900nmの蛍光スペクトルピークが見られた。これは、後述するサンプル2〜16においても同様であった。
そして、測定の結果、サンプル1に係る試料の内部量子効率は52%であった。
(サンプル2〜8)
サンプル1と同様にして、サンプル2〜8に係る蛍光体微粒子による試料について、それぞれ内部量子効率を測定したところ、上記表1に示すように、サンプル2は54%、サンプル3は59%、サンプル4は65%、サンプル5は66%、サンプル6は62%、サンプル7は53%、サンプル8は49%であった。
(サンプル9〜16)
サンプル1と同様にして、サンプル9〜16に係る蛍光体微粒子による試料について、それぞれ内部量子効率を測定したところ、上記表2に示すように、サンプル9は51%、サンプル10は53%、サンプル11は59%、サンプル12は62%、サンプル13は61%、サンプル14は58%、サンプル15は52%、サンプル16は49%であった。
<評価:Znの含有量に対する内部量子効率>
先ず、サンプル1〜8の結果に基づいて、Zn濃度(Znの含有量)に対する内部量子効率の変化をプロットし、Zn濃度に対する内部量子効率の変化を示す特性曲線を得た。その結果を図10に示す。
この特性曲線は以下のような性質を持つ。すなわち、Znを含有しない場合、内部量子効率は約50%であるが、Zn濃度の増加に従って徐々に内部量子効率が上昇し、Zn濃度が約0.1質量%にて内部量子効率がピーク(約66%)となる。さらにZn濃度が増加すると、内部量子効率が下降に転じ、Zn濃度が8.00質量%にて内部量子効率が50%以下となる。
このことから、Zn含有量の好ましい範囲は下記表3に示す範囲であることがわかる。
Figure 0006122560
すなわち、内部量子効率が50%より高いZn濃度の範囲P1は、0質量%より多く、8.000質量%未満である。内部量子効率が55%以上のZn濃度の範囲P2は、0.005質量%以上、3.000質量%以下である。内部量子効率が60%以上のZn濃度の範囲P3は、0.010質量%以上、1.300質量%以下である。
また、上述した図8Aに示す直線の式(y=0.2033x,R2=0.9993)から、Zn濃度についての3段階のしきい値に対応するZnの添加量(仕込みモル比)を求めた。この結果を表4に示す。
Figure 0006122560
<評価:Mgの含有量に対する内部量子効率>
次に、サンプル9〜16の結果に基づいて、Mg濃度(Mgの含有量)に対する内部量子効率の変化をプロットし、Mg濃度に対する内部量子効率の変化を示す特性曲線を得た。その結果を図11に示す。
この特性曲線は以下のような性質を持つ。すなわち、Mgを含有しない場合、内部量子効率は約50%であるが、Mg濃度の増加に従って徐々に内部量子効率が上昇し、Mg濃度が約0.0035質量%にて内部量子効率がピーク(約63%)となる。さらにMg濃度が増加すると、内部量子効率が下降に転じ、Mg濃度が0.1質量%あたりから内部量子効率が50%以下となる。
このことから、Mg濃度の好ましい範囲は下記表5に示す範囲であることがわかる。
Figure 0006122560
すなわち、内部量子効率が50%より高いMg濃度の範囲P4は、0質量%より多く、0.1000質量%未満である。内部量子効率が55%以上のMg濃度の範囲P5は、0.0005質量%以上、0.0300質量%以下である。内部量子効率が60%以上のMg濃度の範囲P6は、0.0010質量%以上、0.0100質量%以下である。
また、上述した図8Bに示す直線の式(y=0.0835x,R2=0.9995)から、Mg濃度についての3段階のしきい値に対応するMgの添加量(仕込みモル比)を求めた。この結果を表6に示す。
Figure 0006122560
[第2実施例](太陽電池)
次に、実施例1〜10、比較例1及び2について、発電量の違いを確認した。また、実施例1〜10及び比較例2について、比較例1に対する発電量の向上分を確認した。
(実施例1)
実施例1は、図6に示す太陽電池80と同様の構成を有する。すなわち、平面状に配列された複数の発電セル82と、これら発電セル82を被覆するように形成された封止層84と、封止層84上に積層されたガラス86と、ガラス86の表面に成膜された波長変換膜54とを有する。そして、波長変換膜54に含まれる蛍光体微粒子を以下のようにして作製した。すなわち、Ba及びSnを含む原料をプラズマ合成によって反応させ、上述したサンプル3と同様に、原料(Sn)1モルに対してZnを0.040モル%添加して作製した。蛍光体微粒子のZnの含有量は0.008質量%(推定値)である。
(実施例2)
実施例2は、波長変換膜54に含まれる蛍光体微粒子を、上述したサンプル5と同様に、原料(Sn)1モルに対してZnを1.000モル%添加して作製したこと以外は、実施例1と同様にして実施例2に係る太陽電池を作製した。蛍光体微粒子のZnの含有量は0.180質量%である。
(実施例3)
実施例3は、波長変換膜54に含まれる蛍光体微粒子を、上述したサンプル12と同様に、原料(Sn)1モルに対してMgを0.040モル%添加して作製したこと以外は、実施例1と同様にして実施例3に係る太陽電池を作製した。蛍光体微粒子のMgの含有量は0.0020質量%である。
(実施例4)
実施例4は、波長変換膜54に含まれる蛍光体微粒子を、上述したサンプル14と同様に、原料(Sn)1モルに対してMgを0.200モル%添加して作製したこと以外は、実施例1と同様にして実施例4に係る太陽電池を作製した。蛍光体微粒子のMgの含有量は0.0150質量%である。
(実施例5及び6)
実施例5及び6は、波長変換膜54に含まれる蛍光体微粒子を以下のようにして作製した点以外は実施例2及び3と同様にして実施例5及び6に係る太陽電池を作製した。すなわち、Ba及びSnを含む原料をマイクロ波水熱合成によって反応させ、実施例5では、原料(Sn)1モルに対してZnを1.000モル%添加して蛍光体微粒子を作製し、実施例6では、原料(Sn)1モルに対してMgを0.040モル%添加して蛍光体微粒子を作製した。
(実施例7及び8)
実施例7及び8は、波長変換膜54に含まれる蛍光体微粒子を以下のようにして作製した点以外は実施例2及び3と同様にして実施例7及び8に係る太陽電池を作製した。すなわち、Ba及びSnを含む原料をチタン合金製容器を用いた超臨界水熱合成によって反応させ、実施例7では、原料(Sn)1モルに対してZnを1.000モル%添加して蛍光体微粒子を作製し、実施例8では、原料(Sn)1モルに対してMgを0.040モル%添加して蛍光体微粒子を作製した。
(実施例9及び10)
実施例9及び10は、波長変換膜54に含まれる蛍光体微粒子を以下のようにして作製した点以外は実施例2及び3と同様にして実施例9及び10に係る太陽電池を作製した。すなわち、Ba及びSnを含む原料を噴霧熱分解合成によって反応させ、実施例9では、原料(Sn)1モルに対してZnを1.000モル%添加して蛍光体微粒子を作製し、実施例10では、原料(Sn)1モルに対してMgを0.040モル%添加して蛍光体微粒子を作製した。
(比較例1)
比較例1は、図12に示すように、平面状に配列された複数の発電セル82と、これら発電セル82上に積層された封止層84と、封止層84上に積層されたガラス86とを有する。
(比較例2)
比較例2は、波長変換膜54に含まれる蛍光体微粒子を、Zn及びMgを添加せずに作製したこと以外は、実施例1と同様にして比較例2に係る太陽電池を作製した。
(評価)
実施例1〜10、比較例1及び2の内訳及び発電量(mW/cm2)、並びに実施例1〜10及び比較例2の向上分(%)を下記表7に示す。向上分は、例えば実施例1では、(実施例1の発電量−比較例1の発電量)/比較例1の発電量で算出した。
Figure 0006122560
比較例1及び2の発電量は12.2(mW/cm2)及び13.30(mW/cm2)であった。これに対して、実施例1〜10の発電量はいずれも比較例1及び2よりも向上していた。特に、実施例2、3、5〜10は、内部量子効率が60%を超えており、出力向上が優れていることがわかる。
また、実施例2、3、5〜10の結果から、蛍光体粒子の製造方法として、プラズマ合成が最も優れており、その次に噴霧熱分解合成、その次にマイクロ波水熱合成、その次にチタン合金製容器を用いた超臨界水熱合成が優れていることがわかる。
なお、本発明に係る蛍光体微粒子、蛍光体微粒子の製造方法、蛍光体薄膜、波長変換膜、波長変換デバイス及び太陽電池は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。

Claims (18)

  1. BaSnO:Znで表されるペロブスカイト型構造を有する蛍光体微粒子であって、Zn(亜鉛)の含有量が0.0質量%より多く、8.0質量%未満であり、内部量子効率が50%以上であることを特徴とする蛍光体微粒子。
  2. BaSnO:Mgで表されるペロブスカイト型構造を有する蛍光体微粒子であって、Mg(マグネシウム)の含有量が0.0質量%より多く、0.1質量%未満であることを特徴とする蛍光体微粒子。
  3. 請求項1又は2記載の蛍光体微粒子において、
    粒子径が100nm以下であることを特徴とする蛍光体微粒子。
  4. BaSnO:Znで表されるペロブスカイト型構造を有し、内部量子効率が50%以上である蛍光体微粒子の製造方法であって、
    Ba(バリウム)、Sn(スズ)及びZn(亜鉛)を含む原料を用い、これらを反応させて蛍光体微粒子を得る反応工程を有し、
    SnとBaとが等モル、Znが原料(Sn)1モルに対して0.000モル%より多く、40.262モル%未満となるように調整することを特徴とする蛍光体微粒子の製造方法。
  5. BaSnO:Mgで表されるペロブスカイト型構造を有する蛍光体微粒子の製造方法であって、
    Ba(バリウム)、Sn(スズ)及びMg(マグネシウム)を含む原料を用い、これらを反応させて蛍光体微粒子を得る反応工程を有し、
    SnとBaとが等モル、Mgが原料(Sn)1モルに対して0.000モル%より多く、1.198モル%未満となるように調整することを特徴とする蛍光体微粒子の製造方法。
  6. 請求項4又は5記載の蛍光体微粒子の製造方法において、
    前記反応工程でプラズマ合成を行うことを特徴とする蛍光体微粒子の製造方法。
  7. 請求項4又は5記載の蛍光体微粒子の製造方法において、
    前記反応工程でマイクロ波水熱合成を行うことを特徴とする蛍光体微粒子の製造方法。
  8. 請求項4又は5記載の蛍光体微粒子の製造方法において、
    前記反応工程でチタン合金製容器を用いた超臨界水熱合成を行うことを特徴とする蛍光体微粒子の製造方法。
  9. 請求項4又は5記載の蛍光体微粒子の製造方法において、
    前記反応工程で噴霧熱分解合成を行うことを特徴とする蛍光体微粒子の製造方法。
  10. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の蛍光体微粒子を含むことを特徴とする蛍光体薄膜(50)。
  11. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の蛍光体微粒子を含み、紫外線領域の光(56)を赤外線領域の光(58)に変換することを特徴とする波長変換膜(54)。
  12. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の蛍光体微粒子を液相に分散させ、塗布方法により作製したことを特徴とする波長変換膜(54)。
  13. 請求項12記載の波長変換膜(54)において、
    前記液相がシロキサン結合を生成する化合物を含み、前記蛍光体微粒子を取り込みつつ硬化してなることを特徴とする波長変換膜(54)。
  14. 基板(72)と、
    前記基板(72)上に形成された請求項11記載の波長変換膜(54)とを含むことを特徴とする波長変換デバイス(70)。
  15. 請求項14記載の波長変換デバイス(70)において、
    前記基板(72)がフレキシブルな樹脂シートあるいは樹脂と無機材料の複合シートであることを特徴とする波長変換デバイス(70)。
  16. 太陽電池(80)の少なくとも1つの構成部材に請求項1〜3のいずれか1項に記載の蛍光体微粒子が含まれていることを特徴とする太陽電池(80)。
  17. 太陽電池(80)の少なくとも1つの構成部材の表面あるいは裏面に請求項11記載の波長変換膜(54)が形成されていることを特徴とする太陽電池(80)。
  18. 太陽電池(80)の複数の構成部材間あるいは光入射表面に請求項14又は15記載の波長変換デバイス(70)を備えたことを特徴とする太陽電池(80)。
JP2016560854A 2015-08-04 2016-06-17 蛍光体微粒子、蛍光体微粒子の製造方法、蛍光体薄膜、波長変換膜、波長変換デバイス及び太陽電池 Expired - Fee Related JP6122560B1 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015153966 2015-08-04
JP2015153966 2015-08-04
JP2015195953 2015-10-01
JP2015195953 2015-10-01
PCT/JP2016/068071 WO2017022344A1 (ja) 2015-08-04 2016-06-17 蛍光体微粒子、蛍光体微粒子の製造方法、蛍光体薄膜、波長変換膜、波長変換デバイス及び太陽電池

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6122560B1 true JP6122560B1 (ja) 2017-04-26
JPWO2017022344A1 JPWO2017022344A1 (ja) 2017-08-03

Family

ID=57942827

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016560854A Expired - Fee Related JP6122560B1 (ja) 2015-08-04 2016-06-17 蛍光体微粒子、蛍光体微粒子の製造方法、蛍光体薄膜、波長変換膜、波長変換デバイス及び太陽電池

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10934483B2 (ja)
EP (1) EP3333242B1 (ja)
JP (1) JP6122560B1 (ja)
WO (1) WO2017022344A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018163234A1 (ja) * 2017-03-06 2018-09-13 日本碍子株式会社 セキュリティインク顔料、セキュリティインク、印刷物およびセキュリティインク顔料を生産する方法
JPWO2018163232A1 (ja) * 2017-03-06 2019-12-26 日本碍子株式会社 蛍光体粉末および蛍光体粉末を生産する方法
JP6360641B1 (ja) * 2017-03-06 2018-07-18 日本碍子株式会社 セキュリティインク顔料、セキュリティインク、印刷物およびセキュリティインク顔料を生産する方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218379A (ja) * 2002-01-24 2003-07-31 Sumitomo Bakelite Co Ltd 太陽電池
JP2007146102A (ja) * 2005-11-07 2007-06-14 Kyushu Institute Of Technology 無機酸化物蛍光体
JP2012067167A (ja) * 2010-09-22 2012-04-05 Canon Inc 蛍光体、フェイスプレート及び画像表示装置の製造方法
JP2013509483A (ja) * 2009-10-30 2013-03-14 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 酸化フッ化物に基づく固溶体蛍光体および固体白色光用途のために蛍光体を含む白色発光ダイオード
JP2013543525A (ja) * 2010-09-20 2013-12-05 日東電工株式会社 光放射性セラミック積層体およびその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3698215B2 (ja) 1995-01-23 2005-09-21 勝泰 河野 受光素子
DE69827700T2 (de) * 1997-05-22 2005-10-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Sekundärbatterie mit nichtwässrigem Elektrolyten
US20090056791A1 (en) * 2007-06-22 2009-03-05 William Matthew Pfenninger Solar modules with enhanced efficiencies via use of spectral concentrators
JP2013004806A (ja) 2011-06-17 2013-01-07 Dexerials Corp 太陽電池モジュール
KR101463234B1 (ko) * 2013-07-29 2014-11-25 서울대학교산학협력단 Ba-Su―M―O 반도체막을 포함하는 염료감응 태양전지 광전극

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218379A (ja) * 2002-01-24 2003-07-31 Sumitomo Bakelite Co Ltd 太陽電池
JP2007146102A (ja) * 2005-11-07 2007-06-14 Kyushu Institute Of Technology 無機酸化物蛍光体
JP2013509483A (ja) * 2009-10-30 2013-03-14 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 酸化フッ化物に基づく固溶体蛍光体および固体白色光用途のために蛍光体を含む白色発光ダイオード
JP2013543525A (ja) * 2010-09-20 2013-12-05 日東電工株式会社 光放射性セラミック積層体およびその製造方法
JP2012067167A (ja) * 2010-09-22 2012-04-05 Canon Inc 蛍光体、フェイスプレート及び画像表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3333242A4 (en) 2019-04-24
US20180148643A1 (en) 2018-05-31
WO2017022344A1 (ja) 2017-02-09
US10934483B2 (en) 2021-03-02
EP3333242A1 (en) 2018-06-13
JPWO2017022344A1 (ja) 2017-08-03
EP3333242B1 (en) 2020-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6587639B2 (ja) 蛍光体微粒子及び蛍光体微粒子の製造方法
Zhou et al. Waterproof narrow-band fluoride red phosphor K2TiF6: Mn4+ via facile superhydrophobic surface modification
Verstraete et al. Red Mn4+-doped fluoride phosphors: why purity matters
Hasegawa et al. Bluish-white luminescence in rare-earth-free vanadate garnet phosphors: structural characterization of LiCa3MV3O12 (M= Zn and Mg)
Pereira et al. Rietveld refinement and optical properties of SrWO4: Eu3+ powders prepared by the non-hydrolytic sol-gel method
WO2015119124A1 (ja) 蛍光体微粒子、蛍光体微粒子の製造方法、蛍光体薄膜、波長変換膜、波長変換デバイス及び太陽電池
Li et al. Microwave-assisted Sol− Gel synthesis and photoluminescence characterization of LaPO4: Eu3+, Li+ nanophosphors
Vargas et al. Enhanced Luminescence and Mechanistic Studies on Layered Double-Perovskite Phosphors: Cs4Cd1–x Mn x Bi2Cl12
Kumar et al. Investigation on phase formation of Sr 2 SnO 4 and effect of La-doping on its structural and optical properties
Yang et al. Versatile deep-red Mg2TiO4: Mn4+ phosphor for photoluminescence, thermometry, and latent fingerprint visualization
Back et al. Lanthanide-doped bismuth-based fluoride nanocrystalline particles: Formation, spectroscopic investigation, and chemical stability
JP6122560B1 (ja) 蛍光体微粒子、蛍光体微粒子の製造方法、蛍光体薄膜、波長変換膜、波長変換デバイス及び太陽電池
JP5799270B2 (ja) 光励起半導体及びそれを用いたデバイス
Kumar et al. Structural and optical characterizations of BaSnO3 nanopowder synthesized by aqueous sol-gel method
Zhu et al. A new co-substitution strategy as a model to study a rare-earth-free spinel-type phosphor with red emissions and its application in light-emitting diodes
Kadam et al. Eu (iii), Tb (iii) activated/co-activated K 2 NaAlF 6 host array: simultaneous approach for improving photovoltaic efficiency and tricolour emission
Baklanova et al. A red-emitting phosphor based on Eu3+-doped Li6SrLa2Ta2O12 garnets for solid state lighting applications
Gupta et al. Light harvesting from oxygen vacancies and a-and b-site dopants in CaSnO3 perovskite through efficient photon utilization and local site engineering
Katyayan et al. Study of optical behaviour of Eu3+ and Tb3+ doped zirconate perovskite phosphors prepared by molten salt technique
Kumar et al. Photoluminescence and electrochemical performances of Eu3+ doped La10Si6O27 nanophosphor: display and electrochemical sensor applications
Singh et al. Structure, photoluminescence properties, and energy transfer phenomenon in Sm 3+/Eu 3+ co-doped CaTiO 3 phosphors
Watanabe et al. Synthesis of Y 2 O 3: Bi 3+, Eu 3+ nanosheets from layered yttrium hydroxide precursor and their photoluminescence properties
JP6143047B2 (ja) 波長変換デバイス及びその製造方法
Li et al. Designing a novel Eu 2+-doped hafnium-silicate phosphor for an energy-down-shift layer of CsPbI 3 solar cells
JP2017061582A (ja) 蛍光体微粒子の製造方法、蛍光体薄膜、波長変換膜、波長変換デバイス及び太陽電池

Legal Events

Date Code Title Description
A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20170203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170315

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170328

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170331

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6122560

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees