JP6120176B2 - 半導体製造方法および半導体製造装置 - Google Patents
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Description
コイルにより形成される電磁界をプラズマガスに作用させてプラズマを発生させるコイルを備えたプラズマ発生装置に対して素子が形成された基材を相対的に移動させつつ、基材をプラズマによって熱処理する半導体製造方法であって、
素子が形成された基材の第1の表面が下方向に向いた状態で基材の周縁部のみを保持し、基材の第1の表面に対して反対側の基材の第2の表面をプラズマ発生装置に対向させ、第1の表面に正圧を付与することによって基材の自重による下方向への撓みを抑制した状態で、プラズマ発生装置のプラズマを基材の第2の表面に照射する、半導体製造方法が提供される。
半導体素子が形成された基材をプラズマによって熱処理する半導体製造装置であって、
コイルにより形成される電磁界をプラズマガスに作用させてプラズマを発生させるコイルを備えたプラズマ発生装置と、
基材の周縁部のみを保持する基材ホルダと、
基材ホルダを移動させる移動機構と、を有し、
半導体素子が形成された基材の第1の表面に対して反対側の基材の第2の表面の法線が水平方向に延在するように且つ第2の表面がプラズマ発生装置に対向するようにプラズマ発生装置に対して基材ホルダを移動機構によって相対的に移動させつつ、プラズマ発生装置のプラズマを基材の第2の表面に照射する、半導体製造装置が提供される。
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体製造装置を概略的に示している。図2は、図1におけるB−B線に沿った断面を示している。図3A〜図3Cは、半導体製造装置による熱処理(アニール処理)の流れを示している。なお、図中におけるZ軸方向は鉛直方向を示し、X軸方向およびY軸方向は水平方向を示している。
本発明の実施の形態2について、図4〜図7を参照しながら説明する。
本発明の実施の形態3について、図8を参照しながら説明する。
12 誘導結合型プラズマトーチユニット
14 基材ホルダ
F 相対移動方向(送り方向)
P プラズマ
S 基材
Sa 第1の表面
Sb 第2の表面
Claims (4)
- コイルにより形成される電磁界をプラズマガスに作用させてプラズマを発生させるコイルを備えたプラズマ発生装置に対して素子が形成された基材を相対的に移動させつつ、基材をプラズマによって熱処理する半導体製造方法であって、
素子が形成された基材の第1の表面が下方向に向いた状態で基材の周縁部のみを保持し、基材の第1の表面に対して反対側の基材の第2の表面をプラズマ発生装置に対向させ、第1の表面に正圧を付与することによって基材の自重による下方向への撓みを抑制した状態で、プラズマ発生装置のプラズマを基材の第2の表面に照射する、半導体製造方法。 - コイルにより形成される電磁界をプラズマガスに作用させてプラズマを発生させるコイルを備えたプラズマ発生装置に対して素子が形成された基材を相対的に移動させつつ、基材をプラズマによって熱処理する半導体製造方法であって、
基材の第2の表面の法線が水平方向に延在する状態で基材の周縁部のみを保持し、基材の第2の表面にプラズマを照射する、半導体製造方法。 - プラズマが照射される基材の第2の表面に対して平行であって、基材の相対移動方向に対して直交する長手方向を備え、且つ、相対移動方向と直交する方向の基材のサイズに比べて長いプラズマ発生装置の開口からプラズマを基材の第2の表面上にライン状に照射する、請求項1または2に記載の半導体製造方法。
- 半導体素子が形成された基材をプラズマによって熱処理する半導体製造装置であって、
コイルにより形成される電磁界をプラズマガスに作用させてプラズマを発生させるコイルを備えたプラズマ発生装置と、
基材の周縁部のみを保持する基材ホルダと、
基材ホルダを移動させる移動機構と、を有し、
半導体素子が形成された基材の第1の表面に対して反対側の基材の第2の表面の法線が水平方向に延在するように且つ第2の表面がプラズマ発生装置に対向するようにプラズマ発生装置に対して基材ホルダを移動機構によって相対的に移動させつつ、プラズマ発生装置のプラズマを基材の第2の表面に照射する、半導体製造装置。
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