JP6119871B2 - 半導体集積回路および無線送信機 - Google Patents
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Description
(付記1)
第1電力により送信する第1送信電力モード、および、前記第1電力よりも小さい第2電力により送信する第2送信電力モードを有する半導体集積回路であって、
前記第2送信電力モードにおいて、送信信号を受け取って増幅する第1トランジスタと、
前記第1トランジスタの出力と出力端子の間に設けられ、前記第1トランジスタの出力の減衰を制御する抵抗素子およびスイッチ素子を含む減衰器と、を有する、
ことを特徴とする半導体集積回路。
前記第1送信電力モードにおいても、前記第1トランジスタが前記送信信号を受け取って増幅する、
ことを特徴とする付記1に記載の半導体集積回路。
前記スイッチ素子は、スイッチングトランジスタであり、
前記減衰器は、
前記第1トランジスタの出力と所定の電位線の間に、直列に設けられた第1抵抗素子および第1スイッチングトランジスタと、
前記第1トランジスタの出力と前記出力端子の間に、並列に設けられた第2抵抗素子および第2スイッチングトランジスタと、
前記出力端子と前記所定の電位線の間に、直列に設けられた第3抵抗素子および第3スイッチングトランジスタと、を含み、
前記第1送信電力モードにおいて、前記第1および第3スイッチングトランジスタがオフすると共に、前記第2スイッチングトランジスタがオンし、
前記第2送信電力モードにおいて、前記第1および第3スイッチングトランジスタがオンすると共に、前記第2スイッチングトランジスタがオフする、
ことを特徴とする付記2に記載の半導体集積回路。
さらに、
前記第1,第2および第3スイッチングトランジスタのスイッチングを制御するセレクタを有する、
ことを特徴とする付記3に記載の半導体集積回路。
前記第1送信電力モードにおいて、前記第1トランジスタとは異なるトランジスタが前記送信信号を受け取って増幅する、
ことを特徴とする付記1に記載の半導体集積回路。
前記スイッチ素子は、スイッチングトランジスタであり、
前記減衰器は、
前記第1トランジスタの出力と所定の電位線の間に、直列に設けられた第1抵抗素子および第1スイッチングトランジスタと、
前記第1トランジスタの出力と前記出力端子の間に設けられた第2抵抗素子と、
前記出力端子と前記所定の電位線の間に、直列に設けられた第3抵抗素子および第3スイッチングトランジスタと、を含み、
前記第1送信電力モードにおいて、前記第1および第3スイッチングトランジスタがオフし、
前記第2送信電力モードにおいて、前記第1および第3スイッチングトランジスタがオンする、
ことを特徴とする付記5に記載の半導体集積回路。
前記減衰器は、さらに、
前記第2抵抗素子と並列に設けられた第2スイッチングトランジスタを含み、
前記第1送信電力モードにおいて、前記第2スイッチングトランジスタが前記送信信号を受け取って増幅すると共に、前記第1トランジスタがオフし、
前記第2送信電力モードにおいて、前記第2スイッチングトランジスタがオフする、
ことを特徴とする付記6に記載の半導体集積回路。
さらに、
前記第1トランジスタと並列に設けられ、前記第1トランジスタよりも大きなサイズの第4スイッチングトランジスタを有し、
前記第4スイッチングトランジスタは、前記第1送信電力モードでオンし、前記第2送信電力モードでオフする、
ことを特徴とする付記7に記載の半導体集積回路。
さらに、
前記第1,第2,第3および第4スイッチングトランジスタを制御するセレクタを有する、
ことを特徴とする付記8に記載の半導体集積回路。
さらに、
前記出力端子と前記所定の電位線の間に設けられた第5スイッチングトランジスタを有し、
前記第1送信電力モードにおいて、前記第5スイッチングトランジスタが前記送信信号を受け取って増幅すると共に、前記第1トランジスタがオフし、
前記第2送信電力モードにおいて、前記第5スイッチングトランジスタがオフする、
ことを特徴とする付記6に記載の半導体集積回路。
前記第5スイッチングトランジスタのサイズは、前記第1トランジスタのサイズとほぼ等しい、
ことを特徴とする付記10に記載の半導体集積回路。
さらに、
前記第1,第3および第5スイッチングトランジスタを制御するセレクタを有する、
ことを特徴とする付記10または付記11に記載の半導体集積回路。
(付記13)
付記1乃至付記12のいずれか1項に記載の半導体集積回路と、
前記第1送信電力モードによる前記第1電力、および、前記第2送信電力モードによる前記第2電力を出力するアンテナと、
前記半導体集積回路と前記アンテナの間に設けられ、前記半導体集積回路および前記アンテナの整合を行う整合回路と、を有する、
ことを特徴とする無線送信機。
2,12 整合回路
3,13 アンテナ
10,14 減衰器
M0 トランジスタ(第1トランジスタ:nチャネル型MOSトランジスタ)
M1〜M5 トランジスタ(第1〜第5スイッチングトランジスタ:nチャネル型MOSトランジスタ)
M10 トランジスタ(nチャネル型MOSトランジスタ)
R1〜R3 抵抗(抵抗素子)
R11〜R13 抵抗
S1,S11〜S13,S21〜S23 セレクタ
Claims (7)
- 第1電力により送信する第1送信電力モード、および、前記第1電力よりも小さい第2電力により送信する第2送信電力モードを有する半導体集積回路であって、
前記第2送信電力モードにおいて、送信信号を受け取って増幅する第1トランジスタと、
前記第1トランジスタの出力と出力端子の間に設けられ、前記第1トランジスタの出力の減衰を制御する抵抗素子およびスイッチ素子を含む減衰器と、を有し、
前記第1送信電力モードにおいて、前記第1トランジスタとは異なるトランジスタが前記送信信号を受け取って増幅する、
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 前記スイッチ素子は、スイッチングトランジスタであり、
前記減衰器は、
前記第1トランジスタの出力と所定の電位線の間に、直列に設けられた第1抵抗素子および第1スイッチングトランジスタと、
前記第1トランジスタの出力と前記出力端子の間に設けられた第2抵抗素子と、
前記出力端子と前記所定の電位線の間に、直列に設けられた第3抵抗素子および第3スイッチングトランジスタと、を含み、
前記第1送信電力モードにおいて、前記第1および第3スイッチングトランジスタがオフし、
前記第2送信電力モードにおいて、前記第1および第3スイッチングトランジスタがオンする、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路。 - 前記減衰器は、さらに、
前記第2抵抗素子と並列に設けられた第2スイッチングトランジスタを含み、
前記第1送信電力モードにおいて、前記第2スイッチングトランジスタが前記送信信号を受け取って増幅すると共に、前記第1トランジスタがオフし、
前記第2送信電力モードにおいて、前記第2スイッチングトランジスタがオフする、
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路。 - さらに、
前記第1トランジスタと並列に設けられ、前記第1トランジスタよりも大きなサイズの第4スイッチングトランジスタを有し、
前記第4スイッチングトランジスタは、前記第1送信電力モードでオンし、前記第2送信電力モードでオフする、
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路。 - さらに、
前記出力端子と前記所定の電位線の間に設けられた第5スイッチングトランジスタを有し、
前記第1送信電力モードにおいて、前記第5スイッチングトランジスタが前記送信信号を受け取って増幅すると共に、前記第1トランジスタがオフし、
前記第2送信電力モードにおいて、前記第5スイッチングトランジスタがオフする、
ことを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路。 - 前記第5スイッチングトランジスタのサイズは、前記第1トランジスタのサイズとほぼ等しい、
ことを特徴とする請求項5に記載の半導体集積回路。 - 請求項1乃至請求項6いずれか1項に記載の半導体集積回路と、
前記第1送信電力モードによる前記第1電力、および、前記第2送信電力モードによる前記第2電力を出力するアンテナと、
前記半導体集積回路と前記アンテナの間に設けられ、前記半導体集積回路および前記アンテナの整合を行う整合回路と、を有する、
ことを特徴とする無線送信機。
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