JP6108832B2 - フォトレジストパターントリミング方法 - Google Patents
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Description
フォトレジストトリミング組成物はマトリックスポリマー、熱酸発生剤および溶媒を含み、かつ任意の追加成分を含むことができる。化学増幅型フォトレジスト組成物から形成されるフォトレジストパターン上にコーティングされる場合には、フォトレジストトリミング組成物は制御可能に縮小されるレジストパターン寸法、および孤立したラインおよびポストのような孤立したパターンの形成のための改良されたプロセスウィンドウのような様々な利点を提供することができる。
ここで、フォトレジストパターントリミング技術を使用したフォトリソグラフィパターンを形成するための典型的なプロセスフローを説明する図1A〜Iを参照して本発明に従う方法が説明される。説明されるプロセスフローはレジストパターンを形成するためのポジティブトーン現像プロセスのものであるが、本発明は、ネガティブトーン現像(NTD)によって形成されるパターンに適用されることもできる。
フォトレジストA:1.35gのポリマーA(M1/M2/M3=4/4/2モル比、Mw=10K)および1.35gのポリマーB(M1/M2/M3/M4=30/35/15/20、Mw=6K)、0.51gのトリ−フェニルスルホニウム4−(3−ヒドロキシ−アダマンタン−1−カルボニルオキシ)−1,1,2,2−テトラフルオロブタンスルホナート(TPS−ADOH−TFBS)光酸発生剤、0.07gのトリヒドロキシメチル−カルバミン酸tert−ブチルエステル塩基クエンチャー、0.001gのポリフォックス(POLYFOX(商標))656界面活性剤、19.34gのプロピレングリコールメチルエーテルアセタート、および77.36gのメチル−2−ヒドロキシ−イソ−ブチラートを一緒にすることにより、ポジ型化学増幅型フォトレジスト組成物が調製された:ここで、モノマー単位M1〜M4は以下の通りである:
実施例1:PTC1
2.813gのアクリル酸t−ブチル/メタクリル酸(7/3モル比)のコポリマー、0.087gのTAG1、19.420gのデカン、および77.680gの2−メチル−1−ブチノールが、全ての成分が溶解させられるまで混合された。得られた混合物は0.2ミクロンナイロンフィルタでろ過された。
2.610gのアクリル酸t−ブチル/メタクリル酸(7/3モル比)のコポリマー、0.290gのTAG2、24.275gのデカン、および72.825gの2−メチル−1−ブチノールが、全ての成分が溶解させられるまで混合された。得られた混合物は0.2ミクロンナイロンフィルタでろ過された。
実施例3
12インチシリコンウェハ上で有機反射防止塗膜(BARC AR(商標)124 23nm/AR(商標)26N 77nm(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズLLC))上にフォトレジストAがスピンコートされ、そして95℃で60秒間ソフトベーク(SB)されて、700Åの厚さであった。オプティコート(Opticoat(商標))OC2000トップコート材料(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズLLC)がこのレジスト上にコーティングされて、液浸トップコート層を形成した。このコーティングされたウェハはASML ArF1900i液浸スキャナで、NA=1.35で、プラスx偏光の双極子(Dipole)−35Y照明(0.9/0.635シグマ)で露光され、そして90℃で60秒間露光後ベーク(PEB)された。コーティングされたウェハは0.26N(規定)のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で処理されて、像形成されたレジスト層を現像して、45nm 1:1ラインアンドスペースレジストパターンを形成した。パターン形成されたウェハの1つについてライン幅が測定された。別のパターン形成されたウェハ上に実施例1(PTC1)または実施例2(PTC2)のトリミング組成物の70nm厚さの層がスピンコートされ、表1に示される条件でベークされ、そして2.38%TMAH現像剤中で12秒間にわたってTEL Lithus GPノズルを用いて現像された。ライン幅測定が行われ、結果が表1に示される。PCT2サンプルについては、実効感度(effective sensitivity;ES)、限界寸法(critical dimension;CD)および焦点深度(DOF)も測定され、結果は表2に示された。ESは露光および現像後に、ラインアンドスペースパターンが目標CDに到達した場合の露光量として表される。
トリミング組成物がウェハ上にコーティングされず、かつトリムベーク後にレジストパターン形成されたウェハが2.38%TMAHで60秒間現像された以外は、実施例3の手順が繰り返された。トリムベーク前におよびトリムベーク/現像工程後にレジストパターンのライン幅測定が行われ、結果が表1に示される。
102 層
103 ハードマスク層
103’ ハードマスクパターン
104 反射防止塗膜(BARC)
104’パターン形成された反射防止塗膜(BARC)層
106 フォトレジスト層
106’フォトレジストパターン
106’’第1のフォトレジストパターン
108 活性化放射線
110 第1のフォトマスク
112 光学的に透明な領域
114 光学的に不透明な領域
116 フォトレジストパターントリミング組成物の層
118 レジストパターン表面領域
120 スペーサー
120 オーブン
Claims (19)
- (a)半導体基体の上面上にパターン形成される1以上の層を含む半導体基体を提供し;
(b)複数のフィーチャを含みかつ化学増幅型フォトレジスト組成物から形成されるフォトレジストパターンを前記パターン形成される1以上の層上に形成し、前記フォトレジストパターンは酸不安定基を有するマトリックスポリマーを含んでおり;
(c)前記フォトレジストパターン上にフォトレジストトリミング組成物をコーティングし、前記トリミング組成物はマトリックスポリマー、熱酸発生剤および溶媒を含み、かつ前記トリミング組成物は架橋剤を含んでおらず;
(d)前記コーティングされた半導体基体を加熱して、前記トリミング組成物中で前記熱酸発生剤から酸を発生させ、それにより前記フォトレジストパターンの表面領域におけるフォトレジストマトリックスポリマーの極性の変換を引き起こし;並びに
(e)前記フォトレジストパターンを現像液と接触させて、前記フォトレジストパターンの表面領域を除去する;
ことを順に含む、フォトレジストパターンをトリミングする方法。 - 前記熱酸発生剤によって発生する酸がフッ素置換されている請求項1に記載の方法。
- 前記フォトレジストトリミング組成物の前記溶媒が水、有機溶媒およびこれらの混合物から選択される請求項1または2に記載の方法。
- 前記フォトレジストトリミング組成物の前記溶媒がアルカン、アルコール、エーテル、エステル、ケトンおよびこれらの混合物から選択される請求項2に記載の方法。
- 前記フォトレジストトリミング組成物の前記マトリックスポリマーが水性アルカリ現像剤に可溶性である請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記現像液がテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液である請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記フォトレジストトリミング組成物の前記マトリックスポリマーが−OH、−COOH、−SO3H、SiOH、ヒドロキシルスチレン、ヒドロキシルナフタレン、スルホンアミド、ヘキサフルオロイソプロピルアルコール、無水物、ラクトン、エステル、エーテル、アリルアミン、ピロリドンから選択される官能基を含む請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記トリミング組成物が、−OH、−NH、−SH、ケトン、アルデヒド、−SiX(ここで、Xはハロゲンから選択される)、ビニルエーテル、およびこれらの組み合わせから選択される官能基を含む化合物をさらに含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記フォトレジストパターンの複数のフィーチャが、トリミング前で1:1以上、およびトリミング後で1:3以下のデューティーレシオを有する複数のラインまたはポストを含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- (f)前記フォトレジストパターンを前記現像液と接触させた後で、トリミングされたフォトレジストパターンに接した側壁スペーサーを形成し;並びに
(g)前記トリミングされたフォトレジストパターンを除去して、前記パターン形成される1以上の層上に側壁スペーサーを残す;
ことをさらに含む、請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。 - 前記熱酸発生剤が芳香族酸を発生する、請求項1または2に記載の方法。
- 前記熱酸発生剤が非芳香族酸を発生する、請求項1または2に記載の方法。
- 前記非芳香族酸が少なくとも1つのフッ素置換基をこの酸基のアルファ位置に有する、請求項13に記載の方法。
- 前記熱酸発生剤がスルホン酸である、請求項1または2に記載の方法。
- 前記熱酸発生剤が、CF 3 SO 3 − M+、C 4 F 9 SO 3 − M+、CH 3 CH 2 CF 2 CF 2 SO 3 − M+およびHOCH 2 CH 2 CF 2 CF 2 SO 3 − M+(式中、M+は有機カチオンである。)の一種以上から選択される、請求項16に記載の方法。
- 前記熱酸発生剤が、前記トリミング組成物の全固形分を基準にして0.1〜20重量%の量で存在する、請求項1または2に記載の方法。
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KR102346806B1 (ko) * | 2013-12-30 | 2022-01-04 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 | 포토레지스트 패턴 트리밍 조성물 및 방법 |
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KR101554103B1 (ko) * | 2014-06-10 | 2015-09-17 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 도포성 개선용 및 제거용 신너 조성물 |
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US9696625B2 (en) * | 2014-10-17 | 2017-07-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming resist pattern |
JP6455370B2 (ja) * | 2014-10-30 | 2019-01-23 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びシュリンク剤 |
JP6455369B2 (ja) * | 2014-10-30 | 2019-01-23 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びシュリンク剤 |
TWI617611B (zh) * | 2014-12-31 | 2018-03-11 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 光致抗蝕劑圖案修整組合物及方法 |
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US9455177B1 (en) * | 2015-08-31 | 2016-09-27 | Dow Global Technologies Llc | Contact hole formation methods |
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US10036957B2 (en) * | 2016-01-29 | 2018-07-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Post development treatment method and material for shrinking critical dimension of photoresist layer |
CN108885977B (zh) * | 2016-03-04 | 2023-08-08 | 东京毅力科创株式会社 | 在集成方案的各个阶段期间进行图案化的修整方法 |
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CN106129042B (zh) * | 2016-06-30 | 2019-02-19 | 上海华力微电子有限公司 | 调节衬底表面反射率的结构及方法、光刻方法 |
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US10241411B2 (en) * | 2016-10-31 | 2019-03-26 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Topcoat compositions containing fluorinated thermal acid generators |
CN107146796B (zh) * | 2017-04-13 | 2019-12-31 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种提高背面金属栅格分辨率的方法和半导体结构 |
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JP4329216B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2009-09-09 | Jsr株式会社 | レジストパターン縮小化材料及びそれを使用する微細レジストパターンの形成方法 |
JP2002006512A (ja) | 2000-06-20 | 2002-01-09 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パターン形成方法、微細パターン形成用材料、およびこの微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法 |
JP2002299202A (ja) | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
US6869899B2 (en) | 2001-07-12 | 2005-03-22 | International Business Machines Corporation | Lateral-only photoresist trimming for sub-80 nm gate stack |
JP3476080B2 (ja) | 2001-11-05 | 2003-12-10 | 東京応化工業株式会社 | 微細パターンの形成方法 |
JP3953822B2 (ja) | 2002-01-25 | 2007-08-08 | 富士通株式会社 | レジストパターン薄肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 |
CN1288719C (zh) * | 2003-03-10 | 2006-12-06 | 联华电子股份有限公司 | 图案光刻胶的微缩制造过程 |
JP4012480B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2007-11-21 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 微細パターン形成補助剤及びその製造法 |
US20060257749A1 (en) | 2005-05-16 | 2006-11-16 | Sheng-Yueh Chang | Method for reducing critical dimension |
US7807575B2 (en) * | 2006-11-29 | 2010-10-05 | Micron Technology, Inc. | Methods to reduce the critical dimension of semiconductor devices |
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US7862982B2 (en) * | 2008-06-12 | 2011-01-04 | International Business Machines Corporation | Chemical trim of photoresist lines by means of a tuned overcoat material |
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