JP6104695B2 - 非対称溝形状ウェーハカセット - Google Patents

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Description

本発明は、非対称溝形状ウェーハカセットに関し、特に、半導体ウェーハ等の基板を並列させた状態で複数収納可能な非対称溝形状ウェーハカセットに関する。
半導体ウェーハ等の基板を収納する容器としては、一対の側壁と、側方基板支持部とを備える構成のものが、従来より知られている。一対の側壁のそれぞれには側方基板支持部が形成されている。また、一対の側壁間には、複数の基板を収容可能な基板収容空間が形成されている。側方基板支持部は、基板収容空間内において対をなすように配置されており、複数の基板のうちの隣接する基板同士を所定の間隔で離間させて並列させた状態で、複数の基板の縁部を支持可能である。
より具体的には、一方の側壁は、他方の側壁に対向する一方の内面を有している。また、他方の側壁は、一方の内面に平行な位置関係を有して一方の内面に対向する他方の内面を有している。側方基板支持部は、一方の内面と他方の内面とのそれぞれにおいて、基板収容空間の内方へ平行に延出する複数の基板支持板状部を有している。
複数の基板支持板状部間には、複数の基板の縁部を挿入可能な溝が形成されている。一方の側壁の複数の基板支持板状部間の溝と他方の側壁の複数の基板支持板状部間の溝とは対向する位置関係を有している。一方の側壁の複数の基板支持板状部間の溝と他方の側壁の複数の基板支持板状部間の溝とに基板の縁部が挿入されることにより、基板の縁部が側方基板支持部に支持される。
一方の側壁に設けられた複数の基板支持板状部は、一方の内面に対して直交する方向へ延出している。また、他方の側壁に設けられた複数の基板支持板状部は、他方の内面に対して直交する方向へ延出している（特許文献１参照）。
特開平８−８３３１号公報
半導体ウェーハとしては、一般には平板状の円盤形状を有するものが知られているが、将来的には、全体として反った円盤形状を有するウェーハが用いられることが考えられる。このように反った形状のウェーハを前述のような溝に挿入する際には、反り量の大きなウェーハの縁部を溝に容易に挿入できず、ウェーハの収容が困難になることが考えられる。
また、作業者が目視によりウェーハを収容するマニュアル操作によって、ウェーハを溝に挿入する場合には、一方の側壁の側の溝と、他方の側壁の側の溝とをそれぞれ目視確認しながら挿入する必要がある。しかし、上述のような溝に反った形状のウェーハを、目視によっても溝に挿入することは困難であり、無理に挿入しようとすると、ウェーハを破損する恐れがある。
本発明は、反った形状の半導体ウェーハ等の基板を容易に収容することができ、溝の中での基板のバタつきを抑制できる非対称溝形状ウェーハカセットを提供することを目的とする。
本発明は、一対の側壁と、前記一対の側壁間に形成され複数の基板を収容可能な基板収容空間内において、対をなすように前記一対の側壁のそれぞれに形成され、前記複数の基板のうちの隣接する基板同士を所定の間隔で離間させて並列させた状態で、前記複数の基板の縁部を支持可能な側方基板支持部と、を備え、一方の前記側壁は、他方の前記側壁に対向する一方の内面を有し、他方の前記側壁は、前記一方の内面に平行な位置関係を有して前記一方の内面に対向する他方の内面を有し、前記側方基板支持部は、前記一方の内面と前記他方の内面とのそれぞれにおいて、前記基板収容空間の内方へ平行に延出する複数の基板支持板状部を有し、複数の前記基板支持板状部間には、前記複数の基板の縁部を挿入可能な溝が形成され、前記一方の側壁の複数の前記基板支持板状部間の溝と前記他方の側壁の複数の前記基板支持板状部間の溝とは対向し、前記一方の側壁の複数の前記基板支持板状部間の溝と前記他方の側壁の複数の前記基板支持板状部間の溝とに前記基板の縁部が挿入されることにより前記基板の縁部が前記側方基板支持部に支持され、前記一方の側壁に設けられた複数の前記基板支持板状部は、前記一方の内面の法線に対して交差する方向へ延出し、前記他方の側壁に設けられた複数の前記基板支持板状部が、一方の側壁に設けられた複数の基板支持板状部とは非対称の形状を有することにより、前記一方の側壁の前記基板支持板状部間の溝の形状と、前記他方の側壁の前記基板支持板状部間の溝の形状とは異なる非対称溝形状ウェーハカセットに関する。
また、前記他方の側壁に設けられた複数の前記基板支持板状部は、前記他方の内面の法線に平行に延出し、前記他方の側壁の複数の前記基板支持板状部間における溝の幅は、前記一方の側壁の複数の前記基板支持板状部間における溝の幅よりも大きいことが好ましい。
また、前記一方の側壁に設けられた複数の前記基板支持板状部は、前記一方の内面の法線に対して５°以上１５°以下の角度で交差する方向へ延出することが好ましい。
本発明によれば、反った形状の半導体ウェーハ等の基板を容易に収容することができ、溝の中での基板のバタつきを抑制できる非対称溝形状ウェーハカセットを提供することができる。
本発明の実施形態による非対称溝形状ウェーハカセット１に基板Ｗが収容された状態を示す下方斜視図である。 本発明の実施形態による非対称溝形状ウェーハカセット１に基板Ｗが収容された状態を示す正面図である。 図２のＡ―Ａ線に沿った断面図である。 本発明の実施形態による非対称溝形状ウェーハカセット１の基板支持板状部５０、６０を示す拡大断面図である。 本発明の実施形態による非対称溝形状ウェーハカセット１に収容される基板Ｗを示す図であり、（ａ）は正面図であり、（ｂ）は斜視図である。
以下、本発明の実施形態による非対称溝形状ウェーハカセットについて、図１〜図５を参照しながら説明する。
図１は、本発明の実施形態による非対称溝形状ウェーハカセット１に基板Ｗが収容された状態を示す下方斜視図である。図２は、本発明の実施形態による非対称溝形状ウェーハカセット１に基板Ｗが収容された状態を示す正面図である。図３は、図２のＡ―Ａ線に沿った断面図である。図４は、本発明の実施形態による非対称溝形状ウェーハカセット１の基板支持板状部５０、６０を示す拡大断面図である。図５は、本発明の実施形態による非対称溝形状ウェーハカセット１に収容される基板Ｗを示す図であり、（ａ）は正面図であり、（ｂ）は斜視図である。
ここで、説明の便宜上、後述の奥側開口部２２から容器本体開口部２１へ向かう方向（図１における右下から左上へ向かう方向）を前方向Ｄ１１と定義し、その反対の方向を後方向Ｄ１２と定義し、これらを前後方向Ｄ１と定義する。また、後述の下壁２４から上壁２３へと向かう方向（図１における上方向）を上方向Ｄ２１と定義し、その反対の方向を下方向Ｄ２２と定義し、これらを上下方向Ｄ２と定義する。また、後述する第２側壁２６から第１側壁２５へと向かう方向（図１における右から左へ向かう方向）を左方向Ｄ３１と定義し、その反対の方向を右方向Ｄ３２と定義し、これらを左右方向Ｄ３と定義する。各図においては、これらの方向を示す矢印を付して説明する。
非対称溝形状ウェーハカセット１に収納される基板Ｗ（図５参照）は、円盤状のシリコンウェーハ、ガラスウェーハ、サファイアウェーハ等であり、産業に用いられる薄いものである。本実施形態における基板Ｗは、直径が４インチ程度で、厚さが０．１ｍｍ程度の略円盤状のサファイアウェーハである。基板Ｗは、サファイアの上に半導体層を形成したものである。その半導体層は、例えば窒化物半導体が積層されたものである。基板Ｗの厚みは特に限定されるものではないが、例えば１００μｍ以上２ｍｍ以下の厚みがあればよい。また、半導体層の厚みは、２０μｍ以下である。基板Ｗは、上面側が下面側に対して全体として凸となるように反っている。基板Ｗの反り量ＷＰは、基板Ｗにより個体差がありばらつきがあるが、最大値は、図５（ａ）に示す基板Ｗの左右両端を結ぶ仮想直線Ｘから、基板Ｗの中央までの距離が１２ｍｍとなる程度である。また、基板Ｗの周縁の一部は、直線状の部分Ｗ１（図５（ｂ）参照）を有している。
図１〜図２に示すように、非対称溝形状ウェーハカセット１は、容器本体２と、側方基板支持部としての基板支持板状部５０、６０とを有している。
図１に示すように、容器本体２は、前端部に容器本体開口部２１が形成されると共に後端部に奥側開口部２２が形成される壁部２０により構成されている。壁部２０は、上壁２３と下壁２４と第１側壁２５と第２側壁２６とを有する。容器本体２内には基板収容空間２７が形成されている。基板収容空間２７は、壁部２０により取り囲まれて形成されている。壁部２０の部分であって基板収容空間２７を形成している部分には、基板支持板状部５０、６０が配置されている。基板収容空間２７には、図１に示すように、複数の基板Ｗを収納可能である。
基板支持板状部５０、６０は、基板収容空間２７内で左右方向Ｄ３において対をなすように壁部２０に設けられている。基板支持板状部５０、６０は、隣接する基板Ｗ同士を所定の間隔で離間させて並列させた状態で、複数の基板Ｗの縁部を支持可能である。基板支持板状部５０、６０の奥側（後方向Ｄ１２の側）には、基板後部当接壁２５２、２６２（図３等参照）が設けられている。基板後部当接壁２５２、２６２は、基板Ｗが基板収容空間２７に収容されているときに、基板Ｗの後部の縁部が当接する。
基板Ｗは、表面Ｗ１１（図５参照）の法線が上方向Ｄ２１に一致し、裏面Ｗ１２の法線が下方向Ｄ２２に一致した位置関係とされて、基板収容空間２７内に支持される。以下、本実施形態における主要な構成について、詳細に説明する。
壁部２０を構成する上壁２３、下壁２４、第１側壁２５、及び第２側壁２６は、プラスチック材等により構成されており、第１実施形態では、ＰＥＥＫ樹脂により一体成形されて構成されている。
第１側壁２５と第２側壁２６とは対向しており、上壁２３と下壁２４とは対向している。第１側壁２５の上端及び第２側壁２６の上端は、上壁２３に接続されており、第１側壁２５の下端及び第２側壁２６の下端は、下壁２４に接続されている。従って、上壁２３、下壁２４、第１側壁２５、及び第２側壁２６によって、図２に示すように、前方視で略長方形状が形成される。
上壁２３の前端、第１側壁２５の前端、及び第２側壁２６の前端は、最も前方に位置して、容器本体２の前端に容器本体開口部２１を形成する開口周縁部２８を構成する。第１側壁２５の前端は、左方へ延びる左開口フランジ部２５１を有している。また、第２側壁２６の前端は、右方へ延びる右開口フランジ部２６１を有している。基板収容空間２７は、第１側壁２５と第２側壁２６との間に形成されている。
また、第１側壁２５の後部、及び第２側壁２６の後部は、後方へ行くにつれて左右方向Ｄ３における幅が小さくなる基板後部当接壁２５２、２６２（図３等参照）を有している。基板後部当接壁２５２、２６２には、基板収容空間２７内に収容された基板Ｗの後部の縁部が当接することにより、基板Ｗが後方へ移動を規制する。また、第１側壁２５の後部、及び第２側壁２６の後部は、第１側壁２５の基板後部当接壁２５２、第２側壁２６の基板後部当接壁２６２からそれぞれ後方へ延びる後方延出壁２５３、２６３を有している。後方延出壁２５３、２６３は、平行の位置関係を有している。後方延出壁２５３の後端と後方延出壁２６３の後端は、図２に示すように、正面視で長方形状の奥側開口部２２を形成する。
また、図１に示すように、下壁２４は、下方視で略Ｈ形状を有している。下壁２４は、左側延出部２４１と、右側延出部２４２と、中央連結部２４３とを有する。左側延出部２４１は、第１側壁２５の下端に沿って、第１側壁２５の下端の後端から前端近傍まで延びている。右側延出部２４２は、第２側壁２６の下端に沿って、第２側壁２６の下端の後端から前端近傍まで延びている。中央連結部２４３は、左側延出部２４１及び右側延出部２４２と一体成形されて、左側延出部２４１と右側延出部２４２とを掛け渡すようにしてこれらを連結している。
壁部２０の内面、即ち、上壁２３の内面２３１（図２等参照）、下壁２４の内面２４５、一方の内面としての第１側壁２５の内面２５５、及び他方の内面としての第２側壁２６の内面２６５は、これらによって取り囲まれた基板収容空間２７（図１等参照）を形成している。第２側壁２６の内面２６５は、第１側壁２５の内面２５５に平行な位置関係を有して、第１側壁２５に対向する。図２に示すように、第１側壁２５の内面２５５及び第２側壁２６の内面２６５は、前後方向Ｄ１及び上下方向Ｄ２に平行な位置関係を有している。基板収容空間２７には、最大で１２枚の基板Ｗを収納可能である。
基板支持板状部５０、６０は、第１側壁２５及び第２側壁２６にそれぞれ設けられて、左右方向Ｄ３において対をなすようにして基板収容空間２７内に配置されている。具体的には、図１、図２に示すように、基板支持板状部５０は、第１側壁２５の内面２５５において１３枚設けられている。基板支持板状部５０は、第１側壁２５と一体成形されており、第１側壁２５の前端から基板後部当接壁２５２の前後方向Ｄ１における略中央位置に至るまで延びるとともに、基板収容空間２７の内方へ平行に延出している。
図４に示すように、基板支持板状部５０の延出する方向は、右方向Ｄ３２に平行に延びる第１側壁２５の内面２５５の法線２５５Ａに対して交差する方向、具体的には、第１側壁２５の内面２５５の法線２５５Ａに対して、基板支持板状部５０間に形成された溝２５６の上面と溝２５６の下面との中央に位置する仮想平面２５６Ａが、上方へ５°以上１５°以下の角度θをなす方向である。角度θを５°以上としたのは、５°未満では、溝２５６に基板Ｗの縁部を挿入し易いという効果を得られないからである。角度θを１５°以下としたのは、最大の反り量ＷＰを有する基板Ｗの場合であっても、１５°を超えてしまうと、溝２５６に基板Ｗの縁部を挿入しにくくなるからである。本実施形態では、第１側壁２５の内面２５５の法線２５５Ａに対して、上方へ１０°の角度θをなす方向である。左右方向Ｄ３における内面２５５からの基板支持板状部５０の延出長さは、１２．５ｍｍ程度である。上下方向Ｄ２における基板支持板状部５０の厚さは、６．８ｍｍ程度である。
基板支持板状部５０間に形成された溝２５６は、計１２筋形成されている。溝２５６の幅は、２．７ｍｍ程度である。また、溝２５６の後端部に相当する基板後部当接壁２６２の部分には、水切り用貫通孔２５７（図３等参照）が形成されている。水切り用貫通孔２５７は、基板収容空間２７内と基板収容空間２７外とを連通する。また、図３に示すように、溝２５６の底部には、溝２５６が延びている前後方向Ｄ１に沿って延びる貫通孔２５８が形成されている。貫通孔２５８は、基板収容空間２７内と基板収容空間２７外とを連通する。溝２５６には、基板Ｗの縁部をそれぞれ１枚ずつ挿入可能である。
同様に、基板支持板状部６０は、第２側壁２６の内面２６５において１３枚設けられている。基板支持板状部６０は、第２側壁２６と一体成形されており、図３に示すように、第２側壁２６の前端から、基板後部当接壁２６２の前後方向Ｄ１における略中央位置に至るまで延びるとともに、基板収容空間２７の内方へ平行に延出している。図４に示すように、基板支持板状部６０の延出する方向は、左右方向Ｄ３に平行に延びる第２側壁２６の内面２６５の法線２６５Ａに対して、基板支持板状部６０間に形成された溝２６６の上面と溝２６６の下面との中央に位置する仮想平面２６６Ａが、平行をなす方向（一致する方向）である。左右方向Ｄ３における内面２６５からの基板支持板状部６０の延出長さは、１２．５ｍｍ程度である。上下方向Ｄ２における基板支持板状部６０の厚さは、３．２ｍｍ程度である。
図４に示すように、基板支持板状部５０の延出長さＡ１と基板支持板状部６０の延出長さＢ１の関係は、基板支持板状部６０の延出長さＢ１が基板支持板状部５０の延出長さＡ１よりも長い（Ｂ１＞Ａ１）ことが好ましい。基板支持板状部６０の延出長さＢ１は、１２．５ｍｍ〜１５ｍｍの範囲であることが好ましい。この範囲にあると、基板Ｗを非対称溝形状ウェーハカセット１内に安定して保持することができる。一方で、基板支持板状部５０の長さＡ１をＢ１よりも短くすることにより、反りを持った基板Ｗが基板支持板状部５０の上面に当たり、基板Ｗを下方に押さえる力がはたらいて、基板Ｗに割れが生じることを、極力回避することができる。
基板支持板状部６０間に形成された溝２６６は、計１２筋形成されている。溝２６６の幅は、６．３ｍｍ程度であり、第１側壁２５の基板支持板状部５０の間に形成された溝２５６の幅よりも大きい。また、溝２６６の後端部に相当する基板後部当接壁２６２の部分には、水切り用貫通孔２６７が形成されている。水切り用貫通孔２６７は、基板収容空間２７内と基板収容空間２７外とを連通する。また、図３に示すように、溝２６６の底部には、溝２６６が延びている前後方向Ｄ１に沿って延びる貫通孔２６８が形成されている。貫通孔２６８は、基板収容空間２７内と基板収容空間２７外とを連通する。溝２６６には、基板Ｗの縁部をそれぞれ１枚ずつ挿入可能である。
図４に示すように、第１側壁２５の基板支持板状部５０の間に形成された溝２５６の開口部２５５Ｂと、第２側壁２６の基板支持板状部６０の間に形成された溝２６６の開口部２６５Ｂとは対向している。この構成により、第１側壁２５の基板支持板状部５０の間に形成された溝２５６と、第２側壁２６の基板支持板状部６０の間に形成された溝２６６とに、基板Ｗの縁部が挿入されることにより、基板Ｗの縁部が側方基板支持部としての基板支持板状部５０、６０に支持される。
また、上述のような構成から、図２に示すように、左右方向Ｄ３における基板収容空間２７の中央位置を通り、前後方向Ｄ１及び上下方向Ｄ２に平行な仮想平面Ｃに関して、第１側壁２５の基板支持板状部５０と、第２側壁２６の基板支持板状部６０とは非対称形状を有している。このため、第１側壁２５の基板支持板状部５０の間に形成された溝２５６の形状と、第２側壁２６の基板支持板状部６０の間に形成された溝２６６の形状とは、異なっている。
なお、図２では、反り量が最大の基板Ｗを溝２５６、２６６に挿入した様子を図示したが、実際には、図２に示す基板Ｗよりも反り量が小さい基板Ｗが、主として溝２５６、２６６に挿入され、基板収容空間２７内において収容される。従って、実際には、溝２５６の上面と溝２５６の下面との中央に位置する仮想平面２５６Ａと、溝２５６に収容された基板Ｗの上面（表面Ｗ１１）及び下面（裏面Ｗ１２）とは、略並行な位置関係を有する。
上記構成の第１実施形態による非対称溝形状ウェーハカセット１によれば、以下のような効果を得ることができる。
上述のように、一方の側壁としての第１側壁２５に設けられた複数の基板支持板状部５０は、一方の内面としての第１側壁２５の内面２５５の法線２５５Ａに対して交差する方向へ延出している。そして、他方の側壁としての第２側壁２６に設けられた複数の基板支持板状部６０が、第１側壁２５に設けられた複数の基板支持板状部５０とは非対称の形状を有することにより、第１側壁２５の基板支持板状部５０間の溝２５６の形状と、第２側壁２６の基板支持板状部６０間の溝２６６の形状とは異なる。
この構成により、全体として反った形状を有して反り量の大きな基板Ｗの縁部を、確実に溝２５６、２６６に挿入させることができる。この結果、反った形状を有する基板Ｗを基板収容空間２７に収容することができる。また、容器本体開口部２１を上方に位置させ、奥側開口部２２を下方に位置させた状態とするいわゆる縦置きの状態としたときに、基板Ｗが溝２５６、２６６内においてバタつくことを抑制することができる。
また、他方の側壁としての第２側壁２６に設けられた複数の基板支持板状部６０は、他方の内面としての第２側壁２６の内面２６５の法線２６５Ａに平行に延出し、第２側壁２６の複数の基板支持板状部６０間における溝２６６の幅は、一方の側壁としての第１側壁２５の複数の基板支持板状部５０間における溝２５６の幅よりも大きい。
この構成により、作業者が目視により基板Ｗを溝２５６、２６６に挿入するマニュアル操作により、基板Ｗを溝２５６、２６６に挿入する際に、目視により、第１側壁２５の基板支持板状部５０間の溝２５６に基板Ｗの縁部を挿入することによって、目視をせずに、第２側壁２６の基板支持板状部６０の溝２６６に、基板Ｗの反対側の端部を挿入可能とすることができる。即ち、基板Ｗの反り量と、基板支持板状部５０の延出する方向とを考慮して、第２側壁２６の複数の基板支持板状部６０間における溝２６６の幅を、適切に広くする。これにより、目視によって、第１側壁２５の基板支持板状部５０間の溝２５６に基板Ｗの縁部を挿入することにより、目視をせずに、第２側壁２６の基板支持板状部６０の溝２６６に、基板Ｗの反対側の端部を挿入可能とすることができる。また、溝２６６が形成された基板支持板状部６０が設けられた第２側壁２６の成形を、容易とすることができる。
また、一方の側壁としての第１側壁２５に設けられた複数の基板支持板状部５０は、一方の内面としての第１側壁２５の内面２５５の法線２５５Ａに対して５°以上１５°以下の角度θで交差する方向へ延出する。このため、第１側壁２５の基板支持板状部５０間の溝２５６への基板Ｗの挿入を、より確実に容易とすることができる。
本発明は、上述した実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲に記載された技術的範囲において変形が可能である。例えば、溝２５６、２６６は、それぞれ１２筋形成されていたが、この数に限定されない。即ち、基板支持板状部５０、基板支持板状部６０の数も１３に限定されない。
また、第２側壁２６に設けられた複数の基板支持板状部６０は、第２側壁２６の内面２６５の法線２６５Ａに平行に延出し、第２側壁２６の複数の基板支持板状部６０間における溝２６６の幅は、第１側壁２５の複数の基板支持板状部５０間における溝２５６の幅よりも大きく構成されたが、この構成に限定されない。他方の側壁に設けられた複数の基板支持板状部が、一方の側壁に設けられた複数の基板支持板状部とは非対称の形状を有することにより、一方の側壁の基板支持板状部間の溝の形状と、他方の側壁の基板支持板状部間の溝の形状とが、異なっていればよい。
また、上壁２３、下壁２４、第１側壁２５、及び第２側壁２６は、ＰＥＥＫ樹脂により一体成形されて構成されていたが、ＰＥＥＫ樹脂に限定されない。上壁２３、下壁２４、第１側壁２５、及び第２側壁２６には、例えば、汎用の樹脂、例えば、ＰＦＡ（フッ素樹脂）やＰＰ（ポリプロピレン）等が用いられても良い。
また、上壁２３、下壁２４、第１側壁２５、及び、第２側壁２６の形状は、本実施の形態の形状に限定されない。同様に、各部の寸法の値は、本実施形態に記載の寸法の値に限定されない。また、本実施形態における基板Ｗは、直径４インチ、厚さが０．１ｍｍ程度の略円盤状のサファイアウェーハであったが、この寸法に限定されない。
１ 非対称溝形状ウェーハカセット
２５ 第１側壁（一対の側壁）
２６ 第２側壁（一対の側壁）
２７ 基板収容空間
５０、６０ 基板支持板状部（側方基板支持部）
２５５ 内面（一方の内面）
２５５Ａ、２６５Ａ 法線
２５６、２６６ 溝
２６５ 内面（他方の内面）
Ｗ 基板

Claims (3)

  1. 一対の側壁と、
    前記一対の側壁間に形成され複数の基板を収容可能な基板収容空間内において、対をなすように前記一対の側壁のそれぞれに形成され、前記複数の基板のうちの隣接する基板同士を所定の間隔で離間させて並列させた状態で、前記複数の基板の縁部を支持可能な側方基板支持部と、を備え、
    一方の前記側壁は、他方の前記側壁に対向する一方の内面を有し、他方の前記側壁は、前記一方の内面に平行な位置関係を有して前記一方の内面に対向する他方の内面を有し、
    前記側方基板支持部は、前記一方の内面と前記他方の内面とのそれぞれにおいて、前記基板収容空間の内方へ平行に延出する複数の基板支持板状部を有し、
    複数の前記基板支持板状部間には、前記複数の基板の縁部を挿入可能な溝が形成され、前記一方の側壁の複数の前記基板支持板状部間の溝と前記他方の側壁の複数の前記基板支持板状部間の溝とは対向し、前記一方の側壁の複数の前記基板支持板状部間の溝と前記他方の側壁の複数の前記基板支持板状部間の溝とに前記基板の縁部が挿入されることにより前記基板の縁部が前記側方基板支持部に支持され、
    前記一方の側壁に設けられた複数の前記基板支持板状部は、前記一方の内面の法線に対して交差する方向へ延出し、
    前記他方の側壁に設けられた複数の前記基板支持板状部が、一方の側壁に設けられた複数の基板支持板状部とは非対称の形状を有することにより、前記一方の側壁の前記基板支持板状部間の溝の形状と、前記他方の側壁の前記基板支持板状部間の溝の形状とは異なり、
    前記他方の側壁に設けられた複数の前記基板支持板状部は、前記他方の内面の法線に平行に延出する非対称溝形状ウェーハカセット。
  2. 前記他方の側壁の複数の前記基板支持板状部間における溝の幅は、前記一方の側壁の複数の前記基板支持板状部間における溝の幅よりも大きい請求項１に記載の非対称溝形状ウェーハカセット。
  3. 前記一方の側壁に設けられた複数の前記基板支持板状部は、前記一方の内面の法線に対して５°以上１５°以下の角度で交差する方向へ延出する請求項１又は請求項２に記載の非対称溝形状ウェーハカセット。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102576521B1 (ko) * 2016-03-31 2023-09-12 삼성디스플레이 주식회사 기판의 이송장치
NL2022185B1 (nl) * 2018-12-12 2020-07-02 Suss Microtec Lithography Gmbh Substratkassette

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10120074A (ja) * 1996-10-16 1998-05-12 Sharp Corp パネル収納用カセット
JP2000040736A (ja) * 1998-07-23 2000-02-08 Seiko Epson Corp ウェハ収納装置
TWI250604B (en) * 1999-07-29 2006-03-01 Ibm Improved ladder boat for supporting wafers
JP4016622B2 (ja) * 2001-08-28 2007-12-05 セイコーエプソン株式会社 吸着保持器、搬送装置、基板の搬送方法、及び、電気光学装置の製造方法
JP2004250084A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Sharp Corp フレキシブル基板収納具及びフレキシブル基板収納方法
TWM258968U (en) * 2004-07-22 2005-03-11 Au Optronics Corp Cassette
TW200845265A (en) * 2007-05-10 2008-11-16 Nanya Technology Corp Wafer supporter
TWI409198B (zh) * 2010-12-27 2013-09-21 Gudeng Prec Industral Co Ltd 配置有可充氣支撐件模組之前開式晶圓盒

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