TWI628125B - Asymmetric trough wafer box - Google Patents

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TWI628125B
TWI628125B TW103114672A TW103114672A TWI628125B TW I628125 B TWI628125 B TW I628125B TW 103114672 A TW103114672 A TW 103114672A TW 103114672 A TW103114672 A TW 103114672A TW I628125 B TWI628125 B TW I628125B
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不老地康弘
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未來兒股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種非對稱槽形晶片盒，能夠容易地收容翹曲形狀的半導體晶片等基板並抑制基板在槽中晃動。所述非對稱槽形晶片盒(1)的一方的側壁上設置的多個基板支承板狀部(50)，向與一方的內表面(255)的法線交叉的方向延伸。通過使另一方的側壁上設置的多個基板支承板狀部(60)與一方的側壁上設置的多個基板支承板狀部(50)具有非對稱的形狀，使一方的側壁的基板支承板狀部(50)之間的槽(256)的形狀，與另一方的側壁的基板支承板狀部(60)之間的槽(266)的形狀不同。

Description

非對稱槽形晶片盒
本發明涉及非對稱槽形晶片盒，特別涉及能以並列的狀態收納多個半導體晶片等基板的非對稱槽形晶片盒。
以往已知的收納半導體晶片等基板的容器包括一對側壁和側方基板支承部。一對側壁上分別形成有側方基板支承部。此外，一對側壁之間形成有能收容多個基板的基板收容空間。側方基板支承部在基板收容空間內成對配置，能支承多個基板的邊緣部，以使多個基板中鄰接的基板彼此處於隔開規定間隔而並列的狀態。
更具體而言，一方的側壁具有與另一方的側壁對置的一方的內表面。此外，另一方的側壁具有另一方的內表面，所述另一方的內表面具有與一方的內表面平行的位置關係並與一方的內表面對置。側方基板支承部在一方的內表面和另一方的內表面上，分別具有向基板收容空間的內側平行地延伸的多個基板支承板狀部。
多個基板支承板狀部之間形成有能插入多個基板的邊緣部的槽。一方的側壁的多個基板支承板狀部之間的槽與另一方的側壁的多個基板支承板狀部之間的槽具有對置的位置關係。通過將基板的邊緣部插入一方的側壁的多個基板支承板狀部之間的槽和另一方的側壁的多個基板支承板狀部之間的槽，由側方基板支承部支承基板的邊緣部。
設置在一方的側壁上的多個基板支承板狀部，向垂直於一方的內表面的方向延伸。此外，設置在另一方的側壁上的多個基板 支承板狀部，向垂直於另一方的內表面的方向延伸(參照專利文獻1)。
專利文獻1：日本專利公開公報特開平8-8331號
已知的半導體晶片通常具有平板狀的圓盤形狀，但是考慮到將來會使用具有整體翹曲的圓盤形狀的晶片。將這種翹曲形狀的晶片插入前述的槽時，翹曲量大的晶片的邊緣部不容易插入槽中，晶片的收容會變得困難。
此外，操作者採用通過目視而收容晶片的手動操作將晶片插入槽時，需要分別對一方的側壁側的槽和另一方的側壁側的槽進行目視確認，同時進行插入動作。但是，即使通過目視也很難將翹曲形狀的晶片插入上述槽，如果強行插入則可能導致晶片破損。
本發明的目的是提供一種能夠容易地收容翹曲形狀的半導體晶片等基板並抑制基板在槽中晃動的非對稱槽形晶片盒。
本發明的非對稱槽形晶片盒包括：一對側壁；以及側方基板支承部，在形成於所述一對側壁之間並能收容多個基板的基板收容空間內，以成對的方式分別形成在所述一對側壁上，能支承所述多個基板的邊緣部，以使所述多個基板中的鄰接的基板彼此處於隔開規定間隔而並列的狀態，一方的所述側壁具有與另一方的所述側壁對置的一方的內表面，另一方的所述側壁具有與所述一方的內表面平行的位置關係，並具有與所述一方的內表面對置的另一方的內表面，所述側方基板支承部在所述一方的內表面和所述另一方的內表面上，分別具有向所述基板收容空間的內側平行地延伸的多個基板支承板狀部，多個所述基板支承板狀部之間形成有能插入所述多個基板的邊緣部的槽，所述一方的側壁的多個所述基板支承板狀部之間的槽與所述另一方的側壁的多個所述基板支承板狀部之間的槽對置，並且通過將所述基板的邊緣部插入所述一方的側壁的多個所述基板支承板狀部之間的槽和所述另一 方的側壁的多個所述基板支承板狀部之間的槽，由所述側方基板支承部支承所述基板的邊緣部，設置在所述一方的側壁上的多個所述基板支承板狀部，向與所述一方的內表面的法線交叉的方向延伸，通過使設置在所述另一方的側壁上的多個所述基板支承板狀部與設置在一方的側壁上的多個基板支承板狀部具有非對稱的形狀，使所述一方的側壁的所述基板支承板狀部之間的槽的形狀，與所述另一方的側壁的所述基板支承板狀部之間的槽的形狀不同。
此外，優選的是，設置在所述另一方的側壁上的多個所述基板支承板狀部，與所述另一方的內表面的法線平行地延伸，並且所述另一方的側壁的多個所述基板支承板狀部之間的槽的寬度，大於所述一方的側壁的多個所述基板支承板狀部之間的槽的寬度。
此外，優選的是，設置在所述一方的側壁上的多個所述基板支承板狀部，朝向相對於所述一方的內表面的法線呈5°以上15°以下的角度交叉的方向延伸。
按照本發明，可以提供一種能夠容易地收容翹曲形狀的半導體晶片等基板並抑制基板在槽中晃動的非對稱槽形晶片盒。
1‧‧‧非對稱槽形晶片盒
2‧‧‧容器主體
12‧‧‧收納
20‧‧‧構成壁部
21‧‧‧容器主體開口部
22‧‧‧側開口部
23‧‧‧上壁
24‧‧‧下壁
25‧‧‧第一側壁(一對側壁)
26‧‧‧第二側壁(一對側壁)
27‧‧‧基板收容空間
28‧‧‧開口周向邊緣部
50‧‧‧基板支承板狀部(側方基板支承部)
60‧‧‧基板支承板狀部(側方基板支承部)
231‧‧‧內表面
241‧‧‧左側延伸部
242‧‧‧右側延伸部
243‧‧‧中央連接部
245‧‧‧內表面
251‧‧‧左開口凸緣部
252‧‧‧基板後部抵接壁
253‧‧‧延伸壁
255‧‧‧內表面
256‧‧‧槽
257‧‧‧脫水通孔
258‧‧‧通孔
261‧‧‧右開口凸緣部
262‧‧‧基板後部抵接壁
263‧‧‧延伸壁
265‧‧‧內表面
266‧‧‧槽
267‧‧‧脫水通孔
268‧‧‧通孔
255A‧‧‧法線
255B‧‧‧開口部
256A‧‧‧虛擬平面
265A‧‧‧法線
265B‧‧‧開口部
266A‧‧‧虛擬平面
C‧‧‧虛擬平面
W‧‧‧基板
W1‧‧‧直線狀
W11‧‧‧表面
W12‧‧‧背面
WP‧‧‧翹曲量
圖1是表示在本發明實施方式的非對稱槽形晶片盒1中收容基板W的狀態的仰視立體圖。
圖2是表示在本發明實施方式的非對稱槽形晶片盒1中收容基板W的狀態的主視圖。
圖3是沿圖2的A-A線的斷面圖。
圖4是表示本發明實施方式的非對稱槽形晶片盒1的基板支承板狀部50、60的放大斷面圖。
圖5是表示在本發明實施方式的非對稱槽形晶片盒1中收容的基板W的圖，(a)為主視圖，(b)為立體圖。
以下，參照圖1~圖5說明本發明實施方式的非對稱槽形晶片盒。
圖1是表示在本發明實施方式的非對稱槽形晶片盒1中收容基板W的狀態的仰視立體圖。圖2是表示在本發明實施方式的非對稱槽形晶片盒1中收容基板W的狀態的主視圖。圖3是沿圖2的A-A線的斷面圖。圖4是表示本發明實施方式的非對稱槽形晶片盒1的基板支承板狀部50、60的放大斷面圖。圖5是表示在本發明實施方式的非對稱槽形晶片盒1中收容的基板W的圖，(a)為主視圖，(b)為立體圖。
這裡為便於說明，把從後述的裡側開口部22朝向容器主體開口部21的方向(從圖1中的右下方朝向左上方的方向)定義為前方向D11，將與其相反的方向定義為後方向D12，並將它們定義為前後方向D1。此外，把從後述的下壁24朝向上壁23的方向(圖1中的上方向)定義為上方向D21，將與其相反的方向定義為下方向D22，並將它們定義為上下方向D2。此外，把從後述的第二側壁26朝向第一側壁25的方向(從圖1中的右方朝向左方的方向)定義為左方向D31，將與其相反的方向定義為右方向D32，並將它們定義為左右方向D3。在各圖中，對這些方向標注箭頭進行說明。
收納在非對稱槽形晶片盒1中的基板W(參照圖5)為圓盤狀的矽晶片、玻璃晶片、藍寶石晶片等，是在工業上使用的薄基板。本實施方式的基板W是直徑4英寸左右、厚度0.1mm左右的大致圓盤狀的藍寶石晶片。基板W在藍寶石上形成半導體層。所述半導體層例如由氮化物半導體層疊而成。基板W的厚度沒有特別限制，例如100μm以上2mm以下的厚度即可。此外，半導體層的厚度為20μm以下。基板W以上表面側相對於下表面側整體凸出的方式翹曲。基板W的翹曲量Wp因基板W的個體差異而不 同，但是從連接圖5(a)所示的基板W的左右兩端的虛擬直線X至基板W的中央為止的距離，最大值為12mm左右。此外，基板W的周向邊緣的一部分具有直線狀的部分W1(參照圖5(b))。
如圖1~圖2所示，非對稱槽形晶片盒1具有容器主體2以及作為側方基板支承部的基板支承板狀部50、60。
如圖1所示，容器主體2由壁部20構成，所述壁部20的前端部形成有容器主體開口部21且後端部形成有裡側開口部22。壁部20具有上壁23、下壁24、第一側壁25和第二側壁26。容器主體2內形成有基板收容空間27。基板收容空間27由壁部20包圍形成。作為壁部20一部分的形成基板收容空間27的部分上，配置有基板支承板狀部50、60。基板收容空間27如圖1所示，能收納多個基板W。
基板支承板狀部50、60在基板收容空間27內沿左右方向D3成對設置在壁部20上。基板支承板狀部50、60能支承多個基板W的邊緣部，以使鄰接的基板W彼此處於隔開規定間隔而並列的狀態。在基板支承板狀部50、60的裡側(後方向D12側)，設有基板後部抵接壁252、262(參照圖3等)。當基板W被收容在基板收容空間27中時，基板W的後部的邊緣部抵接於基板後部抵接壁252、262。
以基板W的表面W11(參照圖5)的法線與上方向D21一致，背面W12的法線與下方向D22一致的位置關係，將基板W支承在基板收容空間27內。以下，具體說明本實施方式中的主要結構。
構成壁部20的上壁23、下壁24、第一側壁25和第二側壁26由塑膠材質等構成，第一實施方式中由PEEK樹脂一體成形。
第一側壁25與第二側壁26對置，上壁23與下壁24對置。第一側壁25的上端和第二側壁26的上端連接於上壁23，第一側壁25的下端和第二側壁26的下端連接於下壁24。因此，如圖2所示，由上壁23、下壁24、第一側壁25和第二側壁26形成正面 觀察大致長方形。
上壁23的前端、第一側壁25的前端和第二側壁26的前端位於最前方，在容器主體2的前端構成開口周向邊緣部28，開口周向邊緣部28形成容器主體開口部21。第一側壁25的前端具有向左方延伸的左開口凸緣部251。此外，第二側壁26的前端具有向右方延伸的右開口凸緣部261。基板收容空間27形成在第一側壁25和第二側壁26之間。
此外，第一側壁25的後部和第二側壁26的後部具有基板後部抵接壁252、262(參照圖3等)，隨著朝向後方，基板後部抵接壁252、262在左右方向D3上的寬度變小。基板收容空間27內收容的基板W的後部的邊緣部抵接於基板後部抵接壁252、262。由此，基板W向後方的移動被限制。此外，第一側壁25的後部和第二側壁26的後部具有後方延伸壁253、263，所述後方延伸壁253、263分別從第一側壁25的基板後部抵接壁252、第二側壁26的基板後部抵接壁262向後方延伸。後方延伸壁253、263具有平行的位置關係。如圖2所示，後方延伸壁253的後端和後方延伸壁263的後端形成正面觀察為長方形的裡側開口部22。
此外，如圖1所示，下壁24仰視具有大致H形狀。下壁24具有左側延伸部241、右側延伸部242和中央連接部243。左側延伸部241沿著第一側壁25的下端，從第一側壁25的下端的後端延伸到前端附近。右側延伸部242沿著第二側壁26的下端，從第二側壁26的下端的後端延伸到前端附近。中央連接部243與左側延伸部241和右側延伸部242一體成形，以橫跨左側延伸部241和右側延伸部242的方式，將左側延伸部241和右側延伸部242連接。
由構成壁部20內表面的上壁23的內表面231(參照圖2等)、下壁24的內表面245、作為一方的內表面的第一側壁25的內表面255以及作為另一方的內表面的第二側壁26的內表面265，包圍 形成基板收容空間27(參照圖1等)。第二側壁26的內表面265具有與第一側壁25的內表面255平行的位置關係，並與第一側壁25對置。如圖2所示，第一側壁25的內表面255和第二側壁26的內表面265具有在前後方向D1和上下方向D2平行的位置關係。基板收容空間27中最多能收納12枚基板W。
基板支承板狀部50、60分別設置在第一側壁25和第二側壁26上，以在左右方向D3成對的方式配置在基板收容空間27內。 具體如圖1、圖2所示，在第一側壁25的內表面255上設有13枚基板支承板狀部50。基板支承板狀部50與第一側壁25一體成形，從第一側壁25的前端延伸到基板後部抵接壁252在前後方向D1的大致中央位置為止，並且向基板收容空間27的內側平行地延伸。
如圖4所示，基板支承板狀部50的延伸方向為相對於第一側壁25的內表面255的法線255A交叉的方向，所述法線255A與右方向D32平行地延伸。具體而言，位於基板支承板狀部50之間形成的槽256的上表面和槽256的下表面的中央的虛擬平面256A相對於第一側壁25的內表面255的法線255A，向上方呈5°以上15°以下的角度θ。將角度θ設為5°以上的理由在於，小於5°時不能得到將基板W的邊緣部容易地插入槽256的效果。將角度θ設為15°以下的理由在於，即使在具有最大的翹曲量Wp的基板W的情況下，如果大於15°，則不容易將基板W的邊緣部插入槽256。 本實施方式中，相對於第一側壁25的內表面255的法線255A，設定向上方10°的角度θ。基板支承板狀部50在左右方向D3從內表面255的延伸長度為12.5mm左右。基板支承板狀部50在上下方向D2的厚度為6.8mm左右。
形成在基板支承板狀部50之間的槽256共計有12條。槽256的寬度為2.7mm左右。此外，在相當於槽256後端部的基板後部抵接壁252的部分上，形成有脫水通孔257(參照圖3等)。脫水 通孔257將基板收容空間27的內部與基板收容空間27的外部連通。此外，如圖3所示，在槽256的底部形成有通孔258，通孔258沿槽256所延伸的前後方向D1延伸。通孔258將基板收容空間27的內部與基板收容空間27的外部連通。各槽256中分別能插入一枚基板W的邊緣部。
同樣，在第二側壁26的內表面265上設有13枚基板支承板狀部60。如圖3所示，基板支承板狀部60與第二側壁26一體成形，基板支承板狀部60從第二側壁26的前端延伸到基板後部抵接壁262在前後方向D1的大致中央位置為止，且向基板收容空間27的內側平行地延伸。如圖4所示，基板支承板狀部60的延伸方向為，使位於基板支承板狀部60之間形成的槽266的上表面和槽266的下表面的中央的虛擬平面266A，相對於與左右方向D3平行地延伸的第二側壁26的內表面265的法線265A平行(一致)。 基板支承板狀部60在左右方向D3從內表面265的延伸長度為12.5mm左右。基板支承板狀部60在上下方向D2的厚度為3.2mm左右。
如圖4所示，基板支承板狀部50的延伸長度A1與基板支承板狀部60的延伸長度B1的關係優選的是，基板支承板狀部60的延伸長度B1大於基板支承板狀部50的延伸長度A1(B1>A1)。基板支承板狀部60的延伸長度B1優選12.5mm~15mm的範圍。處於該範圍時，能夠將基板W穩定保持在非對稱槽形晶片盒1內。 另一方面，通過使基板支承板狀部50的長度A1小於B1，能夠儘量避免帶有翹曲的基板W接觸基板支承板狀部50的上表面，對基板W施加向下方按壓的力而導致基板W發生破裂。
形成在基板支承板狀部60之間的槽266共計有12條。槽266的寬度為6.3mm左右，大於第一側壁25的基板支承板狀部50之間形成的槽256的寬度。此外，在相當於槽266後端部的基板後部抵接壁262的部分上，形成有脫水通孔267。脫水通孔267將基 板收容空間27的內部與基板收容空間27的外部連通。此外，如圖3所示，在槽266的底部形成有通孔268，所述通孔268沿槽266所延伸的前後方向D1延伸。通孔268將基板收容空間27的內部與基板收容空間27的外部連通。各槽266中分別能插入一枚基板W的邊緣部。
如圖4所示，形成在第一側壁25的基板支承板狀部50之間的槽256的開口部255B，與形成在第二側壁26的基板支承板狀部60之間的槽266的開口部265B對置。利用所述結構，通過將基板W的邊緣部插入第一側壁25的基板支承板狀部50之間形成的槽256以及第二側壁26的基板支承板狀部60之間形成的槽266，由作為側方基板支承部的基板支承板狀部50、60支承基板W的邊緣部。
此外，如圖2所示，利用上述結構，第一側壁25的基板支承板狀部50與第二側壁26的基板支承板狀部60相對於虛擬平面C具有非對稱形狀，所述虛擬平面C穿過基板收容空間27在左右方向D3的中央位置，並平行於前後方向D1和上下方向D2。因此，形成在第一側壁25的基板支承板狀部50之間的槽256的形狀，與形成在第二側壁26的基板支承板狀部60之間的槽266的形狀不同。
另外，圖2中圖示了將翹曲量最大的基板W插入槽256、266的狀態，但實際上主要是將比圖2所示的基板W翹曲量小的基板W插入槽256、266，並收容在基板收容空間27內。因此，實際上位於槽256的上表面和槽256的下表面的中央的虛擬平面256A，與槽256中收容的基板W的上表面(表面W11)和下表面(背面W12)具有大致並行的位置關係。
按照上述結構的第一實施方式的非對稱槽形晶片盒1，可以獲得以下的效果。
如上所述，設置在作為一方的側壁的第一側壁25上的多個基 板支承板狀部50，朝向與作為一方的內表面的第一側壁25的內表面255的法線255A交叉的方向延伸。並且，通過使設置在作為另一方的側壁的第二側壁26上的多個基板支承板狀部60，與設置在第一側壁25上的多個基板支承板狀部50具有非對稱的形狀，使第一側壁25的基板支承板狀部50之間的槽256的形狀，與第二側壁26的基板支承板狀部60之間的槽266的形狀不同。
利用上述結構，可以將整體具有翹曲形狀且翹曲量大的基板W的邊緣部可靠地插入槽256、266。其結果，能夠將具有翹曲形狀的基板W收容於基板收容空間27。此外，當成為容器主體開口部21位於上方、裡側開口部22位於下方的狀態、即縱向放置的狀態下，能夠抑制基板W在槽256、266內晃動。
此外，設置在作為另一方的側壁的第二側壁26上的多個基板支承板狀部60，與作為另一方的內表面的第二側壁26的內表面265的法線265A平行地延伸，並且第二側壁26的多個基板支承板狀部60之間的槽266的寬度，大於作為一方的側壁的第一側壁25的多個基板支承板狀部50之間的槽256的寬度。
利用上述結構，操作者通過目視將基板W插入槽256、266的手動操作時，通過用目視將基板W的邊緣部插入第一側壁25的基板支承板狀部50之間的槽256，就能夠在不進行目視的情況下，將基板W的相反側的端部插入第二側壁26的基板支承板狀部60的槽266。即，考慮基板W的翹曲量和基板支承板狀部50的延伸方向，將第二側壁26的多個基板支承板狀部60之間的槽266的寬度適當加寬。由此，通過目視將基板W的邊緣部插入第一側壁25的基板支承板狀部50之間的槽256，就能夠在不進行目視的情況下，將基板W的相反側的端部插入第二側壁26的基板支承板狀部60之間的槽266。此外，設置有形成槽266的基板支承板狀部60的第二側壁26能夠容易地成形。
此外，設置在作為一方的側壁的第一側壁25上的多個基板支 承板狀部50，朝向相對於作為一方的內表面的第一側壁25的內表面255的法線255A呈5°以上15°以下的角度θ交叉的方向延伸。 因此，能夠確保更容易地將基板W插入第一側壁25的基板支承板狀部50之間的槽256。
本發明不限於上述實施方式，可以在申請專利範圍記載的技 術範圍內進行變形。例如，以上記載了槽256、266分別形成有12條，但是不限於該數量。即，基板支承板狀部50、基板支承板狀部60的數量也不限於13。
此外，設置在第二側壁26上的多個基板支承板狀部60，與第二側壁26的內表面265的法線265A平行地延伸，且第二側壁26的多個基板支承板狀部60之間的槽266的寬度，大於第一側壁25的多個基板支承板狀部50之間的槽256的寬度，但是不限於上述結構。只要是通過使設置在另一方的側壁上的多個基板支承板狀部與設置在一方的側壁上的多個基板支承板狀部具有非對稱的形狀，從而使一方的側壁的基板支承板狀部之間的槽的形狀與另一方的側壁的基板支承板狀部之間的槽的形狀不同即可。
此外，以上記載了上壁23、下壁24、第一側壁25和第二側壁26由PEEK樹脂一體成形，但是不限於PEEK樹脂。上壁23、下壁24、第一側壁25和第二側壁26可以採用通用的樹脂，例如可以採用PFA(氟樹脂)和PP(聚丙烯)等。
此外，上壁23、下壁24、第一側壁25和第二側壁26的形狀不限於本實施方式的形狀。同樣，各部分的尺寸值不限於本實施方式記載的尺寸值。此外，本實施方式中的基板W為直徑4英寸、厚度0.1mm左右的大致圓盤狀的藍寶石晶片，但是不限於該尺寸。

Claims (3)

  1. 一種非對稱槽形晶片盒，其特徵在於包括：一對側壁；以及側方基板支承部，在形成於所述一對側壁之間並能收容多個基板的基板收容空間內，以成對的方式分別形成在所述一對側壁上，能支承所述多個基板的邊緣部，以使所述多個基板中的鄰接的基板彼此處於隔開規定間隔而並列的狀態，一方的所述側壁具有與另一方的所述側壁對置的一方的內表面，另一方的所述側壁具有與所述一方的內表面平行的位置關係，並具有與所述一方的內表面對置的另一方的內表面，所述側方基板支承部在所述一方的內表面和所述另一方的內表面上，分別具有向所述基板收容空間的內側平行地延伸的多個基板支承板狀部，多個所述基板支承板狀部之間形成有能插入所述多個基板的邊緣部的槽，所述一方的側壁的多個所述基板支承板狀部之間的槽與所述另一方的側壁的多個所述基板支承板狀部之間的槽對置，並且通過將所述基板的邊緣部插入所述一方的側壁的多個所述基板支承板狀部之間的槽和所述另一方的側壁的多個所述基板支承板狀部之間的槽，由所述側方基板支承部支承所述基板的邊緣部，設置在所述一方的側壁上的多個所述基板支承板狀部，向與所述一方的內表面的法線交叉的方向延伸，設置在所述另一方的側壁上的多個所述基板支承板狀部，與所述另一方的內表面的法線平行地延伸，通過使設置在所述另一方的側壁上的多個所述基板支承板狀部與設置在一方的側壁上的多個基板支承板狀部具有非對稱的形狀，使所述一方的側壁的所述基板支承板狀部之間的槽的形狀，與所述另一方的側壁的所述基板支承板狀部之間的槽的形狀不 同。
  2. 根據請求項1所述的非對稱槽形晶片盒，其中，所述另一方的側壁的多個所述基板支承板狀部之間的槽的寬度，大於所述一方的側壁的多個所述基板支承板狀部之間的槽的寬度。
  3. 根據請求項1或2所述的非對稱槽形晶片盒，其中，設置在所述一方的側壁上的多個所述基板支承板狀部，朝向相對於所述一方的內表面的法線呈5°以上15°以下的角度交叉的方向延伸。
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