JP6104436B1 - 光走査モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】従来の光走査モジュールの構造に対して、外寸を変えずに受光ミラーの受光面積を大きくすること。【解決手段】回路基板30の第1基板面31a(光走査モジュール1の内部に位置する実装面)に、光検出装置100およびLSI110が搭載される。回路基板30は、第1基板面31aがモジュール筐体20に対向するように、モジュール筐体20に固定される。このとき、回路基板30は、光走査モジュール1の背面側のカバーとしての役割も兼ね、第1基板面31aの反対面である第2基板面31bが光走査モジュール1の背面となる。【選択図】図2

Description

本発明は、バーコード等の走査対象物をレーザビームにより走査し、反射光から走査対象物の情報を読み取る光走査モジュールに関する。
従来から、物の自動認識手段として、光反射率の異なる部分で情報を表記したバーコードが広く使用されている。光走査モジュールは、レーザコードスキャナに搭載され、バーコード等の走査対象物をレーザビームにより走査し、走査対象物からのレーザ反射光を受光ミラーによりフォトダイオードに絞り、電気信号に変換してデコードすることにより、走査対象物の情報を読み取る(特許文献1参照)。
特開2009−259058号公報
近年、ハンディターミナル、スマートフォン等の電子機器に光走査モジュールを搭載する場面が増えているため、光走査モジュールの小型化への要求が高まっている。
また、光走査モジュールの読み取り性能として、信号対雑音比(S/N比)を大きく取ることが極めて重要である。
従来の光走査モジュールは、小型化により、受光ミラーの受光面積が小さくなってしまうため、S/N比が低くなり、読み取り性能が劣化してしまう。
本発明は、上記の点に鑑みて為されたものであり、従来の光走査モジュールの構造に対して、外寸を変えずに受光ミラーの受光面積を大きくすることができ、S/N比の改善を図ることができる光走査モジュールを提供することを目的とする。
本発明に係る光走査モジュールは、正面に開口部が設けられ、凹部が設けられた金属製の筐体、レーザビームを出射する光源部、前記光源部から出射されたレーザビームを平行光に近いレーザビームに変換するコリメート部、前記コリメート部で変換されたレーザビームを前記開口部から外部に照射させて走査対象物を走査する走査部、前記走査対象物で反射したレーザビームを集光反射する受光ミラー部、および、前記受光ミラー部で集光反射したレーザビームを受光して光電変換により電気信号に変換する光検出部、アナログの前記電気信号をデジタル信号に変換するLSIをする、光走査モジュールであって前記光源部および前記コリメート部が前記筐体に固定され、電子部品を実装する回路基板が、背面側に配置されるように前記筐体に取り付けられ、前記光検出部が、前記回路基板の、前記光走査モジュールの内部に位置する基板面に取り付けられ、前記LSIが、前記回路基板の、前記光走査モジュールの内部に位置する基板面に取り付けられ、かつ、外周の少なくとも4面が前記筐体の金属面に囲まれるように前記筐体の凹部に収納される
本発明によれば、回路基板を光走査モジュールの上面に配置する従来の構造に対して、光走査モジュールの外寸を変えずに、受光ミラーの受光面積を大きくすることができるので、S/N比の改善を図ることができ、レーザモジュールの読み取り性能を向上させることができる。
本発明の一実施の形態に係る光走査モジュールの斜視図 本発明の一実施の形態に係る光走査モジュールの分解斜視図 本発明の一実施の形態に係る光走査モジュールの六面図 本発明の一実施の形態に係る光走査モジュールのモジュール筐体の六面図 本発明の一実施の形態に係るレーザ光源ユニットの斜視図 本発明の一実施の形態に係る固定具によるレーザ光源ユニットの固定構造を説明する図 本発明の一実施の形態に係るコリメートレンズユニットの斜視図 本発明の一実施の形態に係るコリメートレンズユニットの正面図 本発明の一実施の形態に係るコリメートレンズユニットの固定構造を説明する図
以下、本発明の一実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
<光走査モジュールの構成>
まず、本実施の形態に係る光走査モジュール1の構成について図1から図4を用いて説明する。図1は、本実施の形態に係る光走査モジュール1の斜視図である。図2は、本実施の形態に係る光走査モジュール1の分解斜視図である。図3は、本実施の形態に係る光走査モジュール1の六面図である((a)は正面図、(b)は平面図、(c)は背面図、(d)は左側面図、(e)は右側面図)。図4は、本実施の形態に係る光走査モジュール1のモジュール筐体20の六面図である((a)は正面図、(b)は平面図、(c)は背面図、(d)は左側面図、(e)は右側面図)。なお、以下の説明において、光走査モジュール1のレーザビームが照射される面を正面とする。
光走査モジュール1は、モジュール筐体20に、回路基板30、固定具50およびモジュールカバー120を取り付けることにより、縦(D)15.2mm、横(W)21.2mm、高さ(H)11.5mmの大きさの略矩形の外形が形成される。光走査モジュール1の内部には、レーザ光源ユニット40、コリメートレンズユニット60、折返ミラー70、振動ミラー駆動装置80、受光ミラー90、光検出装置100、LSI(Large-Scale Integration)110が備えられる。光走査モジュール1の正面には、走査用のレーザビームを照射させ、また検出すべき反射光を入射させるための開口部1aが形成される。
モジュール筐体20は、ZDC2と呼ばれる亜鉛合金によってダイキャスト製法で形成される。なお、亜鉛合金に代えて、アルミニウム又はアルミニウム合金あるいはマグネシウム合金でモジュール筐体20を形成してもよい。このように、金属でモジュール筐体20を形成することにより、充分な精度と強度を得ることができるとともに、LSI110に対するシールド効果を得ることができる。
モジュール筐体20には、回路基板30を取り付けるための突起11a、11bおよびネジ穴11c、固定具50を取り付けるための突起12a、12bおよびネジ穴12c、12d、受光ミラー90を取り付けるための突起13a、13b、モジュールカバー120を取り付けるためのネジ穴14a、14bが形成される。また、モジュール筐体20には、コリメートレンズユニット60を圧入するための貫通孔15、コリメートレンズユニット60の位置調整時に使用する貫通孔16a、16b、LSI110を収納するための凹部17、反射光が通過するための貫通孔18が形成される。
回路基板30は、樹脂等の非伝導素材で形成された板状の部品であり、各種のチップ状電子部品およびそれらを繋ぐ金属配線等を高密度に実装する。回路基板30には、サブ基板30aが取り付けられる。また、回路基板30の第1基板面31a(光走査モジュール1の内部に位置する実装面)に、光検出装置100およびLSI110が搭載される。また、回路基板30には、切欠孔32a、貫通孔32b、32cが形成される。また、回路基板30には、レーザ光源ユニット40の端子42を通すための4つの貫通孔33が形成される。
回路基板30の切欠孔32aに、モジュール筐体20の突起11aを圧入し、回路基板30の貫通孔32bに、モジュール筐体20の突起11bを圧入し、回路基板30の貫通孔32cを貫入したネジをモジュール筐体20のネジ穴11cに螺入することにより、回路基板30は、第1基板面31aがモジュール筐体20に対向するように、モジュール筐体20に固定される。このとき、回路基板30は、光走査モジュール1の背面側のカバーとしての役割も兼ね、第1基板面31aの反対面である第2基板面31bが光走査モジュール1の背面となる。
レーザ光源ユニット40は、薄型のパッケージレーザとして構成される。レーザ光源ユニット40には、レーザ光源である半導体レーザ体41(レーザダイオードチップ)がマウントされ、4本の端子42が形成される。端子42は、回路基板30の貫通孔33を通して光走査モジュール1の外部に露出される。端子42には、外部からレーザ光源ユニット40を駆動するための駆動信号が入力される。なお、レーザ光源ユニット40の形状の詳細については後述する。
固定具50は、ポリカーボネートやポリアセタール等の樹脂で形成され、レーザ光源ユニット40をモジュール筐体20に固定する。固定具50には、貫通孔51a、51b、51c、51dが形成される。なお、貫通孔51c、51dの代わりに、切り欠きを形成しても良い。固定具50の貫通孔51a、51bに、モジュール筐体20の突起12a、12bを圧入し、固定具50の貫通孔51c、51dを貫入したネジをモジュール筐体20のネジ穴12c、12dに螺入することにより、固定具50は、モジュール筐体20に固定される。また、ネジの締結力に起因する固定具50の押圧力により、レーザ光源ユニット40もモジュール筐体20に固定される。なお、固定具50によるレーザ光源ユニット40の固定構造の詳細については後述する。
コリメートレンズユニット60は、コリメートレンズおよびアパーチャにより、半導体レーザ体41から出力された放射状のレーザビームを、円形のスポットを有する平行光に近いレーザビームに変換する。コリメートレンズユニット60は、モジュール筐体20の貫通孔15に圧入されてモジュール筐体20に固定される。なお、コリメートレンズユニット60の形状および固定構造の詳細については後述する。
折返ミラー70は、ポリカーボネートやポリアセタール等の樹脂で形成され、コリメートレンズユニット60のコリメートレンズを通過したレーザビームの光路を振動ミラー駆動装置80の方向に変える。折返ミラー70には、貫通孔71a、71b、突起72が形成される。折返ミラー70の貫通孔71a、71bに受光ミラー90の突起92a、92bを圧入することにより、折返ミラー70は、受光ミラー90を介してモジュール筐体20に固定される。
振動ミラー駆動装置80は、レーザビーム走査用の金属、樹脂又はガラス製の振動ミラー81と、振動ミラー81を前面部に固着した樹脂製の振動ミラー保持部材82と、その振動ミラー保持部材82の背面側に固着された可動磁石(永久磁石)(図示せず)と、振動ミラー保持部材82を回動可能に支持するピン状の支持軸83と、コイルユニット84と、から構成される。コイルユニット84のコイルの端子は、サブ基板30aに接続され、コイルにはサブ基板30aを介して回路基板30から制御信号が供給される。
振動ミラー81は、折返ミラー70で反射したレーザビームの光路を変え、開口部1aから外部にレーザビームを照射させる。コイルに異なる向きの電圧を交互に印加すると、コイルと可動磁石との電磁誘導の働きによって、振動ミラー81が支持軸83を中心にシーソ式に振動する。これにより、レーザビームで照射先にある走査対象物を往復走査することができる。また、振動ミラー81は、走査対象物で反射され、開口部1aから入射された反射光の光路を受光ミラー90の方向に変える。
受光ミラー90は、ポリカーボネートやポリアセタール等の樹脂で形成され、振動ミラー駆動装置80の振動ミラー81により反射された反射光を集光し、かつ、その光路を光検出装置100の方向に変える。受光ミラー90には、貫通孔91a、91b、突起92a、92bが形成される。受光ミラー90の貫通孔91a、91bにモジュール筐体20の13a、13bを圧入することにより、受光ミラー90はモジュール筐体20に固定される。また、受光ミラー90には、折返ミラー70で反射したレーザビームを通過させるための通光孔93が形成される。
光検出装置100は、受光ミラー90からの反射光を受光面で受光して光電変換による電気信号を生成するフォトダイオードを備え、受光面の反対面である接続面が回路基板30の第1基板面31aと対向するように、回路基板30に搭載される。このとき、接続面に設けられた電極が第1基板面31a上の電極と接続する。光検出装置100は、フォトダイオードが受光する光の強度に応じた電気信号をLSI110に出力する。
従って、例えば黒バーと白バーとが交互に配置されたコード記号上を走査したレーザビームの反射光が光検出装置100に入射すると、光検出装置100は、反射率の低い黒バーの位置からの反射光を受光したタイミングでは低レベルの電気信号を、反射率の高い白バーの位置からの反射光を受光したタイミングでは高レベルの電気信号を出力する。このため、光検出装置100から出力された電気信号を解析することにより、バーの配置を推定し、コード記号が意味する情報を読み取ることができる。
LSI110は、光検出装置100から出力されたアナログの電気信号をデジタル信号に変換し、デコーダ(図示せず)に出力する。回路基板30がモジュール筐体20に固定された状態で、LSI110は、モジュール筐体20の凹部16に収納され、外部に突出しない。しかも、LSI110は、外周の少なくとも4面が金属面によって囲まれ、望ましいシールドがなされ、他の電子機器が発生する電磁波ノイズの影響を受けなくなる。
モジュールカバー120は、ポリカーボネートやポリアセタール等の樹脂で形成される。モジュールカバー120には、貫通孔121a、121b、121cが形成される。モジュールカバー120の貫通孔121cに、折返ミラー70の突起72を圧入し、モジュールカバー120の貫通孔121a、121bを貫入したネジをモジュール筐体20のネジ穴14a、14bに螺入することにより、モジュールカバー120はモジュール筐体20に固定される。
以上のように構成された光走査モジュール1では、レーザ光源ユニット40の半導体レーザ体41から出力されたレーザビームが、コリメートレンズユニット60のコリメートレンズを通過して平行光に近いレーザビームとなり、折返ミラー70で反射され、さらにシーソ式に振動する振動ミラー81により反射され、開口部1aから外部に照射される。これにより、レーザビームで照射先にある走査対象物を往復走査することができる。なお、レーザビームの光路は、光走査モジュール1の底面に平行となる。
走査対象物からの反射光は、開口部1aから入射され、振動ミラー81によって反射され、さらに受光ミラー90で集光反射され、光検出装置100のフォトダイオードの受光面で受光される。レーザビームは、振動ミラー81の振動の位相によらず、受光ミラー90に対して同じ角度から反射光として戻ってくるため、振動ミラー81が振動していても問題とならない。なお、光走査モジュール1の底面に対する反射光の光路の高さは略一定である。
以上のように、本実施の形態では、光検出装置100およびLSI110が第1基板面31aに取り付けられた回路基板30を光走査モジュール1の背面に配置する。これにより、回路基板を光走査モジュールの上面に配置する従来の構造に対して、光走査モジュールの外寸を変えずに、受光ミラー90の受光面積を大きくすることができ、S/N比の改善を図ることができる。
例えば、光走査モジュール1の高さが11.5mm、モジュール筐体20の底板の厚みが0.8mmm、電子部品を実装した回路基板30の厚みが3mmの場合、従来のように回路基板30を光走査モジュール1の上面に配置すると、受光ミラー90の最大高さは7.7(=11.5−3−0.8)mmとなる。一方、本実施の形態では、回路基板30を光走査モジュール1の背面に配置することにより、モジュール筐体20の底板の厚みおよびモジュールカバー120の厚みが0.8mmmの場合、受光ミラー90の最大高さは9.9(=11.5−0.8−0.8)mmとなり、従来に比べて、S/N比を約1.29倍に改善することができる。
また、本実施の形態によれば、光走査モジュール1の背面に回路基板30を立てて配置することにより、端子42を折り曲げずに、半導体レーザ体41のレーザ出射方向が光走査モジュール1の正面および背面(回路基板30の第2基板面31b)と垂直になるようにレーザ光源ユニット40を配設することができる。これにより、折返ミラー70のみを配設すれば、半導体レーザ体41から出射されたレーザビームを振動ミラー81に当てることができるので、光走査モジュール1の部品点数の増加を抑えることができる。
さらに、本実施の形態では、光走査モジュール1の背面に回路基板30を立てて配置し、かつ、レーザ光源ユニット40の金属ベース面が光走査モジュール1の側面と平行になるようにレーザ光源ユニット40を配設する。これにより、受光ミラー90で集光反射した反射光の光路方向を回路基板30の基板面と垂直にすることができるので、接続面が回路基板30の第1基板面31aと対向するように光検出装置100を回路基板30に搭載した状態で、フォトダイオードが受光面で反射光を受光できる。
また、本実施の形態では、LSI(アナログ信号処理部)を回路基板30の第1基板面31aに配設することにより、モジュール筐体20の金属領域と回路基板30によって、LSIに影響を与える外部電磁波をシールドすることができ、増幅ノイズを最小限にすることができる。
<レーザ光源ユニットの固定構造>
次に、レーザ光源ユニット40の形状の詳細、および、固定具50によるレーザ光源ユニット40の固定構造の詳細について、図5、図6を用いて説明する。
図5は、本実施の形態に係るレーザ光源ユニット40の斜視図である。レーザ光源ユニット40は、金属ベース43と樹脂モールド部44によって構成される。金属ベース43には、GND(グランド)と放熱の機能がある。
金属ベース43の一端部付近の表側には、半導体レーザ体41がマウントされ、他端部には、4本の端子42が形成される。
レーザ光源ユニット40の側部には、金属ベース43が樹脂モールド部44からはみ出た部分であるフランジ状の1対の鍔部45a、45bが形成される。鍔部45a、45bは、その幅が0.5−0.7mmという極めて小さい領域であるため、鍔部45a、45bに貫通孔を開けて、モジュール筐体20にレーザ光源ユニット40をネジ止めすることはできない。そこで、本実施の形態では、ネジの締結力に起因する固定具50のレーザ光源ユニット40(鍔部45a、45b)に対する押圧力により、レーザ光源ユニット40をモジュール筐体20に固定する。
図6は、本実施の形態に係る固定具50によるレーザ光源ユニット40の固定構造を説明する図である。図6(a)は、モジュール筐体20にレーザ光源ユニット40を載置する前の状態を示す図であり、図6(b)は、モジュール筐体20にレーザ光源ユニット40を載置した後であって固定する前の状態を示す図であり、図6(c)は、モジュール筐体20にレーザ光源ユニット40を固定した後の状態を示す図である。
モジュール筐体20には、載置面21a、21b、および、その間の凹部22が形成される。載置面21a、21bは、光走査モジュール1の側面と平行に形成される。載置面21a上には突起12aおよびネジ穴12c(図2参照)が形成され、載置面21b上には突起12bおよびネジ穴12d(図2参照)が形成される。凹部22は、その内面23a、23b間の距離W1がレーザ光源ユニット40の幅W2(鍔部45aの端面から鍔部45bの端面までの長さ)よりも若干広くなるように形成される。
さらに、モジュール筐体20には、凹部22の中に、載置面24a、24b、および、その間の凹部25が形成される。載置面24a、24bは、載置面21a、21bと平行に形成される。凹部25は、レーザ光源ユニット40がモジュール筐体20(載置面24a、24b)に載置された際に、樹脂モールド部44の裏側部分が干渉しないように形成される。
固定具50は、ベースプレート52の裏面53の中央部分にC型スペーサ54が形成された構成を採る。ベースプレート52には、C型スペーサ54の幅W3よりも外側に、貫通孔51a、51b、51c、51d(図2参照)が形成される。
C型スペーサ54は、その幅W3が凹部22の内面23a、23b間の距離W1よりも若干狭く、レーザ光源ユニット40の幅W2とほぼ同じになるように形成される。C型スペーサ54両端の凸部55a、55bは、レーザ光源ユニット40をモジュール筐体20に固定する際に、その端面56a、56bが鍔部45a、45bの表面46a、46bに当接するように形成される。なお、端面56a、56bは、裏面53と平行に形成される。C型スペーサ54の凸部55a、55bの間の凹部57は、レーザ光源ユニット40をモジュール筐体20に固定する際に、樹脂モールド部44の表側部分が干渉しないように形成される。
レーザ光源ユニット40をモジュール筐体20に固定する場合、まず、鍔部45a、45bの裏面47a、47bが載置面24a、24bに当接するように、レーザ光源ユニット40をモジュール筐体20に載置する(図6(b))。
ここで、本実施の形態では、レーザ光源ユニット40をモジュール筐体20に載置した際の、載置面21a、21bと鍔部45a、45bの表面46a、46bとの距離H1よりも、ベースプレート52の裏面53とC型スペーサ54の端面56a、56bとの距離H2が若干長くなるように、凸部55a、55bを形成する。
次に、固定具50(C型スペーサ54)を凹部22内に挿入し、鍔部45a、45bの表面46a、46bに凸部55a、55bを当接させる。同時に、固定具50の貫通孔51a、51bに、モジュール筐体20の突起12a、12bを圧入する。このとき、H1よりH2が若干長いため、載置面21a、21bとベースプレート52の裏面53との間には、若干(例えば0.2mm)の隙間ができる。
この状態で、ボルトX1、X2を、貫通孔51c、51d(図2参照)から通して、ネジ穴12c、12dに螺合させ、固定具50をモジュール筐体20に固定する(図6(c))。このとき、C型スペーサ54の剛性がベースプレート52の剛性よりも高いため、ベースプレート52の、C型スペーサ54より外側の部分が撓みながら、裏面53が載置面21a、21bに当接する。この撓みによって生じるトルク(撓みの復元力)は、C型スペーサ54が鍔部45a、45bを押す圧力となる。
以上のように、本実施の形態によれば、C型スペーサ54の押圧力により、鍔部45a、45bの面積が小さくても、モジュール筐体20にレーザ光源ユニット40を強く押しつけ、しっかりと固定することができる。また、固定具50は、レーザ光源ユニット40全体を覆う構造では無く、光走査モジュール1の側面の一部分を構成する役割も兼ねるので、光走査モジュール1の小型化を図ることができる。また、固定具50を介して、半導体レーザ体41から発生した熱を効率的かつ効果的に外気に放熱することができる。
なお、ベースプレート52がC型スペーサ54より大きいため、固定具50がモジュール筐体20に取り付けられることにより、ベースプレート52がレーザ光源ユニット40の密閉と防塵の役割を果たす。
また、本実施の形態では、光走査モジュール1の背面に回路基板30を立てて配置しているので、ベースプレート52の長さを、光走査モジュール1の外寸の高さまで長くすることができる。これにより、ベースプレート52の両端に取付けられるボルトX1とボルトX2との距離を長くしてトルクを大きくすることができるので、ベースプレート52の撓み量に対する、レーザ光源ユニット40(鍔部45a、45b)への押圧力の比率を大きくすることができる。
なお、上記実施の形態では、レーザコードスキャナの光走査モジュールに搭載されるレーザ光源ユニット(フレームレーザ)を固定する場合について説明したが、本発明はこれに限られず、光ピックアップ装置等の他の機器に搭載されるレーザ光源ユニットを固定する場合にも適用することができる。
<コリメートレンズユニットの形状および固定構造>
次に、コリメートレンズユニット60の形状および固定構造の詳細について、図7から図9を用いて説明する。
図7は、本実施の形態に係るコリメートレンズユニット60の斜視図である。図8は、本実施の形態に係るコリメートレンズユニット60の正面図である。コリメータレンズユニット60は、光軸方向に延びる円形筒状の鏡筒61と、鏡筒61内に内蔵されるコリメータレンズ(図示せず)と、鏡筒61に装着されるアパーチャ62と、から構成される。コリメータレンズは、レーザ光源ユニット40から出射されたレーザビームを平行光に近いレーザビームに変換する。アパーチャ62は、コリメータレンズを通過したレーザビームを整形する。
鏡筒61には、2対(4本)の片持ち梁状のL型アーム63a1、63a2、63b1、63b2が形成される。各L型アーム63a1、63a2、63b1、63b2は、角柱状の基部の先端から略直角に凸形状の自由端部が形成されたL字型の同一形状を為す。
各L型アーム63a1、63a2、63b1、63b2の自由端部の先端である自由端支点64a1、64a2、64b1、64b2は、鏡筒61の中心軸(光軸)Pと平行な同一平面C1上に存在する。各対のL型アーム63a1とL型アーム63b1およびL型アーム63a2とL型アーム63b2は、それぞれ、平面C1と垂直な、鏡筒61の中心軸(光軸)Pを通る平面C2に対して対照である。L型アーム63a1とL型アーム63a2との間の距離は、L型アーム63b1とL型アーム63b2との間の距離と等しい。
図9は、本実施の形態に係るコリメートレンズユニット60の固定構造を説明する図である。図9(a)は、コリメートレンズユニット60を圧入する前のモジュール筐体20の貫通孔15部分を示す図であり、図9(b)は、モジュール筐体20の貫通孔15にコリメートレンズユニット60を圧入した後の状態を示す図である。
モジュール筐体20の貫通孔15には、コリメートレンズユニット60が圧入された際に、自由端支点64a1、64a2、64b1、64b2と当接する内面26a、26b、および、鏡筒61の円筒外周面65と当接する内面27a、27bが形成される。なお、貫通孔15の他の部分は、コリメートレンズユニット60と干渉しないように形成されていれば良い。
ここで、鏡筒61の円筒外周面65と貫通孔15の内面27a、27bとは、接線66a、66bと接線28a、28bで当接するものとすると、平面C1と接線66a、66bの距離H3よりも、内面26a、26bと接線28a、28bの距離H4が若干短くなるように、貫通孔15を形成する。
これにより、コリメートレンズユニット60を貫通孔15の中に圧入した場合(図9(b)、鏡筒61の円筒外周面65が接線66a、66bで貫通孔15の内面27a、27bに当接すると供に、L型アーム63a1、63a2、63b1、63b2が若干撓みながら、自由端支点64a1、64a2、64b1、64b2で貫通孔15の内面26a、26bと当接する。
L型アーム63a1、63a2、63b1、63b2の撓みによって生じるトルク(撓みの復元力)は、鏡筒61が内面27a、27bを押す圧力、および、L型アーム63a1、63a2、63b1、63b2が自由端支点64a1、64a2、64b1、64b2において内面26a、26bを押す圧力となる。この押圧力により、コリメートレンズユニット60は、モジュール筐体20に強く押しつけられて固定される。
このように、本実施の形態では、従来のリブを圧縮させて固定する構造とは異なり、片持ち梁状のL型アーム63a1、63a2、63b1、63b2を変形させて固定する構造を採るので、公差の許容範囲を従来のものより大きくすることができる。例えば、L型アーム63a1、63a2、63b1、63b2の長さが1〜2mmの範囲内の場合、平面C1の垂直方向に対する自由端支点64a1、64a2、64b1、64b2の公差が数百μmであっても、自由端支点64a1、64a2、64b1、64b2にかかる圧力が数百グラムFレベルとなる。
また、本実施の形態では、光走査モジュール1の背面に回路基板30を立てて配置しているので、回路基板を光走査モジュールの上面に配置する従来の構造よりも、L型アーム63a1、63a2、63b1、63b2の長さを長くすることができる。
また、本実施の形態では、貫通孔16aからL型アーム63a1とL型アーム63a2との間、および、貫通孔16bからL型アーム63b1とL型アーム63b2との間に、それぞれ、調整ピンを差し込み、これらの調整ピンを動かすことにより、モジュール筐体20に圧入されたコリメートレンズユニット60のフォーカス調整(鏡筒61の中心軸P方向の位置調整)を容易に行うことができる。
なお、上記実施の形態では、コリメートレンズユニットに2対のL型アームを形成する場合について説明したが、本発明はこれに限られず、L型アームを1対あるいは3対以上形成しても良い。また、上記実施の形態では、コリメートレンズユニットをレーザコードスキャナに搭載する場合について説明したが、本発明はこれに限られず、コリメートレンズユニットをレーザポインタ等の他の機器に搭載する場合にも適用することができる。
本発明は、レーザコードスキャナに搭載される小型の光走査モジュールに用いるのに好適である。
1 光走査モジュール
20 モジュール筐体
30 回路基板
30a サブ基板
40 レーザ光源ユニット
41 半導体レーザ体
42 端子
43 金属ベース
44 樹脂モールド部
45a、45b 鍔部
50 固定具
52 ベースプレート
54 C型スペーサ
55a、55b 凸部
60 コリメートレンズユニット
61 鏡筒
62 アパーチャ
63a1、63a2、63b1、63b2 L型アーム
70 折返ミラー
80 振動ミラー駆動装置
81 振動ミラー
90 受光ミラー
100 光検出装置
110 LSI
120 モジュールカバー

Claims (4)

  1. 正面に開口部が設けられ、
    凹部が設けられた金属製の筐体、レーザビームを出射する光源部、前記光源部から出射されたレーザビームを平行光に近いレーザビームに変換するコリメート部、前記コリメート部で変換されたレーザビームを前記開口部から外部に照射させて走査対象物を走査する走査部、前記走査対象物で反射したレーザビームを集光反射する受光ミラー部、および、前記受光ミラー部で集光反射したレーザビームを受光して光電変換により電気信号に変換する光検出部、アナログの前記電気信号をデジタル信号に変換するLSIを有する、
    光走査モジュールであって、
    前記光源部および前記コリメート部が前記筐体に固定され、
    電子部品を実装する回路基板が、背面側に配置されるように前記筐体に取り付けられ、
    前記光検出部が、前記回路基板の、前記光走査モジュールの内部に位置する基板面に取り付けられ、
    前記LSIが、前記回路基板の、前記光走査モジュールの内部に位置する基板面に取り付けられ、かつ、外周の少なくとも4面が前記筐体の金属面に囲まれるように前記筐体の凹部に収納される、
    光走査モジュール。
  2. 前記光源部は、レーザ光源である半導体レーザ体が金属ベースにマウントされた薄型のパッケージレーザとして構成されるレーザ光源ユニットであり、
    前記金属ベースに形成された端子が、前記レーザビームの光軸と平行に前記回路基板に接続され、
    前記レーザ光源ユニットは、前記レーザビームの光軸が前記回路基板の基板面に直交し、かつ、前記金属ベース面が前記光走査モジュールの側面と平行になるように配設される、
    請求項1に記載の光走査モジュール。
  3. 前記コリメート部を通過したレーザビームの光路を前記走査部の方向に変える折返ミラー部を内部に有し、
    前記受光ミラー部は、前記筐体に取り付けられ、
    前記折返ミラー部は、前記受光ミラー部に取り付けられる、
    請求項1または2に記載の光走査モジュール。
  4. サブ基板が、前記光走査モジュールの上面と平行になるように前記回路基板に取り付けられ、
    前記走査部のコイルユニットのコイル端子が前記サブ基板に接続される、
    請求項1から3のいずれかに記載の光走査モジュール。
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