JP2000199896A - 電気光学装置 - Google Patents
電気光学装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶を用いた表示の明るい反射型の電気光学
装置を得る。 【解決手段】 光入射側の基板内面に減反射コーティン
グを施してなることにより、反射面によって反射した光
の再反射を防止することにより、反射光率を向上する。
装置を得る。 【解決手段】 光入射側の基板内面に減反射コーティン
グを施してなることにより、反射面によって反射した光
の再反射を防止することにより、反射光率を向上する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は液晶を用いた反射型
の電気光学装置に関する。
の電気光学装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のツイストした液晶を用いた反射型
液晶電気光学装置は一軸性の電気光学媒体を１／４λの
波長板として使うもの、ＵＳＰ．４０１９８０７、特開
昭５６−４３６８１号に記載のようにツイスト角を４５
度とし、かつ直線偏光した入射光は分子軸に対し傾けて
入射するものであった。
液晶電気光学装置は一軸性の電気光学媒体を１／４λの
波長板として使うもの、ＵＳＰ．４０１９８０７、特開
昭５６−４３６８１号に記載のようにツイスト角を４５
度とし、かつ直線偏光した入射光は分子軸に対し傾けて
入射するものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の反射型
液晶電気光学装置には液晶層の厚みに対し余裕が少な
く、表示性能にむらが生じ易いという課題があった。更
に出力光が楕円偏光であるために、光量の損失が生じる
という課題もあった。そこで本発明では、ツイスト角と
入射偏光角の最適化をすることによって光量損失の少な
い、製作上のマージンの多い反射型電気光学装置を提供
することを目的とするものである。
液晶電気光学装置には液晶層の厚みに対し余裕が少な
く、表示性能にむらが生じ易いという課題があった。更
に出力光が楕円偏光であるために、光量の損失が生じる
という課題もあった。そこで本発明では、ツイスト角と
入射偏光角の最適化をすることによって光量損失の少な
い、製作上のマージンの多い反射型電気光学装置を提供
することを目的とするものである。
【０００４】さらに電界に対する液晶の光学特性のしき
い特性が急峻で、少ない実効値変化に対しても十分液晶
が応答し、ハイデューテイー駆動が可能な反射型液晶電
気光学装置を提供することにある。
い特性が急峻で、少ない実効値変化に対しても十分液晶
が応答し、ハイデューテイー駆動が可能な反射型液晶電
気光学装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置
は、対向する一対の基板間に液晶層を挟持した電気光学
装置において、前記一対の基板のうちの一方の基板の液
晶層側に反射面を有し、前記一対の基板のうちの他方の
基板の液晶層側には減反射コーティングを施してなるこ
とを特徴とする。
は、対向する一対の基板間に液晶層を挟持した電気光学
装置において、前記一対の基板のうちの一方の基板の液
晶層側に反射面を有し、前記一対の基板のうちの他方の
基板の液晶層側には減反射コーティングを施してなるこ
とを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明の詳細
を示す。 （実施例１）図１は本発明の反射型電気光学装置の断面
図である。透明基板１０１と反射性膜１０２を設置され
た対向基板１０３の間にツイストしたネマチック液晶１
０４がはさまれた構造となっている。１０５は電界を液
晶層に印加するための透明電極である。もう一方の電極
は金属薄膜で形成された反射性膜１０２が兼ねている。
さらに入出射面、透明電極面には減反射コーティング１
０６が施され、不要な光線反射を抑制している。図２は
液晶の配向を示す斜視図である。図２はネマチック液晶
層のツイスト角２０１は６３度、液晶の複屈折と液晶層
厚の積（μｍ単位、以下、△ｎｄと称する）は０．２の
場合である。近接して設置された偏光素子により直線偏
光となった入射光は、入射側の液晶分子２０２のダイレ
クター２０３に電界振動面２０４が沿って入射するよう
に角度が設定されている。つまり分子の配列は、印加電
圧が零の時、図２のように基板界面で平行に配向し、上
下の基板間で６３度をなすように配向処理されている。
この配向処理はラビング、射方蒸着等により行うことが
できる。同じように直線偏光した入射光が入り、反射面
では円偏光となり、反射後出射面では入射光と９０度偏
光面が回転した直線偏光となる条件である１９３度のツ
イスト角、△ｎｄ＝０．５８の場合も同様な構造であ
る。
を示す。 （実施例１）図１は本発明の反射型電気光学装置の断面
図である。透明基板１０１と反射性膜１０２を設置され
た対向基板１０３の間にツイストしたネマチック液晶１
０４がはさまれた構造となっている。１０５は電界を液
晶層に印加するための透明電極である。もう一方の電極
は金属薄膜で形成された反射性膜１０２が兼ねている。
さらに入出射面、透明電極面には減反射コーティング１
０６が施され、不要な光線反射を抑制している。図２は
液晶の配向を示す斜視図である。図２はネマチック液晶
層のツイスト角２０１は６３度、液晶の複屈折と液晶層
厚の積（μｍ単位、以下、△ｎｄと称する）は０．２の
場合である。近接して設置された偏光素子により直線偏
光となった入射光は、入射側の液晶分子２０２のダイレ
クター２０３に電界振動面２０４が沿って入射するよう
に角度が設定されている。つまり分子の配列は、印加電
圧が零の時、図２のように基板界面で平行に配向し、上
下の基板間で６３度をなすように配向処理されている。
この配向処理はラビング、射方蒸着等により行うことが
できる。同じように直線偏光した入射光が入り、反射面
では円偏光となり、反射後出射面では入射光と９０度偏
光面が回転した直線偏光となる条件である１９３度のツ
イスト角、△ｎｄ＝０．５８の場合も同様な構造であ
る。
【０００７】図３は図１の装置の印加電圧と反射率（５
５０ｎｍ）の特性である。実線が６３度ツイストの場
合、破線が１９３度ツイストの場合である。
５０ｎｍ）の特性である。実線が６３度ツイストの場
合、破線が１９３度ツイストの場合である。
【０００８】初めに電圧が零の時を説明する。直線偏光
４０２が入射すると、図４に示すように楕円偏光の軌跡
が回転する。反射面ではほぼ円偏光４０１となり、位相
が１８０度回転し反射される。再び液晶層を透過し、出
射面ではほぼ９０度偏光面が回転した直線偏光４０３と
なり出射する。このため偏光素子で阻止され、反射率が
低下する（オフ状態）。
４０２が入射すると、図４に示すように楕円偏光の軌跡
が回転する。反射面ではほぼ円偏光４０１となり、位相
が１８０度回転し反射される。再び液晶層を透過し、出
射面ではほぼ９０度偏光面が回転した直線偏光４０３と
なり出射する。このため偏光素子で阻止され、反射率が
低下する（オフ状態）。
【０００９】次に電圧が印加された場合を説明する。液
晶分子は誘電率の異方性のために、電界方向に再配列す
る。これにより入射光に対する複屈折の異方性が消失
し、入射した直線偏光がそのまま維持されて反射し、出
射する。従って反射率の低下はない（オン状態）。
晶分子は誘電率の異方性のために、電界方向に再配列す
る。これにより入射光に対する複屈折の異方性が消失
し、入射した直線偏光がそのまま維持されて反射し、出
射する。従って反射率の低下はない（オン状態）。
【００１０】このような偏光の変化を生ずるのは限られ
た条件のもとであり、この条件を鋭意検討した結果本発
明にいたった。液晶層に求められる光学的な特性は、直
線偏光の入射に対し透過後円偏光となること、反射層で
位相が１８０度シフトし、液晶層を逆に透過したときに
９０度偏光面が回転していることのふたつである。尚、
ここでは６３度ツイストの場合を図示した。１９３度ツ
イストの場合は楕円偏光の回転が複雑になるが上に述べ
た二つの条件を満たし、基本的な動作は変わらない。
た条件のもとであり、この条件を鋭意検討した結果本発
明にいたった。液晶層に求められる光学的な特性は、直
線偏光の入射に対し透過後円偏光となること、反射層で
位相が１８０度シフトし、液晶層を逆に透過したときに
９０度偏光面が回転していることのふたつである。尚、
ここでは６３度ツイストの場合を図示した。１９３度ツ
イストの場合は楕円偏光の回転が複雑になるが上に述べ
た二つの条件を満たし、基本的な動作は変わらない。
【００１１】図５（ａ）、（ｂ）は△ｎｄとオフ時の反
射率を示すグラフである。なおパラメーターに液晶層の
ツイスト角をとり、入射光の偏光面は入射面の液晶分子
のダイレクターに合わせた。オン時の反射率は、偏光素
子の透過率によって決まり、ほぼ一定である。これによ
ると、約６０度のツイスト角、△ｎｄ＝０．２の時に反
射率がほぼ零となることが分かった。更に詳細に調べた
結果、６３度のツイスト角が最適であることが分かっ
た。この時の楕円偏光の軌跡をみると、図４に示すよう
に、反射面では円偏光となり、出射面では入射時と９０
度回転した直線偏光となる。これを１／４λ板の場合と
比べると、液晶のダイレクターに沿って偏光が入射する
ため、複屈析を感受しにくく、同じ位相の変化を受ける
ためには大きな△ｎｄを必要とすること、△ｎｄに対す
る周期性が少ないことが特徴である。これは液晶層の厚
みを比較的大きく設定でき、製造におけるマージンを確
保するものである。
射率を示すグラフである。なおパラメーターに液晶層の
ツイスト角をとり、入射光の偏光面は入射面の液晶分子
のダイレクターに合わせた。オン時の反射率は、偏光素
子の透過率によって決まり、ほぼ一定である。これによ
ると、約６０度のツイスト角、△ｎｄ＝０．２の時に反
射率がほぼ零となることが分かった。更に詳細に調べた
結果、６３度のツイスト角が最適であることが分かっ
た。この時の楕円偏光の軌跡をみると、図４に示すよう
に、反射面では円偏光となり、出射面では入射時と９０
度回転した直線偏光となる。これを１／４λ板の場合と
比べると、液晶のダイレクターに沿って偏光が入射する
ため、複屈析を感受しにくく、同じ位相の変化を受ける
ためには大きな△ｎｄを必要とすること、△ｎｄに対す
る周期性が少ないことが特徴である。これは液晶層の厚
みを比較的大きく設定でき、製造におけるマージンを確
保するものである。
【００１２】また、△ｎの効果は液晶のダイレクターに
対し直線偏光が垂直に入射した場合も全く同様に働く。
これは△ｎには正負が無いためである。
対し直線偏光が垂直に入射した場合も全く同様に働く。
これは△ｎには正負が無いためである。
【００１３】図６（ａ），（ｂ）はパラメーターに偏光
素子の液晶のダイレクターに対する配置角をとり、△ｎ
ｄと反射率の関係を示すものである。これによると偏光
素子の方向が＋３０度の時にも反射率が零の条件があ
る。この場合の楕円偏光の軌跡を見ると図４と同じよう
に反射面で円偏光になっている。
素子の液晶のダイレクターに対する配置角をとり、△ｎ
ｄと反射率の関係を示すものである。これによると偏光
素子の方向が＋３０度の時にも反射率が零の条件があ
る。この場合の楕円偏光の軌跡を見ると図４と同じよう
に反射面で円偏光になっている。
【００１４】パラメーターを振ることによってこの様な
条件を他にも見つけることができる。しかし、波長によ
る反射率変動を低く抑えるためには最小の△ｎｄに設定
する必要があり、さらに極端に小さな△ｎｄでは液晶厚
が小さくなりすぎるため、この間で選択する必要があ
る。光学長が２倍になる反射型では、透過型の液晶素子
では許容される液晶厚が製作上の問題となる。そこで△
ｎｄが少しでも大きいことが求められる。これは素子製
作のマージンを大きくするためである。前述の△ｎｄ：
０．２の条件でみると、△ｎが小さな液晶の典型的な
値、△ｎ＝０．０８では、ｄが２．５μｍとなる。これ
に対し、従来例で述べた４５度ツイストしたタイプで
は、最適な液晶厚が２μｍを下まわり、素子の均一性や
歩留まりを低下させる要因になっている。
条件を他にも見つけることができる。しかし、波長によ
る反射率変動を低く抑えるためには最小の△ｎｄに設定
する必要があり、さらに極端に小さな△ｎｄでは液晶厚
が小さくなりすぎるため、この間で選択する必要があ
る。光学長が２倍になる反射型では、透過型の液晶素子
では許容される液晶厚が製作上の問題となる。そこで△
ｎｄが少しでも大きいことが求められる。これは素子製
作のマージンを大きくするためである。前述の△ｎｄ：
０．２の条件でみると、△ｎが小さな液晶の典型的な
値、△ｎ＝０．０８では、ｄが２．５μｍとなる。これ
に対し、従来例で述べた４５度ツイストしたタイプで
は、最適な液晶厚が２μｍを下まわり、素子の均一性や
歩留まりを低下させる要因になっている。
【００１５】図１に示すような画素を作らない前面電極
タイプは、自動車の電気制御防絃ミラーや光シャッター
として用いることができる。特に電気制御防弦ミラーに
応用すると、従来の二色性色素タイプや、偏光板を表裏
に設置したＴＮタイプに比べ透明時の反射率が高い効果
が認められた。
タイプは、自動車の電気制御防絃ミラーや光シャッター
として用いることができる。特に電気制御防弦ミラーに
応用すると、従来の二色性色素タイプや、偏光板を表裏
に設置したＴＮタイプに比べ透明時の反射率が高い効果
が認められた。
【００１６】また通常の液晶素子と同様ＸＹマトリクス
によってアドレスし、反射型の液晶表示装置とすること
ももちろん可能である。
によってアドレスし、反射型の液晶表示装置とすること
ももちろん可能である。
【００１７】また１９３度のような大きなツイスト角で
は、図３破線のように電圧に対する光学応答が急峻とな
る。この場合、反射率が９０％となる電界ＶTHと反射率
が１０％となる電界ＶSATとの比ＶSAT／ＶTHは１．０８
程度であった。従って、液晶層に印加される電界の実効
値変化が少なくとも液晶は十分応答することができ、高
コントラストな表示が可能となった。
は、図３破線のように電圧に対する光学応答が急峻とな
る。この場合、反射率が９０％となる電界ＶTHと反射率
が１０％となる電界ＶSATとの比ＶSAT／ＶTHは１．０８
程度であった。従って、液晶層に印加される電界の実効
値変化が少なくとも液晶は十分応答することができ、高
コントラストな表示が可能となった。
【００１８】尚、同調させる光の波長によって、本実施
例で述べた条件がシフトする。この割合はほぼλ（ｎ
ｍ）／５５０である。 （実施例２）図７は偏光素子に偏光ビームスプリッター
（以下、ＰＢＳと称する）を用いた反射型液晶電気光学
装置の構成図である。
例で述べた条件がシフトする。この割合はほぼλ（ｎ
ｍ）／５５０である。 （実施例２）図７は偏光素子に偏光ビームスプリッター
（以下、ＰＢＳと称する）を用いた反射型液晶電気光学
装置の構成図である。
【００１９】７０１がＰＢＳであり、光源光７０３を直
線偏光し液晶パネル７０２に入射させる。液晶パネルの
構成、出射までのプロセスは実施例１と同様である。出
射光を検光する手段がＰＢＳでは入射時と９０度ずれて
いる。このため反射出力光は無電界時に小さくなり、印
加電圧と反射率の特性は、実施例１の図３と縦軸に対し
対称なものとなる。 （実施例３）図８はアクテイブマトリクスによってアド
レスされた反射型電気光学装置の断面図である。図８は
ＭＯＳトランジスターを各画素に配置した例である。８
０２は画素電極、８０３は層間絶縁層、８０４は液晶
層、８０５は対向する透明基板８０６に蒸着された透明
電極、８０７は偏光板である。ここで用いたデバイスは
日経エレクトロニクス（１９８１）２月１６日号ｐ．１
６４に記載のものに準じている。詳細の仕様を第１表に
示す。 （表１） 画素数 ２２０×３２０ 画素ピッチ ８０×９０μｍ 駆動電圧 ±４Ｖ（Ｘ側） １２Ｖ（Ｙ側） 表示モード ＴＮ〜ＥＣＢ（電界効果複屈折） 液晶層厚 ２．４μｍ △ｎｄ ０．２ ツイスト角 ６３° 制御基板 不透明半導体基板（Ｓｉ） 反射面（電極） Ａ１（Ｓｉ０２のオーバーコート付） フロセス ＣＭＯＳ 画素トランジスター ＮＭＯＳトランジスター ゲート ポリシリコン シフトレジスター スタティック 他にもＴＦＴ、ダイオード等をアレイ化したアクティブ
マトリクスに適用することができる。
線偏光し液晶パネル７０２に入射させる。液晶パネルの
構成、出射までのプロセスは実施例１と同様である。出
射光を検光する手段がＰＢＳでは入射時と９０度ずれて
いる。このため反射出力光は無電界時に小さくなり、印
加電圧と反射率の特性は、実施例１の図３と縦軸に対し
対称なものとなる。 （実施例３）図８はアクテイブマトリクスによってアド
レスされた反射型電気光学装置の断面図である。図８は
ＭＯＳトランジスターを各画素に配置した例である。８
０２は画素電極、８０３は層間絶縁層、８０４は液晶
層、８０５は対向する透明基板８０６に蒸着された透明
電極、８０７は偏光板である。ここで用いたデバイスは
日経エレクトロニクス（１９８１）２月１６日号ｐ．１
６４に記載のものに準じている。詳細の仕様を第１表に
示す。 （表１） 画素数 ２２０×３２０ 画素ピッチ ８０×９０μｍ 駆動電圧 ±４Ｖ（Ｘ側） １２Ｖ（Ｙ側） 表示モード ＴＮ〜ＥＣＢ（電界効果複屈折） 液晶層厚 ２．４μｍ △ｎｄ ０．２ ツイスト角 ６３° 制御基板 不透明半導体基板（Ｓｉ） 反射面（電極） Ａ１（Ｓｉ０２のオーバーコート付） フロセス ＣＭＯＳ 画素トランジスター ＮＭＯＳトランジスター ゲート ポリシリコン シフトレジスター スタティック 他にもＴＦＴ、ダイオード等をアレイ化したアクティブ
マトリクスに適用することができる。
【００２０】このような反射型の表示モードを用いる
と、図８に示すように配線やアクテイブ素子を画素電極
の下に設置することができる。この結果、画素面積に対
する実際の画素である画素電極の割合（開口率）を、配
線やアクテイブ素子に係わらず大きく確保でき、画素数
の増加にともなう開口率の低下を防ぐことができる。
と、図８に示すように配線やアクテイブ素子を画素電極
の下に設置することができる。この結果、画素面積に対
する実際の画素である画素電極の割合（開口率）を、配
線やアクテイブ素子に係わらず大きく確保でき、画素数
の増加にともなう開口率の低下を防ぐことができる。
【００２１】さらに配線や画素のアクテイブ素子だけで
なく、シフトレジスター等の画素情報を分配するための
駆動周辺回路を同一のＳｉ基板上に内蔵することができ
る。図１０はその構成図である。Ｘ側は３２０段のシフ
トレジスター１００１とサンプルホルダー１００２、Ｙ
側は２２０段の同じくシフトレジスター１００３を表示
領域１００４の周辺に形成されている。これらはＣＭＯ
Ｓプロセスで形成されている。
なく、シフトレジスター等の画素情報を分配するための
駆動周辺回路を同一のＳｉ基板上に内蔵することができ
る。図１０はその構成図である。Ｘ側は３２０段のシフ
トレジスター１００１とサンプルホルダー１００２、Ｙ
側は２２０段の同じくシフトレジスター１００３を表示
領域１００４の周辺に形成されている。これらはＣＭＯ
Ｓプロセスで形成されている。
【００２２】また透過型の構造では開口率を上げるため
に配線幅に制限があったが、本発明では低抵抗の金属配
線を、ルールの制限なく画素電極の下に設置できるた
め、配線抵抗による伝送帯域の低下も生じ難い。
に配線幅に制限があったが、本発明では低抵抗の金属配
線を、ルールの制限なく画素電極の下に設置できるた
め、配線抵抗による伝送帯域の低下も生じ難い。
【００２３】またゲストホスト型と比較すると、光量の
損失が少ない。さらに従来のＴＮ型反射液晶素子のよう
に下側に偏光板、拡散型の反射板を必要としないため表
示が明るく、カラーフィルターを用いることにより少な
い照明下でもカラー画像が得られる利点がある。
損失が少ない。さらに従来のＴＮ型反射液晶素子のよう
に下側に偏光板、拡散型の反射板を必要としないため表
示が明るく、カラーフィルターを用いることにより少な
い照明下でもカラー画像が得られる利点がある。
【００２４】更に液晶厚が薄いため、液晶層の保持容量
が増加する利点もある。 （実施例４）図９は光によって書き込むタイプの反射型
電気光学装置の断面図である。９０１は光導電体層であ
り、光によってインピーダンスが変化し、液晶層９０２
にかかる電界を制御する。９０３は反射ミラー、９０４
は透明電極である。この様な装置は特開昭５６−４３６
８１や、Ｊ．ｏｐｔ．Ｓｏｃ．Ａｍ．，Ｖｏ１．７０，
ＮＯ．３，２８７（１９８０）に開示されているが、本
実施例では、液晶層の構成を前述したように△ｎｄを
０．２とし、約６０度ツイストさせている。これにより
従来は△ｎｄ＝０．１８と小さく、液晶層厚が２μｍ以
下であったものが、本発明では２μｍ以上に液晶層厚を
増やすことができた。またＰＢＳを用いて最適配置をし
た場合のオフ反射率が最大８０％程度であったが、これ
もほぼ１００％近くとれるようになった。
が増加する利点もある。 （実施例４）図９は光によって書き込むタイプの反射型
電気光学装置の断面図である。９０１は光導電体層であ
り、光によってインピーダンスが変化し、液晶層９０２
にかかる電界を制御する。９０３は反射ミラー、９０４
は透明電極である。この様な装置は特開昭５６−４３６
８１や、Ｊ．ｏｐｔ．Ｓｏｃ．Ａｍ．，Ｖｏ１．７０，
ＮＯ．３，２８７（１９８０）に開示されているが、本
実施例では、液晶層の構成を前述したように△ｎｄを
０．２とし、約６０度ツイストさせている。これにより
従来は△ｎｄ＝０．１８と小さく、液晶層厚が２μｍ以
下であったものが、本発明では２μｍ以上に液晶層厚を
増やすことができた。またＰＢＳを用いて最適配置をし
た場合のオフ反射率が最大８０％程度であったが、これ
もほぼ１００％近くとれるようになった。
【００２５】以上実施例を述べたが、本発明は以上の実
施例のみならず、広く反射型の光制御装置に応用が可能
である。
施例のみならず、広く反射型の光制御装置に応用が可能
である。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、光入
射側の基板内面に減反射コーティングが施されてなるた
めに、光反射側の基板から反射された光が、光入射側基
板内面で再度反射して、反射面側に戻ることを抑えるの
で、明るい表示を得ることができ、反射面にて反射して
液晶層を透過した光がそのまま光入射側基板を抜けるの
で、迷光を減らしてコントラストを向上することができ
る。
射側の基板内面に減反射コーティングが施されてなるた
めに、光反射側の基板から反射された光が、光入射側基
板内面で再度反射して、反射面側に戻ることを抑えるの
で、明るい表示を得ることができ、反射面にて反射して
液晶層を透過した光がそのまま光入射側基板を抜けるの
で、迷光を減らしてコントラストを向上することができ
る。
【図１】本発明の反射型電気光学装置の断面図である。
【図２】液晶の配向を示す斜視図である。
【図３】図１の装置の印加電圧と反射率（５５０ｎｍ）
の特性図である。
の特性図である。
【図４】楕円偏光の軌跡図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は△ｎｄとオフ時の反射率を示
すグラフである。
すグラフである。
【図６】（ａ）、（ｂ）は△ｎｄと反射率の関係を示す
グラフである。
グラフである。
【図７】偏光素子にＰＢＳを用いた反射型液晶電気光学
装置の構成図である。
装置の構成図である。
【図８】アクティブマトリクスによってアドレスされた
反射型電気光学装置の断面図である。
反射型電気光学装置の断面図である。
【図９】光によって書き込むタイプの反射型電子光学装
置の断面図である。
置の断面図である。
【図１０】周辺回路を内蔵した反射型電気光学装置の構
成図である。
成図である。
１０１・・・透明基板 １０２・・・反射性膜 １０３・・・対向基板 １０４・・・ツイストしたネマチック液晶 ２０２・・・液晶分子 ２０３・・・ダイレクター（分子軸） ２０４・・・偏光の電界振動面 ４０１・・・反射面での円偏光 ７０１・・・ＰＢＳ ８０１・・・ＭＯＳトランジスター ９０１・・・光導電体 ９０２・・・液晶層 ９０３・・・反射ミラー １００１，１００３・・・Ｘ、Ｙのシフトレジスター １００２・・・サンプルホールダー １００４・・・表示領域
【手続補正書】
【提出日】平成１２年３月１日（２０００．３．１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の反射型
液晶電気光学装置には、反射面で反射した光量の損失が
生じるという課題があった。そこで本発明では、光量損
失の少ない、製作上のマージンの多い反射型電気光学装
置を提供することを目的とするものである。
液晶電気光学装置には、反射面で反射した光量の損失が
生じるという課題があった。そこで本発明では、光量損
失の少ない、製作上のマージンの多い反射型電気光学装
置を提供することを目的とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】削除
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の電気光学装置
は、対向する一対の基板間に液晶層を挟持した電気光学
装置において、前記一対の基板のうちの一方の基板の液
晶層側に反射面を有し、前記一対の基板のうちの他方の
基板の液晶層側には減反射コーティングを施してなるこ
とを特徴とする。また、前記他方の基板の外側にも減反
射コーティングを施してなることを特徴とする。また、
前記他方の基板から入射した入射光が前記液晶層を透過
して前記反射面にてほぼ円偏光となり、前記反射面で反
射し前記液晶層を再び透過して出射する反射光が、前記
入射光とほぼ９０度その偏光面が回転した直線偏光状態
となるように、前記液晶層が設定されてなることを特徴
とする。
は、対向する一対の基板間に液晶層を挟持した電気光学
装置において、前記一対の基板のうちの一方の基板の液
晶層側に反射面を有し、前記一対の基板のうちの他方の
基板の液晶層側には減反射コーティングを施してなるこ
とを特徴とする。また、前記他方の基板の外側にも減反
射コーティングを施してなることを特徴とする。また、
前記他方の基板から入射した入射光が前記液晶層を透過
して前記反射面にてほぼ円偏光となり、前記反射面で反
射し前記液晶層を再び透過して出射する反射光が、前記
入射光とほぼ９０度その偏光面が回転した直線偏光状態
となるように、前記液晶層が設定されてなることを特徴
とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明の詳細
を示す。 （実施例１）図１は本発明の反射型電気光学装置の断面
図である。透明基板１０１と反射性膜１０２を設置され
た対向基板１０３の間にツイストしたネマチック液晶１
０４がはさまれた構造となっている。１０５は電界を液
晶層に印加するための透明電極である。もう一方の電極
は金属薄膜で形成された反射性膜１０２が兼ねている。
本発明では、透明基板１０１側から入射する光が液晶１
０４を透過して対向基板１０３の反射性膜１０２で反射
し、再び液晶１０４を透過して透明基板１０１から出射
する工程における光量の損失を抑えるために、光入射側
に位置する透明基板１０１の入出射面、透明電極面に減
反射コーティング１０６施し、これにより不要な光線反
射を抑制している。図２は液晶の配向を示す斜視図であ
る。図２はネマチック液晶層のツイスト角２０１は６３
度、液晶の複屈折と液晶層厚の積（μｍ単位、以下、△
ｎｄと称する）は０．２の場合である。近接して設置さ
れた偏光素子により直線偏光となった入射光は、入射側
の液晶分子２０２のダイレクター２０３に電界振動面２
０４が沿って入射するように角度が設定されている。つ
まり分子の配列は、印加電圧が零の時、図２のように基
板界面で平行に配向し、上下の基板間で６３度をなすよ
うに配向処理されている。この配向処理はラビング、斜
方蒸着等により行うことができる。同じように直線偏光
した入射光が入り、反射面では円偏光となり、反射後出
射面では入射光と９０度偏光面が回転した直線偏光とな
る条件である１９３度のツイスト角、△ｎｄ＝０．５８
の場合も同様な構造である。
を示す。 （実施例１）図１は本発明の反射型電気光学装置の断面
図である。透明基板１０１と反射性膜１０２を設置され
た対向基板１０３の間にツイストしたネマチック液晶１
０４がはさまれた構造となっている。１０５は電界を液
晶層に印加するための透明電極である。もう一方の電極
は金属薄膜で形成された反射性膜１０２が兼ねている。
本発明では、透明基板１０１側から入射する光が液晶１
０４を透過して対向基板１０３の反射性膜１０２で反射
し、再び液晶１０４を透過して透明基板１０１から出射
する工程における光量の損失を抑えるために、光入射側
に位置する透明基板１０１の入出射面、透明電極面に減
反射コーティング１０６施し、これにより不要な光線反
射を抑制している。図２は液晶の配向を示す斜視図であ
る。図２はネマチック液晶層のツイスト角２０１は６３
度、液晶の複屈折と液晶層厚の積（μｍ単位、以下、△
ｎｄと称する）は０．２の場合である。近接して設置さ
れた偏光素子により直線偏光となった入射光は、入射側
の液晶分子２０２のダイレクター２０３に電界振動面２
０４が沿って入射するように角度が設定されている。つ
まり分子の配列は、印加電圧が零の時、図２のように基
板界面で平行に配向し、上下の基板間で６３度をなすよ
うに配向処理されている。この配向処理はラビング、斜
方蒸着等により行うことができる。同じように直線偏光
した入射光が入り、反射面では円偏光となり、反射後出
射面では入射光と９０度偏光面が回転した直線偏光とな
る条件である１９３度のツイスト角、△ｎｄ＝０．５８
の場合も同様な構造である。
Claims (1)
- 【請求項１】 対向する一対の基板間に液晶層を挟持し
た電気光学装置において、 前記一対の基板のうちの一方の基板の液晶層側に反射面
を有し、 前記一対の基板のうちの他方の基板の液晶層側には減反
射コーティングを施してなることを特徴とする電気光学
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000041720A JP3191812B2 (ja) | 1988-07-14 | 2000-02-18 | 電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17603688 | 1988-07-14 | ||
| JP63-176036 | 1988-07-14 | ||
| JP2000041720A JP3191812B2 (ja) | 1988-07-14 | 2000-02-18 | 電気光学装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31106996A Division JP3219130B2 (ja) | 1988-07-14 | 1996-11-21 | 電気光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000199896A true JP2000199896A (ja) | 2000-07-18 |
| JP3191812B2 JP3191812B2 (ja) | 2001-07-23 |
Family
ID=26497113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000041720A Expired - Lifetime JP3191812B2 (ja) | 1988-07-14 | 2000-02-18 | 電気光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3191812B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6104436B1 (ja) * | 2016-07-28 | 2017-03-29 | 株式会社オプトエレクトロニクス | 光走査モジュール |
-
2000
- 2000-02-18 JP JP2000041720A patent/JP3191812B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6104436B1 (ja) * | 2016-07-28 | 2017-03-29 | 株式会社オプトエレクトロニクス | 光走査モジュール |
| JP2018017915A (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 株式会社オプトエレクトロニクス | 光走査モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3191812B2 (ja) | 2001-07-23 |
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Legal Events
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