JP3584934B2 - 電気光学装置 - Google Patents
電気光学装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3584934B2 JP3584934B2 JP2003103300A JP2003103300A JP3584934B2 JP 3584934 B2 JP3584934 B2 JP 3584934B2 JP 2003103300 A JP2003103300 A JP 2003103300A JP 2003103300 A JP2003103300 A JP 2003103300A JP 3584934 B2 JP3584934 B2 JP 3584934B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- electro
- optical device
- crystal layer
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は電気光学装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のスイッチング素子アレイを配された反射型液晶電気光学装置は日経エレクトロニクス1981.2/16号P.164に記載のように対向電極には透明基板、スイッチング素子アレイを配された基板にはSi等の不透明基板を用いるものであった。
【0003】
また、透明基板に薄膜トランジスタ(以下、TFTと称する)、非線形スイッチング素子を設置したものでは透過型として用いるため対向する基板は透明な基板を用いていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし従来の反射型液晶電気光学装置には、スイッチング素子アレイを配された基板の画素部分に反射体を設置する必要があり、製作工数の増加や、透明電極で確立された工程の変更を必要とした。さらに透過型では、対向基板上の画素周辺を覆う遮光マスクと、スイッチング素子アレイの位置合わせを行なわなければならない課題があった。そこで本発明では、従来のスイッチング素子アレイをそのままで用いることができ、さらに遮光マスクとの位置合わせが要らない反射型電気光学装置を提供することを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、一対の基板間に液晶層が配置され、前記液晶層を挟んで反射体及び偏光素子が配置されてなり、前記液晶層に電圧を印加しないときには、前記偏光素子を透過した光は、前記液晶層を透過し、前記反射体で反射された後、前記液晶層を透過することにより、前記偏光素子を透過した際とは90度その偏光面が回転して前記偏光素子に入射して当該偏光素子で阻止されるように構成されてなる電気光学装置であって、前記偏光素子側に位置する前記基板には、遮光マスクが前記電気光学装置の画素間に配置され、当該遮光膜は光吸収によって遮光するマスクであることを特徴とする。
また、上記電気光学装置において、前記液晶層には前記偏光素子を通過して直線偏光となった光が入射し、前記液晶層を透過することによって円偏光となって前記反射体に反射されることを特徴とする。
また、上記電気光学装置において、前記反射体は金属薄膜からなり、前記反射体及びスイッチング素子に接続された画素電極によって前記液晶層に電圧が印加されることを特徴とする。
また、上記電気光学装置において、前記液晶層は、ツイストしたネマチック液晶を含むことを特徴とする。
【0006】
さらに液晶層は、直線偏光した入射光が、反射面では円偏光となり、反射後出射面では入射光と90度偏光面が回転した直線偏光となるツイストしたネマチック液晶層であることを特徴とする。
【0007】
またツイストしたネマチック液晶の入射面の分子軸に平行、または垂直に直線偏光した入射光が入り、反射後出射面では入射光と90度偏光面が回転した直線偏光となるツイストしたネマチック液晶層を挟持したことを特徴とする。
【0008】
またスイッチング素子アレイは、各画素に配置された薄膜トランジスタアレイであることを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
実施例1.
第1図は本発明の反射型電気光学装置の断面図である。スイッチング素子アレイ基板103に対向した反射体101が設置された対向基板102との間に液晶104がはさまれた基本構造をとっている。ここでは液晶層にツイストしたネマチック液晶(以下TNと称する)を用いた。105は画素電極、106は偏光板、107はスイッチング素子である。電界印加のためのもう一万の電極は、金属薄膜で形成された反射体101が兼ねている。さらに入出射面、透明電極面には減反射コーティングが施され、不要な光線反射を抑制している。
【0010】
次に本実施例で用いた反射型の液晶表示モードについて説明する。一般的な電界効果複屈折型の表示モード(以下ECBと称する)の使用は可能であるが本実施例ではツイストしたネマチック液晶を用いたECBモードを用いた。
【0011】
本実施例ではスイッチング素子基板に第1表に示すTFTアクティブマトリックス方式、液晶層に上述したTN−ECBモードを用いている。詳細な駆動法及び構成は、日経エレクトロニクスNo.351(1981)p.211,SID′83DIGESTp.156(1983)、 SID′,85DIGESTp.278(1985)、Japan Display′89p.192に記載のものに準じている。
【0012】
【表1】
第2図は第1図の装置のビデオ印加電圧と反射率(550nm)の特性である。初めに電圧が零の時を説明する。直線偏光302が入射すると、第3図に示すように楕円偏光の軌跡が回転する。反射体面ではほぼ円偏光301となり、位相が180度回転し反射される。再び液晶層を透過し、出射面ではほぼ90度偏光面が回転した直線偏光303となり出射する。このため偏光素子で阻止され、反射率が低下する(オフ状態)。次に電圧が印如された場合を説明する。液晶分子は誘電率の異方性のために、電界方向に再配列する。これにより入射光に対する複屈折の異方性が消失し、入射した直線偏光がそのまま維持されて反射し、出射する。従って反射率の低下はない(オン状態)。
【0013】
このような偏光の変化を生ずるのは限られた条件のもとであり、この条件を鋭意検討した結果本発明にいたった。液晶層に求められる光学的な特性は、直線偏光の入射に対し透過後円偏光となること、反射層で位相が180度シフトし、液晶層を逆に透過したときに90度偏光面が回転していることのふたつである。
【0014】
第4図(a)、(b)は△ndとオフ時の反射率を示すグラフである。なおパラメーターに液晶層のツイスト角をとり、入射光の偏光面は入射面の液晶分子のダイレクターに合わせた。オン時の反射率は、偏光素子の透過率によって決まり、ほぼ一定である。これによると、約60度のツイスト角、△nd=0.2の時に反射率がほぼ零となることが分かった。更に詳細に調べた結果、63度のツイスト角が最適であることが分かった。この時の楕円偏光の軌跡をみると、第3図に示すように、反射面では円偏光となり、出射面では入射時と90度回転した直線偏光となる。これを1/4λ板の場合と比べると、液晶のダイレクターに沿って偏光が入射するため、複屈折を感受しにくく、同じ位相の変化を受けるためには大きな△ndを必要とすること、△ndに対する周期性が少ないことが特徴である。これは液晶層の厚みを比較的大きく設定でき、製造におけるマージンを確保するものである。
【0015】
また、△nの効果は液晶のダイレクターに対し直線偏光が垂直に入射した場合も全く同様に働く。これは△nには正負が無いためである。
【0016】
第5図(a),(b)はパラメーターに偏光素子の液晶のダイレクターに対する配置角をとり、△ndと反射率の関係を示すものである。これによると偏光素子の方向が+30度の時にも反射率が零の条件がある。この場合の楕円偏光の軌跡を見ると第4図と同じように反射面で円偏光になっている。
【0017】
パラメーターを振ることによってこの様な条件を他にも見つけることができる。しかし、波長による反射率変動を低く抑えるためには最小の△ndに設定する必要があり、さらに極端に小さな△ndでは液晶厚が小さくなりすぎるため、この間で選択する必要がある。光学長が2倍になる反射型では、透過型の液晶素子では許容される液晶厚が製作上の問題となる。そこで△ndが少しでも大きいことが求められる。これは素子製作のマージンを大きくするためである。前述の△nd=0・2の条件でみると、△nが小さな液晶の典型的な値、△n=0・08では、dが2.5μmとなる。
これに対し、従来例で述べた45度ツイストしたタイプでは、最適な液晶厚が2μmを下まわり、素子の均一性や歩留まりを低下させる要因になっている。
【0018】
また、このような液晶モードは無電界時に非透過状態(黒)と設定できることから、画素電極のない部分の遮光マスクが不要となる。
【0019】
実施例2.
第6図はスイッチング素子アレイ基板側に遮光マスクを設置した場合の断面図である。基本的な構造は実施例1と同様である。601は対向基板上に設けられた反射体、602はスイッチング素子アレイ基板603上に設置された遮光マスクである。本実施例ではアルミーシリコン合金薄膜をTFT領域607と画素の境界領域608に設置し、TFTの光電流リークと光のもれを同時に防止している。604は液晶、605は画素電極、606は偏光板である。
【0020】
金属薄膜では入射光を反射によって遮光するものであるが、光吸収によって遮光するマスクであっても同様な効果を発揮する。
【0021】
これによると対向基板との張り合わせ時に位置合わせの必要がなく、製造が簡単になるばかりか、マスク合わせ工程を含むスイッチング素子アレイの製作時に設置できるため、合わせ精度の向上が図れる。
【0022】
実施例3.
第7図は偏光素子に偏光ビームスプリッター(以下、PBSと称する)を用いた反射型液晶電気光学装置の構成図である。
【0023】
701がPBSであり、光源光703を直線偏光し液晶パネル702に入射させる。液晶パネルの構成、出射までのプロセスは実施例1と同様である。出射光を検光する手段がPBSでは入射時と90度ずれている。このため反射出力光704は無電界時に小さくなり、印加電圧と反射率の特性は、実施例1の第3図と縦軸に対し対称なものとなる。
【0024】
実施例4.
本発明はここでダイオード等をアレイ化したアクティブマトリクスにも適用することができる。
【0025】
第8図はダイオード素子に金属−絶縁体−金属素子(以下MIMと称する)を用いたMIM液晶電気光学装置の断面図である。基本構造は画素電極を設置されたMIM基板802と反射体801を有する対向基板803の間に液晶804がはさまれたものである。805は電界を液晶層に印加するための対向基板上の電極であり、画素サイズに対応したストライプ電極である。この対向電極は絶縁性反射体801の上に設置されている。本実施例では絶縁性反射体として誘電体多層膜によるミラーを用いた。この誘電体多層膜によるミラーは対向電極の上下を問わず設置が可能である。基板806上にライン状の信号伝送配線807、その一部に作られた薄い絶縁体からなるMIM素子808、それに電気的に接続された画素電極812からなっている。810は減反射コーティング、811は偏光素子である。
【0026】
より具体的な構成を第2表に示す。
【0027】
【表2】
以上実施例を述べたが、本発明は以上の実施例のみならず、広く反射型の光制御装置に応用が可能である。
【0028】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、スイッチング素子アレイと対向する基板に反射体を設置するだけで電気光学装置が構成できる。
【0029】
また、無電界時に非透過状態(黒)と設定できることからセルフアライン型の遮光マスクとすることができる。
【0030】
さらにスイッチング素子アレイ側に遮光マスクを設置できることから正確なマスク位置合わせができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の反射型電気光学装置の断面図である。
【図2】第1図の装置の印加電圧と反射率(550nm)の特性図である。
【図3】第2図の楕円偏光の軌道を示す図である。
【図4】(a),(b)は△ndと反射率の関係を示すグラフである。
【図5】(a),(b)はパラメーターに偏光素子の液晶のダイレクターに対する配置角をとり、△ndと反射率の関係を示すものである。
【図6】スイッチング素子アレイ基板側に遮光マスクを設置した場合の断面図である。
【図7】偏光素子にPBSを用いた反射型液晶電気光学装置の構成図である。
【図8】MIMダイオードによってアドレスされた反射型電気光学装置の断面図である。
【符号の説明】
101…反射体
102…対向基板
103…スイッチング素子アレイ基板
104…液晶層
301…反射面での円偏光
701…PBS
801…反射体
802…MIM基板
803…対向基板
804…液晶
805…対向電極
806…基板
807…信号伝送配線
808…MIM素子
Claims (4)
- 一対の基板間に液晶層が配置され、前記液晶層を挟んで反射体及び偏光素子が配置されてなり、
前記液晶層に電圧を印加しないときには、前記偏光素子を透過した光は、前記液晶層を透過し、前記反射体で反射された後、前記液晶層を透過することにより、前記偏光素子を透過した際とは90度その偏光面が回転して前記偏光素子に入射して当該偏光素子で阻止されるように構成されてなる電気光学装置であって、
前記偏光素子側に位置する前記基板には、遮光マスクが前記電気光学装置の画素間に配置され、当該遮光膜は光吸収によって遮光するマスクであることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1に記載の電気光学装置において、
前記液晶層には前記偏光素子を通過して直線偏光となった光が入射し、前記液晶層を透過することによって円偏光となって前記反射体に反射されることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の電気光学装置において、
前記反射体は金属薄膜からなり、前記反射体及びスイッチング素子に接続された画素電極によって前記液晶層に電圧が印加されることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の電気光学装置において、
前記液晶層は、ツイストしたネマチック液晶を含むことを特徴とする電気光学装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003103300A JP3584934B2 (ja) | 2003-04-07 | 2003-04-07 | 電気光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003103300A JP3584934B2 (ja) | 2003-04-07 | 2003-04-07 | 電気光学装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001391968A Division JP2002277869A (ja) | 2001-12-25 | 2001-12-25 | 反射型電気光学装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004029741A JP2004029741A (ja) | 2004-01-29 |
JP3584934B2 true JP3584934B2 (ja) | 2004-11-04 |
Family
ID=31185336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003103300A Expired - Lifetime JP3584934B2 (ja) | 2003-04-07 | 2003-04-07 | 電気光学装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3584934B2 (ja) |
-
2003
- 2003-04-07 JP JP2003103300A patent/JP3584934B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004029741A (ja) | 2004-01-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100748766B1 (ko) | 액정 장치 및 투사형 표시 장치 | |
KR100670168B1 (ko) | 투과반사액정표시장치 | |
US8314906B2 (en) | Phase delay element for transmissive and reflective type liquid crystal display | |
TWI407213B (zh) | 液晶顯示裝置 | |
KR100883986B1 (ko) | 콜레스테릭 액정 컬러필터과 콜레스테릭 액정 편광판을포함하는 액정표시장치 | |
US20070263145A1 (en) | Liquid crystal display device | |
JP2009258332A (ja) | 液晶表示装置、電子機器 | |
US20060114381A1 (en) | Liquid crystal display device with dual modes | |
JP2001330844A5 (ja) | ||
US20070126963A1 (en) | Transflective liquid crystal display device | |
KR20010066252A (ko) | 위상차 필름을 포함하는 반사형 액정표시장치와반사투과형 액정표시장치 | |
JP4506183B2 (ja) | 液晶装置および投射型表示装置 | |
JP3256656B2 (ja) | 偏向素子 | |
KR101398556B1 (ko) | 반투과형 액정 표시 장치 | |
JP3584934B2 (ja) | 電気光学装置 | |
JP3329306B2 (ja) | 反射型液晶電気光学装置 | |
JP2616014B2 (ja) | 反射型液晶電気光学装置 | |
JP3127915B2 (ja) | 電気光学装置 | |
US8035783B2 (en) | Liquid crystal display device and electronic apparatus | |
JP2946563B2 (ja) | 反射型液晶電気光学装置 | |
JP2955617B2 (ja) | 反射型液晶電気光学装置 | |
JP2006301634A (ja) | 表示パネル、その製造方法、及びこれを有する表示装置 | |
KR100840244B1 (ko) | 반투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
US20060146270A1 (en) | OCB mode transflective liquid crystal display device | |
JP2002277869A (ja) | 反射型電気光学装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031222 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040323 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040524 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040528 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040713 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040726 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070813 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080813 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080813 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090813 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090813 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100813 Year of fee payment: 6 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100813 Year of fee payment: 6 |