JP6102666B2

JP6102666B2 - Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Info

Publication number: JP6102666B2
Application number: JP2013206635A
Authority: JP
Inventors: 禎大高田
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2013-10-01
Filing date: 2013-10-01
Publication date: 2017-03-29
Anticipated expiration: 2033-10-01
Also published as: JP2015072128A

Description

本発明は、半導体装置の検査装置および半導体装置の検査方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor device inspection apparatus and a semiconductor device inspection method.

従来、例えば、特開平０１−１６１１７１号公報に開示されているように、半導体装置を加熱するためのヒータを内蔵した半導体装置の検査装置が知られている。この検査装置では、内蔵したヒートブロックの上面に、半導体装置のパッケージ底面が接触させられる。ヒートブロックを熱源として用いて、半導体装置を直接に所定温度にまで加熱することができる。 2. Description of the Related Art Conventionally, as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 01-161171, a semiconductor device inspection apparatus incorporating a heater for heating a semiconductor device is known. In this inspection apparatus, the package bottom surface of the semiconductor device is brought into contact with the top surface of the built-in heat block. The semiconductor device can be directly heated to a predetermined temperature using the heat block as a heat source.

特開平０１−１６１１７１号公報Japanese Patent Laid-Open No. 01-161171 特開２０００−３０６９６２号公報JP 2000-306962 A 特開２００９−２２４７９８号公報JP 2009-224798 A 実開昭６２−０４７９７９号公報Japanese Utility Model Publication No. 62-047979 特開２００２−３７２５６６号公報JP 2002-372666 A 特開昭６０−２５３８８４号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-253484 特開平０５−１７２７３５号公報JP 05-172735 A 特開２０１２−１７５０４６号公報JP 2012-175046 A 特開平６−２０９０３９号公報JP-A-6-209039

半導体装置の温度特性検査を行う場合には、半導体装置を加熱する。ここでいう温度特性検査とは、半導体装置を所定温度まで加熱した状態で、半導体装置の電気的特性を検査することである。半導体装置の加熱は、一般に、ホットプレート等のステージに内蔵したヒータで半導体装置を加熱したり、恒温槽またはリフロー炉等で半導体装置を加熱したりすることで行うことができる。 When performing temperature characteristic inspection of a semiconductor device, the semiconductor device is heated. The temperature characteristic inspection herein refers to inspecting the electrical characteristics of the semiconductor device while the semiconductor device is heated to a predetermined temperature. In general, the semiconductor device can be heated by heating the semiconductor device with a heater built in a stage such as a hot plate or by heating the semiconductor device in a thermostatic bath or a reflow furnace.

加熱により一定温度に達した半導体装置の電極端子に対して、電気的特性検査用のコンタクトピンを接触させる必要がある。このとき、コンタクトピンおよび電極端子が熱伝導経路となって半導体装置の熱が逃げてしまい、半導体装置の温度が低下してしまう。このような意図しない温度低下により、温度特性検査の精度が悪化するという問題があった。 It is necessary to bring a contact pin for electrical characteristic inspection into contact with the electrode terminal of the semiconductor device that has reached a certain temperature by heating. At this time, the contact pin and the electrode terminal serve as a heat conduction path, and the heat of the semiconductor device escapes, and the temperature of the semiconductor device decreases. There is a problem that the accuracy of the temperature characteristic inspection deteriorates due to such an unintended temperature drop.

本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、精度良く温度特性検査を行うことのできる半導体装置の検査装置および半導体装置の検査方法を提供することを目的とする。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to provide a semiconductor device inspection apparatus and a semiconductor device inspection method capable of performing a temperature characteristic inspection with high accuracy.

本発明にかかる半導体装置の検査装置は、
第１ヒータを備えたステージと、
前記ステージの上に載せられた半導体装置を覆うためのカバーと、
前記カバーの内面に設けられたコンタクトピンと、
前記カバーに設けられ前記コンタクトピンを加熱する第２ヒータと、
を備え、
前記カバーは、
カバー本体と、
前記カバー本体の縁に沿って前記縁を覆い、前記カバー本体に近づく方向と遠ざかる方向に可逆的にスライド可能な枠部と、
前記カバー本体の縁と前記枠部との間に設けられたバネと、
を含むことを特徴とする。 A semiconductor device inspection apparatus according to the present invention includes:
A stage with a first heater;
A cover for covering the semiconductor device placed on the stage;
Contact pins provided on the inner surface of the cover;
A second heater provided on the cover for heating the contact pin;
Equipped with a,
The cover is
A cover body;
A frame that covers the edge along the edge of the cover body and is slidable in a reversible direction toward and away from the cover body;
A spring provided between an edge of the cover body and the frame portion;
It is characterized by including .

本発明にかかる半導体装置の検査方法は、
第１ヒータを備えたステージに半導体装置を載せるステップと、
内面に設けられたコンタクトピンと、前記コンタクトピンを加熱する第２ヒータと、を備えたカバーを準備するステップと、
前記ステージの上に載せられた半導体装置を前記カバーで覆い、前記電極端子に前記コンタクトピンを接触させるステップと、
前記第１ヒータおよび前記第２ヒータに通電して前記半導体装置および前記コンタクトピンを加熱し、前記コンタクトピンを介して前記半導体装置の電気的測定を行うステップと、
を備え、
前記カバーは、
カバー本体と、
前記カバー本体の縁に沿って前記縁を覆い、前記カバー本体に近づく方向と遠ざかる方向に可逆的にスライド可能な枠部と、
前記カバー本体の縁と前記枠部との間に設けられたバネと、
を含むことを特徴とする。 A method for inspecting a semiconductor device according to the present invention includes:
Placing the semiconductor device on a stage having a first heater;
Providing a cover comprising contact pins provided on an inner surface and a second heater for heating the contact pins;
Covering the semiconductor device placed on the stage with the cover and bringing the contact pins into contact with the electrode terminals;
Energizing the first heater and the second heater to heat the semiconductor device and the contact pin, and performing an electrical measurement of the semiconductor device via the contact pin;
Equipped with a,
The cover is
A cover body;
A frame that covers the edge along the edge of the cover body and is slidable in a reversible direction toward and away from the cover body;
A spring provided between an edge of the cover body and the frame portion;
It is characterized by including .

本発明によれば、コンタクトピンを介して半導体装置から熱が逃げることを抑制し、精度良く温度特性検査を行うことができる。 According to the present invention, heat can be prevented from escaping from the semiconductor device via the contact pins, and the temperature characteristic inspection can be performed with high accuracy.

本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の検査装置を示す図である。It is a figure which shows the test | inspection apparatus of the semiconductor device concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の検査装置を示す図である。It is a figure which shows the test | inspection apparatus of the semiconductor device concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の検査装置を示す図である。It is a figure which shows the test | inspection apparatus of the semiconductor device concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の検査装置を示す図である。It is a figure which shows the test | inspection apparatus of the semiconductor device concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の検査装置を示す図である。It is a figure which shows the test | inspection apparatus of the semiconductor device concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の検査装置を示す図である。It is a figure which shows the test | inspection apparatus of the semiconductor device concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の検査方法を示すフローチャートである。3 is a flowchart showing a semiconductor device inspection method according to the first exemplary embodiment of the present invention; 本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の検査装置を示す図である。It is a figure which shows the test | inspection apparatus of the semiconductor device concerning Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の検査装置を示す図である。It is a figure which shows the test | inspection apparatus of the semiconductor device concerning Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態３にかかる半導体装置の検査装置を示す図である。It is a figure which shows the test | inspection apparatus of the semiconductor device concerning Embodiment 3 of this invention.

実施の形態１．
図１乃至６は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の検査装置１を示す図である。図１は、検査装置１の全体を示す斜視図である。 Embodiment 1 FIG.
1 to 6 are diagrams showing a semiconductor device inspection apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a perspective view showing the entire inspection apparatus 1.

検査装置１は、ホットプレート６と、カバー２と、昇降シリンダ５を備えている。ホットプレート６は、筐体型半導体装置３を載せるためのステージであり、ステージ用ヒータ６ａを備えている。検査装置１は、筐体型半導体装置３の温度特性検査を行うための装置である。ここでいう温度特性検査とは、筐体型半導体装置３を所定温度まで加熱した状態で、筐体型半導体装置３の電気的特性を検査することである。 The inspection device 1 includes a hot plate 6, a cover 2, and an elevating cylinder 5. The hot plate 6 is a stage on which the housing type semiconductor device 3 is placed, and includes a stage heater 6a. The inspection device 1 is a device for performing a temperature characteristic inspection of the housing type semiconductor device 3. The temperature characteristic inspection herein refers to inspecting the electrical characteristics of the housing type semiconductor device 3 in a state where the housing type semiconductor device 3 is heated to a predetermined temperature.

検査装置１は、昇降シリンダ５を備えている。昇降シリンダ５には、アーム５ａが設けられている。アーム５ａが上下に移動することで、カバー２を上下動させることができる。昇降シリンダ５に内蔵された制御部が制御プログラムを実行することで、アーム５ａが制御される。 The inspection device 1 includes an elevating cylinder 5. The lift cylinder 5 is provided with an arm 5a. By moving the arm 5a up and down, the cover 2 can be moved up and down. The arm 5a is controlled by the control unit built in the elevating cylinder 5 executing the control program.

カバー２は、カバー本体２ａを備えている。カバー本体２ａは、底部２１およびこの底部２１を囲う側面部２２を備えた箱型の構造である。底部２１および側面部２２は、凹部２ｃを形成する。この凹部２ｃに、筐体型半導体装置３が収まるようになっている。凹部２ｃの縁がホットプレート６に接することで、凹部２ｃ内面およびホットプレート６の上面によって密閉空間が形成される。 The cover 2 includes a cover body 2a. The cover body 2a has a box-type structure including a bottom portion 21 and a side surface portion 22 surrounding the bottom portion 21. The bottom part 21 and the side part 22 form the recessed part 2c. The housing type semiconductor device 3 is accommodated in the recess 2c. When the edge of the recess 2 c contacts the hot plate 6, a sealed space is formed by the inner surface of the recess 2 c and the upper surface of the hot plate 6.

カバー２は、温度特性検査の実行中に、ホットプレート６上に載せられた筐体型半導体装置３を覆う。カバー２の内面すなわち凹部２ｃの内面には、筐体型半導体装置３の電極端子３ａに接するべきコンタクトピン４が設けられている。コンタクトピン４は、図示しない電気測定機器（具体的には、電流計、電圧計その他の測定機器）に接続している。 The cover 2 covers the housing type semiconductor device 3 placed on the hot plate 6 during the execution of the temperature characteristic inspection. On the inner surface of the cover 2, that is, the inner surface of the recess 2c, contact pins 4 to be in contact with the electrode terminals 3a of the housing type semiconductor device 3 are provided. The contact pin 4 is connected to an electrical measuring device (specifically, an ammeter, a voltmeter, or other measuring device) not shown.

カバー２におけるコンタクトピン４を設置した部位には、上方ヒータ１１ａが設けられている。具体的には、カバー本体２ａにおける底部２１の中央に、上方ヒータ１１ａが内蔵されている。上方ヒータ１１ａは、筐体型半導体装置３の温度特性検査の際に通電される。この上方ヒータ１１ａの加熱により、コンタクトピン４が加熱される。その結果、コンタクトピン４が電極端子３ａから吸熱することを防ぐことができる。 An upper heater 11a is provided at a portion of the cover 2 where the contact pins 4 are installed. Specifically, the upper heater 11a is built in the center of the bottom 21 of the cover body 2a. The upper heater 11 a is energized during the temperature characteristic inspection of the housing type semiconductor device 3. The contact pin 4 is heated by the heating of the upper heater 11a. As a result, the contact pin 4 can be prevented from absorbing heat from the electrode terminal 3a.

カバー２内には、上方ヒータ１１ａと離間して側面ヒータ１１ｂ、１１ｃが設けられている。側面ヒータ１１ｂは側面部２２の一方に設けられている。側面ヒータ１１ｃは、側面ヒータ１１ｂを取り付けた側面部２２とは反対側の、他方の側面部２２に設けられている。これにより、凹部２ｃで囲まれる空間の中央を挟み込むように、側面ヒータ１１ｂ、１１ｃを対向させることができる。 In the cover 2, side heaters 11b and 11c are provided apart from the upper heater 11a. The side heater 11 b is provided on one side of the side surface portion 22. The side heater 11c is provided on the other side portion 22 opposite to the side portion 22 to which the side heater 11b is attached. Thereby, the side heaters 11b and 11c can be made to oppose so that the center of the space enclosed by the recessed part 2c may be inserted | pinched.

ステージ用ヒータ６ａ、上方ヒータ１１ａ、および側面ヒータ１１ｂ、１１ｃからなる複数のヒータを用いて、筐体型半導体装置３に対してその上下方向および左右方向からの加熱を行うことができる。よって、筐体型半導体装置３の内部温度を均一に近づけることができる。その結果、筐体型半導体装置３の内部温度がばらつくことを抑制し、より精度の高い温度特性検査を行うことができる。また、密閉空間内で加熱を行うことで筐体型半導体装置３の昇温を効率良く行うことができ、検査温度に達するまでの昇温時間を短縮することができる。 The casing type semiconductor device 3 can be heated in the vertical and horizontal directions using a plurality of heaters including the stage heater 6a, the upper heater 11a, and the side heaters 11b and 11c. Therefore, the internal temperature of the housing type semiconductor device 3 can be made close to uniform. As a result, variation in the internal temperature of the housing type semiconductor device 3 can be suppressed, and a more accurate temperature characteristic inspection can be performed. In addition, by heating in the sealed space, the temperature of the housing type semiconductor device 3 can be efficiently increased, and the temperature increase time until the inspection temperature is reached can be shortened.

カバー２は、カバー本体２ａと、スライド枠８と、バネ９とを備えている。スライド枠８は、カバー本体２ａの縁とほぼ同じサイズを有する４角形の枠であり、断面形状がコの字状である。スライド枠８はカバー本体２ａの縁に取り付けられており、図２に示すようにスライド枠８のコの字状の断面がカバー本体２ａの縁を覆う。 The cover 2 includes a cover main body 2a, a slide frame 8, and a spring 9. The slide frame 8 is a quadrangular frame having substantially the same size as the edge of the cover body 2a, and has a U-shaped cross section. The slide frame 8 is attached to the edge of the cover body 2a, and the U-shaped cross section of the slide frame 8 covers the edge of the cover body 2a as shown in FIG.

スライド枠８は、カバー本体２ａに直接には固定されておらずバネ９を介して接続されており、カバー本体２ａに近づく方向と遠ざかる方向に可逆的にスライド可能である。バネ９は、カバー本体２ａの縁に設けられた凹部２ｂに収納されている。バネ９の一端は凹部２ｂの底面に固定され、バネ９の他端はスライド枠８に接続している。 The slide frame 8 is not directly fixed to the cover main body 2a but is connected via a spring 9, and can be reversibly slid in a direction toward and away from the cover main body 2a. The spring 9 is housed in a recess 2b provided at the edge of the cover body 2a. One end of the spring 9 is fixed to the bottom surface of the recess 2 b, and the other end of the spring 9 is connected to the slide frame 8.

図５は、スライド枠８の構成を表す拡大断面図である。カバー本体２ａの四隅にバネ９を入れてスライド式にし、スライド枠８に可動域をもたせている。これにより、筐体型半導体装置３の高さのバラつきや品種別の高さにかかわらず、密閉性を確保して昇温検査を行うことができる。 FIG. 5 is an enlarged sectional view showing the configuration of the slide frame 8. A spring 9 is inserted into the four corners of the cover body 2a to make it slidable, and the slide frame 8 has a movable range. Thereby, regardless of the height variation of the housing-type semiconductor device 3 or the height of each product type, it is possible to perform the temperature rise inspection while ensuring the hermeticity.

図４はカバー２とホットプレート６とが接触する位置を表す拡大断面図である。カバー２の縁、具体的にはスライド枠８に沿って、パッキン７が取り付けられている。図４のように、カバー本体２ａが下降した際に密閉用のパッキン７がホットプレート６に押付けられることで、パッキン７が変形する。 FIG. 4 is an enlarged sectional view showing a position where the cover 2 and the hot plate 6 are in contact with each other. A packing 7 is attached along the edge of the cover 2, specifically, along the slide frame 8. As shown in FIG. 4, when the cover body 2 a is lowered, the sealing packing 7 is pressed against the hot plate 6, so that the packing 7 is deformed.

この密閉用のパッキン７は、カバー本体２ａが下降した際にカバー本体２ａとホットプレート６の間の隙間を塞ぐように働く。つまり、カバー２がホットプレート６に押し付けられたときパッキン７が密閉性を確保する。その結果、カバー本体２ａ内が密閉され、カバー本体２ａ内部への外気の流入および内気の流出の影響による筐体型半導体装置３の温度低下を防ぐことができる。 The sealing packing 7 functions to close the gap between the cover body 2a and the hot plate 6 when the cover body 2a is lowered. That is, the packing 7 ensures hermeticity when the cover 2 is pressed against the hot plate 6. As a result, the inside of the cover main body 2a is sealed, and the temperature drop of the housing-type semiconductor device 3 due to the influence of the inflow of outside air into the cover main body 2a and the outflow of inside air can be prevented.

図６はカバー本体２ａを断熱材１０を用いて構成した場合の、筐体型半導体装置３への熱の伝わり方を模式的に示した図である。カバー本体２ａが外部への熱の放出を防ぎ、内部の温度低下を防ぐことができる。カバー本体２ａには、断熱材を用いることが好ましい。断熱材を用いることで、内部空間の温度低下を防ぐことができる。 FIG. 6 is a diagram schematically showing how heat is transmitted to the housing-type semiconductor device 3 when the cover body 2a is configured using the heat insulating material 10. FIG. The cover body 2a can prevent heat from being released to the outside, and can prevent a temperature drop inside. It is preferable to use a heat insulating material for the cover body 2a. By using a heat insulating material, a temperature drop in the internal space can be prevented.

図７は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の検査方法を示すフローチャートである。 FIG. 7 is a flowchart showing the semiconductor device inspection method according to the first embodiment of the present invention.

（ステップＳ１）
検査装置１を準備し、所定個数の筐体型半導体装置３を検査装置１の設置場所に搬入する。検査装置１はカバー２がスライド枠８を備えているので、高さの異なる複数種類の筐体型半導体装置を順次検査することもできる。 (Step S1)
The inspection apparatus 1 is prepared, and a predetermined number of housing type semiconductor devices 3 are carried into the installation place of the inspection apparatus 1. Since the inspection apparatus 1 has the cover 2 with the slide frame 8, a plurality of types of housing-type semiconductor devices having different heights can be inspected sequentially.

（ステップＳ２）
ステージ用ヒータ６ａを備えたホットプレート６に、筐体型半導体装置３を載せる。図示しない搬送装置や手作業により、筐体型半導体装置３を載せればよい。 (Step S2)
The housing type semiconductor device 3 is placed on a hot plate 6 provided with a stage heater 6a. The housing-type semiconductor device 3 may be mounted by a transfer device (not shown) or manually.

（ステップＳ３）
カバー２を降下させてホットプレート６上に載せられた筐体型半導体装置３をカバー２で覆い、電極端子３ａにコンタクトピン４を接触させる。カバー２の降下は、昇降シリンダ５のアーム５ａを制御することで行われる。 (Step S3)
The cover 2 is lowered and the housing-type semiconductor device 3 placed on the hot plate 6 is covered with the cover 2, and the contact pins 4 are brought into contact with the electrode terminals 3a. The cover 2 is lowered by controlling the arm 5a of the elevating cylinder 5.

（ステップＳ４）
次に、温度特性検査を行う。まず、ステージ用ヒータ６ａおよび上方ヒータ１１ａに通電する。これにより、筐体型半導体装置３およびコンタクトピン４を加熱し、コンタクトピン４を介して筐体型半導体装置３の電気的測定を行う。 (Step S4)
Next, a temperature characteristic inspection is performed. First, the stage heater 6a and the upper heater 11a are energized. Thereby, the housing type semiconductor device 3 and the contact pin 4 are heated, and the housing type semiconductor device 3 is electrically measured via the contact pin 4.

（ステップＳ５）
検査終了後には、アーム５ａを制御してカバー２を上昇させる。 (Step S5)
After the inspection is completed, the cover 2 is raised by controlling the arm 5a.

（ステップＳ６）
その後、検査した筐体型半導体装置３を、未検査の筐体型半導体装置３と交換する。その後リターンし、必要数が完了するまで繰り返し検査が行われる。 (Step S6)
Thereafter, the inspected housing type semiconductor device 3 is replaced with an uninspected housing type semiconductor device 3. After that, it returns and repeats the inspection until the required number is completed.

以上説明した実施の形態１にかかる半導体装置の試験方法によれば、コンタクトピン４を介して筐体型半導体装置３から熱が逃げることを抑制し、精度良く温度特性検査を行うことができる。 According to the semiconductor device testing method according to the first embodiment described above, heat can be prevented from escaping from the housing-type semiconductor device 3 through the contact pins 4, and the temperature characteristic inspection can be performed with high accuracy.

実施の形態２．
図８は、本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の検査装置１０１を示す図である。カバー２をカバー１０２に置換した点を除き、検査装置１０１は実施の形態１にかかる検査装置１と同様である。なお、説明の簡略化のため、昇降シリンダ５は図示を省略している。 Embodiment 2. FIG.
FIG. 8 is a diagram showing a semiconductor device inspection apparatus 101 according to the second embodiment of the present invention. The inspection apparatus 101 is the same as the inspection apparatus 1 according to the first embodiment except that the cover 2 is replaced with the cover 102. Note that the lifting cylinder 5 is not shown for the sake of simplicity.

カバー１０２は、カバー本体１０２ａを備えている。カバー本体１０２ａは、実施の形態１のカバー本体２ａと同様に、底部１２１および側面部１２２を備えた箱型の構造である。底部１２１および側面部１２２により、凹部１０２ｃが形成されている。カバー本体１０２ａの縁には、パッキン７が設けられている。 The cover 102 includes a cover main body 102a. The cover main body 102a has a box-shaped structure including a bottom portion 121 and a side surface portion 122, like the cover main body 2a of the first embodiment. A concave portion 102 c is formed by the bottom portion 121 and the side surface portion 122. A packing 7 is provided on the edge of the cover main body 102a.

なお、実施の形態１とは異なり、カバー１０２は、スライド枠８を備えていない。しかしながら本発明はこれに限られず、カバー１０２の縁に沿って実施の形態１と同様にスライド枠８およびバネ９を設けてもよい。 Unlike the first embodiment, the cover 102 does not include the slide frame 8. However, the present invention is not limited to this, and the slide frame 8 and the spring 9 may be provided along the edge of the cover 102 as in the first embodiment.

実施の形態１とは異なり、カバー本体１０２ａは２重構造となっている。カバー本体１０２ａは、内側部２１３および外側部２１２を備えている。カバー本体１０２ａの底部１２１および側面部１２２は、いずれも内側部２１３および外側部２１２で２重になっている。 Unlike the first embodiment, the cover main body 102a has a double structure. The cover main body 102a includes an inner portion 213 and an outer portion 212. The bottom part 121 and the side part 122 of the cover main body 102a are both doubled by the inner part 213 and the outer part 212.

内側部２１３はカバー本体１０２ａの内側に露出し、外側部２１２は内側部２１３より外側に設けられている。内側部２１３の熱伝導率は、外側部２１２の熱伝導率よりも高いことが好ましい。外側部２１２は断熱材からなることが、より好ましい。 The inner part 213 is exposed inside the cover main body 102a, and the outer part 212 is provided outside the inner part 213. The thermal conductivity of the inner part 213 is preferably higher than the thermal conductivity of the outer part 212. The outer portion 212 is more preferably made of a heat insulating material.

上方ヒータ１１ａ、側面ヒータ１１ｂ、１１ｃが発する熱が内側部２１３全体に伝わる。そうすることで内側部２１３全体が熱源となり、広い範囲から筐体型半導体装置３を加熱することができる。また、内側部２１３で熱を一旦保持することもできるので、筐体型半導体装置３の交換時に、カバー本体２ａ内の温度低下を抑えることができる。 Heat generated by the upper heater 11a and the side heaters 11b and 11c is transmitted to the entire inner portion 213. By doing so, the whole inner part 213 becomes a heat source, and the housing-type semiconductor device 3 can be heated from a wide range. In addition, since the heat can be once held by the inner portion 213, a temperature drop in the cover main body 2a can be suppressed when the housing type semiconductor device 3 is replaced.

図９は、本発明の実施の形態２の変形例にかかる半導体装置の検査装置１５１を示す図である。検査装置１５１は、側面ヒータ１１ｂ、１１ｃを除去し、上方ヒータ１１ａおよびステージ用ヒータ６ａのみを備える。 FIG. 9 is a diagram showing a semiconductor device inspection apparatus 151 according to a modification of the second embodiment of the present invention. The inspection device 151 removes the side heaters 11b and 11c and includes only the upper heater 11a and the stage heater 6a.

また、内側部２１３に熱伝導性の良い素材を用いることで、熱が内側部２１３全体に伝わりやすくなる。そこで、上方ヒータ１１ａのみをカバー１０２に取り付けて、側面ヒータ１１ｂ、１１ｃを除去してもよい。このときの熱の伝わり方を、図９に示す。 Further, by using a material having good thermal conductivity for the inner portion 213, heat is easily transmitted to the entire inner portion 213. Therefore, only the upper heater 11a may be attached to the cover 102, and the side heaters 11b and 11c may be removed. FIG. 9 shows how heat is transmitted at this time.

図９の矢印ｈｍに示すように、上方ヒータ１１ａからの熱が側面部１２２側へと伝わり内側部２１３全体に伝わる。内側部２１３全体に伝わった熱は、内側部２１３全体から筐体型半導体装置３を取り囲むように放熱される。そこで、図９に示すように、１つの上方ヒータ１１ａで、側面ヒータ１１ｂ、１１ｃを取付けたときと同等の温度ばらつき低減効果を得ることができる。 As indicated by an arrow hm in FIG. 9, the heat from the upper heater 11 a is transmitted to the side surface portion 122 side and is transmitted to the entire inner portion 213. The heat transmitted to the entire inner part 213 is dissipated from the entire inner part 213 so as to surround the housing type semiconductor device 3. Therefore, as shown in FIG. 9, the temperature variation reduction effect equivalent to when the side heaters 11 b and 11 c are attached can be obtained with one upper heater 11 a.

実施の形態３．
図１０は、本発明の実施の形態３にかかる半導体装置の検査装置２０１を示す図である。カバー２をカバー２０２に置換した点を除き、検査装置２０１は実施の形態１にかかる検査装置１と同様である。なお、説明の簡略化のため、昇降シリンダ５は図示を省略している。 Embodiment 3 FIG.
FIG. 10 is a diagram showing a semiconductor device inspection apparatus 201 according to the third embodiment of the present invention. The inspection apparatus 201 is the same as the inspection apparatus 1 according to the first embodiment except that the cover 2 is replaced with the cover 202. Note that the lifting cylinder 5 is not shown for the sake of simplicity.

カバー２０２は、カバー本体１０２ａに対してダクト２１４を取り付けたものである。検査装置２０１は、熱風を送る熱風装置２５０と、ダクト２１４を備えている。ダクト２１４は、一端がカバー２の内面に開口し、他端が熱風装置２５０に接続している。 The cover 202 has a duct 214 attached to the cover body 102a. The inspection device 201 includes a hot air device 250 that sends hot air and a duct 214. One end of the duct 214 opens to the inner surface of the cover 2, and the other end is connected to the hot air device 250.

なお、実施の形態１とは異なり、カバー２０２は、スライド枠８を備えていない。しかしながら本発明はこれに限られず、カバー２０２の縁に沿って実施の形態１と同様にスライド枠８およびバネ９を設けてもよい。 Unlike the first embodiment, the cover 202 does not include the slide frame 8. However, the present invention is not limited to this, and the slide frame 8 and the spring 9 may be provided along the edge of the cover 202 as in the first embodiment.

筐体型半導体装置３を入れ替える際に、カバー本体１０２ａを開けることで内部の温度が低下してしまう。筐体型半導体装置３の交換後に、カバー２０２をホットプレート６に押し付けて密閉空間を形成したところに、図１０に示すようにダクト２１４から熱風ｆｌｗを送り込む。これにより、カバー２０２内部の昇温時間を短縮することができる。 When the housing-type semiconductor device 3 is replaced, opening the cover main body 102a reduces the internal temperature. After the housing type semiconductor device 3 is replaced, hot air flw is sent from the duct 214 to the place where the cover 202 is pressed against the hot plate 6 to form a sealed space as shown in FIG. Thereby, the temperature rising time inside the cover 202 can be shortened.

１、１０１、２０１検査装置、２、１０２、２０２カバー、２ａ、１０２ａカバー本体、２ｂ凹部、２ｃ、１０２ｃ凹部、３筐体型半導体装置、３ａ電極端子、４コンタクトピン、５昇降シリンダ、５ａアーム、６ホットプレート、６ａステージ用ヒータ、７パッキン、８スライド枠、９バネ、１０断熱材、１１ａ上方ヒータ、１１ｂ、１１ｃ側面ヒータ、２１、１２１底部、２２、１２２側面部、２１２外側部、２１３内側部、２１４ダクト、２５０熱風装置 1, 101, 201 Inspection device, 2, 102, 202 Cover, 2a, 102a Cover body, 2b Recess, 2c, 102c Recess, 3 Housing type semiconductor device, 3a Electrode terminal, 4 Contact pin, 5 Lifting cylinder, 5a Arm, 6 Hot plate, 6a Stage heater, 7 Packing, 8 Slide frame, 9 Spring, 10 Heat insulation material, 11a Upper heater, 11b, 11c Side heater, 21, 121 Bottom, 22, 122 Side, 212 Outside, 213 Inside Part, 214 duct, 250 hot-air device

Claims

A stage with a first heater;
A cover for covering the semiconductor device placed on the stage;
Contact pins provided on the inner surface of the cover;
A second heater provided on the cover for heating the contact pin;
Equipped with a,
The cover is
A cover body;
A frame that covers the edge along the edge of the cover body and is slidable in a reversible direction toward and away from the cover body;
A spring provided between an edge of the cover body and the frame portion;
An inspection apparatus for a semiconductor device , comprising:

A packing is attached to a portion of the frame portion facing the stage,
The inspection apparatus for a semiconductor device according to claim 1, wherein the packing forms a sealed space when the cover is pressed against the stage.

  A stage with a first heater;
  A cover for covering the semiconductor device placed on the stage;
  Contact pins provided on the inner surface of the cover;
  A second heater provided on the cover for heating the contact pin;
  A hot air device for sending hot air,
  A duct having one end opened on the inner surface of the cover and the other end connected to the hot air device;
  An inspection apparatus for a semiconductor device, comprising:

A packing is attached to a part of the edge of the cover facing the stage,
4. The semiconductor device inspection apparatus according to claim 3, wherein the packing forms a sealed space when the cover is pressed against the stage.

The cover includes a bottom part and a side part surrounding the bottom part, and includes a recess formed by the bottom part and the side part,
Inspection apparatus for a semiconductor device according to any one of claims 1-4, characterized in that the third heater to the side surface portion is provided.

The cover includes a bottom part and a side part surrounding the bottom part, and includes a recess formed by the bottom part and the side part,
The contact pin, the inspection apparatus for a semiconductor device according to any one of claims 1-4, characterized in that provided on the inner surface of the recess.

The cover includes an inner part exposed inside the cover and an outer part provided outside the inner part,
The thermal conductivity of the inner portion, the inspection apparatus for a semiconductor device according to any one of claims 1-6, characterized in that higher than the thermal conductivity of the outer part.

8. The semiconductor device inspection apparatus according to claim 7 , wherein the outer portion is made of a heat insulating material .

Placing a semiconductor device with electrode terminals on a stage with a first heater;
Providing a cover comprising contact pins provided on an inner surface and a second heater for heating the contact pins;
Contacting the contact pin with the electrode terminal while covering the semiconductor device placed on the stage with the cover;
Energizing the first heater and the second heater to heat the semiconductor device and the contact pin, and performing an electrical measurement of the semiconductor device via the contact pin;
Equipped with a,
The cover is
A cover body;
A frame that covers the edge along the edge of the cover body and is slidable in a reversible direction toward and away from the cover body;
A spring provided between an edge of the cover body and the frame portion;
A method for inspecting a semiconductor device, comprising :