JP6099734B2 - 配線基板およびこれを用いた実装構造体 - Google Patents

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Description

本発明は、電子機器（たとえば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器およびその周辺機器）に使用される配線基板およびこれを用いた実装構造体に関するものである。
従来、電子部品を配線基板に実装してなる実装構造体が、電子機器に用いられている。
この配線基板として、例えば無機絶縁層（セラミック層）と、無機絶縁層上に配された導電層（ニッケル薄層）とを備えた構成が記載されている（例えば、特開平４−１２２０８７号公報参照）。
このような配線基板においては、無機絶縁層の上下に配された導電層を電気的に接続するために、絶縁層を厚み方向に貫通する貫通孔と、貫通孔の内壁に被着しているとともに導電層に電気的に接続した貫通導体とを形成することがある。
この場合には、無機絶縁層と貫通導体との厚み方向の熱膨張率が異なるため、電子部品の実装時または作動時に配線基板に熱が加わると、貫通導体と貫通孔の内壁との間に熱応力が加わり、貫通導体と貫通孔の内壁とが剥離することがある。この剥離が伸長して貫通導体と導電層との接続部に達すると、この接続部にクラックが生じることがある。その結果、配線基板の配線に断線が生じ、配線基板の電気的信頼性が低下する。
したがって、電気的信頼性に優れた配線基板を提供することが要求されている。
本発明は、電気的信頼性に優れた配線基板およびこれを用いた実装構造体を提供することを目的とするものである。
本発明の一形態における配線基板は、厚み方向に貫通した貫通孔を有する無機絶縁層と、該無機絶縁層上に配された導電層と、前記貫通孔の内壁に被着しているとともに前記導電層に接続した貫通導体とを備え、前記無機絶縁層は、一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子および該無機絶縁粒子同士の間隙に配された樹脂部を含む第１部分と、一部が互いに接続した前記複数の無機絶縁粒子および該無機絶縁粒子同士の間隙に配された前記貫通導体の一部からなる導体部を含むとともに前記第１部分と前記貫通導体との間に介在した第２部分とを有し、前記無機絶縁層および前記導電層に接しつつ前記無機絶縁層および前記導電層の間に介在した、前記無機絶縁層よりも厚みの小さい第１樹脂層をさらに備え、前記無機絶縁層の前記第２部分の前記導電層側の一主面は、前記第１樹脂層から露出しており、前記貫通孔の前記内壁は、前記第１樹脂層の側面からなる第１領域と、前記無機絶縁層の前記第１樹脂層から露出した前記一主面からなる第２領域と、前記無機絶縁層の側面からなる第３領域とを含む。
本発明の一形態における実装構造体は、上記配線基板と、該配線基板に実装され、前記導電層に電気的に接続された電子部品とを備える。
本発明の一形態における配線基板によれば、一部が互いに接続した複数の第１無機絶縁粒子および第１無機絶縁粒子同士の間隙に配された貫通導体の一部からなる導体部を含む第２部分が、第１部分と貫通導体との間に介在している。
そのため、貫通導体と貫通孔の内壁との間に加わる熱応力を低減することができるため、貫通導体と貫通孔の内壁との剥離を抑制することができる。したがって、貫通導体と導電層との接続部におけるクラックの発生を抑制し、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板を得ることができる。
本発明の一形態における実装構造体によれば、前述した配線基板を備えるため、電気的信頼性に優れた実装構造体を得ることができる。
（ａ）は、本発明の一実施形態における実装構造体を厚み方向に切断した断面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）のＲ１部分を拡大して示した断面図である。 （ａ）は、図１（ｂ）のＲ２部分を拡大して示した断面図であり、（ｂ）は、図１（ｂ）のＲ３部分を拡大して示した断面図である。 （ａ）ないし（ｃ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図であり、（ｄ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する、図１（ｂ）のＲ２部分に相当する部分を拡大して示した断面図である。 （ａ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する、図１（ｂ）のＲ２部分に相当する部分を拡大して示した断面図である。 （ａ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する、図１（ｂ）のＲ２部分に相当する部分を拡大して示した断面図である。 （ａ）ないし（ｃ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図であり、（ｄ）は、図６（ｃ）のＲ４部分を拡大して示した断面図である。 （ａ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する、図６（ｃ）のＲ４部分に相当する部分を拡大して示した断面図であり、（ｂ）は、図７（ａ）のＲ５部分を拡大して示した断面図である。 （ａ）は、図７（ａ）のＲ６部分を拡大して示した断面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する、図６（ｃ）のＲ４部分に相当する部分を拡大して示した断面図である。 （ａ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図であり、（ｂ）は、図９（ａ）のＲ７部分を拡大して示した断面図である。 （ａ）は、図９（ｂ）のＲ８部分を拡大して示した断面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板を備えた実装構造体を、図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１（ａ）に示した実装構造体１は、例えば各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ装置またはその周辺機器などの電子機器に使用されるものである。この実装構造体１は、電子部品２と、電子部品２が実装された配線基板３とを含んでいる。
電子部品２は、例えばＩＣもしくはＬＳＩ等の半導体素子または弾性表面波（ＳＡＷ）装置もしくは圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）等の弾性波装置等である。この電子部品２は、配線基板３に半田等の導電材料からなるバンプ４を介してフリップチップ実装されている。電子部品２の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下である。また、電子部品２の各方向への熱膨張率は、例えば２ｐｐｍ／℃以上１４ｐｐｍ／℃以下である。なお、電子部品２の熱膨張率は、市販のＴＭＡ（Thermo-Mechanical Analysis）装置を用いて、ＪＩＳ Ｋ７１９７−１９９１に準じた測定方法によって測定される。以下、各部材の熱膨張率は、電子部品２と同様に測定される。
配線基板３は、電子部品２を支持するとともに、電子部品２を駆動もしくは制御するための電源や信号を電子部品２へ供給する機能を有するものである。この配線基板３は、コア基板５と、コア基板５の上下面に形成された一対のビルドアップ層６とを含んでいる。配線基板３の厚みは、例えば０．０５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である。配線基板３の主面方向（ＸＹ平面方向）の熱膨張率は、例えば４ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下である。
コア基板５は、配線基板３の剛性を高めつつ一対のビルドアップ層６同士間の導通を図るものである。このコア基板５は、ビルドアップ層６を支持する基体７と、基体７を厚み方向に貫通したスルーホール内に配された筒状のスルーホール導体８と、スルーホール導体８に取り囲まれた柱状の絶縁体９とを含んでいる。
基体７は、配線基板３を高剛性かつ低熱膨張率とするものである。この基体７は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂と樹脂に被覆されたガラスクロス等の基材と樹脂中に分散した酸化ケイ素等からなるフィラー粒子とを含んでいる。
スルーホール導体８は、一対のビルドアップ層６同士を電気的に接続するものである。このスルーホール導体８は、例えば銅等の導電材料を含んでいる。
絶縁体９は、スルーホール導体８に取り囲まれた空間を埋めるものである。この絶縁体９は、例えばエポキシ樹脂等の樹脂を含んでいる。
コア基板５の上下面には、前述した如く、一対のビルドアップ層６が形成されている。一対のビルドアップ層６のうち、一方のビルドアップ層６は、バンプ４を介して電子部品２と接続し、他方のビルドアップ層６は、例えば半田ボール（図示せず）を介して外部回路（図示せず）と接続する。
ビルドアップ層６は、厚み方向（Ｚ方向）に貫通したビア孔Ｖ（貫通孔）を有する複数の絶縁層１０と、基体７上または絶縁層１０上に部分的に配された複数の導電層１１と、ビア孔Ｖの内壁Ｗに被着しているとともに導電層１１に接続した複数のビア導体１２（貫通導体）とを含んでいる。
絶縁層１０は、厚み方向または主面方向に離れた導電層１１同士の絶縁部材や主面方向に離れたビア導体１２同士の絶縁部材として機能するものである。絶縁層１０の厚みは、例えば１５μｍ以上５０μｍ以下である。
また、絶縁層１０は、無機絶縁層１３と、無機絶縁層１３および導電層１１に接しつつ無機絶縁層１３および導電層１１の間に介在した、無機絶縁層１３よりも厚みが小さい第１樹脂層１４と、無機絶縁層１３に接しつつ無機絶縁層１３の第１樹脂層１４とは反対側に配された、第１樹脂層１４よりも厚みが大きい第２樹脂層１５とを有している。
その結果、無機絶縁層１３と導電層１１との間に、無機絶縁層１３よりもヤング率が小さい第１樹脂層１４が介在しているため、導電層１１とビア導体１２との接続部に加わる熱応力を低減することができる。また、第１樹脂層１４の厚みが無機絶縁層１３よりも小さいため、絶縁層１０の厚み方向への熱膨張率を低減してビア導体１２に近付けることによって、導電層１１とビア導体１２との接続部に加わる熱応力を低減することができる。
無機絶縁層１３は、図１（ｂ）および図２に示すように、一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子１６と、無機絶縁粒子１６同士の間隙１７の一部に配された樹脂部１８と、無機絶縁粒子１６同士の間隙１７の他の一部に配されたビア導体１２の一部からなる導体部１９とを含む。
この無機絶縁層１３は、第１樹脂層１４および第２樹脂層１５よりもヤング率が大きく、かつ各方向への熱膨張率が小さい。それ故、電子部品２と配線基板３との熱膨張率の差を低減することができるため、電子部品２の実装時や作動時に実装構造体１に熱が加わった際に、電子部品２と配線基板３との熱膨張率の違いに起因した反りを低減することができる。したがって、この反りに起因した電子部品２と配線基板３との接続部の破壊を抑制し、電子部品２と配線基板３との接続信頼性を高めることができる。
また、無機絶縁層１３は、無機絶縁粒子１６同士が互いに接続することによって三次元網目状構造である多孔質体をなしている。この多孔質体の間隙１７の一部には樹脂部１８が配されており、間隙１７の他の一部には導体部１９が配されている。複数の無機絶縁粒子１６同士の接続部は、括れ状であり、ネック構造をなしている。無機絶縁層１３の厚みは、例えば３μｍ以上３０μｍ以下である。無機絶縁層１３のヤング率は、例えば１０ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下である。また、無機絶縁層１３の各方向への熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下である。
複数の無機絶縁粒子１６は、一部が互いに接続していることから互いに拘束し合って流動しないため、無機絶縁層１３のヤング率を高めるとともに各方向の熱膨張率を低減するものである。この無機絶縁粒子１６は、一部が互いに接続した複数の第１無機絶縁粒子２０と、第１無機絶縁粒子２０よりも粒径が大きく、一部が第１無機絶縁粒子２０と接続しているとともに、第１無機絶縁粒子２０を挟んで互いに離れた複数の第２無機絶縁粒子２１とを含んでいる。第２無機絶縁粒子２１と第１無機絶縁粒子２０とは一部が互いに接続しており、複数の第２無機絶縁粒子２１同士は、第１無機絶縁粒子２０を介して互いに接着している。
第１無機絶縁粒子２０は、無機絶縁層１３において接続部材として機能するものである。また、第１無機絶縁粒子２０は、平均粒径が小さいことから後述するように強固に接続するため、無機絶縁層１３を低熱膨張率および高ヤング率にすることができる。この第１無機絶縁粒子２０は、例えば酸化ケイ素または酸化アルミニウム等の無機絶縁材料からなり、中でも酸化ケイ素を主成分として含有していることが望ましい。酸化ケイ素は、結晶構造に起因した熱膨張率の異方性を低減するため、アモルファス（非晶質）状態であることが望ましい。第１無機絶縁粒子２０における酸化ケイ素の含有割合は、例えば９９．９質量％以上１００質量％以下である。
第１無機絶縁粒子２０は、例えば球状である。第１無機絶縁粒子２０の平均粒径は、３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。また、第１無機絶縁粒子２０のヤング率は、例えば４０ＧＰａ以上９０ＧＰａ以下である。また、第１無機絶縁粒子２０の各方向への熱膨張率は、例えば０ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下である。なお、第１無機絶縁粒子２０の平均粒径は、配線基板３の厚み方向への断面において、各粒子の粒径の平均値を算出することによって測定することができる。以下、各部材の平均粒径は、第１無機絶縁粒子２０と同様に測定される。
第２無機絶縁粒子２１は、無機絶縁層１３に生じたクラックの伸長を抑制するものである。第２無機絶縁粒子２１は、第１無機絶縁粒子２０と同様の材料、特性のものを用いることができる。第２無機絶縁粒子２１は、例えば球状であり、第２無機絶縁粒子２１の平均粒径は、例えば０．５μｍ以上５μｍ以下である。
間隙１７は、開気孔であり、無機絶縁層１３の一主面および他主面に開口を有する。また、一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子１６が多孔質体をなしているため、間隙１７の少なくとも一部は、無機絶縁層１３の厚み方向への断面において、無機絶縁粒子１６に取り囲まれている。
樹脂部１８は、無機絶縁材料よりも弾性変形しやすい樹脂材料からなるため、無機絶縁層１３に加わった応力を低減し、無機絶縁層１３におけるクラックの発生を抑制するものである。本実施形態の樹脂部１８は、間隙１７に入り込んだ第２樹脂層１５の一部である。その結果、無機絶縁層１３と第２樹脂層１５との接着強度を高めることができる。
第１樹脂層１４は、無機絶縁層１３と導電層１１との間の熱応力を緩和する機能を有するものである。第１樹脂層１４の厚みは、例えば０．１μｍ以上５μｍ以下である。第１樹脂層１４のヤング率は、例えば０．０５ＧＰａ以上５ＧＰａ以下である。第１樹脂層１４の各方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上１００ｐｐｍ／℃以下である。
第１樹脂層１４は、図１（ｂ）に示すように、第１樹脂２２および第１樹脂２２中に分散した複数の第１フィラー粒子２３を含んでいる。第１樹脂層１４における第１フィラー粒子２３の含有割合は、例えば０．０５体積％以上１０体積％以下である。なお、第１樹脂層１４における第１フィラー粒子２３の含有割合は、配線基板３の厚み方向への断面において、第１樹脂層１４において第１フィラー粒子２３が占める面積の割合を含有割合（体積％）とみなすことによって測定することができる。以下、各部材における各粒子の含有割合は、第１フィラー粒子２３と同様に測定される。
第１樹脂２２は、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂またはポリイミド樹脂等の樹脂材料からなり、中でもエポキシ樹脂からなることが望ましい。第１樹脂２２のヤング率は、例えば０．１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下である。第１樹脂２２の各方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下である。
第１フィラー粒子２３は、前述した第２無機絶縁粒子２１と同様の材料、特性のものを用いることができる。第１フィラー粒子２３は、例えば球状であり、第１フィラー粒子２３の平均粒径は、例えば０．０５μｍ以上０．７μｍ以下である。
第２樹脂層１５は、絶縁層１０同士を接着する接着部材として機能するものである。第２樹脂層１５は、一部が主面方向に離れた導電層１１同士の間に配されており、第２樹脂層１５の厚みは、第１樹脂層１４よりも大きい。その結果、第２樹脂層１５の厚みが第１樹脂層１４よりも大きいことから、第２樹脂層１５は導電層１１同士の間に容易に充填され、導電層１１同士間における隙間の発生を低減することができる。したがって、導電層１１同士の絶縁性を高めることができる。第２樹脂層１５の厚みは、例えば３μｍ以上３０μｍ以下である。第２樹脂層１５のヤング率は、例えば０．２ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下である。第２樹脂層１５の各方向への熱膨張率は、例えば２０ｐｐｍ／℃以上５０ｐｐｍ／℃以下である。
第２樹脂層１５は、図１（ｂ）に示すように、第２樹脂２４と第２樹脂２４中に分散した複数の第２フィラー粒子２５とを含んでいる。第２樹脂層１５における第２フィラー粒子２５の含有割合は、例えば３体積％以上６０体積％以下である。第２樹脂２４は、例えば第１樹脂２２と同様の材料、特性を有するものを用いることができる。第２フィラー粒子２５は、第１フィラー粒子２３と同様の材料、特性を有するものを用いることができる。第２フィラー粒子２５の平均粒径は、例えば０．５μｍ以上５μｍ以下である。
第１樹脂層１４における第１フィラー粒子２３の含有割合は、第２樹脂層１５における第２フィラー粒子２５の含有割合よりも少ない。その結果、導電層１１とビア導体１２との接続部に位置する絶縁層１０の角部において、第１樹脂層１４のヤング率を低減することができるため、導電層１１とビア導体１２との接続部に加わる熱応力を低減することができる。また、第１樹脂層１４から導電層１１およびビア導体１２に向かって第１フィラー粒子２３が突出することを抑制することができるため、第１フィラー粒子２３の突出に起因した導電層１１とビア導体１２との接続部におけるクラックの発生を低減することができる。
第１フィラー粒子２３の平均粒径は、第２フィラー粒子２５の平均粒径よりも小さい。その結果、第１フィラー粒子２３の突出に起因した導電層１１とビア導体１２との接続部におけるクラックの発生を低減することができる。
前述した絶縁層１０を厚み方向に貫通するビア孔Ｖの内壁Ｗは、図１（ｂ）に示すように、第１樹脂層１４の側面からなる第１領域Ｗ１と、無機絶縁層１３の第１樹脂層１４側の一主面からなる第２領域Ｗ２と、無機絶縁層１３の側面からなる第３領域Ｗ３とを含んでいる。その結果、ビア孔Ｖの内壁Ｗが第１ないし第３領域Ｗ１〜Ｗ３を含むことから、導電層１１とビア導体１２との接続部に位置する絶縁層１０の角部をＲ形状に近付けることができるので、導電層１１とビア導体１２との接続部に加わる熱応力を分散させることができる。したがって、導電層１１とビア導体１２との接続部におけるクラックの発生を抑制することができるので、配線基板３の配線の断線を抑制し、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板３を得ることができる。
また、前述した絶縁層１０を厚み方向に貫通するビア孔Ｖの内壁Ｗは、無機絶縁層１３の他主面からなる第４領域Ｗ４と、第２樹脂層１５の側面からなる第５領域Ｗ５とを含む。その結果、配線基板３と電子部品２との熱膨張率の違いに起因して配線基板３に反りが生じた場合に、第４領域Ｗ４によってビア導体１２を厚み方向に固定することができるので、配線基板３の反りに起因したビア導体１２の傾きを抑制することができる。したがって、ビア孔Ｖの底面Ｂにおける導電層１１からのビア導体１２の剥離を抑制できるので、配線基板３の配線の断線を抑制することができる。特に、ビア導体１２が配線基板３の厚み方向に沿って一列に配列したスタックビアを構成している場合には、配線基板３の反りに起因した応力がビア導体１２に加わりやすいため、導電層１１からのビア導体１２の剥離を良好に抑制できる。
第２領域Ｗ２の幅は、例えば０．２μｍ以上５μｍ以下である。第４領域Ｗ４の幅は、例えば０．２μｍ以上５μｍ以下である。第２領域Ｗ２の幅は、第４領域Ｗ４の幅と同じであることが望ましい。この場合に、第２領域Ｗ２および第４領域Ｗ４の幅の誤差は、±３０％以内である。なお、第２領域Ｗ２の幅は、第２領域Ｗ２における、第１領域Ｗ１側の一端部と第３領域Ｗ３側の他端部との間の長さである。また、第４領域Ｗ４の幅は、第４領域Ｗ４における、第３領域Ｗ３側の一端部と第５領域Ｗ５側の他端部との間の長さである。
本実施形態のビア孔Ｖの内壁Ｗにおいて、ビア孔Ｖの貫通方向に対する第１領域Ｗ１の傾斜角Ａ１は、ビア孔Ｖの貫通方向に対する第３領域Ｗ３の傾斜角Ａ２よりも大きい。その結果、導電層１１とビア導体１２との接続部に位置する絶縁層１０の角部をよりＲ形状に近付けることができるので、導電層１１とビア導体１２との接続部に加わる熱応力をより分散させることができる。なお、傾斜角Ａ１、Ａ２は、貫通方向に平行であってビア孔Ｖ内からビア孔Ｖの内壁Ｗまで伸長した仮想線分Ｌ１、Ｌ２と内壁Ｗとの間の角度である。傾斜角Ａ１は、例えば５°以上７０°以下である。傾斜角Ａ２は、例えば２°以上３０°以下である。
導電層１１は、厚み方向または主面方向に互いに離れており、接地用配線、電力供給用配線または信号用配線等の配線として機能するものである。導電層１１は、例えば銅等の導電材料からなる。また、導電層１１の厚みは、例えば３μｍ以上２０μｍ以下である。導電層１１の各方向への熱膨張率は、例えば１４ｐｐｍ／℃以上１８ｐｐｍ／℃以下である。また、導電層１１のヤング率は、例えば７０ＧＰａ以上１５０以下ＧＰａである。なお、導電層１１のヤング率は、ＭＴＳ社製ナノインデンターＸＰを用いて、ＩＳＯ１４５７７−１：２００２に準じた方法で測定される。以下、各部材のヤング率は、導電層１１と同様に測定される。
また、導電層１１は、第１樹脂層１４に接着した金属箔２６と、金属箔２６に被着した無電解めっき層２７と、無電解めっき層２７に被着した電気めっき層２８とを有している。
金属箔２６は、例えば圧延銅箔または電解銅箔等を用いることができる。圧延銅箔または電解銅箔は、無電解めっきと比較して格子欠陥が少ないため、強度が高い。この金属箔２６の厚みは、例えば０．２μｍ以上４μｍ以下である。
この金属箔２６は、第１樹脂層１４に接着した接着部２９と、第１樹脂層１４からビア孔Ｖに向かって突出した突出部３０とを有している。その結果、金属箔２６の突出部３０によってビア導体１２を厚み方向に固定することができるため、配線基板３の反りに起因したビア導体１２の傾きを抑制し、ビア孔Ｖの底面Ｂにおける導電層１１からのビア導体１２の剥離を抑制することができる。
無電解めっき層２７は、例えば無電解銅めっき等を用いることができる。この無電解めっき層２７の厚みは、例えば０．３μｍ以上３μｍ以下である。電気めっき層２８は、例えば電気銅めっき等を用いることができる。この電気めっき層２８の厚みは、例えば５μｍ以上３０μｍ以下である。
ビア導体１２は、厚み方向に互いに離れた導電層１１同士を電気的に接続するものであり、導電層１１とともに配線として機能するものである。ビア導体１２は、ビア孔Ｖ内に充填されている。また、電子部品２側に配されたビルドアップ層６において互いに接続したビア導体１２は、配線基板３の厚み方向に沿って一列に配列したスタックビアを構成している。また、ビア導体１２は、導電層１１と同様の材料からなり、同様の特性を有する。
また、ビア導体１２は、ビア孔Ｖの内壁Ｗおよび底面Ｂに被着した無電解めっき膜３１と、無電解めっき膜３１に被着しているとともにビア孔Ｖ内に充填された電気めっき部３２とを含んでいる。無電解めっき膜３１は、第１樹脂層１４に接着した導電層１１の無電解めっき層２７と一体的に形成されている。電気めっき部３２は、第１樹脂層１４に接着した導電層１１の電気めっき層２８と一体的に形成されている。
このビア導体１２の電気めっき部３２の一部は、第２領域Ｗ２と突出部３０との間に配されている。その結果、無電解めっき膜３１よりも強度の高い電気めっき部３２の一部が第２領域Ｗ２と突出部３０との間に配されているため、ビア導体１２を厚み方向により強固に固定することができる。
ところで、無機絶縁層１３とビア導体１２との厚み方向の熱膨張率が異なるため、電子部品２の実装時または作動時に配線基板３に熱が加わると、ビア導体１２とビア孔Ｖの内壁Ｗとの間に熱応力が加わる。
一方、本実施形態の無機絶縁層１３は、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子１６および複数の無機絶縁粒子１６の間隙１７に配された樹脂部１８を含む第１部分３３と、一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子１６および複数の無機絶縁粒子１６の間隙１７に配されたビア導体１２の一部からなる導体部１９を含むとともに第１部分３３とビア導体１２との間に介在した第２部分３４とを有する。
その結果、第１部分３３が無機絶縁粒子１６および無機絶縁粒子１６よりも弾性変形しやすい樹脂部１８を有することから、第１部分３３の熱膨張率を無機絶縁粒子１６の熱膨張率に近付けて、第１部分３３の熱膨張率を低減し、ひいては無機絶縁層１３の熱膨張率を低減することができる。さらに、第２部分３４が無機絶縁粒子１６およびビア導体１２の一部からなる導体部１９を含むことから、第２部分３４の熱膨張率を、第１部分３３の熱膨張率とビア導体１２の熱膨張率との間の値とすることができる。この第２部分３４が第１部分３３とビア導体１２との間に介在していることから、ビア導体１２とビア孔Ｖの内壁Ｗとの間に加わる熱応力を低減することができるので、ビア導体１２とビア孔の内壁Ｗとの剥離を抑制することができる。したがって、この剥離に起因したビア導体１２と導電層１１との接続部におけるクラックの発生を抑制することができるので、配線基板３の配線における断線の発生を抑制し、ひいては電気的信頼性に優れた配線基板３を得ることができる。
また、第１部分３３および第２部分３４における複数の無機絶縁粒子１６は、図１（ｂ）に示すように、一部が互いに接続した複数の第１無機絶縁粒子２０と、平均粒径が第１無機絶縁粒子２０よりも大きく、かつ第１無機絶縁粒子２０を挟んで互いに離れた複数の第２無機絶縁粒子２１とを含む。その結果、第１部分３３および第２部分３４の双方にて、無機絶縁粒子１６が第１無機絶縁粒子２０および第２無機絶縁粒子２１を含むため、第１部分３３および第２部分３４における無機絶縁粒子１６の充填率を互いに近付けて、第１部分３３および第２部分３４における熱膨張率を互いに近付けることができる。したがって、第１部分３３と第２部分３４との間に加わる熱応力を低減し、第１部分３３と第２部分３４との剥離を抑制することができる。それ故、この剥離が伸長して導電層１１に達することを抑制し、導電層１１におけるクラックの発生を抑制することができる。
また、第２部分３４における無機絶縁粒子１６の含有割合は、第１部分３３における無機絶縁粒子１６の含有割合よりも小さい。その結果、第１部分３３においては無機絶縁粒子１６の含有割合を大きくして熱膨張率を低減しつつ、第２部分３４においては無機絶縁粒子１６の含有割合を小さくして間隙１７にビア導体１２の一部からなる導体部１９を充填しやすくすることができる。特にビア導体１２がめっきからなる場合には、間隙１７内のめっき液が入れ替わりやすくなるため、間隙１７における導体部１９が充填されていないボイドの発生を抑制することができる。したがって、第２部分３４とビア導体１２との接着強度を高めることができるため、第２部分３４とビア導体１２との剥離を抑制することができる。
第２部分３４は、無機絶縁層１３においてビア導体１２の近傍に配されており、第２部分３４の幅（第２部分３４におけるビア導体１２側の一端部とビア導体１２とは反対側の他端部との間の幅）は、例えば１μｍ以上５μｍ以下である。第１部分３３における無機絶縁粒子１６の含有割合は、例えば６０体積％以上９０体積％以下である。第２部分３４における無機絶縁粒子１６の含有割合は、例えば４０体積％以上７０体積％以下である。
また、第２部分３４の導電層１１側の一主面は、第１樹脂層１４から露出しているとともにビア孔Ｖの内壁Ｗを構成している。すなわち、第２部分３４の一主面は、内壁Ｗの第２領域Ｗ２を構成している。その結果、第２領域Ｗ２に被着したビア導体１２の一部が厚み方向にて第２部分３４を固定するため、第２部分３４とビア導体１２との剥離を抑制することができる。したがって、導電層１１とビア導体１２との接続部におけるクラックの発生を抑制することができる。
また、第２部分３４の導電層１１とは反対側の他主面は、第２樹脂層１５から露出しているとともにビア孔Ｖの内壁Ｗを構成している。すなわち、第２部分３４の他主面は、内壁Ｗの第４領域Ｗ４を構成している。その結果、第４領域Ｗ４に被着したビア導体１２の一部が厚み方向にて第２部分３４を固定するため、第２部分３４とビア導体１２との剥離を抑制することができる。したがって、導電層１１とビア導体１２との接続部におけるクラックの発生を抑制することができる。
また、無電解めっき膜３１の一部は、第２部分３４の間隙１７に入り込んでおり、導体部１９を構成している。その結果、第２部分３４の間隙１７にビア導体１２の一部を良好に充填することができるので、第２部分３４とビア導体１２との剥離を抑制することができる。
また、電気めっき部３２の一部は、無電解めっき膜３１の一部とともに第２部分３４の間隙１７に入り込んでおり、導体部１９を構成している。導体部１９を構成する無電解めっき膜３１の一部は、導体部１９を構成する電気めっき部３２の一部と樹脂部１８との間に介在している。また、無電解めっき膜３１の他の一部は、内壁Ｗの第１領域Ｗ１および第５領域Ｗ５に被着している。
次に、前述した実装構造体１の製造方法を、図３ないし図１０を参照しつつ説明する。
（１）図３（ａ）に示すように、コア基板５を作製する。具体的には、例えば以下のように行なう。
プリプレグを硬化させてなる基体７と基体７の両主面に配された銅箔等の金属箔とからなる積層板を準備する。次に、レーザー加工またはドリル加工等を用いて、積層板にスルーホールを形成する。次に、例えば無電解めっき法、電気めっき法、蒸着法またはスパッタリング法等を用いて、スルーホール内に導電材料を被着させて筒状のスルーホール導体８を形成する。次に、スルーホール導体８の内側に未硬化樹脂を充填して硬化させることによって、絶縁体９を形成する。次に、例えば無電解めっき法および電気めっき法等を用いて、絶縁体９上に導電材料を被着させた後、基体７上の金属箔および導電材料をパターニングして導電層１１を形成する。以上のようにして、コア基板５を作製することができる。
（２）図３（ｂ）ないし図６（ａ）に示すように、銅箔等の金属箔２６と、金属箔２６上に配された無機絶縁層１３と、無機絶縁層１３上に配された未硬化樹脂を含む樹脂層前駆体３５とを有する積層シート３６を作製する。具体的には、例えば以下のように行なう。
まず、図３（ｂ）に示すように、金属箔２６および金属箔２６上に配された第１樹脂層１４を有する樹脂付き金属箔３７を準備する。次に、図３（ｃ）および（ｄ）に示すように、無機絶縁粒子１６と無機絶縁粒子１６が分散した溶剤３８とを有するスラリー３９を準備し、スラリー３９を第１樹脂層１４の一主面に塗布する。次に、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、スラリー３９から溶剤３８を蒸発させて、金属箔２６上に無機絶縁粒子１６を残存させて、残存した無機絶縁粒子１６からなる粉末層４０を形成する。この粉末層４０において、第１無機絶縁粒子２０は近接箇所で互いに接触している。次に、図５（ａ）および（ｂ）に示すように、粉末層４０を加熱して、隣接する第１無機絶縁粒子２０同士を近接箇所で接続させることによって、第１樹脂層１４よりも厚みの大きい無機絶縁層１３を形成する。
次に、図６（ａ）に示すように、第２樹脂２４となる未硬化樹脂および第２フィラー粒子２５を含む樹脂層前駆体３５を無機絶縁層１３上に積層し、積層された無機絶縁層１３および樹脂層前駆体３５を厚み方向に加熱加圧することによって、樹脂層前駆体３５の一部を間隙１７内に充填する。以上のようにして、積層シート３６を作製することができる。
本実施形態の配線基板３の製造方法においては、平均粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である複数の第１無機絶縁粒子２０、およびこの第１無機絶縁粒子２０が分散した溶剤３８を含むスラリー３９を金属箔２６上に塗布している。その結果、第１無機絶縁粒子２０の平均粒径が３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であることから、低温条件下においても、複数の第１無機絶縁粒子２０の一部を互いに強固に接続することができる。これは、第１無機絶縁粒子２０が微小であることから、第１無機絶縁粒子２０の原子、特に表面の原子が活発に運動するため、複数の第１無機絶縁粒子２０の一部が互いに強固に接続する温度を低減すると推測される。
したがって、第１無機絶縁粒子２０の結晶化開始温度未満、さらには２５０℃以下といった低温条件下で複数の第１無機絶縁粒子２０同士を強固に接続させることができる。また、このように低温で加熱することによって、第１無機絶縁粒子２０および第２無機絶縁粒子２１の粒子形状を保持しつつ、第１無機絶縁粒子２０同士および第１無機絶縁粒子２０と第２無機絶縁粒子２１とを近接領域のみで接続することができる。その結果、第１無機絶縁粒子２０同士および第１無機絶縁粒子２０と第２無機絶縁粒子２１との接続部においてネック構造を形成するとともに、開気孔の間隙１７を容易に形成することができる。なお、第１無機絶縁粒子２０同士を強固に接続することができる温度は、例えば、第１無機絶縁粒子２０の平均粒径を１１０ｎｍに設定した場合は２５０℃程度であり、第１無機絶縁粒子２０の平均粒径を１５ｎｍに設定した場合は１５０℃程度である。
また、本実施形態の配線基板３の製造方法においては、平均粒径が０．５μｍ以上５μｍ以下である複数の第２無機絶縁粒子２１をさらに含むスラリー３９を金属箔２６上に塗布している。その結果、平均粒径が第１無機絶縁粒子２０よりも大きい第２無機絶縁粒子２１によって、スラリー３９における無機絶縁粒子１６の隙間を低減できるため、溶剤３８を蒸発させて形成する粉末層４０の収縮を低減できる。したがって、主面方向へ大きく収縮しやすい平板状である粉末層４０の収縮を低減することで、粉末層４０における厚み方向に沿ったクラックの発生を低減することができる。
スラリー３９における無機絶縁粒子１６の含有割合は、例えば１０％体積以上５０体積％以下であり、スラリー３９における溶剤３８の含有割合は、例えば５０％体積以上９０体積％以下である。溶剤３８は、例えばメタノール、イソプロパノール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、キシレン、またはこれらから選択された２種以上の混合物を含んだ有機溶剤等を用いることができる。
スラリー３９の乾燥は、例えば加熱および風乾により行なわれる。乾燥温度は、例えば２０℃以上溶剤３８の沸点未満であり、乾燥時間は、例えば２０秒以上３０分以下である。
粉末層４０を加熱する際の加熱温度は、溶剤３８の沸点以上、第１無機絶縁粒子２０の結晶化開始温度未満であり、さらには、１００℃以上２５０℃以下である。また、加熱時間は、例えば０．５時間以上２４時間以下である。
積層された無機絶縁層１３および樹脂層前駆体３５を加熱加圧する際の加圧圧力は、例えば０．０５ＭＰａ以上０.５ＭＰａ以下であり、加圧時間は、例えば２０秒以上５分以下であり、加熱温度は、例えば５０℃以上１００℃以下である。なお、この加熱温度は、樹脂層前駆体３５の硬化開始温度未満であるため、樹脂層前駆体３５を未硬化の状態で維持することができる。
（３）図６（ｂ）ないし図１０（ａ）に示すように、コア基板５上に積層シート３６を積層して絶縁層１０を形成し、絶縁層１０にビア孔Ｖを形成した後、導電層１１およびビア導体１２を形成する。具体的には、例えば以下のように行なう。
まず、樹脂層前駆体３５をコア基板５側に配しつつ、コア基板５上に積層シート３６を積層する。次に、積層されたコア基板５および積層シート３６を厚み方向に加熱加圧することによって、コア基板５に積層シート３６を接着させる。次に、図６（ｂ）に示すように、樹脂層前駆体３５を加熱することによって、未硬化樹脂を硬化させて第２樹脂２４として、樹脂層前駆体３５を第２樹脂層１５とする。その結果、第１樹脂層１４および第１樹脂層１４よりも厚みの大きい無機絶縁層１３を有する絶縁層１０を形成することができる。この際に、工程（２）で間隙１７に入り込んでいた樹脂層前駆体３５の一部が樹脂部１８となる。
次に、図６（ｃ）および（ｄ）に示すように、レーザー加工を用いて、金属箔２６側から絶縁層１０側に向かってレーザー光を照射することによって、絶縁層１０を厚み方向に貫通するビア孔Ｖを形成する。この際に、ビア孔Ｖの底面Ｂに導電層１１を露出させる。また、樹脂付き金属箔３７に無機絶縁層１３からビア孔Ｖに向かって突出した突出部３０を形成する。
次に、図７（ａ）ないし図８（ａ）に示すように、エッチング液を用いて、無機絶縁層１３におけるビア孔Ｖの内壁Ｗに近接した間隙１７の一部から樹脂部１８を除去して空隙とする。また、無機絶縁層１３における間隙１７の他の部分においては樹脂部１８を残存させることによって第１部分３３を形成する。また、このエッチング液によって第１樹脂層１４の一部を除去し、無機絶縁層１３の第１樹脂層１４側の一主面からなる第２領域Ｗ２をビア孔Ｖの内壁Ｗに露出させる。この際に、金属箔２６に無機絶縁層１３からビア孔Ｖに向かって突出した突出部３０を形成する。また、このエッチング液によって第２樹脂層１５の一部を除去し、無機絶縁層１３の第２樹脂層１５側の一主面からなる第４領域Ｗ４をビア孔Ｖの内壁Ｗに露出させる。また、このエッチング液によって無機絶縁粒子１６の一部を溶解することによって、第２部分３４における無機絶縁粒子１６の含有割合を第１部分３３における無機絶縁粒子１６の含有割合よりも小さくなる。
次に、図８（ｂ）に示すように、無電解めっき法を用いて、金属箔２６に被着した無電解めっき層２７と、ビア孔Ｖの内壁Ｗおよび底面Ｂに被着した無電解めっき膜３１とを一体的に形成する。この際に、無電解めっき膜３１の一部が、樹脂部１８を除去した間隙１７の一部に配される。次に、無電解めっき層２７に所望のパターンのレジストを形成する。次に、図９（ａ）ないし１０（ａ）に示すように、電気めっき法を用いて、無電解めっき層２７に被着した電気めっき層２８と、無電解めっき膜３１に被着した電気めっき部３２とを一体的に形成する。この際に、樹脂部１８を除去した間隙１７の一部に電気めっき部３２の一部を配して導体部１９を形成することによって第２部分３４を形成する。次に、例えば水酸化ナトリウム水溶液等によってレジストを除去した後、例えば塩化第二銅水溶液または硫酸等によって無電解めっき層２７のレジストで被覆されていた部分を除去する。
以上のようにして、ビア孔Ｖの内壁Ｗに被着したビア導体１２および第１樹脂層１４上に配された導電層１１を形成するとともに、樹脂部１８を除去した間隙１７の一部にビア導体１２の一部からなる導体部１９を配して無機絶縁層１３に第２部分３４を形成することができる。
また、本実施形態の配線基板３の製造方法においては、エッチング液を用いて第１樹脂層１４の一部を除去する際に、突出部３０の金属箔２６を残しつつ、突出部３０の第１樹脂層１４を除去している。その結果、ビア導体１２と導電層１１との接続部に、ビア導体１２および導電層１１とは材質が異なる第１樹脂層１４が残存しないため、ビア導体１２と導電層１１との接続部におけるクラックの発生を抑制することができる。
また、本実施形態の配線基板３の製造方法においては、金属箔２６側から絶縁層１０側に向かってレーザー光を照射することによって、絶縁層１０を厚み方向に貫通するビア孔Ｖを形成した後、エッチング液を用いて第１樹脂層１４の一部を除去している。その結果、レーザー光を照射した際に、金属箔２６から第１樹脂層１４に熱が伝わるため、第１樹脂層１４の金属箔２６近傍の領域がエッチング液で除去されやすくなる。したがって、エッチング液を用いて第１樹脂層１４の一部を除去する際に、第１領域Ｗ１の傾斜角Ａ１を第３領域Ｗ３の傾斜角Ａ２よりも大きくすることができる。
ビア孔Ｖを形成する際のレーザー加工は、ＣＯ２レーザーまたはＵＶ−ＹＡＧレーザーを用いることができる。中でも、ＣＯ２レーザーを用いることが望ましい。ＣＯ２レーザーは波長が大きく銅の反射率が高いことから、絶縁層１０と比較して金属箔２６が加工されにくいため、金属箔２６の突出部３０を容易に形成することができる。また、金属箔２６の加工に時間がかかることから、金属箔２６から第１樹脂層１４に熱が伝わりやすいため、第１領域Ｗ１の傾斜角Ａ１を第３領域Ｗ３の傾斜角Ａ２よりも容易に大きくすることができる。
また、ＣＯ２レーザーの出力を小さくすると、金属箔２６がより加工されにくくなるため、金属箔２６の突出部３０をさらに容易に形成することができる。また、金属箔２６の加工により時間がかかることから、第１領域Ｗ１の傾斜角Ａ１を第３領域Ｗ３の傾斜角Ａ２よりもさらに容易に大きくすることができる。ＣＯ２レーザーの出力は、例えば４ｍＪ以上６ｍｍＪ以下である。
コア基板５に積層シート３６を接着させる際の加熱加圧は、工程（２）と同様の条件を用いることができる。
未硬化樹脂を硬化させて第２樹脂２４とする際の加熱温度は、例えば未硬化樹脂の硬化開始温度以上、熱分解温度未満であり、加熱時間は、例えば１０分以上１２０分以下である。
第１樹脂層１４の一部を除去するエッチング液としては、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ性のものを用いることができる。エッチング液の処理時間は、例えば１分以上１５分以下である。
（４）図１０（ｂ）に示すように、工程（２）および（３）を繰り返すことによって、コア基板５上にビルドアップ層６を形成し、配線基板３を作製する。なお、本工程を繰り返すことにより、ビルドアップ層６をより多層化することができる。
（５）配線基板３に対してバンプ４を介して電子部品２をフリップチップ実装することにより、図１（ａ）に示した実装構造体１を作製する。なお、電子部品２は、ワイヤボンディングにより配線基板３と電気的に接続してもよいし、あるいは、配線基板３に内蔵させてもよい。
本発明は、前述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更、改良、組合せ等が可能である。
例えば、前述した本発明の実施形態においては、ビルドアップ層６が無機絶縁層１３、第１樹脂層１４および第２樹脂層１５を有する構成を例に説明したが、コア基板５が無機絶縁層１３、第１樹脂層１４および第２樹脂層１５に相当する構成を有していても構わない。この場合には、コア基板５の無機絶縁層の第２部分は、スルーホール導体（貫通導体）の一部からなる導体部を含む。
例えば、前述した本発明の実施形態においては、ビルドアップ層６が無機絶縁層１３、第１樹脂層１４および第２樹脂層１５を有し、ビア孔Ｖの内壁Ｗが第１ないし第５領域Ｗ１〜Ｗ５を有する構成を例に説明したが、コア基板５が無機絶縁層１３、第１樹脂層１４および第２樹脂層１５に相当する構成を有し、コア基板５を厚み方向に貫通するスルーホール（貫通孔）の内壁が第１ないし第５領域Ｗ１〜Ｗ５に相当する領域を有していても構わない。このスルーホールの内壁にはスルーホール導体８（貫通導体）が被着している。
また、前述した本発明の実施形態においては、配線基板３としてコア基板５およびビルドアップ層６からなるビルドアップ多層基板を用いた例について説明したが、配線基板３として他のものを用いてもよく、例えば、コア基板５のみの単層基板またはビルドアップ層６のみのコアレス基板を用いても構わない。
また、前述した本発明の実施形態においては、絶縁層１０が無機絶縁層１３、第１樹脂層１４および第２樹脂層１５を有する構成を例に説明したが、絶縁層１０は無機絶縁層１３を有していればよく、第１樹脂層１４および第２樹脂層１５を有していなくても構わない。
また、前述した本発明の実施形態においては、無機絶縁粒子１６が第２無機絶縁粒子２１を含む構成を例に説明したが、無機絶縁粒子１６は、第２無機絶縁粒子２１を含まなくても構わない。
前述した本発明の実施形態においては、樹脂部１８が間隙１７に入り込んだ第２樹脂層１５の一部である構成を例に説明したが、樹脂部１８は、間隙１７に入り込んだ第１樹脂層１４の一部であっても構わないし、第１樹脂層１４の一部および第２樹脂層１５の一部からなるものであっても構わない。この場合には、無機絶縁層１３と第１樹脂層１４との接着強度を高めることができる。
前述した本発明の実施形態においては、ビア導体１２がビア孔Ｖ内に充填された構成を例に説明したが、ビア導体１２は、ビア孔Ｖの内壁Ｗに被着していればよく、例えば膜状であっても構わない。
前述した本発明の実施形態においては、第１領域Ｗ１の傾斜角Ａ１が第３領域Ｗ３の傾斜角Ａ２よりも大きい構成を例に説明したが、第１領域Ｗ１の傾斜角Ａ１と第３領域Ｗ３の傾斜角Ａ２とは同じであっても構わない。この場合には、金属箔２６の接着部２９がビア孔Ｖ側に向かってより大きく形成されるため、突出部３０によってビア導体１２を厚み方向により強固に固定することができる。
前述した本発明の実施形態においては、第１樹脂層１４が第１フィラー粒子２３を含む構成を例に説明したが、第１樹脂層１４は、第１フィラー粒子２３を含まずに、第１樹脂２２のみからなるものであっても構わない。
前述した本発明の実施形態においては、導電層１１が金属箔２６を有する構成を例に説明したが、導電層１１は、金属箔２６を有しておらず、無電解めっき層２７および電気めっき層２８からなるものであっても構わない。この場合には、工程（３）において、絶縁層１０を形成した後、かつビア孔Ｖを形成する前に金属箔２６を化学的または機械的に除去し、無電解めっき層２７および電気めっき層２８を形成すればよい。また、金属箔２６の代わりに支持体としてＰＥＴフィルム等の樹脂シートを用いても構わない。
前述した本発明の実施形態においては、金属箔２６が突出部３０を有する構成を例に説明したが、金属箔２６は突出部３０を有しておらず、接着部２９のみからなるものであっても構わない。
また、前述した本発明の実施形態においては、工程（２）において溶剤３８の蒸発と粉末層４０の加熱とを別々に行なった構成を例に説明したが、これらを同時に行なっても構わない。

Claims (8)

  1. 厚み方向に貫通した貫通孔を有する無機絶縁層と、該無機絶縁層上に配された導電層と、前記貫通孔の内壁に被着しているとともに前記導電層に接続した貫通導体とを備え、
    前記無機絶縁層は、一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子および該無機絶縁粒子同士の間隙に配された樹脂部を含む第１部分と、一部が互いに接続した前記複数の無機絶縁粒子および該無機絶縁粒子同士の間隙に配された前記貫通導体の一部からなる導体部を含むとともに前記第１部分と前記貫通導体との間に介在した第２部分とを有し、
    前記無機絶縁層および前記導電層に接しつつ前記無機絶縁層および前記導電層の間に介在した、前記無機絶縁層よりも厚みの小さい第１樹脂層をさらに備え、
    前記無機絶縁層の前記第２部分の前記導電層側の一主面は、前記第１樹脂層から露出しており、
    前記貫通孔の前記内壁は、前記第１樹脂層の側面からなる第１領域と、前記無機絶縁層の前記第１樹脂層から露出した前記一主面からなる第２領域と、前記無機絶縁層の側面からなる第３領域とを含むことを特徴とする配線基板。
  2. 厚み方向に貫通した貫通孔を有する無機絶縁層と、該無機絶縁層上に配された導電層と、前記貫通孔の内壁に被着しているとともに前記導電層に接続した貫通導体とを備え、
    前記無機絶縁層は、一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子および該無機絶縁粒子同士の間隙に配された樹脂部を含む第１部分と、一部が互いに接続した前記複数の無機絶縁粒子および該無機絶縁粒子同士の間隙に配された前記貫通導体の一部からなる導体部を含むとともに前記第１部分と前記貫通導体との間に介在した第２部分とを有し、
    前記無機絶縁層に接しつつ前記無機絶縁層の前記導電層とは反対側に配された第２樹脂層をさらに備え、
    前記無機絶縁層の前記第２部分の前記導電層とは反対側の他主面は、前記第２樹脂層から露出しており、
    前記貫通孔の内壁は、前記無機絶縁層の前記第２樹脂層から露出した前記他主面からなる第４領域と、前記第２樹脂層の側面からなる第５領域とを含むことを特徴とする配線基板。
  3. 請求項１に記載の配線基板において、
    前記貫通孔の貫通方向に対する前記第１領域の傾斜角は、前記貫通孔の貫通方向に対する前記第３領域の傾斜角よりも大きいことを特徴とする配線基板。
  4. 厚み方向に貫通した貫通孔を有する無機絶縁層と、該無機絶縁層上に配された導電層と、前記貫通孔の内壁に被着しているとともに前記導電層に接続した貫通導体とを備え、
    前記無機絶縁層は、一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子および該無機絶縁粒子同士の間隙に配された樹脂部を含む第１部分と、一部が互いに接続した前記複数の無機絶縁粒子および該無機絶縁粒子同士の間隙に配された前記貫通導体の一部からなる導体部を含むとともに前記第１部分と前記貫通導体との間に介在した第２部分とを有し、
    前記無機絶縁層および前記導電層に接しつつ前記無機絶縁層および前記導電層の間に介在した第１樹脂層を有し、
    前記無機絶縁層に接しつつ前記無機絶縁層の前記第１樹脂層とは反対側に配された、前記第１樹脂層よりも厚みの大きい第２樹脂層をさらに有しており、
    前記第１樹脂層は、第１樹脂および該第１樹脂中に分散した複数の第１フィラー粒子を含み、
    前記第２樹脂層は、第２樹脂および該第２樹脂中に分散した複数の第２フィラー粒子を含み、
    前記第１樹脂層における前記第１フィラー粒子の含有割合は、前記第２樹脂層における前記第２フィラー粒子の含有割合よりも少ないことを特徴とする配線基板。
  5. 厚み方向に貫通した貫通孔を有する無機絶縁層と、該無機絶縁層上に配された導電層と、前記貫通孔の内壁に被着しているとともに前記導電層に接続した貫通導体とを備え、
    前記無機絶縁層は、一部が互いに接続した複数の無機絶縁粒子および該無機絶縁粒子同士の間隙に配された樹脂部を含む第１部分と、一部が互いに接続した前記複数の無機絶縁粒子および該無機絶縁粒子同士の間隙に配された前記貫通導体の一部からなる導体部を含むとともに前記第１部分と前記貫通導体との間に介在した第２部分とを有し、
    前記無機絶縁層および前記導電層に接しつつ前記無機絶縁層および前記導電層の間に介在した第１樹脂層を有し、
    前記無機絶縁層の前記第２部分の前記導電層側の一主面は、前記第１樹脂層から露出しており、
    前記貫通孔の前記内壁は、前記無機絶縁層の前記第１樹脂層から露出した前記一主面からなる第２領域を含み、
    前記導電層は、前記第１樹脂層に接着した金属箔と、該金属箔上に配された電気めっき層とを有しており、
    前記金属箔は、前記第１樹脂層に接着した接着部と、前記第１樹脂層から前記貫通孔に向かって突出した突出部とを有しており、
    前記第２領域と前記突出部との間には、前記貫通導体の一部が配されていることを特徴とする配線基板。
  6. 請求項１ないし５のいずれかに記載の配線基板において、
    前記第１部分および前記第２部分における前記複数の無機絶縁粒子は、一部が互いに接続した複数の第１無機絶縁粒子と、平均粒径が該第１無機絶縁粒子よりも大きく、かつ前記第１無機絶縁粒子を挟んで互いに離れた複数の第２無機絶縁粒子とを含むことを特徴とする配線基板。
  7. 請求項６に記載の配線基板において、
    前記第１無機絶縁粒子の平均粒径は、３ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であり、
    前記第２無機絶縁粒子の平均粒径は、０．５μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする配線基板。
  8. 請求項１ないし７のいずれかに記載の配線基板と、該配線基板に実装され、前記導電層に電気的に接続された電子部品とを備えたことを特徴とする実装構造体。
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