JP6095856B2 - 電磁波検出器、及びガス分析装置 - Google Patents
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- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 81
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 14
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 15
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/314—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry with comparison of measurements at specific and non-specific wavelengths
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3504—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis
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- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0225—Shape of the cavity itself or of elements contained in or suspended over the cavity
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0801—Means for wavelength selection or discrimination
- G01J5/0802—Optical filters
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/41—Refractivity; Phase-affecting properties, e.g. optical path length
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
- G01N33/483—Physical analysis of biological material
- G01N33/497—Physical analysis of biological material of gaseous biological material, e.g. breath
- G01N33/4972—Determining alcohol content
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Urology & Nephrology (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
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Description
本発明の実施の形態では、電磁波検出器として、可視光または赤外光の検出器を用いた場合について説明するが、本発明はこれらの検出器に加えて、例えば紫外光、近赤外光、テラヘルツ(THz)波、マイクロ波などの電波領域の検出器を用いても有効である。なお、本発明の実施に形態においては、これらの光や電波を総称して電磁波とも記載する。
図8は、本発明の実施の形態2にかかる電磁波検出器200の構成を示す図で、図8(a)は上面図、図8(b)は図8(a)中の破線の丸Pで示した部分の拡大図である。図9は、図8のIX−IX線における断面図である。図8においても図1と同様、理解を容易にするため、基板1上の絶縁膜2の記載を省略し、温接点4の上に設けた電磁波吸収体8,15,16及び反射膜9を透視した状態で示している。本実施の形態の電磁波検出器200は、実施の形態1の電磁波検出器100と比較して、所定の波長帯の光を検出する第3電磁波センサ203及び第4電磁波センサ204をさらに備えた点が異なる。その他の構成は実施の形態1と共通なので、以下では、本形態に特有の構成を中心に説明する。なお、本実施の形態の支持脚19の構造は、実施の形態1の支持脚19の構造とは異なるが、差分をとる電磁波センサの支持脚の構造が同一であればよく、その構造は特に限定されない。また、構造が同一とは、図8に示す第1電磁波センサ201と第2電磁波センサ202のように、線対称に配置した場合も含む。
実施の形態1,2においては、電磁波吸収体8が特定の波長域の光のみを検出する場合について説明したが、電磁波吸収体8が特定の偏光のみを検知する場合においても同等の効果を有する。つまり、電磁波吸収体8自体は特定の偏光のみを吸収して検知しても、支持脚19で特定の偏光のみ吸収することは不可能である。その理由は、受光部18から基板1へ逃げる熱を小さくするため、熱抵抗が大きくなるよう細く長く形成される支持脚19上に、電磁波吸収体8を設けることができないからである。よって、特定の波長域の光のみを検出する電磁波吸収体8を有する電磁波センサにおいても、電磁波吸収体8の吸収と支持脚19の吸収を合わせた出力となり、偏光選択性が悪化する。このように、特定の偏光を検知する場合でも、支持脚19部分の吸収を差分によって消去する方法は、偏光選択性を高めるためにも有効である。
図10は、本発明の実施の形態4にかかる電磁波検出器300の構成を示す図である。実施の形態2では、検知波長帯λ1、λ2、λ3それぞれに対応した電磁波吸収体8、15、16で温接点4が覆われ、所定の波長帯の光を検出する第2、第3、第4電磁波センサ202,203,204が、図8に示すように1次元方向に隣接して複数個配置される構成について説明した。本実施の形態の電磁波検出器300では、特定の波長帯の光を検出する第2、第3、第4電磁波センサ302,303,304が、図10に示すように、温接点4上に反射膜9を設けた第1電磁波センサ301にそれぞれ接するように配置される。つまり、実施の形態2では、第2電磁波センサ202のみ第1電磁波センサ201に隣接して配置したが、本実施の形態のように、複数の電磁波センサ302,303,304を第1電磁波センサ301に隣接して配置しても良い。
本発明の実施の形態5にかかる電磁波検出器の構成について説明する。本実施の形態は、第1電磁波センサの温接点上に設ける反射膜9の特性が実施の形態1と異なる。
図12を用いて、本発明の実施の形態6におけるガス分析装置400について説明する。図12は、ガス分析装置400の構成の概略を示す図である。
また、1つの素子にガス種に応じた検知波長を有するセンサを複数個搭載する事も可能でありガス分析装置自体が小型で簡便な構成とすることが可能である。
図13は、本発明の実施の形態7にかかる電磁波検出器120の上面図である。各電磁波センサは、シリコン等の基板1と、電磁波を熱に変換して検出する受光部18と、基板1上に受光部(温度センサ部)18を中空保持する支持脚(例えば配線や熱電対)19とにより構成される。基板1の表面には、例えばSiO2やSiNからなる絶縁膜2が設けられている。絶縁膜2の上には、複数の熱電対からなるサーモパイル(熱電堆:多数の熱電対を直列に接続して出力電圧を高くしたもの)7が設けられている。この熱電対の対数が多いほど出力電圧は高くなる。しかしながら、熱電対の対数が多いほど温接点4領域から基板1への熱の逃げも容易になってしまう。ここで、絶縁膜2とその内部のサーモパイル7(熱電対)とを含めたものを支持脚19と呼ぶ。この支持脚19は受光部18を中空に保持して浮かせることによって、熱的に絶縁する効果も有する。熱電対の対数を減らし、この支持脚19を細く、長くすることにより温接点4領域から基板1への熱の逃げを抑制することができ、電磁波検出器120を高感度化することが可能となる。
図19は、本発明の実施の形態8にかかる電磁波検出器140の上面図である。図20は、図19のD−D線における断面図である。また、図21は、図19のE−E線における断面図である。図19でも図1と同様、理解を容易にするため、基板1上の絶縁膜2の記載を省略し、温接点4の上に設けた電磁波吸収体8を透視した状態で示している。
図22は、本発明の実施の形態9にかかる電磁波検出器210の構成を示す図で、図22においても図1と同様、理解を容易にするため、基板1上の絶縁膜2の記載を省略し、温接点4の上に設けた電磁波吸収体8,15及び16を透視した状態で示している。本実施の形態の電磁波検出器210は、実施の形態7の電磁波検出器120と比較して、所定の波長帯の光を検出する第3電磁波センサ207及び第4電磁波センサ208をさらに備えた点が異なる。その他の構成は実施の形態7と共通なので、以下では、本形態に特有の構成を中心に説明する。
2 絶縁膜
3 電磁波吸収体
4 温接点
5 冷接点
6 キャビティ
7 サーモパイル
8 電磁波吸収体
9 反射膜
10 配線
11 出力パッド
12 熱電対材料a
13 熱電対材料b
14 配線
15 電磁波吸収体
16 電磁波吸収体
17 配線
18 受光部
19 支持脚
20 光源
21 温接点領域
22 反射膜
30 ガス導入機構
40 差動型赤外線センサアレイ
100 電磁波検出器
110 電磁波センサ
111 第1電磁波センサ
112 第2電磁波センサ
113 第1電磁波センサ
114 第2電磁波センサ
115 第5電磁波センサ
116 第2電磁波センサ
117 第5電磁波センサ
118 第2電磁波センサ
120 電磁波検出器
130 電磁波検出器
140 電磁波検出器
200 電磁波検出器
201 第1電磁波センサ
202 第2電磁波センサ
203 第3電磁波センサ
204 第4電磁波センサ
205 第5電磁波センサ
206 第2電磁波センサ
207 第3電磁波センサ
208 第4電磁波センサ
210 電磁波検出器
300 電磁波検出器
301 第1電磁波センサ
302 第2電磁波センサ
303 第3電磁波センサ
304 第4電磁波センサ
400 ガス分析装置
Claims (15)
- 基板と、
支持脚で前記基板上に中空保持された受光部を有する第1電磁波センサと、
前記第1電磁波センサの支持脚と同一構造の支持脚で前記基板上に中空保持された受光部を有し、前記第1電磁波センサに隣接して設けられた第2電磁波センサとを備えた電磁波検出器であって、
前記第1電磁波センサの受光部は、支持脚と同一平面上にあり、平坦な全面反射膜を有し、
前記第2電磁波センサの受光部は、支持脚と同一平面上にあり、所定の波長域または所定の偏光の光を検出する電磁波吸収体を有し、
前記第1電磁波センサは、反射膜を含む受光部と、電磁波が直接入射する支持脚とを有し、前記第2電磁波センサの受光部以外の領域で吸収された電磁波によるセンサ出力と等しい出力を生じ、
前記第2電磁波センサの出力と前記第1電磁波センサの出力との差分を出力することを特徴とする電磁波検出器。 - 基板と、
前記基板上に中空保持された支持脚を有する第5電磁波センサと、
前記第5電磁波センサの支持脚と同一構造の支持脚で前記基板上に中空保持された受光部を有し、前記第5電磁波センサに隣接して設けられた第2電磁波センサとを備えた電磁波検出器であって、
前記第5電磁波センサは、中空保持された電磁波が直接入射する支持脚構造のみで構成され、支持脚構造は、支持脚に設けられた熱電対の温接点を熱的に接続する温接点領域にのみ、支持脚と同一平面上にある反射膜を有し、
前記第2電磁波センサの受光部は、所定の波長域または所定の偏光の光を検出する電磁
波吸収体を有し、
前記第2電磁波センサの出力と前記第5電磁波センサの出力との差分を出力することを
特徴とする電磁波検出器。 - 第1電磁波センサの支持脚及び第2電磁波センサの支持脚は、表面が露出していることを特徴とする請求項1に記載の電磁波検出器。
- 第5電磁波センサの支持脚及び第2電磁波センサの支持脚は、表面が露出していることを特徴とする請求項2に記載の電磁波検出器。
- 第1電磁波センサの支持脚と同一構造の支持脚で前記基板上に中空保持された受光部を有し、前記第1電磁波センサまたは第2電磁波センサに隣接して設けられた第3電磁波センサをさらに備え、
前記第3電磁波センサの受光部は、前記第2電磁波センサの電磁波吸収体が検出する光の波長域または偏光と異なる波長域または偏光の光を検出する電磁波吸収体を有し、前記第3電磁波センサの出力と前記第1電磁波センサの出力との差分を出力することを特徴とする請求項1または3に記載の電磁波検出器。 - 第5電磁波センサの支持脚と同一構造の支持脚で前記基板上に中空保持された受光部を有し、前記第5電磁波センサまたは第2電磁波センサに隣接して設けられた第3電磁波センサをさらに備え、
前記第5電磁波センサは受光部を有せず、
前記第3電磁波センサの受光部は、前記第2電磁波センサの電磁波吸収体が検出する光の波長域または偏光と異なる波長域または偏光の光を検出する電磁波吸収体を有し、前記第3電磁波センサの出力と前記第5電磁波センサの出力との差分を出力することを特徴とする請求項2または4に記載の電磁波検出器。 - 支持脚が熱電対からなることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の電磁波検出器。
- 第1電磁波センサの出力と第2電磁波センサの出力とは、前記第2電磁波センサの出力から前記第1電磁波センサの出力が引き算されるよう電気的に接続され、
前記第1電磁波センサの出力と第3電磁波センサの出力とは、前記第3電磁波センサの出力から前記第1電磁波センサの出力が引き算されるよう電気的に接続され、
前記第1電磁波センサと前記第2電磁波センサとの接続部及び前記第1電磁波センサと前記第3電磁波センサとの接続部は、共通化されていることを特徴とする請求項5に記載の電磁波検出器。 - 第5電磁波センサの出力と第2電磁波センサの出力とは、前記第2電磁波センサの出力から前記第5電磁波センサの出力が引き算されるよう電気的に接続され、
前記第5電磁波センサの出力と第3電磁波センサの出力とは、前記第3電磁波センサの出力から前記第5電磁波センサの出力が引き算されるよう電気的に接続され、
前記第5電磁波センサと前記第2電磁波センサとの接続部及び前記第5電磁波センサと前記第3電磁波センサとの接続部は、共通化されていることを特徴とする請求項6に記載の電磁波検出器。 - 電磁波吸収体は、金属膜の単層構造または金属膜及び誘電体の多層膜構造であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の電磁波検出器。
- 電磁波吸収体は、特定波長を表面に結合させる表面プラズモンを誘起するように表面にアレイ状に配置された周期構造を有し、特定波長の入射光の吸収量を前記特定波長以外の入射光の吸収量より大きくしたことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の電磁波検出器。
- 第1電磁波センサの反射膜は、第2電磁波センサの電磁波吸収体で検出される光の波長域に含まれる特定波長以外の波長の光を反射することを特徴とする請求項1、3、5または8のいずれか1項に記載の電磁波検出器。
- 第1電磁波センサの反射膜は、比熱の大きい材料であることを特徴とする請求項1、3、5または8のいずれか1項に記載の電磁波検出器。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載の電磁波検出器と、
分析するガスを導入するガス導入機構と、
前記分析するガスに電磁波を照射する光源とを備え、
前記分析するガスを透過した電磁波に含まれる特定波長の電磁波の強度を前記電磁波検出器で検出することを特徴とするガス分析装置。 - 電磁波検出器で検出する特定波長は、アルコールを特定する波長であることを特徴とする請求項14に記載のガス分析装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015022886 | 2015-02-09 | ||
JP2015022886 | 2015-02-09 | ||
PCT/JP2016/050027 WO2016129293A1 (ja) | 2015-02-09 | 2016-01-04 | 電磁波検出器、及びガス分析装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6095856B2 true JP6095856B2 (ja) | 2017-03-15 |
JPWO2016129293A1 JPWO2016129293A1 (ja) | 2017-04-27 |
Family
ID=56614557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016524157A Active JP6095856B2 (ja) | 2015-02-09 | 2016-01-04 | 電磁波検出器、及びガス分析装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10309895B2 (ja) |
JP (1) | JP6095856B2 (ja) |
CN (1) | CN107209057B (ja) |
DE (1) | DE112016000672T5 (ja) |
WO (1) | WO2016129293A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022224879A1 (ja) | 2021-04-19 | 2022-10-27 | 国立大学法人東京大学 | センサ素子及びセンサ装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3144663B1 (en) | 2016-11-18 | 2020-06-17 | Sensirion AG | Gas sensor module |
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- 2016-01-04 DE DE112016000672.1T patent/DE112016000672T5/de active Pending
- 2016-01-04 JP JP2016524157A patent/JP6095856B2/ja active Active
- 2016-01-04 US US15/543,421 patent/US10309895B2/en active Active
- 2016-01-04 WO PCT/JP2016/050027 patent/WO2016129293A1/ja active Application Filing
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JPWO2016129293A1 (ja) | 2017-04-27 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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