JP6090122B2 - 電解質膜構造体の製造方法 - Google Patents

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本発明は、電解質膜に関する。
電解質膜構造体の製造過程において、多孔性補強膜の両側から電解質膜を貼り合わせ、多孔性補強膜を電解質膜に含浸させる手法が知られている(例えば特許文献1)。
特開2009−283448号公報
上記先行技術が有する課題は、電解質膜構造体の製造不良を低減することについて改善の余地があることである。この他、装置の小型化や、低コスト化、省資源化、製造の容易化、使い勝手の向上等が望まれていた。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためのものであり、以下の形態として実現できる。
本発明の一形態によれば、電解質膜構造体の製造方法が提供される。この製造方法は、電解質単膜の所定面から多孔性補強膜を含浸させる工程と;前記含浸済みの電解質単膜同士を、前記所定面同士で貼り合わせる工程とを含む。この形態によれば、含浸させる工程においてエアが封入されることによる製造不良が低減される。この形態のように、2枚の電解質膜に多孔性補強膜を含浸させて電解質膜構造体を製造する場合であっても、含浸させる工程において多孔性補強膜の片面からエアが排出されるからである。
MEGAの製造方法を示す工程図。 中間含浸膜と含浸膜との製造方法を示す図。 比較例1における含浸膜の作製を示す図。 比較例2における含浸膜の作製を示す図。 電解質膜の表面に露出した補強筋を示す図。
図1は、本実施形態におけるMEGA(膜電極ガス拡散層接合体:Membrane Electrode & Gas diffusion layer Assembly)の製造方法を示す工程図である。まず、電解質単膜20を作製する(ステップS100)。具体的には、電解質樹脂の前駆体高分子樹脂を押出成形することによって作製する。前駆体高分子樹脂は、高分子鎖末端が−SO2Fであり、イオン交換容量(IEC:Ion Exchange Capacity)が1.54meq/gである。電解質単膜20の厚さは約3μmである。
次に、補強膜30を作製する(ステップS200)。具体的には、生テープを同時二軸延伸機によって延伸し、さらに焼成を施すことによって作製する。生テープは、PTFEファインパウダに対して、ペースト押出と圧延処理とを施すことによって作製する。本実施形態における補強膜30は、厚さが約4μmであり、多孔性(気孔率が40〜60%)である。
続いて、中間含浸膜40を作製する(ステップS300)。図2は、中間含浸膜40と、後述する含浸膜50との製造方法を示す図である。中間含浸膜40は、ステップS100,200で作製した電解質単膜20と補強膜30とを貼り合わせることによって作製する。この貼り合わせは、加熱ローラ90を用いた熱プレスによって実現する。具体的な条件は、温度が250℃、面圧が0.5MPa、搬送速度が0.1m/minである。
続けて含浸膜50を作製する(ステップS400)。具体的には、加熱ローラ90を用いた熱プレスによって、2枚の中間含浸膜40を貼り合わせることによって作製する。熱プレスの条件は、上記と同じである。この貼り合わせは、中間含浸膜40の所定面同士を接触させて実施する。所定面とは、図2に示されるように、ステップS200において、補強膜30と接触していた面のこと、つまり含浸の入り口となった面のことである。
続いて、電解質膜を作製する(ステップS500)。具体的な手順は次の通りである。まず、含浸膜50を水酸化ナトリウム水溶液で加水分解処理する。この水溶液は、濃度が9mol/l、温度が80℃である。次に純水で洗浄し、硝酸水溶液によって高分子鎖末端を酸型(−SO3H)に置換する。この水溶液は、濃度が1mol/l、温度が80℃である。再び純水で洗浄し、その後、乾燥させることによって電解質膜が作製される。
最後に、MEGAを作製する(ステップS600)。具体的には、転写法によってCCM(膜触媒層接合体:Catalyst Coated Membrane)を形成した後、2つのGDL(ガス拡散層:Gas Diffusion Layer)によってCCMを挟み込むことによって作製される。転写法の条件は、温度が130℃、面圧が4MPa、時間は4分である。
図3は、比較例1における含浸膜51の作製を示す図である。含浸膜51は、図3に示されるように、電解質単膜20の両側に補強膜30を配置し、熱プレスを施すことによって作製される。但し、実施形態とは異なり、電解質単膜20の厚さは約6μmであり、熱プレスにおける搬送速度を0.05m/minとする。他の条件は、実施形態と同じである。含浸膜51を用いて、実施形態と同じ手法(ステップS500)によって電解質膜を作製する。
図4は、比較例2における含浸膜52の作製を示す図である。含浸膜52は、図4に示されるように、2枚の電解質単膜20の間に補強膜30を配置し、熱プレスを施すことによって作製される。但し、実施形態とは異なり、補強膜30の厚さは約8μmであり、熱プレスにおける搬送速度を0.05m/minとする。他の条件は、実施形態と同じである。含浸膜52を用いて、実施形態と同じ手法(ステップS500)によって電解質膜を作製する。
実施形態と比較例1,2とで、電解質膜の表面形状を比較した。表面にシワやボイドが無ければOK、有ればNGと判定した。実施形態と比較例1はOKだった。比較例2は、ボイドが多発したのでNGだった。
続いて、実施形態の製造方法によって作成されたMEGAと、比較例1,2の電解質膜を用いて作製されたMEGAとの発電性能を比較する実験をした。比較例1,2におけるMEGAの作製方法は、実施形態と同じ手法(ステップS600)を用いた。
実験条件は、アノードの流量を0.5NL/min、カソードの流量を2.0NL/min、アノードを60℃で加湿、カソードはドライ、セル温度を83℃、電流を1.2A/cm2、アノード及びカソードの背圧を0.14MPaGに設定した。
実験結果は、実施形態の場合の発電電圧を1とした場合、比較例1の場合の発電電圧は0.95、比較例2の場合の発電電圧は1.00であった。このように、実施形態によれば、表面形状における異常を抑制し、且つ、発電性能が良好になることが確認された。
なお、比較例1において発電性能が良好でなかった理由は、電解質膜と触媒層のアイオノマとの接合性が悪くなるからであると推測される。図5は、電解質膜の表面に露出した補強筋を模式的に示す。比較例1のように、電解質膜の外側として露出することになる部位から補強膜を含浸させると、電解質膜の表面に補強成分の一部が露出し、上記接合性を悪化させると考えられる。
本発明は、本明細書の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現できる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、先述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、先述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことができる。その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除できる。
20…電解質単膜
30…補強膜
40…中間含浸膜
50…含浸膜(実施形態)
51…含浸膜(比較例1)
52…含浸膜(比較例2)
90…加熱ローラ

Claims (1)

  1. 第1の電解質単膜の所定面から多孔性補強膜を含浸させることで、第1の含浸済みの電解質単膜を作成する工程と、
    第2の電解質単膜の所定面から多孔性補強膜を含浸させることで、第2の含浸済みの電解質単膜を作成する工程と、
    前記第1の含浸済みの電解質単膜と、前記第2の含浸済み電解質膜とを、前記所定面同士で貼り合わせる工程と
    を含む電解質膜構造体の製造方法。
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