JP6088654B2 - 静電容量型入力装置 - Google Patents
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Description
また、導電層を覆うように積層されたフィルム基材より薄い保護層を有しているので、例えば製造上での物理的な作用による導電層の損傷や、例えば環境下における導電層のダメージ等に対して、導電層が保護される。このことにより、曲面形状を有する静電容量型入力装置の耐候性を高めることができる。
図1は、本発明の第1実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置101を説明する斜視図である。図2は、本発明の第1実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置101を説明する図であって、図1に示すZ2側から見た斜視図である。図3は、本発明の第1実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置101を説明する図であって、図1に示すX2側から見た側面図である。図4は、本発明の第1実施形態に係わる曲面形状を有する静電容量型入力装置101を説明する図であって、曲面形状部分の断面構成図である。なお、図3及び図4に示す身体特定部位F10のサイズと図4に示す各層のサイズは、イメージを示した図であり、実際のサイズを表したものではない。
上記第1実施形態では、ユーザに対向する外曲面1gが凸状のドーム形状を有して構成されていたが、図7(a)に示すように、ユーザに対向する外曲面1gが凹状の椀形状を有して構成されていても良い。
上記第1実施形態では、ユーザに対向する外曲面1gが凸状の単純なドーム形状を有して構成されていたが、この形状に限らなく、例えば図7(b)に示すように、違った凸形状が組み合わされた形状でも良い。
上記第1実施形態では、導電層5を覆うように保護層9を設けるように好適に構成したが、図8(a)に示すように、保護層9を設けない構成にしても良い。
上記第1実施形態に対して、図8(b)に示すように、外装体1と加飾層52との間に、中間層C42を設けるように好適に構成しても良い。これにより、射出成形時において、外装体1となる高温で流動した合成樹脂から加飾層52を保護することができる。
上記第1実施形態では、外装体1、フィルム基材3、導電層5及び保護層9を透明にして、操作面全体を透明にした構成にしたが、提供される製品によっては、必ずしも透明にする必要はない。
上記第1実施形態では、導電層5を1層設けて、この1層の電極で静電容量値の変化を検出することにより、ユーザ自身の指先F10の位置を検出するように好適に構成していたが、この形態に限るものではない。例えば、従来例のように、X方向の第1導電層とY方向の第2導電層の2層の電極で静電容量値の変化を検出することにより、座標を検出できる座標入力装置を構成しても良い。また、1層の導電層用いて、ユーザ自身の指先F10を検知し、例えばスイッチ装置を構成しても良い。
1g 外曲面
1n 内曲面
3 フィルム基材
3m 接合面
3p 反対面
5 導電層
7 配線層
9 保護層
101、C101、C102、C103、C104 静電容量型入力装置
Claims (4)
- ユーザに対向する外曲面を有して合成樹脂で成形された外装体と、
該外装体の内曲面に倣って一体に設けられたフィルム基材と、
該フィルム基材の前記外装体側の面の反対面に形成された導電性高分子からなる導電層と、
該導電層と電気的に接続された配線層と、
前記導電層の前記フィルム基材側の面の反対面を覆うように積層された、前記フィルム基材よりも薄い保護層と、
を有することを特徴とする曲面形状を有する静電容量型入力装置。 - 前記導電性高分子は、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)とポリスチレンスルホン酸(PSS)の混合体からなることを特徴とする請求項1に記載の曲面形状を有する静電容量型入力装置。
- 前記外装体、前記フィルム基材、前記導電層及び前記保護層が透明であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の曲面形状を有する静電容量型入力装置。
- 前記保護層は、絶縁性の合成樹脂材料からなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の曲面形状を有する静電容量型入力装置。
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