JP6086716B2

JP6086716B2 - 水晶デバイス

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Publication number: JP6086716B2
Application number: JP2012278947A
Authority: JP
Inventors: 翔太鈴木; 信孝阿部
Original assignee: Kyocera Crystal Device Corp
Current assignee: Kyocera Crystal Device Corp
Priority date: 2012-12-21
Filing date: 2012-12-21
Publication date: 2017-03-01
Anticipated expiration: 2032-12-21
Also published as: JP2014123862A

Description

本発明は、例えば電子機器等に用いられる水晶デバイスに関するものである。

水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果を利用して、水晶素板の両面が互いにずれるように厚みすべり振動を起こし、特定の周波数を発生させるものである。基板上に設けられた電極パッドに導電性接着剤を介して実装された水晶素子を備えた水晶デバイスが提案されている（例えば、下記特許文献１参照）。水晶素子は、水晶素板の両主面に設けられた励振用電極と、励振用電極から水晶素板の一辺に向かって引き出された引き出し電極とを有している。

特開２００２−１１１４３５号公報

上述した水晶デバイスは、小型化が顕著であるが、基板に実装する水晶素子も小型化になっている。このように小型化になると、水晶素子の励振用電極と引き出し電極との間隔が狭くなり、水晶素子を基板に実装する際に、接続用電極に付着された導電性接着剤が濡れ拡がることで励振用電極に導電性接着剤が付着してしまう。よって、導電性接着剤が付着することで、水晶素子の励振用電極と引き出し電極とが短絡してしまう
虞があった。

本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、水晶素子の励振用電極と引き出し電極との短絡を低減することができる水晶デバイスを提供することを目的とする。

本発明の一つの態様による水晶デバイスは、基板と、基板上に設けられた電極パッドと、電極パッド上に電気的に接続された、矩形状の水晶素板と、水晶素板の中央矩形領域に設けられた励振用電極と、中央矩形領域の角に位置する励振用電極の一部から中央矩形領域を取り囲む周辺領域の一部にまで引き伸ばされた引き出し電極とを有する水晶素子と、を備え、水晶素子は、電極パッドと引き出し電極とが導電性接着剤を介して接続されており、励振用電極は、電極パッド側の前記角と隣接した角が、周辺領域の電極パッド側の一辺から一辺と隣接する一辺にかけて横断した直線状の面取りが形成され、水晶素板の上面に設けられた励振用電極に面取りされた箇所と、水晶素板の下面に設けられた励振用電極に面取りされた箇所とが平面視して重ならない位置に設けられていることを特徴とするものである。

本発明の一つの態様による水晶デバイスは、励振用電極の電極パッド側の角と隣接した角が、周辺領域の電極パッド側の一辺から一辺と隣接する一辺にかけて横断した直線状の面取りが形成され、水晶素板の上面に設けられた励振用電極に面取りされた箇所と、水晶素板の下面に設けられた励振用電極に面取りされた箇所とが平面視して重ならない位置に設けられている。このようにすることによって、水晶素子の引き出し電極に付着された導電性接着剤が濡れ拡がったとしても、励振用電極に導電性接着剤が付着することがない。よって、水晶デバイスは、励振用電極と引き出し電極が短絡することを低減することができる。

本実施形態における水晶デバイスを示す分解斜視図である。図１に示された水晶デバイスのＡ−Ａにおける断面図である。本実施形態における水晶デバイスの蓋体を外した状態を示す平面図である。（ａ）本実施形態における水晶デバイスを構成する水晶素子の上面側を示す平面図であり、（ｂ）本実施形態における水晶デバイスを構成する水晶素子の下面側を示す平面透視図である。本実施形態における水晶デバイスを構成する水晶素子の等価回路図である。本実施形態の第一変形例における水晶デバイスを示す分解斜視図である。（ａ）本実施形態の第一変形例における構成する水晶素子の上面側を示す平面図であり、（ｂ）本実施形態の第一変形例における水晶デバイスを構成する水晶素子の下面側を示す平面透視図である。

本実施形態における水晶デバイスは、図１及び図２に示されているように、パッケージ１１０と、パッケージ１１０の基板１１０ａに接合された水晶素子１２０とを含んでいる。パッケージ１１０は、基板１１０ａの上面と枠体１１０ｂの内側面によって囲まれた収容空間Ｋが形成されている。

基板１１０ａは、矩形状であり、上面で実装された水晶素子１２０を支持するための支持部材として機能するものである。基板１１０ａの上面には、水晶素子１２０を接合するための電極パッド１１１が設けられている。また、基板１１０ａの下面の四隅には、外部接続用電極端子Ｇが設けられている。

基板１１０ａは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板１１０ａは、絶縁層を１層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板１１０ａの表面及び内部には、上面に設けられた電極パッド１１１と下面の外部接続用電極端子Ｇとを電気的に接続するための配線パターン及びビア導体が設けられている。

枠体１１０ｂは、基板１１０ａ上に収容空間Ｋを形成するためのものである。枠体１１０ｂは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板１１０ａと一体的に形成されている。枠体１１０ｂの上面には、封止用導体パターン１１２が設けられている。

封止用導体パターン１１２は、蓋体１３０と封止部材１３１を介して接合する際に、封止部材１３１の濡れ性をよくする役割を果たしている。また、封止用導体パターン１１２は、基板１１０ａの内部に形成されたビア導体（図示せず）及び配線パターン（図示せず）により少なくとも１つの外部接続用電極端子Ｇに接続されている。少なくとも１つの外部接続用電極端子Ｇは、外部の実装基板上のグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。そのため、封止用導体パターン１１２に接合される蓋体１３０がグランドに接続されることとなり、蓋体１３０による収容空間Ｋ内のシールド性が向上する。封止用導体パターン１１２は、例えばタングステン又はモリブデン等から成る導体パターンの表面にニッケルメッキ及び金メッキを順次、枠体１１０ｂの上面を環状に囲む形態で施すことによって、例えば１０μｍ〜２５μｍの厚みに形成されている。

電極パッド１１１は、一対で設けられており、基板１１０ａの一辺に沿うように隣接して設けられている。電極パッド１１１は、基板１１０ａ内に設けられた配線パターン及びビア導体を介して、基板１１０ａの下面に設けられた外部接続用電極端子Ｇと電気的に接続されている。

ここで、パッケージ１１０の作製方法について説明する。基板１１０ａ及び枠体１１０ｂがアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿孔しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、一対の電極パッド１１１又は外部接続用電極端子Ｇとなる部位にニッケルメッキ又は金メッキ等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。

水晶素子１２０は、図２に示されているように、導電性接着剤１４０を介して電極パッド１１１上に接合されている。水晶素子１２０は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。水晶素子１２０は、水晶素板１２１の上面に励振用電極１２２ａ、引き出し電極１２３ａを被着させ、水晶素板１２１の下面に励振用電極１２２ｂ、引き出し電極１２３ｂを被着させた構造を有している。

水晶素子１２０の等価回路は、図５に示されているように、励振用電極１２２のうち実際に振動している部分（一対の励振用電極１２２の対向している部分）で形成される等価直列容量Ｃ１と、等価インダクタンスＬ及び等価直列抵抗Ｒ１とが直列に接続されており、等価並列容量Ｃ０が等価直列抵抗Ｒ、等価直列容量Ｃ１及び等価インダクタンスＬに並列に接続された構成となっている。また、その水晶素子１２０の等価回路に主に発振回路で構成される負荷容量ＣＬが負荷された状態で水晶デバイスの等価回路が形成されることになる。

水晶素板１２１は、図３及び図４に示されているように、中央矩形領域Ｘと、中央矩形領域Ｘの周囲に周辺領域Ｙを有している。水晶素板１２１は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し外形加工を施された概略平板状で平面形状が例えば四角形となっている。

励振用電極１２２は、水晶素板１２１の中央矩形領域Ｘの上面及び下面に第１の金属膜が形成され、第１の金属膜の上面に第２の金属膜が積層するように形成されている。第１の金属膜は、例えば、クロム又はチタンから構成され、第２の金属膜は、例えば、金により構成されている。また、第１の金属膜と第２の金属膜の接合力を上げるために例えばニッケルを第１の金属膜と第２の金属膜の間に形成してもよい。また、この励振用電極１２２をイオンガンから照射されたイオンビームにて削ることにより、励振用電極１２２の厚みを調整し、水晶素子１２０の発振周波数の調整を行っている。

引き出し電極１２３は、中央矩形領域Ｘから周辺領域Ｙに延在されるようにして設けられている。引き出し電極１２３の一端は、励振用電極１２２と接続され、他端は、水晶素板１２１の長辺又は短辺の一つの辺に沿って、隣接するように一対で設けられている。引き出し電極１２３は、パッケージ１１０の電極パッド１１１と接続する役割を果たしている。

面取り１２４は、水晶素板１２１の電極パッド１１１側の角と隣接した励振用電極１２２の角が、周辺領域Ｙの電極パッド１１１側の一辺から一辺と隣接する一辺にかけて横断するようにして直線状に設けられている。水晶素子１２０の下面に設けられた励振用電極１２２ｂに面取り１２４ｂが設けられていることによって、励振用電極１２２ｂと引き出し電極１２３ｂとの間で十分な距離が確保できているため、引き出し電極１２３ｂに付着された導電性接着剤１４０が濡れ拡がったとしても、励振用電極１２２ｂに導電性接着剤１４０が付着しにくい。励振用電極１２２ｂに導電性接着剤１４０が付着しにくくすることで、励振用電極１２２ｂと引き出し電極１２３ｂが短絡することを低減することができる。また、水晶素子１２０の上面に設けられた励振用電極１２２ａに面取り１２４ａが設けられていることによって、上面に設けられた励振用電極１２２ａをイオンガンから照射されたイオンビームにて削ることで生じる電極屑が水晶素板１２１の励振用電極１２２ａと引き出し電極１２３ａとの間に再付着しても、十分な距離が確保できているため、励振用電極１２２ａと引き出し電極１２３ａが短絡することを低減することができる。

また、仮に、従来の成膜マスクを用いてベベル加工された水晶素板に励振用電極を形成した場合には、水晶素板のベベル加工された箇所が急峻になっているため、ベベル加工された箇所に励振用電極の角部が均一な厚みで形成されない虞がある。その結果、励振用電極の角部がぼやけることになる。そこで、本実施形態では、励振用電極１２２に面取り１２４を設けることにより、励振用電極１２２の外周がぼやけることなく、励振用電極１２２が正常に作動し、さらに安定したクリスタルインピーダンス値を出力することができる。

また、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示されているように、水晶素板１２１の上面に設けられた励振用電極１２２ａに形成された面取り１２４ａは、水晶素板１２１の下面に設けられた励振用電極１２２ｂに形成された面取り１２４ｂと平面視して重ならないようになっている。このようにすることで、水晶素子１２０の重ならない部分にある励振用電極１２２の面積を大きくすることができる。そして、仮に、面取り１２４ａが重なる場合には、面取り１２４ａが重ならない場合と比較して、励振用電極１２２の面積が小さくなるので、共振周波数が同じであれば、主面の面積が小さくなることにより発振周波数の変化量が大きくなる。水晶素子１２０の発振周波数の変化量が大きくなると、水晶素子１２０に流れる電流を変化させて、その際の周波数及び損失分を測定することにより行われるＤＬＤ（ＤｒｉｖｅＬｅｖｅｌＤｅｐｅｎｄｅｎｃｅ）特性において、発振周波数の大幅な変化や損失分が急変することになる。そこで、本実施形態では、面取り１２４ａが平面視して重さならないようにすることにより、ＤＬＤ特性において、発振周波数の大幅な変化や損失分が急変することを低減することができる。また、水晶発振器を構成した際に、発振周波数が変動したりする可能性を低減することができる。

また、水晶素子１２０の重ならない部分にある励振用電極１２２の面積を大きくすることで、等価直列容量Ｃ１を大きくすることができる。等価直列容量Ｃ１が大きければ、水晶素子１１０の周波数感度が大きく取れることになる。水晶素子１１０の周波数感度が大きい場合には、温度が変化しても発振周波数を調整することが可能な周波数範囲を広くとれることになる。つまり、周波数感度が大きい場合は、温度変化によって水晶デバイスの発振周波数の調整の余裕度が大きくとれることになる。

面取り１２４は、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示されているように、水晶素子１２０の電極パッド側の励振用電極１２２の角と隣接したもう１つの角にも形成されている。このように励振用電極１２２の長辺を２等分する線に対して線対称とすることによって、面取り１２４が１つだけ設けられている場合と比べて、さらに振動バランスが取りやすくなる。よって、水晶素子１２０は、長期的に見て発振周波数をさらに安定して出力することができる。

例えば３８．４ＭＨｚ用の水晶素板１２１を平面視したときの縦寸法が２．０〜２．２ｍｍであり、平面視したときの横寸法が１．５〜１．７ｍｍである場合を例にして説明すると、励振用電極１２２を平面視したときの縦寸法が１．４５〜１．６５ｍｍであり、平面視したときの横寸法が１．３５〜１．５５ｍｍである。面取り１２４の周辺領域Ｙの電極パッド１１１側の一辺からそれと隣接する一辺にかけて横断するようにして設けられた直線の寸法は、０．２〜０．４ｍｍである。また、面取り１２４は、矩形状の励振用電極１２２の角を三角形状に除去したものであり、励振用電極１２２を平面視したときの縦寸法と平行となる寸法が０．１〜０．３ｍｍであり、平面視したときの横寸法が０．１〜０．３ｍｍである。また、面取り１２４が設けられた励振用電極１２２は矩形状の励振用電極に比べて、その面積が９５〜９９％となるように形成されている。

例えば２４．０ＭＨｚ用の水晶素板１２１を平面視したときの縦寸法が２．１〜２．３ｍｍであり、平面視したときの横寸法が１．５７〜１．７７ｍｍである場合を例にして説明すると、励振用電極１２２を平面視したときの縦寸法が１．５２〜１．７３ｍｍであり、平面視したときの横寸法が１．４１〜１．６１ｍｍである。面取り１２４の周辺領域Ｙの電極パッド１１１側の一辺からそれと隣接する一辺にかけて横断するようにして設けられた直線の寸法は、０．２〜０．４ｍｍである。また、面取り１２４は、矩形状の励振用電極１２２の角を三角形状に除去したものであり、励振用電極１２２を平面視したときの縦寸法と平行となる寸法が０．１〜０．３ｍｍであり、平面視したときの横寸法が０．１〜０．３ｍｍである。また、面取り１２４が設けられた励振用電極１２２は矩形状の励振用電極に比べて、その面積が９５〜９９％となるように形成されている。

また、例えば１９．２ＭＨｚ用の水晶素板１２１を平面視したときの縦寸法が２．４〜２．６ｍｍであり、平面視したときの横寸法が１．８〜２．０ｍｍである場合を例にして説明すると、励振用電極１２２を平面視したときの縦寸法が１．７４〜１．９５ｍｍであり、平面視したときの横寸法が１．６２〜１．８３ｍｍである。面取り１２４の周辺領域Ｙの電極パッド１１１側の一辺からそれと隣接する一辺にかけて横断するようにして設けられた直線の寸法は、０．２〜０．３ｍｍである。また、面取り１２４は、矩形状の励振用電極１２２の角を三角形状に除去したものであり、励振用電極１２２を平面視したときの縦寸法と平行となる寸法が０．１〜０．３ｍｍであり、平面視したときの横寸法が０．１〜０．３ｍｍである。また、面取り１２４が設けられた励振用電極１２２は矩形状の励振用電極に比べて、その面積が９６〜９９％となるように形成されている。

本実施形態においては、電極パッド１１１と接続されている水晶素子１２０の一端を基板１１０ａの上面と接続した固定端とし、他端を基板１１０ａの上面と間を空けた自由端とした片保持構造にて水晶素子１２０が基板１１０ａ上に固定されている。

ここで、水晶素子１２０の動作について説明する。水晶素子１２０は、外部からの交番電圧が引き出し電極１２３から励振用電極１２２を介して水晶素板１２１に印加されると、水晶素板１２１が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。

ここで、水晶素子１２０の作製方法について説明する。まず、水晶素子１２０は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶素板１２１の外周の厚みを薄くし、水晶素板１２１の周辺領域Ｙと比べて水晶素板１２１の中央矩形領域Ｘが厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、水晶素子１２０は、水晶素板１２１の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極１２２、引き出し電極１２３を形成することにより作製される。

水晶素子１２０の基板１１０ａへの接合方法について説明する。まず、導電性接着剤１４０は、例えばディスペンサによって、一対の電極パッド１１１の上面に塗布される。水晶素子１２０は、導電性接着剤１４０上に搬送され、導電性接着剤１４０上に載置される。そして水晶素子１２０は、導電性接着剤１４０を加熱硬化させることによって一対の電極パッド１１１に接合される。

導電性接着剤１４０は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。

導電性接着剤１４０の粘度が、３５〜４５Ｐａ・ｓのものを使用することによって、塗布した際に、導電性接着剤１４０は、電極パッド１１１から基板１１０ａ上面に流れ出にくくなることで、電極パッド１１１上に留まり、上下方向の厚みが維持される。導電性接着剤１４０の上下方向の厚みの長さは、１０〜２５μｍである。このように導電性接着剤１４０の厚みを確保できることによって、落下等の試験により加わった衝撃が水晶素子１２０に対して導電性接着剤１４０を中心にして上下方向へ加わったとしても、その衝撃を導電性接着剤１４０で十分に吸収緩和することができる。

蓋体１３０は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなる。このような蓋体１３０は、真空状態にある収容空間Ｋ、あるいは窒素ガスなどが充填された収容空間Ｋを気密的に封止するためのものである。具体的には、蓋体１３０は、所定雰囲気で、パッケージ１１０の枠体１１０ｂ上に載置される。そして、枠体１１０ｂの封止用導体パターン１１２と蓋体１３０の封止部材１３１とが溶接されるように、蓋体１３０に所定電流を印加してシーム溶接を行うことにより、蓋体１３０を枠体１１０ｂに接合する。

封止部材１３１は、パッケージ１１０の枠体１１０ｂ上面に設けられた封止用導体パターン１１２に相対する蓋体１３０の箇所に設けられている。封止部材１３１は、例えば、金錫又は銀ロウによって設けられている。金錫の場合は、その厚みは、１０〜４０μｍである。例えば、成分比率が、金が７８〜８２％、錫が１８〜２２％のものが使用されている。銀ロウの場合は、その厚みは、１０〜２０μｍである。例えば、成分比率は、銀が７２〜８５％、銅が１５〜２８％のものが使用されている。

本実施形態における水晶デバイスは、水晶素子１２０の励振用電極１２２の電極パッド１１１側の角と隣接した角が、周辺領域Ｙの電極パッド１１１側の一辺からそれと隣接する一辺にかけて横断した直線状の面取り１２４が形成されている。このようにすることにより、水晶デバイスは、励振用電極１２２ｂと引き出し電極１２３ｂとの間で十分な距離が確保できているため、引き出し電極１２３ｂに付着された導電性接着剤１４０が濡れ拡がったとしても、励振用電極１２２ｂに導電性接着剤１４０が付着しにくくなる。よって、水晶デバイスは、励振用電極１２２ｂと引き出し電極１２３ｂが短絡することを低減することができる。

（第一変形例）
以下、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスについて説明する。なお、本実施形態の第一変形例における水晶デバイスのうち、上述した水晶デバイスと同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、図５及び図６に示されているように、面取り２２４が励振用電極２２２の角と対角に位置する角にも形成されている点で本実施形態と異なる。

面取り２２４は、水晶素板２２１の電極パッド１１１側の励振用電極２２２の角と隣接した角が、周辺領域Ｙの電極パッド１１１側の一辺からそれと隣接する一辺にかけて横断するようにして直線状に設けられている。面取り２２４は、励振用電極２２２の電極パッド１１１側の角と対角に位置する角にも形成されている。このように励振用電極２２２の長辺を二等分する線と短辺を二等分する線とが交わる中心点に対して点対称となるように励振用電極２２２に面取り２２４が設けられていることによって、励振用電極１２２の外周から中央に向かって徐々に変位が大きくなるようにして振動が発生する際に、面取り１２４が１つだけ設けられている場合と比べて、さらに振動バランスが取りやすくなる。よって、水晶素子１２０は、長期的に見て発振周波数をさらに安定して出力することができる。

本実施形態の第一変形例における水晶デバイスは、面取り２２４が励振用電極２２２の電極パッド１１１側の角と対角に位置する角にも形成されていることによって、励振用電極２２２の外周から中央に向かって徐々に変位が大きくなるようにして振動が発生する際に、面取り２２４が１つだけ設けられている場合と比べて、さらに振動バランスが取りやすくなる。よって、水晶素子１２０は、長期的に見て発振周波数をさらに安定して出力することができる。

尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記実施形態では、水晶素子は、水晶素板１２１の外周の厚みを薄くし、水晶素板１２１の周辺領域Ｙと比べて水晶素板１２１の中央矩形領域Ｘが厚くなるように設けるベベル加工を用いても構わない。また、水晶素子１２０のベベル加工方法について説明する。所定の粒度のメディアと砥粒とを備えた研磨材と、所定の大きさに形成された水晶素板１２１とを用意する。円筒体に用意した研磨材と水晶素板１２１とを入れ、円筒体の開口した端部をカバーで塞ぐ。研磨材と水晶素板１２１とを入れた円筒体を、円筒体の中心軸線を回転軸として回転させる水晶素板１２１が研磨材で研磨されてベベル加工が行われる。

１１０・・・パッケージ
１１０ａ・・・基板
１１０ｂ・・・枠体
１１１・・・電極パッド
１１２・・・封止用導体パターン
１２０、２２０・・・水晶素子
１２１、１２１・・・水晶素板
１２２、２２２・・・励振用電極
１２３、２２３・・・引き出し電極
１２４、２２４・・・面取り
１３０・・・蓋体
１３１・・・封止部材
１４０・・・導電性接着剤
Ｋ・・・収容空間
Ｇ・・・外部接続用端子

Claims

基板と、
前記基板上に設けられた電極パッドと、
前記電極パッド上に電気的に接続された、矩形状の水晶素板と、前記水晶素板の中央矩形領域に設けられた励振用電極と、前記中央矩形領域の角に位置する前記励振用電極の一部から前記中央矩形領域を取り囲む周辺領域の一部にまで引き伸ばされた引き出し電極とを有する水晶素子と、を備え、
前記水晶素子は、前記電極パッドと前記引き出し電極とが導電性接着剤を介して接続されており、
前記励振用電極は、前記電極パッド側の前記角と隣接した角が、前記周辺領域の前記電極パッド側の一辺から前記一辺と隣接する一辺にかけて横断した直線状の面取りが形成され、
前記水晶素板の上面に設けられた前記励振用電極に面取りされた箇所と、前記水晶素板の下面に設けられた前記励振用電極に面取りされた箇所とが平面視して重ならない位置に設けられていることを特徴とする水晶デバイス。
請求項１に記載の水晶デバイスであって、
前記面取りは、前記励振用電極の前記角と隣接した角にも形成されていることを特徴とする水晶デバイス。
請求項１又は請求項２に記載の水晶デバイスであって、
前記面取りは、前記励振用電極の前記角と対角に位置する角にも形成されていることを特徴とする水晶デバイス。