JP6080610B2 - マルチ放射線発生装置および放射線撮影システム - Google Patents

マルチ放射線発生装置および放射線撮影システム Download PDF

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Description

本発明は、医療機器および産業機器分野における非破壊X線撮影等に適用できるマルチ放射線発生装置およびそれを用いた放射線撮影システムに関する。
近年、マンモグラフィなどの放射線撮影分野において、被検体の深さ方向の情報を得る手段として、トモシンセシス撮影が行われている。トモシンセシス撮影は、被検体に対して複数の角度から放射線を照射して画像を撮影し、得られた複数の画像を再構成することにより断層画像を形成するものである。
通常トモシンセシス撮影では、放射線発生管を被検体に対して所定の角度の範囲(±7.5°〜±25°程度)で移動させながら、放射線を照射して撮影を行っている。しかしながら、撮影時に放射線発生管が移動するために、画像にアーチファクトを生じるという課題や、機械的な移動に時間を要するため撮影時間が長くなるという課題があった。また、放射線発生管の移動が被験者に恐怖感を与える場合があった。
従来、このような課題を解決できる手段として、特許文献1に示されるように、マルチ放射線源を用いたトモシンセシス撮影技術が提案されている。特許文献1は、複数の放射線源を用いて複数の角度から被写体に順次放射線を照射することにより、放射線源を静止した状態でトモシンセシス撮影を行う技術を開示している。
ところで、臨床使用においては、トモシンセシス画像と従来の2D(二次元)画像(非トモシンセシス画像)の両方の画像を使用するのが望ましいことがある。2D画像は、トモシンセシス画像と比較してより高い空間解像度を有することや、医療従事者にとって長年の知見があるというメリットがある。そのため、2D画像において疑わしいと思われる箇所を、トモシンセシス画像でより詳細に観察するという使い方をする場合がある。
前記特許文献1は、トモシンセシス撮影用のマルチ放射線源とは別に、トモシンセシス撮影の軌道外に非トモシンセシス撮影用の放射線源を備えた放射線撮影装置も開示している。
米国特許第8094773号明細書
しかしながら、トモシンセシス撮影用の放射線源と非トモシンセシス撮影用の放射線源を別々に備えることは、装置の構成が複雑になり、装置の製造コストが増加するという課題があった。また、トモシンセシス撮影用の放射線源と非トモシンセシス撮影用の放射線源を別々に設けているので、両者の位置がずれることになる。このため、この位置ずれによっては、トモシンセシス撮影時と非トモシンセシス撮影時とで放射線源を移動する必要を生じ、その分撮影に要する時間が長くなるという課題もあった。
本発明は、上記課題を解決するものであり、その目的は、より簡単な構成でトモシンセシス撮影と非トモシンセシス撮影の両方に適用できるマルチ放射線発生装置および該マルチ放射線発生装置を用いた放射線撮影システムを提供することにある。
上記課題を解決するために本発明の第1は、所定方向に列状に配列された複数の電子源を備えるカソードアレイと、
それぞれが前記複数の電子源に対応して列状に設けられ、該電子源から放出された電子の照射により放射線を発生する複数のターゲットと、前記ターゲットを保持する開口を備えた遮蔽部材と、を備え、前記複数のターゲットがそれぞれ前記遮蔽部材の前記開口に保持されたアノードアレイと、
を有するマルチ放射線発生装置であって、
前記複数のターゲットは、トモシンセシス撮影と非トモシンセシス撮影の両者に用いられる両用ターゲットと、トモシンセシス撮影にのみ用いられ前記所定方向に列状に配列された複数の単用ターゲットからなる単用ターゲットアレイと、を含み
前記両用ターゲットは前記単用ターゲットアレイとともに前記遮蔽部材に接続されていることを特徴とするマルチ放射線発生装置を提供するものである。
また、本発明の第2は、所定方向に列状に配列された複数の電子源と、
それぞれが前記複数の電子源に対応して列状に設けられ、該電子源から放出された電子の照射により放射線を発生する複数のターゲットと、前記ターゲットを保持する開口を備えた遮蔽部材と、を備え、前記複数のターゲットがそれぞれ前記遮蔽部材の前記開口に保持されたマルチ放射線発生装置であって、
前記複数のターゲットは、トモシンセシス撮影と非トモシンセシス撮影の両者に用いられる両用ターゲットと、トモシンセシス撮影にのみ用いられ前記所定方向に列状に配列された複数の単用ターゲットからなる単用ターゲットアレイと、を含み、
前記両用ターゲットは前記単用ターゲットアレイとともに前記遮蔽部材に接続されていることを特徴とするマルチ放射線発生装置を提供するものである。
また、本発明の第は、上記本発明の第1に係るマルチ放射線発生装置と、
該マルチ放射線発生装置から放出されて被検体を透過した放射線を検出する放射線検出装置と、
前記放射線発生装置と前記放射線検出装置とを連携制御するシステム制御装置とを備えていることを特徴とする放射線撮影システムを提供するものである。
さらに、本発明の第4は、上記本発明の第2に係るマルチ放射線発生装置と、
前記マルチ放射線発生装置から放出され、被検体を透過した放射線を検出する放射線検出装置と、
前記放射線発生装置と前記放射線検出装置とを連携制御するシステム制御装置とを備えることを特徴とする放射線撮影システムを提供するものである。
本発明のマルチ放射線発生装置は、複数の放射線源をトモシンセシス撮影に用いると共に、この複数の放射線源のうちの少なくとも1つの放射線源を、トモシンセシス撮影と非トモシンセシス撮影の両方に用いる両用放射線源としているものである。本発明によれば、一部の放射線源を両用放射線源とすることで、放射線発生装置の構成をより簡単な構成とすることができる。また、両用放射線源は、非トモシンセシス撮影とトモシンセシス撮影の両者に用いられる共通の位置に設けられているので、トモシンセシス撮影と非トモシンセシス撮影を放射線源の位置を変えることなく、連続して行うことができる。
ところで、一般にトモシンセシス撮影のトータル線量と非トモシンセシス撮影の線量はほぼ同等である。このため、例えば両用放射線源が1つの場合、非トモシンセシス撮影時にこの両用放射線源から放出させる線量は、トモシンセシス撮影時に1つの放射線源から放出させる線量の十数倍から数十倍となる。その結果、非トモシンセシス撮影において、必要な線量を得るために撮影時間を長くする必要が生じる。
本発明においては、両用放射線源のターゲット部を、トモシンセシス撮影用の放射線のみを発生させる単用放射線源のターゲット部に比して、同じ条件で電子が照射されたときの電子照射面の温度上昇を小さくしておくことができる。そして、このようにすることによって、非トモシンセシス撮影時に両用放射線源のターゲット部に投入できる電流量を大きくし、発生放射線量を増大させることで、撮影時間を短縮することが可能となる。
また、本発明に係る放射線撮影システムは、上記利益を有する放射線発生装置を用いたもので、上記と同様の利益を伴うものである。
本発明のマルチ放射線発生装置の第1の実施形態を示す模式図で、(a)は正面縦断面図、(b)は底面図、(c)は両用放射線源付近の拡大断面図である。 本発明のマルチ放射線発生装置の第2の実施形態を示す模式図で、(a)は正面縦断面図、(b)は底面図、(c)は両用放射線源付近の拡大断面図である。 本発明のマルチ放射線発生装置の第3の実施形態における両用放射線源のターゲット部の断面模式図である。 本発明のマルチ放射線発生装置の第4の実施形態を示す模式図で、(a)は正面縦断面図、(b)は底面図である。 本発明のマルチ放射線発生装置の第5の実施形態を示す模式図で、(a)は正面縦断面図、(b)は底面図である。 マルチ放射線発生装置の第6の実施形態における両用放射線源のターゲット部周りの構成を示す図で、(a)および(b)はそれぞれ放射線遮蔽部材の構造を示す断面模式図である。 マルチ放射線発生装置の第7の実施形態におけるターゲット部の取り付け構造を示す断面模式図である。 本発明の放射線撮影システムの構成図である。 本発明の放射線撮影システムを用いた撮影方法を示す図で、(a)はトモシンセシス撮影方法、(b)は非トモシンセシス撮影方法を示す模式図である。
以下、図面を用いて本発明の実施形態を説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。なお、本明細書で特に図示または記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知または公知技術を適用する。また、以下に参照する図面において、同じ符号は同様の構成要素を示す。
〔マルチ放射線発生装置の第1の実施形態〕
図1に示すように、本発明に係るマルチ放射線発生装置1は、電子を放出する電子源4と、電子の照射により放射線を発生するターゲット(以下の説明ではターゲット部と称する)5とを有する複数の放射線源2と、真空容器9とを備えている。各放射線源2の電子源4とターゲット部5がそれぞれ間隔をあけて一列に並べられていることで、放射線源2が列状に配置されている。なお、放射線源2のうち、トモシンセシス撮影と非トモシンセシス撮影の両者に用いられる放射線源を両用放射線源2a、トモシンセシス撮影にのみ用いられる放射線源2を単用放射線源2bとする。本実施形態における両用放射線源2aは中央の1つであるが、本発明においては、放射線源2のうちの少なくとも1つが両用放射線源2aであれば足り、複数の放射線源2を両用放射線源2aとすることもできる。複数の両用放射線源2aを設ける場合、装置のコストアップを抑制するため、放射線源2の総数の1/10以下、特に3つ以下の個数とすることが好ましい。また、両用放射線源2aは、非トモシンセシス撮影時に、必要な領域に放射線を照射しやすくするために、放射線源2の列の中央に配置されていることが好ましい。
各ターゲット部5は、ターゲット層6aと支持基板6bを備えており、ターゲット層6aは支持基板6bの電子源4との対向面に形成されている。電子源4から放出された電子がターゲット5のターゲット層6aに入射すると放射線が発生する。発生した放射線は、支持基板6bを透過した後、マルチ放射線発生装置1の外部に放出される。
マルチ放射線発生装置1の内部は減圧雰囲気に保たれている。マルチ放射線発生装置1の内部の真空度は10-4〜10-8Pa程度であれば良い。減圧雰囲気の形成は、真空容器9に不図示の排気管を設けておくことで行うことができる。排気管を設けた場合、例えば排気管を通じてマルチ放射線発生装置1の内部を排気した後、排気管の一部を封止することで、マルチ放射線発生装置1の内部を減圧状態にすることができる。マルチ放射線発生装置1の内部には、必要な真空度を保つために不図示のゲッターを配置しても良い。
電子源4には、タングステンフィラメントや含浸型カソードのような熱陰極またはカーボンナノチューブ等の冷陰極を用いることができる。各放射線源2の電子源4の近傍には、不図示の引出し電極およびレンズ電極を設けても良い。引出し電極およびレンズ電極は、電子源4とターゲット部5の間に、引出し電極、レンズ電極の順に設けられる。これらを設けた場合、引出し電極によって形成される電界によって電子源4からの電子の放出が促され、放出された電子はレンズ電極で収束され、ターゲット部5に入射し放射線が発生する。
支持基板6の電子源4側の面に設置されているターゲット層6aを構成する材料は、融点が高く、放射線発生効率の高いものが好ましく、例えばタングステン、タンタル、モリブデンおよびそれらの合金等を用いることができる。ターゲット層6aの厚みは、1〜20μmが適している。
支持基板6bを構成する材料は、ターゲット層6aを支持し、マルチ放射線発生装置1の内外を仕切って内部を密閉できる強度を有することが好ましい。また、ターゲット層6aで発生した放射線の吸収が少なく、かつターゲット層6aで発生した熱をすばやく放熱できるよう、熱伝導率の高いものが好ましい。例えばダイアモンド、炭化シリコン、窒化アルミニウム等を用いることができる。
図示するように、各放射線源2のターゲット部5の周囲を囲んで放射線遮蔽部材7,8を配置することもできる。放射線遮蔽部材7,8は、ターゲット層6aから放出された放射線のうち、不要な放射線を遮るものである。電子源4の側の放射線遮蔽部材8は、ターゲット部5のターゲット層6aへの電子源4からの電子の照射を許容する通過孔10を有している。電子源4とは反対側の放射線遮蔽部材7は、ターゲット部5のターゲット層6aで発生した放射線の所定の領域への放出を許容する放出孔11を有している。なお、本実施形態では、電子源4の側の放射線遮蔽部材8と電子源4とは反対側の放射線遮蔽部材7とに分けられているが、両者を一体とすることもできる。
電子源4から放出された電子は、放射線遮蔽部材8の通過孔10を通過してターゲット部5のターゲット層6aに照射される。このときターゲット層6aより電子源4側に散乱した不要な放射線は、放射線遮蔽部材8で遮蔽される。また、ターゲット層6aおよび支持基板6bを透過した放射線は、放射線遮蔽部材7の放出孔11を通過する。このとき不要な方向への放射線は放射線遮蔽部材7で遮蔽され、放射線は放出孔11を介して所定の領域へと放出される。放射線遮蔽部材7,8を構成する材料は、放射線の吸収率が高く、かつ熱伝導率の高いものが好ましい。例えばタングステン、タンタル、銅等の金属材料を用いることができる。なお、図1においては、各放射線源2に設けられている放射線遮蔽部材7,8をそれぞれ区別して示しているが、これらを一連に形成すると、放射線遮蔽部材7,8全体の伝熱性が向上するので好ましい。
本実施形態のマルチ放射線発生装置1は、複数の放射線源2が列状に配置されているため、後述するような放射線撮影システムにおける、トモシンセシス撮影に好適に用いることができる。また、放射線源2のうちの少なくとも1つが両用放射線源2aであるため、トモシンセシス撮影時と同じ放射線源2の位置で非トモシンセシス撮影も行うことができる。
〔マルチ放射線発生装置の第2の実施形態〕
図2に示す実施形態は、基本的には第1の実施形態と同様である。しかし、両用通放射線源2aのターゲット部5の電子照射面の温度上昇が、同じ条件で電子が照射されたときの単用放射線源2bのターゲット部5の電子照射面の温度上昇に比して小さくなっている。具体的には、図2(c)に示すように、両用放射線源2aのターゲット部5を構成する支持基板6bの厚みが、単用放射線源2bのターゲット部5を構成する支持基板6bの厚みよりも厚くなっている。
ところで、ターゲット層6aに電子が入射したとき、入射したエネルギーの大部分は熱に変換される。そのため、ターゲット層6aに入射可能な電子の量(電流量)は、ターゲット層6aの耐熱性および放熱性によって制約される。本実施形態では、ターゲット層6aで発生した熱は、支持基板6および放射線遮蔽部材7,8を介して、マルチ放射線発生装置1の外部に放熱される。両用放射線源2aにおいては、他の放射線源2である単用放射線源2bに比べて支持基板6bの厚みが厚いため、ターゲット層6aで発生した熱は、支持基板6bを介して速やかに放射線遮蔽部材7,8に伝わる。そのため、同じ条件でターゲット層6aに電子が照射されたときに、電子照射面であるターゲット層6aの温度上昇が単用放射線源2bよりも小さく、ターゲット層6aに入射可能な電流量をより大きくすることができる。
支持基板6bの厚みは、一般的に0.05〜10mmが適している。本実施形態における両用放射線源3のターゲット部5を構成する支持基板6bの厚みは、支持基板6bの構成材料にもよるが、上記厚みの範囲において、単用放射線源2bのターゲット部5を構成する支持基板6bの厚みの1.5倍〜5倍程度とするのが好ましい。なお、全ての放射線源2における支持基板6bの厚みを、両用放射線源2aにおける支持基板6bの厚みと同様に厚くすることも可能であるが、両用放射線源3における支持基板6bの厚みのみを厚くすることで、不要な製造コストの増加を避けることができる。
以上の実施形態によれば、両用放射線源2aと単用放射線源2bとが列状に配置されたマルチ放射線発生装置において、両用放射線源2aのターゲット部5に投入可能な電流量を、単用放射線源2bのターゲット部5に投入可能な電流量よりも大きくできる。従って、発生放射線量の大きな両用放射線源2aを備えたマルチ放射線発生装置を提供することができる。
〔マルチ放射線発生装置の第3の実施形態〕
両用放射線源2aのターゲット部5の電子照射面の温度上昇を、同じ条件で電子が照射されたときの単用放射線源2bのターゲット部5の電子照射面の温度上昇より小さくすることは、図3の構成によっても得ることができる。図3に示す両用放射線源2aの支持基板6bの径は、単用放射線源2bの支持基板6bの径よりも大きくなっている。本例において、ターゲット層6aで発生した熱は、支持基板6bおよび放射線遮蔽部材7,8を介して、マルチ放射線発生装置1の外部に放熱される。前述のように、支持基板6bとしては、ダイアモンド、炭化シリコン、窒化アルミニウム等を用いることができるが、これらの材料は、放射線遮蔽部材7,8を構成する金属材料よりも熱伝導率が高い。そのため、支持基板6bの径を大きくすることで、ターゲット層6aの放熱特性をより高くすることができ、ターゲット層6aに入射可能な電流量を大きくすることができる。
支持基板6bの径は、放射線の焦点径や放射線源2の間隔、支持基板6bの製造コストや加工容易性等によって適切な範囲が決まるが、概ね1〜10mmが適している。両用放射線源2aの支持基板6bの径は、支持基板6bを構成する材料によっても異なるが、単用放射線源2bの支持基板6bの径の1.5倍〜5倍程度とするのが好ましい。なお、全ての放射線源2の支持基板6bの径を、両用放射線源2aの支持基板6bの径と同様に大きくすることも可能であるが、両用放射線源2bの支持基板6bの径のみを大きくすることで、不要な製造コストの増加を避けることができる。
以上のように、図3に示す構成を採用することでも、両用放射線源2aのターゲット部5に投入可能な電流量を、単用放射線源2bのターゲット部5に投入可能な電流量よりも大きくできる。従って、発生放射線量の大きな両用放射線源2aを備えたマルチ放射線発生装置を提供することができる。
〔マルチ放射線発生装置の第4の実施形態〕
本実施形態は、基本的には第1の実施形態と同様である。しかし、図4に示すように、両用放射線源2aに対応する放射線遮蔽部材7,8が、単用放射線源2bに対応する放射線遮蔽部材7,8よりも、ターゲット部5の列および電子の入射方向に対して直角方向に厚い構造を有する。本実施形態において、ターゲット層6aで発生した熱は、支持基板6bおよび放射線遮蔽部材7,8を介して、マルチ放射線発生装置1の外部に放熱される。両用放射線源3に対応する放射線遮蔽部材7,8を上記のように厚くしておくことで、熱が等方的に広く拡散し、放熱性がより高くなる。また、放射線遮蔽部材7,8の熱容量が大きくなり、温度上昇が低減する。そのため、ターゲット層6aに入射可能な電流量を大きくすることができる。
両用放射線源2aに対応する放射線遮蔽部材7,8の、ターゲット部5の列および電子の入射方向に対する直角方向の厚みは、ターゲット層6aで発生する熱の伝達距離Lよりも大きい値とするのが好ましい。熱の伝達距離Lは下記式(1)で示される。
L={(t×λ)/(C×ρ)}0.5 ・・・(1)
ここで、tは非トモシンセシス撮影における平均的な撮影時間、λは放射線遮蔽部材7,8の熱伝導率、Cは放射線遮蔽部材7,8の比熱、ρは放射線遮蔽部材7,8の密度である。
なお、全ての放射線源2に対応する放射線遮蔽部材7,8を、ターゲット部5の列および電子の入射方向に対して直角方向に厚い構造とすることも可能である。しかし、両用放射線源2aに対応する放射線遮蔽部材7,8の厚みのみを厚くすることで、不要な製造コストの増加および重量の増加を避けることができる。
以上の実施形態によれば、両用放射線源2aと単用放射線源2bとが列状に配置されたマルチ放射線発生装置において、両用放射線源2aのターゲット部5に投入可能な電流量を、単用放射線源2bのターゲット部5に投入可能な電流量よりも大きくできる。従って、発生放射線量の大きな両用放射線源2aを備えたマルチ放射線発生装置を提供することができる。
〔マルチ放射線発生装置の第5の実施形態〕
本実施形態は、基本的には第1の実施形態と同様である。しかし、図5に示すように、両用放射線源3に対応する放射線遮蔽部材7,8に放熱用のフィン12が接続された構造を有する。フィン12は、放射線遮蔽部材7,8の表面であって、少なくとも真空容器9よりも外側の領域に設けるのが好ましい。
本実施形態において、ターゲット層6aで発生した熱は、支持基板6bおよび放射線遮蔽部材7,8を介して、マルチ放射線発生装置1の外部に放熱される。両用放射線源2aにおいては、対応する放射線遮蔽部材7,8にフィン12を接続することで、放射線遮蔽部材7,8からの放熱性が高くなり、ターゲット層6aの温度上昇がより低減する。そのため、ターゲット層6aに入射可能な電流量を増やすことができる。
フィン12を構成する材料には、銅、アルミニウム等を用いることができる。また、フィン12は、放射線遮蔽部材7,8と一体的に形成されていてもよい。なお、全ての放射線源2に対応する放射線遮蔽部材7,8にフィン12を接続してもよいが、両用放射線源2aに対応する放射線遮蔽部材7,8にのみフィン12を接続することで、不要な製造コストの増加および重量の増加を避けることができる。
以上の実施形態によれば、両用放射線源2aと単用放射線源2bとが列状に配置されたマルチ放射線発生装置において、両用放射線源2aのターゲット部5に投入可能な電流量を、単用放射線源2bのターゲット部5に投入可能な電流量よりも大きくできる。従って、発生放射線量の大きな両用放射線源2aを備えたマルチ放射線発生装置を提供することができる。
〔マルチ放射線発生装置の第6の実施形態〕
両用通放射線源2aのターゲット部5の電子照射面の温度上昇を、同じ条件で電子が照射されたときの単用放射線源2bのターゲット部5の電子照射面の温度上昇より小さくすることは、図6(a)または(b)の構成によっても得ることができる。図6(a)では、両用放射線源2aに対応する放射線遮蔽部材8の通過孔10が、単用放射線源2bに対応する放射線遮蔽部材8の通過孔10よりも、ターゲット部5と接する位置での径が小さい構造となっている。図6(b)では、両用放射線源2aに対応する放射線遮蔽部材8の放出孔11が、単用放射線源2bに対応する放射線遮蔽部材8の放出孔11よりも、ターゲット部5と接する位置での径が小さい構造となっている。また、両用放射線源2aに対応する放射線遮蔽部材8を、図6(a)の構成と図6(b)の構成の両者を満たすものとすることもできる。
本実施形態において、ターゲット層6aで発生した熱は、支持基板6bおよび放射線遮蔽部材7,8を介して、マルチ放射線発生装置1の外部に放熱される。両用放射線源2aにおいては、ターゲット層6aへの電子の照射位置(発熱位置)と放射線遮蔽部材7および/または放射線遮蔽部材8との間の距離が小さくなっている。このため、ターゲット層6aで発生した熱が、放射線遮蔽部材7および/または放射線遮蔽部材8に速やかに伝わり、ターゲット層6aの放熱特性がより高くなるので、ターゲット層6aに入射可能な電流量をより大きくすることができる。
通過孔10および放出孔11の径は、焦点径や、不要な放射線の遮蔽性、電子源4と放射線源2とのアライメント精度などから、適正な値が設定される。通過孔10および/または放出孔11の径を小さくすると、電子源4と放射線源2とのアライメントに高い精度が必要となる。そこで、両用放射線源2aのみ通過孔10および/または放出孔11の径を小さくし、高い精度のアライメントは両用放射線源2aだけに止めることができるようにすることが好ましい。
以上のように、図6(a),(b)に示す構成を採用することでも、両用放射線源2aのターゲット部5に投入可能な電流量を、単用放射線源2bのターゲット部5に投入可能な電流量よりも大きくできる。従って、発生放射線量の大きな両用放射線源2aを備えたマルチ放射線発生装置を提供することができる。
〔マルチ放射線発生装置の第7の実施形態〕
図7に示される両用放射線源3のターゲット部5は、電子が入射する方向に対して傾いて配置された構造となっている。また、他の放射線源2である単用放射線源2bのターゲット部5は、電子が入射する方向に対して垂直に配置されている。ターゲット部5を電子が入射する方向に対して傾いて配置することで、ターゲット部5に入射される単位面積あたりの電流密度を小さくすることができる。そのため、ターゲット部5に入射可能な電流量を大きくすることができる。両用放射線源2aのターゲット部5は、電子が入射する方向に対して30°〜60°程度傾いて配置することが好ましい。なお、全ての放射線源2のターゲット部5を、両用放射線源2aのターゲット部5と同様に傾いて配置することも可能であるが、両用放射線源2aのターゲット部5のみを傾いて配置することで、不要な製造コストの増加を避けることができる。
以上のように、図7に示す構成を採用することでも、両用放射線源2aのターゲット部5に投入可能な電流量を、単用放射線源2bのターゲット部5に投入可能な電流量よりも大きくできる。従って、発生放射線量の大きな両用放射線源2aを備えたマルチ放射線発生装置を提供することができる。
〔放射線撮影システムの実施形態〕
次に、本発明のマルチ放射線発生装置を用いた放射線撮影システムについて説明する。マルチ放射線発生装置には、前記実施形態1〜7で説明したマルチ放射線発生装置を適用することができる。
図8は、本発明のマルチ放射線発生装置1を用いた放射線撮影システムの構成図である。システム制御装置22は、マルチ放射線発生装置1と放射線検出装置21とを連携制御する。装置制御部20は、システム制御装置22による制御の下に、マルチ放射線発生装置1に各種の制御信号を出力する。制御信号により、マルチ放射線発生装置1から放出される放射線の放出状態が制御される。マルチ放射線発生装置1から放出された放射線は、被検体25を透過して検出器26で検出される。放射線検出装置21は、検出した放射線を画像信号に変換して信号処理部24に出力する。信号処理部24は、システム制御装置22による制御の下に、画像信号に所定の信号処理を施し、処理された画像信号を制御装置22に出力する。システム制御装置22は、処理された画像信号に基いて、表示装置23に画像を表示させるための表示信号を表示装置23に出力する。表示装置23は、表示信号に基づく画像を、被検体25の撮影画像としてスクリーンに表示する。
次に図9を用いて、本発明の放射線撮影システムを用いたトモシンセシス撮影および非トモシンセシス撮影について説明する。本発明の放射線撮影システムは、列状に配置された放射線源2(例えば図1参照)より順次放射線を照射するトモシンセシス撮影モードと、両用放射線源2a(同前)のみから放射線を照射する非トモシンセシス撮影モードを有する。
図9(a)に示すように、トモシンセシス撮影モードにおいては、例えば図1に示す両用放射線源2aを含む複数の放射線源2より、順次放射線を被検体25に照射する。被検体25を透過した放射線は検出器26で検出され、複数枚の画像が撮影される。撮影された複数枚の画像は信号処理部24で再構成されて断層画像が形成される。図9(b)に示すように、非トモシンセシス撮影モードにおいては、両用放射線源2aより放射線を被検体25に照射する。被検体25を透過した放射線は検出器26で検出され、信号処理部24で2D画像が形成される。
本発明の放射線撮影システムにおいては、トモシンセシス撮影と非トモシンセシス撮影を、放射線源2の位置を変えずに連続して行うことができる。また、両方の撮影に用いる両用放射線源2aを、単用放射線源2bよりもターゲット部5に投入可能な電流量を大きくできる構造とすることで、撮影時間を短縮することが可能である。ターゲット部5への電流量は、電子源4とターゲット部5との間に印加する加速電圧をシステム制御装置22で制御することで調整することができる。例えば、トモシンセシス撮影モードにおいては、全ての放射線源2の電子源4とターゲット部5との間に、同じ第1の加速電圧を印加させる。また、非トモシンセシス撮影モードにおいては、両用放射線源2aの電子源4とターゲット部5との間に、第1の加速電圧とは異なる第2の加速電圧を印加させる。そして、第1の加速電圧よりも第2の加速電圧を大きくすることで、両用放射線源2aのターゲット部5の電流量を単用放射線源2bのターゲット部5の電流量より大きくすることができる。
また、電子源4とターゲット部5との間に不図示の引出し電極を設け、引出し電極に印加する電圧をシステム制御装置22で制御することで、ターゲット部5への電流量を調整することができる。例えば、トモシンセシス撮影モードにおいては、全ての放射線源2の電子源4と引出し電極との間に、同じ第1の電圧が印加される。また、非トモシンセシス撮影モードにおいては、両用放射線源2aの電子源4と引出し電極との間に、第1の電圧とは異なる第2の電圧が印加される。そして、第1の電圧よりも第2の電圧を大きくすることで、両用放射線源2aのターゲット部5の電流量を、単用放射線源2bのターゲット部5の電流量より大きくすることができる。
以上、本発明によるマルチ放射線発生装置を用いることで、トモシンセシス撮影と非トモシンセシス撮影の両方に適用できる放射線撮影システムを提供することができる。
1:マルチ放射線発生装置、2:放射線源、2a:両用放射線源、2b:単用放射線源、4:電子源、5:ターゲット、6:支持基板、7,8:放射線遮蔽部材、9:真空容器、10:通過孔、11:放出孔、12:フィン、20:装置制御部、21:放射線検出装置、22:システム制御装置、23:表示装置、24:信号処理部、25:被検体、26:検出器

Claims (28)

  1. 所定方向に列状に配列された複数の電子源を備えるカソードアレイと、
    それぞれが前記複数の電子源に対応して列状に設けられ、該電子源から放出された電子の照射により放射線を発生する複数のターゲットと、前記ターゲットを保持する開口を備えた遮蔽部材と、を備え、前記複数のターゲットがそれぞれ前記遮蔽部材の前記開口に保持されたアノードアレイと、
    を有するマルチ放射線発生装置であって、
    前記複数のターゲットは、トモシンセシス撮影と非トモシンセシス撮影の両者に用いられる両用ターゲットと、トモシンセシス撮影にのみ用いられ前記所定方向に列状に配列された複数の単用ターゲットからなる単用ターゲットアレイと、を含み
    前記両用ターゲットは前記単用ターゲットアレイとともに前記遮蔽部材に接続されていることを特徴とするマルチ放射線発生装置。
  2. 前記両用ターゲットは前記単用ターゲットアレイと一列で前記遮蔽部材に接続されていることを特徴とする請求項1に記載のマルチ放射線発生装置。
  3. 前記ターゲットは、前記電子源に対向する側に位置するターゲット層と、前記ターゲット層を支持する支持基板と、からなることを特徴とする請求項1または2に記載のマルチ放射線発生装置。
  4. 前記両用ターゲットの前記支持基板は、前記単用ターゲットの前記支持基板よりも厚いことを特徴とする請求項3に記載のマルチ放射線発生装置。
  5. 前記両用ターゲットの前記支持基板は、前記単用ターゲットの前記支持基板よりも径が大きいことを特徴とする請求項3に記載のマルチ放射線発生装置。
  6. 前記両用ターゲットは、前記電子が入射する方向に対して傾いて配置され、前記単用ターゲットは、前記電子が入射する方向に対して垂直に前記遮蔽部材に接続されていることを特徴とする請求項1または2に記載のマルチ放射線発生装置。
  7. 前記遮蔽部材は、前記電子源の側に、前記ターゲットへの前記電子の照射を許容する通過孔、前記電子源とは反対側に、前記ターゲットで発生した放射線の所定の方向への放出を許容する放出孔と、が設けられていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか項に記載のマルチ放射線発生装置。
  8. 前記両用ターゲットが接続される開口に対応する前記遮蔽部材の部分は、前記単用ターゲットに対応する前記遮蔽部材の部分よりも、前記ターゲットの配列方向に対して垂直であり、かつ、前記電子が照射される方向に対して垂直な方向において厚いことを特徴とする請求項7に記載のマルチ放射線発生装置。
  9. 前記両用ターゲットに対応する前記遮蔽部材に放熱フィンが接続されていることを特徴とする請求項に記載のマルチ放射線発生装置。
  10. 前記両用ターゲットに対応する前記遮蔽部材の通過孔または放出孔は、単用ターゲットに対応する前記遮蔽部材の通過孔または放出孔よりも、前記ターゲットと接する位置における径が小さいことを特徴とする請求項7に記載のマルチ放射線発生装置。
  11. 前記各ターゲットが有する前記遮蔽部材が、前記ターゲットの配列方向において連続に形成されていることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載のマルチ放射線発生装置。
  12. 請求項1乃至11のいずれか1項に記載のマルチ放射線発生装置と、
    前記マルチ放射線発生装置から放出され、被検体を透過した放射線を検出する放射線検出装置と、
    前記放射線発生装置と前記放射線検出装置とを連携制御するシステム制御装置とを備えることを特徴とする放射線撮影システム。
  13. 前記列状に配置された前記複数のターゲットより順次放射線を照射するトモシンセシス撮影モードと、前記両用ターゲットのみから放射線を照射する非トモシンセシス撮影モードと、を有することを特徴とする請求項12に記載の放射線撮影システム。
  14. 前記システム制御装置は、トモシンセシス撮影モードにおいては、前記カソードアレイと前記アノードアレイとの間に、第1の加速電圧を印加させ、非トモシンセシス撮影モードにおいては、前記カソードアレイと前記アノードアレイとの間に、前記第1の加速電圧とは異なる第2の加速電圧を印加させる制御を行うことを特徴とする請求項13に記載の放射線撮影システム。
  15. 所定方向に列状に配列された複数の電子源と、
    それぞれが前記複数の電子源に対応して列状に設けられ、該電子源から放出された電子の照射により放射線を発生する複数のターゲットと、前記ターゲットを保持する開口を備えた遮蔽部材と、を備え、前記複数のターゲットがそれぞれ前記遮蔽部材の前記開口に保持されたマルチ放射線発生装置であって、
    前記複数のターゲットは、トモシンセシス撮影と非トモシンセシス撮影の両者に用いられる両用ターゲットと、トモシンセシス撮影にのみ用いられ前記所定方向に列状に配列された複数の単用ターゲットからなる単用ターゲットアレイと、を含み、
    前記両用ターゲットは前記単用ターゲットアレイとともに前記遮蔽部材に接続されていることを特徴とするマルチ放射線発生装置。
  16. 前記両用ターゲットは前記単用ターゲットアレイと一列で前記遮蔽部材に接続されていることを特徴とする請求項15に記載のマルチ放射線発生装置。
  17. 前記ターゲットは、前記電子源に対向する側に位置するターゲット層と、前記ターゲット層を支持する支持基板と、からなることを特徴とする請求項15または16に記載のマルチ放射線発生装置。
  18. 前記両用ターゲットの前記支持基板は、前記単用ターゲットの前記支持基板よりも厚いことを特徴とする請求項17に記載のマルチ放射線発生装置。
  19. 前記両用ターゲットの前記支持基板は、前記単用ターゲットの前記支持基板よりも径が大きいことを特徴とする請求項17に記載のマルチ放射線発生装置。
  20. 前記両用ターゲットは、前記電子が入射する方向に対して傾いて配置され、前記単用ターゲットは、前記電子が入射する方向に対して垂直に前記遮蔽部材に接続されていることを特徴とする請求項15または16に記載のマルチ放射線発生装置。
  21. 前記遮蔽部材は、前記電子源の側に、前記ターゲットへの前記電子の照射を許容する通過孔と、前記電子源とは反対側に、前記ターゲットで発生した放射線の所定の方向への放出を許容する放出孔と、が設けられていることを特徴とする請求項15乃至20のいずれか1項に記載のマルチ放射線発生装置。
  22. 前記両用ターゲットが接続される開口に対応する前記遮蔽部材の部分は、前記単用ターゲットに対応する前記遮蔽部材の部分よりも、前記ターゲットの配列方向に対して垂直であり、かつ、前記電子が照射される方向に対して垂直な方向において厚いことを特徴とする請求項21に記載のマルチ放射線発生装置。
  23. 前記両用ターゲットに対応する前記遮蔽部材に放熱フィンが接続されていることを特徴とする請求項15に記載のマルチ放射線発生装置。
  24. 前記両用ターゲットに対応する前記遮蔽部材の通過孔または放出孔は、単用ターゲットに対応する前記遮蔽部材の通過孔または放出孔よりも、前記ターゲットと接する位置における径が小さいことを特徴とする請求項21に記載のマルチ放射線発生装置。
  25. 前記各ターゲットが有する前記遮蔽部材が、前記ターゲットの配列方向において連続に形成されていることを特徴とする請求項15乃至24のいずれか1項に記載のマルチ放射線発生装置。
  26. 請求項15乃至25のいずれか1項に記載のマルチ放射線発生装置と、
    前記マルチ放射線発生装置から放出され、被検体を透過した放射線を検出する放射線検出装置と、
    前記放射線発生装置と前記放射線検出装置とを連携制御するシステム制御装置とを備えることを特徴とする放射線撮影システム。
  27. 前記列状に配置された前記複数のターゲットより順次放射線を照射するトモシンセシス撮影モードと、前記両用ターゲットのみから放射線を照射する非トモシンセシス撮影モードと、を有することを特徴とする請求項26に記載の放射線撮影システム。
  28. 前記システム制御装置は、トモシンセシス撮影モードにおいては、前記複数の電子源と前記複数のターゲットとの間に、第1の加速電圧を印加させ、非トモシンセシス撮影モードにおいては、前記複数の電子源と前記複数のターゲットとの間に、前記第1の加速電圧とは異なる第2の加速電圧を印加させる制御を行うことを特徴とする請求項27に記載の放射線撮影システム。
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