CN104000616A - 多放射线产生设备和放射线成像系统 - Google Patents

Abstract

本发明涉及多放射线产生设备和放射线成像系统。根据本发明的多放射线产生设备包括布置成一行的多个放射线源。每个放射线源包括被配置为发射电子的电子源以及被配置为在收到从该电子源发射的电子时产生放射线的靶单元。放射线源中的至少一个是用于层析摄影合成成像和非层析摄影合成成像两者的两用放射线源，并且其它放射线源是仅仅用于层析摄影合成成像的单用放射线源。

Description

多放射线产生设备和放射线成像系统

技术领域

本发明涉及可应用于例如在医疗设备和工业设备领域中使用的非破坏性X射线成像的多放射线产生设备，并且涉及使用多放射线产生设备的放射线成像系统。

背景技术

近年来，在诸如乳房造影法之类的放射线成像的领域中，层析摄影合成（tomosynthesis）成像已经被执行作为用于获得被摄体的深度方向上的信息的技术。在层析摄影合成成像中，利用放射线从多个角度照射被摄体以便捕获多个图像。获得的图像被重构以便获得截面的图像。

通常，在层析摄影合成成像中，操作者通过在以相对于被摄体的在预定角度范围（大约±7.5°到±25°）之内的一个角度移动放射线管的同时利用放射线照射被摄体来执行成像。

美国专利No.8,094,773讨论了三维的X射线图像产生装置。通过使用多个X射线源并且利用X射线从多个角度顺序地照射被摄体，这个装置在将X射线源维持在固定状态中的同时执行层析摄影合成成像。另外，讨论了一种装置，其除了层析摄影合成成像X射线源之外还包括在层析摄影合成成像路径之外的非层析摄影合成成像的X射线源。

包括在成像期间移动放射线管的设备具有问题。例如，假像被形成在图像上。另外，由于需要时间来进行机械移动，因此成像时间被延长。另外，放射线管的移动会给予对象害怕的感觉。

在临床实践中，存在其中使用层析摄影合成图像和传统的二维（2D）图像（非层析摄影合成图像）两者的情况。这些2D图像是有利的，这是因为2D图像能提供比层析摄影合成图像更高的空间分辨率，并且医疗专家能利用多年的知识。因此，有效的是，使用层析摄影合成图像来具体地观察在2D图像上显得可疑的部分。

然而，如果分开地提供层析摄影合成成像的放射线源和非层析摄影合成成像的放射线源，则使得设备的配置复杂，由此提高设备的制造成本。另外，需要使层析摄影合成图像和非层析摄影合成图像彼此适当地关联。因此，需要优化层析摄影合成成像的放射线源和非层析摄影合成成像的放射线源之间的位置关系，这是布局约束。

发明内容

本发明涉及具有更简单的配置的可应用于层析摄影合成成像和非层析摄影合成成像两者的多放射线产生设备、以及使用该多放射线产生设备的放射线成像系统。

根据本发明一个方面，多放射线产生设备包括布置成一行的多个放射线源。每个放射线源包括被配置为发射电子的电子源以及被配置为在收到从该电子源发射的电子后产生放射线的靶单元。放射线源中的至少一个是用于层析摄影合成成像和非层析摄影合成成像两者的两用放射线源，并且其它放射线源是仅仅用于层析摄影合成成像的单用放射线源。

从以下参考附图的示例性实施例的描述中本发明更多的特征将变得清晰。

附图说明

图1A、图1B和图1C示出根据第一示例性实施例的多放射线产生设备。更具体地，图1A是正面垂直截面图，图1B是底视图，并且图1C是两用放射线源附近的放大截面图。

图2A、图2B和图2C示出根据第二示例性实施例的多放射线产生设备。更具体地，图2A是正面垂直截面图，图2B是底视图，并且图2C是两用放射线源附近的放大截面图。

图3是根据第三示例性实施例的两用放射线源的靶单元的示意性截面图。

图4A和图4B示出根据第四示例性实施例的多放射线产生设备。更具体地，图4A是正面垂直截面图并且图4B是底视图。

图5A和图5B示出根据第五示例性实施例的多放射线产生设备。更具体地，图5A是正面垂直截面图并且图5B是底视图。

图6A和图6B示出根据第六示例性实施例的两用放射线源的靶单元周围的配置。更具体地，图6A和图6B是示出屏蔽物的配置的示意性截面图。

图7是示出根据第七示例性实施例的靶单元的安装配置的示意性截面图。

图8示出根据第八示例性实施例的放射线成像系统的配置。

图9A和图9B示出使用根据本发明的第八示例性实施例的放射线成像系统的成像方法。更具体地，图9A示出层析摄影合成成像方法，而图9B示出非层析摄影合成成像方法。

具体实施方式

下面将参考附图来详细描述本发明的各个示例性实施例、特征以及方面。虽然在示例性实施例中X射线能被用作放射线，但是还可应用其它种类的放射线，诸如中子射线或者质子束。另外，在下文中，多放射线产生设备1将简单地被称为放射线产生设备1而多电子源4将简单地被称为电子源4。

如图1A、图1B和图1C中所示出的，根据第一示例性实施例的放射线产生设备1包括多个放射线源2以及在发射电子时产生放射线的靶单元5，其中每个放射线源2具有发射电子的电子源4。另外，放射线产生设备1包括真空箱9。电子源4和靶单元5被以一定间隔排成一行。也就是说，放射线源2被布置成一行。在放射线源2之中，用于层析摄影合成成像和非层析摄影合成成像两者的放射线源在下文中将被称为两用放射线源2a。与此对比，仅仅用于层析摄影合成成像的放射线源在下文中将被称为单用放射线源2b。虽然可以布置仅仅一个两用放射线源2a作为中心放射线源，但是如果放射剂量不足，则可以将多个放射线源2用作两用放射线源2a。如果布置多个两用放射线源2a，则两用放射线源2a的数量可以被设定为等于或小于放射线源2的总数的十分之一，以便实现设备成本的减少。特别地，两用放射线源2a的数量能被设定为三个或更少个。另外，两用放射线源2a能被布置在该行放射线源2中的中心处，以便于在非层析摄影合成成像期间将放射线照射到必需的区域。

每个靶单元5包括靶层6a和衬底6b，并且靶层6a被形成在衬底6b的面向对应电子源4的那侧上。当使得从电子源4发射的电子入射在靶5的靶层6a上时，从靶层6a产生放射线。产生的放射线通过对应衬底6b被发射到放射线产生设备1的外部。

放射线产生设备1的内部被维持在减压的大气之下。放射线产生设备1内部的真空度至少在大约10-4到10-8Pa之间的范围内。减压的大气能通过提供具有排气管（未示出）的真空箱9来形成。为了维持必需的真空度，可以将吸气剂（未示出）布置在放射线产生设备1内部。

对于每个电子源4，可以使用诸如钨丝或者浸渍式阴极之类的热阴极或者诸如碳纳米管之类的冷阴极。提取电极（未示出）以及透镜电极（未示出）可以被布置在每个放射线源2的电子源4附近。提取电极和透镜电极被依次布置在对应的电子源4和对应的靶单元5之间。如果布置这些电极，则通过由提取电极形成的电场来促进来自电子源4的电子的发射，并且所发射的电子通过透镜电极而被会聚并且被导致入射在靶单元5上。

具有高熔点和高放射线产生效率的材料可以被用作每个靶层6a的材料。例如，可以使用诸如钨、钽、钼之类的材料或者这些材料的合金。每个靶层6a可以被形成为具有1到20μm的厚度。

支撑靶层6a并且具有用于密封放射线产生设备1的内部的足够强度的材料可以被用作每个衬底6b的材料。另外，吸收较少的从靶层6a产生的放射线并且具有高导热性的材料可以被使用，以使得从靶层6a产生的热可以被快速释放。例如，可以使用金刚石、硅碳化物、以及铝氮化物。

屏蔽物7和8可以被布置在每个放射线源2的靶单元5周围。当从靶层6a发射放射线时，这些屏蔽物7和8屏蔽不必要的放射线。被布置得比每个屏蔽物7更接近于对应电子源4的每个屏蔽物8与对应的靶层6a连通，并且具有使从电子源4发射的电子通过的通路孔10。被布置得比每个屏蔽物8更远离电子源4的每个屏蔽物7具有发射孔11，该发射孔11确定从对应靶层6a发射到外部的放射线的发射角和发射方向（中心轴方向）。

从每个电子源4发射的电子经过对应屏蔽物8的通路孔10并且被发射到对应靶层6a。每个屏蔽物8屏蔽由对应靶层6a在对应电子源4方向上散射的所反射的电子以及放射线。另外，已经经过对应衬底6b的放射线经过对应屏蔽物7的发射孔11。在不必要的方向上行进的放射线被屏蔽物7屏蔽，并且经由发射孔11发射到预定的区域。可以使用具有高放射线吸收和高导热性的材料作为屏蔽物7和8的材料。例如，可以使用诸如钨、钽或者铜之类的金属材料。在图1A、图1B和图1C中，分开地示出为每个放射线源2布置的屏蔽物7和8。然而，这些屏蔽物7和8可以被一体化地形成以便整个地改善屏蔽物7和8的热导率。

在层析摄影合成成像中，放射线被从不同的角度发射到被摄体的照射表面上的单个区域。也就是说，利用放射线从多个角度照射被摄体。角度的数量等于放射线源2的数量，其中每个放射线源2包括电子源4和靶层6a的组合。每个发射孔11被形成为使得从对应靶层6a发射的放射线被发射到照射表面上的单个区域。也就是说，每个发射孔11被形成为使得每个柱状的发射孔11的中心轴的方向根据每个发射孔11的位置而改变。例如，假设布置在该行放射线源2的中心的发射孔11的中心轴匹配电子束沿着其通过的轴，形成为更接近于该行放射线源2的两端的发射孔11的中心轴被形成为朝向中心倾斜。结果，从所有放射线源发射的锥形束形状的放射线的中心轴可以在照射表面上的单个点处相交。

屏蔽物8和屏蔽物7可以被一体化地形成。

根据第二示例性实施例的基本配置类似于根据第一示例性实施例的基本配置。然而，当在相同的条件下照射电子时，两用放射线源2a的靶单元5的电子照射表面经历比单用放射线源2b的靶单元5的电子照射表面所经历的温度升高更小的温度升高。更具体地，如图2C中所示出的，两用放射线源2a的靶单元5的衬底6b被形成为比单用放射线源2b的靶单元5的衬底6b更厚。

当使得电子入射在靶层6a上时，大部分入射能被转换为热。因此，可以使得入射在靶层6a上的电子的数量（电流量）由靶层6a的耐热性和放热特性限制。在本示例性实施例中，由每个靶层6a产生的热经由对应的衬底6b以及对应的屏蔽物7和8被释放到放射线产生设备1的外部。因为两用放射线源2a的衬底6b比作为其它放射线源2的单用放射线源2b的衬底6b厚，所以由靶层6a产生的热经由衬底6b被更快速地传送到屏蔽物7和8。因此，当在相同的条件下将电子发射到靶层6a时，作为电子照射表面的靶层6a经历比单用放射线源2b的靶层6a更小的温度升高。结果，可以引起更大电流量入射在靶层6a上。

通常，衬底6b可以被形成为具有0.05到10mm的厚度。根据本示例性实施例的两用放射线源2a的靶单元5的衬底6b的厚度根据衬底6b的材料而改变。然而，在上述厚度范围之内，厚度可以被设定为单用放射线源2b的靶单元5的衬底6b的厚度的大约1.5到5倍。所有放射线源2的衬底6b可以被形成为具有与两用放射线源2a的衬底6b的厚度相同的厚度。然而，通过仅仅增大两用放射线源2a的衬底6b的厚度，可以避免制造成本的不必要的增大。

根据本示例性实施例，可以将比可以被供应给单用放射线源2b的靶单元5的电流量更大的电流量供应给两用放射线源2a的靶单元5。

图3示出用于在相同的条件下照射电子时使得根据第三示例性实施例的两用放射线源2a的靶单元5的电子照射表面的温度升高小于单用放射线源2b的靶单元5的电子照射表面中的每一个的温度升高的另一个配置。两用放射线源2a的衬底6b的直径被形成为大于单用放射线源2b的衬底6b中的每一个的直径。如上所述，金刚石、硅碳化物、铝氮化物等可以被用作每个衬底6b的材料。这些材料具有比屏蔽物7和8的金属材料的导热性更高的导热性。因此，通过增大衬底6b的直径，可以增大靶层6a的放热特性，由此可以使得更大的电流量入射在靶层6a上。

衬底6b的直径的最佳范围可以基于放射线的聚焦直径、放射线源2的间隔、衬底6b的制造成本和制造易加工性等来确定。通常，直径可以被设定为大约1到10mm。两用放射线源2a的衬底6b的直径根据衬底6b的材料而改变。通常，直径可以被设定为单用放射线源2b的衬底6b中的每一个的直径的大约1.5到5倍。所有放射线源2的衬底6b可以被形成为具有与两用放射线源2a的衬底6b的直径相同的直径。然而，通过仅仅增大两用放射线源2a的衬底6b的直径，可以避免制造成本的不必要的增大。

根据第四示例性实施例的基本配置类似于根据第一示例性实施例的基本配置。然而，如图4A和图4B中所示出的，两用放射线源2a的屏蔽物7和8被形成为在与靶单元5的行以及电子入射的方向垂直的方向上比单用放射线源2b的屏蔽物7和8厚。由每个靶层6a产生的热经由对应的衬底6b以及对应的屏蔽物7和8被释放到放射线产生设备1的外部。通过如上所述增大两用放射线源2a的屏蔽物7和8的厚度，热被各向同性地并且广泛地扩散。也就是说，放热特性被改善。另外，因为屏蔽物7和8的热容量增大，所以温度升高被减少。因此，可以使得更大电流量入射在靶层6a上。

两用放射线源2a的屏蔽物7和8的在与靶单元5的行以及电子入射的方向垂直的方向上的厚度可以被设定为比由靶层6a产生的热被传递的距离L（热传递距离L）更大的值。这个热传递距离L由以下公式（1）表示。

L={(t×λ)/(C×ρ)}^0.5…(1)

热传递距离L是通过使用在非层析摄影合成成像期间的平均成像时间t、屏蔽物7和8的导热率λ、屏蔽物7和8的比热C以及屏蔽物7和8的密度ρ来计算的。

所有放射线源2的屏蔽物7和8可以被形成为在与靶单元5的行以及电子入射的方向垂直的方向上更厚。然而，通过仅仅增大两用放射线源2a的屏蔽物7和8的厚度，可以避免制造成本以及重量的不必要的增大。

根据第五示例性实施例的基本配置类似于根据第一示例性实施例的基本配置。然而，如图5A和图5B中所示出的，放热鳍（fin）12连接到两用放射线源2a的屏蔽物7和8。鳍12可以被布置在屏蔽物7和8的表面以及至少真空箱9的外侧上。

通过将鳍12连接到两用放射线源2a的屏蔽物7和8，屏蔽物7和8的放热特性增大，并且靶层6a的温度升高被进一步减少。因此，可以使得更大电流量入射在靶层6a上。

诸如铜或者铝之类的材料可以被用作鳍12的材料。另外，鳍12可以被与屏蔽物7和8一体化地形成。所有放射线源2的屏蔽物7和8可以连接到各自的鳍12。然而，通过仅仅将鳍12连接到两用放射线源2a的屏蔽物7和8，可以避免制造成本以及重量的不必要的增大。

在图6A中，根据第六示例性实施例的两用放射线源2a的屏蔽物8的通路孔10在其中通路孔10与靶单元5接触的位置处具有比单用放射线源2b的屏蔽物8的通路孔10中的每一个的直径更小的直径。在图6B中，两用放射线源2a的屏蔽物8的发射孔11在其中发射孔11与靶单元5接触的位置处具有比单用放射线源2b的屏蔽物8的发射孔11中的每一个的直径更小的直径。可替代地，两用放射线源2a的屏蔽物8可以被形成为具有图6A和图6B中的两种配置。

对于两用放射线源2a，减少了在电子被发射到其的靶层6a的位置（产热位置）和对应的屏蔽物7和/或对应的屏蔽物8之间的距离。因此，因为靶层6a产生的热被快速传送到屏蔽物7和/或屏蔽物8，所以靶层6a的放热特性被进一步增大。结果，可以使得更大电流量入射在靶层6a上。

基于例如聚焦直径、对于不必要的放射线的屏蔽性能、电子源4和放射线源2之间的对准的精度，为通路孔10的直径和发射孔11的直径设定合适的值。如果通路孔10和/或发射孔11的直径被减少，则对于电子源4和放射线源2之间的对准要求高精度。因此，可以仅仅对于两用放射线源2a减少通路孔10和/或发射孔11的直径。以这种方式，仅仅对于两用放射线源2a要求高度精确的对准。

根据图7中示出的第七示例性实施例的两用放射线源2a的靶单元5被相对于电子入射的方向倾斜地布置。另外，作为其它放射线源2的单用放射线源2b的靶单元5与电子入射的方向垂直地布置。通过相对于电子入射的方向倾斜地布置靶单元5，入射在靶单元5上的每一单位面积的电流密度可以被减少。因此，可以使得更大电流量入射在靶单元5上。两用放射线源2a的靶单元5可以被相对于电子入射的方向倾斜大约30°到60°地布置。所有放射线源2的靶单元5可以如两用放射线源2a的靶单元5的情况一样被倾斜地布置。然而，通过仅仅倾斜地布置两用放射线源2a的靶单元5，可以避免制造成本的不必要的增大。

第八示例性实施例涉及其中应用在第一到第七示例性实施例中描述的放射线产生设备的放射线成像系统。

图8示出放射线成像系统的配置。系统控制设备22执行放射线产生设备1和放射线检测设备21之上的协同控制。在系统控制设备22的控制下，设备控制单元20将各种控制信号输出到放射线产生设备1。这些控制信号控制从放射线产生设备1发射的放射线的状态。从放射线产生设备1发射的放射线经过被摄体25并且被检测器26检测。放射线检测设备21将检测到的放射线转换成图像信号并且将图像信号输出到信号处理单元24。在系统控制设备22的控制下，信号处理单元24对图像信号执行预定的信号处理，并且将经处理的图像信号输出到控制设备22。基于经处理的图像信号，系统控制设备22将用于使得显示装置23显示图像的显示信号输出到显示装置23。基于显示信号，显示装置23在屏幕上显示图像作为被摄体25的捕获图像。

接下来，将参考图9A和图9B描述使用根据本示例性实施例的放射线成像系统的层析摄影合成成像和非层析摄影合成成像。放射线成像系统具有层析摄影合成成像模式和非层析摄影合成成像模式。在层析摄影合成成像模式中，从被布置成一行的放射线源2（例如，参见图1A、图1B和图1C）顺序地发射放射线。在非层析摄影合成成像模式中，放射线被仅仅从两用放射线源2a（例如，参见图1A、图1B和图1C）发射。

如图9A中所示出的，在层析摄影合成成像模式中，放射线被从包括例如图1A、图1B和图1C中示出的两用放射线源2a的多个放射线源2顺序地发射到被摄体25。已经经过被摄体25的放射线被检测器26检测，并且多个图像被捕获。多个捕获图像由信号处理单元24重构并且截面的图像被形成。如图9B中所示出的，在非层析摄影合成成像模式中，放射线被从两用放射线源2a发射到被摄体25。已经经过被摄体25的放射线被检测器26检测，并且信号处理单元24形成2D图像。

根据本示例性实施例的放射线成像系统可以在不改变放射线源2的位置的情况下连续地执行层析摄影合成成像和非层析摄影合成成像。另外，用于两种类型成像的两用放射线源2a被配置为供应比每个单用放射线源2b更大的电流量到对应靶单元5。因此，可以减少成像时间。供应给靶单元5的电流的量可以通过使得系统控制设备22控制施加在对应电子源4和对应靶单元5之间的加速电压来调节。例如，在层析摄影合成成像模式中，第一加速电压被施加在每个放射线源2的靶单元5和电子源4之间。与此对比，在非层析摄影合成成像模式中，与第一加速电压不同的第二加速电压被施加在两用放射线源2a的靶单元5和电子源4之间。通过把比第一加速电压更大的值设定给第二加速电压，可以将比供应给单用放射线源2b的靶单元5中的每一个的电流量更大的电流量供应给两用放射线源2a的靶单元5。

另外，通过在电子源4和靶单元5之间布置提取电极（未示出）并且使得系统控制设备22控制施加到提取电极的电压，可以调节供应给靶单元5的电流的量。例如，在层析摄影合成成像模式中，第一电压被施加在每个放射线源2的提取电极和电子源4之间。与此对比，在非层析摄影合成成像模式中，与第一电压不同的第二电压被施加在两用放射线源2a的提取电极和电子源4之间。通过把比第一电压更大的值设定给第二电压，可以将比供应给单用放射线源2b的靶单元5中的每一个的电流量更大的电流量供应给两用放射线源2a的靶单元5。

根据本发明的示例性实施例，通过把多个放射线源中的至少一个配置为两用放射线源，可以制造具有更小尺寸的放射线产生设备。另外，因为两用放射线源被布置在其中两用放射线源可以被用于非层析摄影合成成像和层析摄影合成成像两者的位置处，所以层析摄影合成成像和非层析摄影合成成像可以在不改变放射线源的位置的情况下连续地被执行。

通常，层析摄影合成成像中的总放射剂量近似等于非层析摄影合成成像中的总放射剂量。因此，例如，在使用单个两用放射线源时，在非层析摄影合成成像期间从这个两用放射线源发射的放射剂量至少为在层析摄影合成成像期间从单个放射线源发射的放射剂量的十倍到几十倍。结果，在非层析摄影合成成像中，为了获得必需的放射剂量需要更多的成像时间。

根据本发明的示例性实施例，在相同的条件下照射电子时，两用放射线源的靶单元的电子照射表面被配置为经受比仅仅发射用于层析摄影合成成像的放射线的单用放射线源的靶单元中的每一个经受的温度升高更小的温度升高。以这种方式，在非层析摄影合成成像期间更大的电流量可以被供应给两用放射线源的靶单元并且产生的放射剂量可以被增大。结果，可以缩短成像时间。

虽然已经参考示例性实施例描述了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。以下权利要求的范围将被给予最宽的解释从而包括所有这样的修改、等同的结构与功能。

Claims (14)

1.一种多放射线产生设备，包括：

布置成一行的多个放射线源，

其中每个放射线源包括被配置为发射电子的电子源以及被配置为在接收到从所述电子源发射的电子时产生放射线的靶单元，以及

其中放射线源中的至少一个是用于层析摄影合成成像和非层析摄影合成成像两者的两用放射线源，并且其它放射线源是仅仅用于层析摄影合成成像的单用放射线源。

2.根据权利要求1所述的多放射线产生设备，其中，在相同的条件下照射电子时，两用放射线源的靶单元的电子照射表面被配置为具有比单用放射线源的每个靶单元的电子照射表面的温度升高更小的温度升高。

3.根据权利要求2所述的多放射线产生设备，其中两用放射线源的靶单元具有比单用放射线源的靶单元中的每一个的放热特性更高的放热特性。

4.根据权利要求2或3所述的多放射线产生设备，

其中靶单元包括衬底以及被形成在面向电子源那侧的衬底一侧上的靶层，以及

其中两用放射线源的靶单元的衬底比单用放射线源的靶单元中的每一个的衬底厚。

5.根据权利要求2或3所述的多放射线产生设备，

其中靶单元包括衬底以及被形成在面向电子源那侧的衬底一侧上的靶层，以及

其中两用放射线源的靶单元的衬底具有比单用放射线源的靶单元的衬底中的每一个的直径更大的直径。

6.根据权利要求2所述的多放射线产生设备，

其中两用放射线源的靶单元被相对于电子入射的方向倾斜地布置，以及

其中单用放射线源的靶单元中的每一个被相对于电子入射的方向垂直地布置。

7.根据权利要求1所述的多放射线产生设备，

其中放射线源中的每一个还包括布置在对应的靶单元周围的屏蔽物，

其中，在电子源的一侧，屏蔽物具有电子通过的通路孔，以及

其中，在电子源的相对侧，屏蔽物具有允许靶单元产生的放射线发射到预定区域的发射孔。

8.根据权利要求7所述的多放射线产生设备，其中两用放射线源的屏蔽物在与靶单元的行以及电子入射的方向垂直的方向上比单用放射线源的屏蔽物中的每一个厚。

9.根据权利要求7所述的多放射线产生设备，其中放热鳍连接到两用放射线源的屏蔽物。

10.根据权利要求7所述的多放射线产生设备，其中两用放射线源的屏蔽物的通路孔或者发射孔在其中通路孔或者发射孔与靶单元接触的位置处具有比单用放射线源的屏蔽物的每个通路孔或者发射孔的直径更小的直径。

11.根据权利要求7所述的多放射线产生设备，其中放射线源的屏蔽物被一体化地形成。

12.一种放射线成像系统，包括：

根据权利要求1所述的多放射线产生设备；

放射线检测设备，被配置为检测已经从多放射线产生设备发射并且已经经过被摄体的放射线；以及

系统控制设备，被配置为执行放射线产生设备和放射线检测设备之上的协同控制。

13.根据权利要求12所述的放射线成像系统，其中放射线成像系统具有其中从布置成一行的放射线源顺序地发射放射线的层析摄影合成成像模式和其中仅仅从两用放射线源发射放射线的非层析摄影合成成像模式。

14.根据权利要求13所述的放射线成像系统，其中系统控制设备执行控制使得，在层析摄影合成成像模式中将第一加速电压施加在每个放射线源的靶单元和电子源之间，并且在非层析摄影合成成像模式中将与第一加速电压不同的第二加速电压施加在两用放射线源的靶单元和电子源之间。