JP6074988B2 - 回転磁気検出回路および回転磁気センサ - Google Patents
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また、特許文献2のセンサでは、メモリ部に保存された補償値を利用しているため、メモリ部に補償値を保存したときの誤差を低減することは可能であるが、使用環境の変化などによって外部磁界が大きく変化した場合や、環境温度が高まった場合などには、誤差を低減することはできない。
本発明に係る回転磁気検出回路の特徴構成は、2以上のn種類の方向に磁化した少なくともn個の磁気抵抗効果素子を夫々有する第1素子列乃至第4素子列を備え、前記第1素子列と前記第2素子列とが直列に接続され、前記第3素子列と前記第4素子列とが直列に接続され、前記第1素子列と前記第3素子列とが電源端子に接続され、前記第2素子列と前記第4素子列とが接地端子に接続され、前記第1素子列と前記第2素子列とが一方の出力端子に接続され、前記第3素子列と前記第4素子列とが他方の出力端子に接続され、回転磁界の特定方向の成分強度に応じて双方の出力端子間に電位差を生じさせるホイートストンブリッジ回路と、前記一方の出力端子および前記他方の出力端子の電位差に対応する信号を出力する差分検出器とを備え、前記第1素子列を構成する夫々の磁気抵抗効果素子が有する磁化方向は、前記第2素子列を構成する磁気抵抗効果素子の何れか一つが有する磁化方向と90度異なり、前記第1素子列を構成する夫々の磁気抵抗効果素子が有する磁化方向は、前記第3素子列を構成する磁気抵抗効果素子の何れか一つが有する磁化方向と180度異なり、前記第2素子列を構成する夫々の磁気抵抗効果素子が有する磁化方向は、前記第4素子列を構成する磁気抵抗効果素子の何れか一つが有する磁化方向と180度異なり、前記第1素子列乃至前記第4素子列の夫々において、前記n種類の方向毎に磁化方向を有する前記磁気抵抗効果素子の磁化総量が、前記回転磁界の特定方向に近い方向の磁化総量ほど多くなるように設定した点にある。
本構成のごとく、磁気抵抗効果素子の磁化方向を各素子列毎に関係付けて振り分けることで、回転体がどのような角度にあっても、磁気素子のうち何れかの素子が磁力に対して良好に反応し、電位を生じる。このため、ホイートストンブリッジ回路からは常に適切な出力を得ることができ、回転体の角度判定を正確に行うことができる。
また、ノイズとして存在する各種高調波を互いの磁気素子が打消し合うから、磁力方向の検出精度がさらに向上して、回転体の方向をより正確に知ることができる。
尚、本構成における特定方向とは、当該回転磁気検出回路によって特に検出したい磁力の方向であり、その方向としては、何れかの特定方向と、この特定方向に対して位相がπだけ異なる方向を含むものである。
本発明に係る回転磁気検出回路にあっては、前記第1素子列乃至前記第4素子列の夫々に於いて、磁化方向が前記n種類の方向の何れかであって同じ強さに磁化された磁気抵抗効果素子を、前記特定方向に近い磁化方向を有する磁気抵抗効果素子ほど多く配置するとよい。
本構成であれば、配置する磁気抵抗効果素子の数を決めるだけでよく、磁化総量の設定が極めて容易である。また、用いる磁気抵抗効果素子としては必要な磁化方向のものを必要な数だけ揃えればよく、回転磁気検出回路を合理的に製作することができる。
本発明に係る回転磁気検出回路にあっては、前記第1素子列乃至前記第4素子列の夫々に於いて、前記n種類の方向の何れかの方向に磁化されると共に出力する磁気抵抗の信号を増幅する増幅器を伴なった磁気抵抗効果素子を備え、前記特定方向に近い磁化方向を有する前記磁気抵抗効果素子の磁化総量ほど多く設定することができる。
本構成であれば、各素子列において磁気抵抗効果素子をn個だけ設置すればよいから、磁気抵抗効果素子の設置スペースを少なくすることができる。よって、コンパクトな回転磁気センサを得ることができる。また、磁気抵抗効果素子の磁化強度が一定で済むため、必要構成部品の種類・総数を低減することができ、効率的に回転磁気センサを構成することができる。
本発明に係る回転磁気検出回路にあっては、前記第1素子列乃至前記第4素子列において、前記n種類の方向を(2π/4n)の角度間隔に設定することができる。
本構成のごとく、回転体の回転に伴って磁界が一周する2πの角度を、各素子列に設けた磁気抵抗効果素子の全ての磁化方向の数で除することで、各磁化方向を均等に振り分けることができる。その結果、回転体がいずれの角度にある場合であっても、磁気抵抗効果素子のうち何れかの素子が磁力に対して良好に反応し、電位を生じさせることができる。このため、ホイートストンブリッジ回路からは常に適切な出力を得ることができ、回転体の角度変化を正確に測定することができる。
本発明に係る回転磁気センサの特徴構成は、前記ホイートストンブリッジ回路および前記差分検出器を備えた検出回路として、前記回転磁界の特定方向の成分強度を検出する第1ホイートストンブリッジ回路と第1差分検出器とを備えて第1検出回路を構成すると共に、前記回転磁界の回転方向に沿って前記特定方向とは90度異なる方向の成分強度を検出する第2ホイートストンブリッジ回路と第2差分検出器とを備えて第2検出回路を構成し、前記第1差分検出器および前記第2差分検出器からの信号に基づいて、前記回転磁界の方向を算出する演算回路を備えた点にある。
本構成であれば、回転体の向きに拘らず回転磁界を正確に測定することができ、しかも、ノイズとして発生する高調波を打ち消すことができるため、回転体の回転方向を正確に測定する回転磁気センサを得ることができる。
本発明の回転磁気センサおよびその回転磁気センサに用いる回転磁気検出回路(以下、「検出回路」と略称する)の実施形態を図面を参照しつつ説明する。本実施形態の回転磁気センサ1は、例えば、図1に示すように、磁界を有する回転体2の近傍に配置される。回転体2の回転に伴って磁界が回転し、その変化を検出する。回転磁気センサ1の配置位置は任意である。回転体2に対して回転軸芯Cの方向に離間し、回転体2と平行な状態に配置してもよく、また、回転体2の回転面と同一平面上であって、回転体2の径方向外側に配置しても良い。本実施形態では、径方向外方に配置した例を示す。
本実施形態においては、検出回路3として第1検出回路31および第2検出回路32の二つを備えている。第1検出回路31は、図1に示す±X方向の磁力成分を検出する回路である。第2検出回路32は、図1に示す±Y方向の磁力成分を検出する回路である。仮に、回転体2の初期位置が、N極が+Y方向を向き、S極が−Y方向を向く初期状態から反時計方向に回転するとき、第1検出回路31で検出される+X方向の磁力はSINカーブ状に変化する。一方、第2検出回路32で検出される+Y方向の磁力はCOSカーブ状に変化する。回転体2の回転に伴い、それぞれの検出回路3で得られた信号は差分検出器4を介して演算回路5に送られる。演算回路5では、双方の検出回路3から得た信号に基づき、回転体2の回転位相を算出する。
また、外部磁界が十分に大きい場合や、環境温度が高い場合などに、回転磁気センサからの出力信号に誤差信号として含まれる高調波を互いの磁気素子Rが打ち消し合うから、磁力の測定精度がさらに向上する。
上記のごとく構成した検出回路3で生じた電圧は、二つの出力端子を介して差分検出器4(第1差分検出器41)に送られる。差分検出器4では、この一方の出力端子および他方の出力端子間の電位差に対応して信号を発生し、この信号がさらに演算回路5に送られる。
磁気素子Rを用いた角度検出センサでは外部磁界が十分に大きい場合や、環境温度が十分に高い場合などに、センサからの出力信号に誤差信号が含まれることがある。この誤差信号の主成分はセンサ信号の奇数高調である。このときのセンサ出力は例えば以下の(1)式で表すことができる。
このうち、下線部が誤差信号であり、θは外部磁束の回転角度であり、F(θ)はθに対する出力信号の関である。
このとき、第mの素子列7mの第i方向の直列接続する磁気素子Rの数は式(4)で表わされる。
ここでSは、ブリッジ回路6の全体での磁気素子Rの総数である。
これよりF(kθ)を計算すると
k=1ではなく、また4n±1でもない場合、以下のようになる。
これを(1)式に代入すると(6)式となる。
下線は誤差信号 κ、λは定数となる。
よって(1)式の誤差成分の一部が低減できることが確認できる。
この場合、各磁気素子Rの抵抗の大きさを、グラフのようにSIN関数の絶対値に相当するものとした。
上記実施形態では、各素子列7に設けられる磁気素子Rにつき、設置数を変更して検出特性を向上させた。これに対して、磁気素子Rの設置数は、何れの素子列7においても一定とし、その代わり、各磁気素子Rの磁化強度を変化させることとしても良い。例えば、夫々の磁気素子Rの磁化強度そのものを増減させておいても良い。また、以下に示す如く、夫々の磁気素子Rの磁化強度は一定としておき、夫々の磁気素子Rに増幅器12を付随させて出力される磁気抵抗の信号強度を変化させることができる。
図8の例であれば、磁化方向の数nの値は2であるから、各素子列7に設けられる磁気素子Rどうしの磁化方向の差は、(2π/4n)より45度となる。
より具体的には、例えば±X方向を特定方向とする第1検出回路31では、第1素子列71において、+X方向に平行な磁化方向を持つ磁気素子Rとそこから時計回りに45度傾いた磁化方向を持つ磁気素子Rとを接続する。第2素子列72では例えば−Y方向より時計回りに180度傾いた磁化方向を持つ磁気素子Rとそこから時計回りに45度傾いた磁化方向を持つ磁気素子Rとを接続する。第3素子列73では+X方向より時計回りに180°傾いた磁化方向を持つ磁気素子Rとそこから時計回りに45度傾いた磁化方向を持つ磁気素子Rとを接続する。第4素子列74では−Y方向と平行な方向に磁化方向を持つ磁気素子Rとそこから時計回りに45度傾いた磁化方向を持つ磁気素子Rとを接続する。これら磁気素子Rには、各々の抵抗に増幅器12を接続する。
磁気素子Rを用いた角度検出センサでは外部磁界が十分に大きい場合や、環境温度が十分に高い場合などに、センサからの出力信号に誤差信号が含まれることがある。この誤差信号の主成分はセンサ信号の奇数高調である。このときのセンサ出力は例えば以下の(7)式で表すことができる。
このうち、下線部が誤差信号であり、θは外部磁束の回転角度であり、F(θ)はθに対する出力信号の関である。
ここで、φ :基準方向との初期位相差
VMR:磁気素子12の構造できまる抵抗変化率
idd :電源間を流れる電流値
図10において、ARmax はY方向と平行な方向の固定層にかかる抵抗変化率であり、ARmin はX方向と平行な方向の固定層にかかる抵抗変化率であり、ζはARmaxとARminの比である。
次に第1検出回路31における第m素子列7mの第i方向の固定層をもつ磁気素子Rmの抵抗にかかる増幅率を(12)式のように定める。
その結果を図11に示す。
3 回転磁気検出回路
4 差分検出器
5 演算回路
6 ホイートストンブリッジ回路
71 第1素子列
72 第2素子列
73 第3素子列
74 第4素子列
8 電源端子
9 接地端子
10 一方の出力端子
11 他方の出力端子
12 増幅器
R 磁気抵抗効果素子
Claims (5)
- 2以上のn種類の方向に磁化した少なくともn個の磁気抵抗効果素子を夫々有する第1素子列乃至第4素子列を備え、
前記第1素子列と前記第2素子列とが直列に接続され、
前記第3素子列と前記第4素子列とが直列に接続され、
前記第1素子列と前記第3素子列とが電源端子に接続され、
前記第2素子列と前記第4素子列とが接地端子に接続され、
前記第1素子列と前記第2素子列とが一方の出力端子に接続され、
前記第3素子列と前記第4素子列とが他方の出力端子に接続され、
回転磁界の特定方向の成分強度に応じて双方の出力端子間に電位差を生じさせるホイートストンブリッジ回路と、
前記一方の出力端子および前記他方の出力端子の電位差に対応する信号を出力する差分検出器とを備え、
前記第1素子列を構成する夫々の磁気抵抗効果素子が有する磁化方向は、前記第2素子列を構成する磁気抵抗効果素子の何れか一つが有する磁化方向と90度異なり、
前記第1素子列を構成する夫々の磁気抵抗効果素子が有する磁化方向は、前記第3素子列を構成する磁気抵抗効果素子の何れか一つが有する磁化方向と180度異なり、
前記第2素子列を構成する夫々の磁気抵抗効果素子が有する磁化方向は、前記第4素子列を構成する磁気抵抗効果素子の何れか一つが有する磁化方向と180度異なり、
前記第1素子列乃至前記第4素子列の夫々において、前記n種類の方向毎に磁化方向を有する前記磁気抵抗効果素子の磁化総量が、前記回転磁界の特定方向に近い方向の磁化総量ほど多くなるように設定してある回転磁気検出回路。 - 前記第1素子列乃至前記第4素子列の夫々に於いて、磁化方向が前記n種類の方向の何れかであって同じ強さに磁化された磁気抵抗効果素子を、前記特定方向に近い磁化方向を有する磁気抵抗効果素子ほど多く配置してある請求項1に記載の回転磁気検出回路。
- 前記第1素子列乃至前記第4素子列の夫々に於いて、前記n種類の方向の何れかの方向に磁化されると共に出力する磁気抵抗の信号を増幅する増幅器を伴なった磁気抵抗効果素子を備え、前記特定方向に近い磁化方向を有する前記磁気抵抗効果素子の磁化総量ほど多く設定してある請求項1に記載の回転磁気検出回路。
- 前記第1素子列乃至前記第4素子列において、前記n種類の方向が(2π/4n)の角度
間隔に設定してある請求項1から3の何れか一項に記載の回転磁気検出回路。 - 前記ホイートストンブリッジ回路および前記差分検出器を備えた検出回路として、
前記回転磁界の特定方向の成分強度を検出する第1ホイートストンブリッジ回路と第1差分検出器とを備えて第1検出回路を構成すると共に、
前記回転磁界の回転方向に沿って前記特定方向とは90度異なる方向の成分強度を検出する第2ホイートストンブリッジ回路と第2差分検出器とを備えて第2検出回路を構成し、
前記第1差分検出器および前記第2差分検出器からの信号に基づいて、前記回転磁界の方向を算出する演算回路を備えた請求項1から4の何れか一項に記載の回転磁気検出回路を備えた回転磁気センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012218561A JP6074988B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | 回転磁気検出回路および回転磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012218561A JP6074988B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | 回転磁気検出回路および回転磁気センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014071039A JP2014071039A (ja) | 2014-04-21 |
JP6074988B2 true JP6074988B2 (ja) | 2017-02-08 |
Family
ID=50746366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012218561A Expired - Fee Related JP6074988B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | 回転磁気検出回路および回転磁気センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6074988B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10557725B2 (en) | 2014-11-24 | 2020-02-11 | Sensitec Gmbh | Magnetoresistive wheatstone measuring bridge and angle sensor having at least two such measuring bridges |
JP2016166748A (ja) * | 2015-03-09 | 2016-09-15 | Tdk株式会社 | 磁気センサ |
JP6561328B2 (ja) * | 2016-03-22 | 2019-08-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 回転検出装置 |
US11199424B2 (en) | 2018-01-31 | 2021-12-14 | Allegro Microsystems, Llc | Reducing angle error in a magnetic field angle sensor |
FR3093799B1 (fr) * | 2019-03-12 | 2021-03-19 | Ntn Snr Roulements | Système de détermination d’au moins un paramètre de rotation d’un organe tournant |
JP7285691B2 (ja) * | 2019-05-16 | 2023-06-02 | ニデックインスツルメンツ株式会社 | 磁気センサ装置 |
US11175359B2 (en) | 2019-08-28 | 2021-11-16 | Allegro Microsystems, Llc | Reducing voltage non-linearity in a bridge having tunneling magnetoresistance (TMR) elements |
EP4010661B1 (en) * | 2019-08-28 | 2023-10-18 | Allegro MicroSystems, LLC | Reducing angle error in a magnetic field angle sensor |
US11408948B2 (en) | 2020-03-18 | 2022-08-09 | Allegro Microsystems, Llc | Linear bridge having nonlinear elements for operation in high magnetic field intensities |
US11467233B2 (en) | 2020-03-18 | 2022-10-11 | Allegro Microsystems, Llc | Linear bridges having nonlinear elements |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6633462B2 (en) * | 2000-07-13 | 2003-10-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetoresistive angle sensor having several sensing elements |
US6984978B2 (en) * | 2002-02-11 | 2006-01-10 | Honeywell International Inc. | Magnetic field sensor |
JP5387583B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2014-01-15 | 日立金属株式会社 | 回転角度検出装置 |
JP5131339B2 (ja) * | 2010-11-17 | 2013-01-30 | Tdk株式会社 | 回転磁界センサ |
-
2012
- 2012-09-28 JP JP2012218561A patent/JP6074988B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014071039A (ja) | 2014-04-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150805 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160607 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160714 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161226 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |