JP6073894B2 - ウエハ状物品の液体処理のための方法及び装置 - Google Patents

Description

本発明は、ウエハ状物品の液体処理のための方法及び装置に関するものである。

液体処理は、ウェットエッチング及びウェットクリーニングの両方を含み、該処理では、処理されるウエハの表面領域が処理液で濡らされ、それによって、ウエハの層が取り除かれる又は不純物が運び去られる。液体処理のための装置が、米国特許第４，９０３，７１７号で説明されている。この装置では、ウエハに付与される回転運動が、液体の分配を助け得る。

円盤状物品の表面を乾燥させるための技術は、半導体産業では、生産プロセス中にシリコンウエハをクリーニング（例えばプレフォトクリーニング、ポストＣＭＰクリーニング、及びポストプラズマクリーニング）した後に使用されるのが一般的である。しかしながら、このような乾燥方法は、コンパクトディスク、フォトマスク、レチクル、磁気ディスク、又はフラットパネルディスプレイなどのその他の板状物品にも適用されてよい。半導体産業で使用されるときは、（例えばシリコン・オン・インシュレータプロセスにおける）ガラス基板、ＩＩＩ−Ｖ基板（例えばＧａＡｓ）、又は集積回路の作成用に使用されるその他の任意の基板若しくはキャリアにも適用されてよい。

半導体産業では、様々な乾燥方法が知られており、そのうちの幾つかは、半導体ウエハ表面上におけるすすぎ水の表面張力を小さくするために、イソプロピルアルコールを用いる。例えば、米国特許第５，８８２，４３３号を参照せよ。このような方法に対する加熱イソプロピルアルコールの使用をともなう改善が、（２０１０年１０月２８日に出願された）共同所有の特許出願である国際公開番号ＷＯ２０１１／００７２８７及び米国通し番号第１２／９１４，８０２号で説明されている。

しかしながら、このような半導体ウエハ上に形成された超顕微鏡的構造のパターン崩壊をこのような乾燥プロセス中のみならずその他の液体処理中も阻止するための改善された方法を開発する必要性が、依然として残っている。パターン崩壊は、回転しているウエハの表面上を半径方向外向きに移動する液体の表面張力が、ウエハ表面上に形成された超顕微鏡的構造に対して損傷力、すなわち破壊力を作用させるときに、発生する恐れがある。

パターン崩壊の問題は、半導体ウエハの直径が大きくなるにつれて深刻さを増していく。例えば、現世代の枚葉式ウェット処理技術は、直径３００ｍｍのウエハ用に設計されているが、その前の世代の技術は、２００ｍｍウエハ用に設計されており、次世代は、直径が４５０ｍｍ又はそれよりも大きいウエハ用に設計されるだろう。

特に、ウエハ直径が大きくなるにつれて、ウエハの中央領域に施された時点における液体と、ウエハの周縁に向かって半径方向外向きに移動した後における同じ液体との間には、温度差も生じる。

パターン崩壊の問題は、また、超顕微鏡的構造のアスペクト比が大きくなるにつれても深刻を増していく。これは、半導体デバイスの製造において現在進行中の趨勢でもある。なぜならば、デバイス寸法を減少させようとする圧力は、総じて、水平方向のレイアウトに対して多く、厚さ方向に対して少なく作用するからである。

ウエハを加熱するための赤外線ヒータを備えた従来の装置は、赤外線加熱ランプの石英管を収容するためにとられる手法によって制限される。例えば、米国特許第５，９６５，０４７号では、２組の赤外線ランプ、すなわちウエハとともに回転するウエハ下方の赤外線ランプと、ウエハに対して静止しているウエハ上方の赤外線ランプとがある。このような配置は、複雑であり、ウエハへの気体媒体及び液体媒体の供給を更に複雑にする。

本発明は、少なくとも一部には、以下の認識に基づくものである。すなわち、国際公開番号２０１１／００７２８７及び米国通し番号第１２／９１４，８０２号で説明されるような技術は、回転するウエハ表面における線形速度が中央よりも周縁において高いゆえに、ウエハ状物品の上側の中央領域に吐出された加熱液体がウエハ状物品の周縁に向かって半径方向外向きに移動するのにともなって大幅に冷却される限りは、パターン崩壊を阻止するのに十分に有効ではないだろう、という認識である。

したがって、回転するウエハの上側に加熱媒体を吐出させる乾燥プロセスでは、用いられる媒体が均一に冷却されない。中央から縁に向かうにつれて、冷却プロセスは、周方向速度の増加にともなって大幅に増していく。これは、冷却媒体の表面張力の高まりゆえに、構造パターン崩壊をもたらす恐れがある。

更に、これらの問題を打ち消すためにウエハに対して補助的な熱を加えるときは、ウエハを、所望のプロセス温度に持ってこられるように迅速に加熱し、その後、周囲温度に迅速に冷却させることが望ましい。

上記の認識が、本発明につながった。本発明は、一態様では、ウエハ状物品を処理するための装置に関するものであり、該装置は、ウエハ状物品を所定の向きで保持するためのスピンチャックであって、ウエハ状物品の下表面は、スピンチャックの上表面から所定の距離だけ離される、スピンチャックと、少なくとも１つの赤外線ヒータを含む加熱アセンブリであって、赤外線ヒータは、上記スピンチャックの上記上表面の上方に、且つ上記スピンチャック上に搭載されたときのウエハ状物品の下に取り付けられ、加熱アセンブリは、上記スピンチャックの回転との関係において静止している、加熱アセンブリと、を含む。

本発明にしたがった装置の好ましい実施形態では、装置は、更に、スピンチャック上に位置決めされたウエハ状物品の下向き表面に向かって上方へ流体を向かわせるための少なくとも１つのノズルを含む下方ノズルアセンブリを含む。

本発明にしたがった装置の好ましい実施形態では、加熱アセンブリは、下方ノズルアセンブリのケースと一体化されたケースを含む。

本発明にしたがった装置の好ましい実施形態では、スピンチャックは、更に、スピンチャックによって保持されるウエハ状物品の周縁に係合可能であるように位置決めされた一連の周縁上向き突出つかみ要素を含み、該上向き突出つかみ要素のそれぞれは、スピンチャックの回転の軸に平行な軸を中心にして枢動可能である。

本発明にしたがった装置の好ましい実施形態では、上向き突出つかみ要素のそれぞれは、つかみ要素の枢動の際に、ウエハ状物品に係合する半径方向内向きの位置から、ウエハ状物品を解放する半径方向外向きの位置へ移動可能である偏心つかみを含む。

本発明にしたがった装置の好ましい実施形態では、装置は、半導体ウエハの枚葉式ウェット処理のためのプロセスモジュールである。

本発明にしたがった装置の好ましい実施形態では、加熱アセンブリは、曲線状の構成を有する少なくとも１つの管状赤外線加熱素子を含む。

本発明にしたがった装置の好ましい実施形態では、少なくとも１つの管状赤外線加熱素子は、７００〜１３００ｎｍの範囲に最大ピークを有する赤外線放射を発する。

本発明にしたがった装置の好ましい実施形態では、少なくとも１つの管状赤外線加熱素子は、その裏側に反射性のコーティングを含み、それによって、赤外線放射を上記加熱アセンブリの上方へ向かわせる。

別の一態様では、本発明は、ウエハ状物品を処理するためのプロセスに関するものであり、該プロセスは、ウエハ状物品を所定の向きでスピンチャック上に位置決めすることを含み、ウエハ状物品の第１の表面は、下向きであり、スピンチャックの上表面から所定の距離だけ離され、ウエハ状物品と、スピンチャックの上表面との間には、赤外線加熱アセンブリが位置決めされる。ウエハ状物品の、上向きの第２の表面上へは、スピンチャックのなかでウエハ状物品が回転している間に少なくとも１つの上方ノズルから処理流体が吐出される。ウエハ状物品は、吐出中に赤外線加熱アセンブリによって加熱され、赤外線加熱アセンブリは、スピンチャック及びウエハ状物品の回転に相対的に静止した状態に維持される。

本発明にしたがったプロセスの好ましい実施形態では、加熱アセンブリは、曲線状の構成を有する少なくとも１つの管状赤外線加熱素子を含む。

本発明にしたがったプロセスの好ましい実施形態では、ウエハ状物品は、シリコン基板を含み、少なくとも１つの管状赤外線加熱素子は、７００〜１３００ｎｍの範囲に最大ピークを有する赤外線放射を発する。

本発明にしたがったプロセスの好ましい実施形態では、ウエハ状物品をスピンチャック上に位置決めすることは、一連のつかみ要素のそれぞれによってウエハ状物品の周縁に係合することを含み、これらのつかみ要素は、それぞれ、スピンチャックの回転の軸に平行な軸を中心にして枢動可能であるボディを含む。

本発明にしたがったプロセスの好ましい実施形態では、ウエハ状物品の第１の表面上へ吐出される処理流体は、イソプロピルアルコールを含む液体であり、加熱アセンブリは、ウエハ状物品を５０〜１００℃、好ましくは６０〜８０℃、より好ましくは６５〜７５℃の温度に加熱する。

本発明にしたがったプロセスの好ましい実施形態では、イソプロピルアルコールを含む液体は、３０℃を超える温度に、好ましくは６０℃を超える温度に加熱される。

添付の図面を参照にして与えられる本発明の好ましい実施形態に関する以下の詳細な説明を読むことによって、本発明のその他の目的、特徴、及び利点が更に明らかになる。
本発明の第１の実施形態にしたがったチャックの、上からの概略斜視図である。 図１の実施形態の上面図である。 図１及び図２に描かれたチャックを図２の線ＩＩＩ−ＩＩＩに沿って切り取った軸方向の部分断面図であり、適所に配されたウエハが破線で示されている。 図３に示された細部ＩＶの拡大図である。 本発明の第２の実施形態にしたがったチャックの、上からの概略上面図である。 図６の実施形態を図５の面ＶＩ−ＶＩに沿ってチャックを切り取った状態で異なる角度方向から示した概略斜視図である。

図面を参照すると、図１及び図２は、ウエハを所定の向きでその上に保持するスピンチャック１を描いている。所定の向きは、主要表面が水平に又は水平の±２０°以内に配されるような向きであることが好ましい。スピンチャック１は、例えば、米国特許第４，９０３，７１７号で説明されるような、ベルヌーイの法則にしたがって動作するチャックであってよい。

チャック１は、一連のつかみピンを含む。これらのピンは、この実施形態では、個数が６であり、１０−１から１０−６で示されている。つかみピン１０−１〜１０−６は、ウエハがチャックから横方向に滑り落ちるのを防いでいる。この実施形態では、つかみピン１０−１〜１０−６の上方部分は、ウエハＷに対して下からの支えも提供し、したがって、チャックは、ベルヌーイの法則にしたがって動作する必要はなく、ウエハの下に気体のクッションを提供するように適応される必要もない。具体的には、各つかみピンは、円筒状のピン基部の回転軸との関係においてずらされた軸に概ね沿って上記ピン基部から垂直方向に突き出した最上方つかみ部分を含む。該上方つかみ部分は、更に、以下で更に詳しく説明されるように、ウエハの周縁を収めるように設計された側方の陥凹、すなわち切り欠きをそれぞれ含む。

図には示されていないが、スピンチャックは、プロセスチャンバによって取り囲まれてよく、該プロセスチャンバは、共同所有の米国特許第７，８３７，８０３号（国際公開番号ＷＯ２００４／０８４２７８に対応する）で説明されるような、マルチレベルプロセスチャンバであってよい。スピンチャックは、米国特許第６，５３６，４５４号の図４との関連で説明されるように、静止している周囲チャンバに相対的に軸方向にチャックを移動させることによって又は軸方向に静止しているチャックに相対的に軸方向に周囲チャンバを移動させることによって、選択されたレベルに位置決めすることができる。

チャック１は、更に、チャック上に搭載されたウエハの裏側を加熱するための加熱アセンブリ２を含む。加熱アセンブリ２は、ウエハＷの下向きの面に流体を供給する静止ノズルヘッド２０と一体化されている。

加熱アセンブリ２は、曲線状の赤外線加熱素子１２を含み、該素子は、相補的な形状の凹所を有するケース１４に収まっている。この実施形態では、加熱アセンブリ２の形状は、その輪郭の外観がスキューバ用のマスクに似ている。以下で説明されるように、加熱アセンブリ２は、回転するチャック及び回転するウエハに相対的に静止したままであるので、加熱アセンブリの設計の際は、ウエハの半径沿いにわたる有効加熱力を設計上の主要な検討事項にして、周方向における加熱素子の分布が無視されてよい。

加熱素子１２は、１本の曲線状の素子であることが好ましい。しかしながら、直線状の又は曲線状の複数の加熱素子を加熱アセンブリに提供することもまた、本発明の範囲内である。

また、装置で実施されているプロセスの特定の要件にしたがうと、ウエハの様々な領域への赤外線放射の照射を調節するために、１つ又は複数の加熱素子１２を複数の区域に分けて個別に制御可能にすることも好ましい。

ケース１４は、この実施形態の吐出アセンブリを形成する静止ノズルと一体化されている。図３に更に詳しく示されるように、吐出アセンブリは、後述のように、加熱アセンブリのカバーを貫通するノズルをともなう非回転式（静止）ノズルヘッド２０を含む。この実施形態では、３つのノズル２２、２４、２６が、ノズルヘッドを貫通している。これらのノズルへの供給を行うパイプは、それぞれ、異なる流体源につながっている。例えば、ノズル２２は、脱イオン水を供給し、ノズル２４は、乾燥窒素ガスを供給し、ノズル２６は、プロセス液を供給するだろう。ノズル２２、２４、２６は、ウエハの下向き表面に向けられている。

パイプ３０は、中央に配置され、ガス源につながれている。窒素又は超清浄空気などのガスが、パイプ３０を通じてノズル２４に、そしてウエハの下向き表面へ導かれる。パイプ３０は、また、加熱アセンブリ１２の裏側とスピンチャック１の上表面との間の空間３２に、窒素又は超清浄空気をパージガスとして供給してもよい。

図３は、また、加熱アセンブリ２が、上にあるウエハＷからも及び回転しているチャック１の上表面からも離されるようにカンチレバー方式で取り付けられることも示している。ケース１４は、したがって、チャックの又はウエハのいずれの回転表面にも接触しないように十分に剛性である。

スピンチャック１は、中空シャフトモータ４０（図３に概略を示されている）のロータに取り付けられ、静止ノズルヘッド２０は、スピンチャック１の中央開口を貫通する。中空シャフトモータ４０のステータは、取り付け板４２（図３に概略を示されている）に取り付けられる。ノズルヘッド２０及び取り付け板４２は、同じ静止フレーム４４（図３に概略的に示されている）に取り付けられる。

つかみ要素１０−１〜１０−６は、偏心して取り付けられたつかみを備えている。つかみ要素は、その円柱軸を中心にして、全てのつかみ要素と噛み合わせ係合する歯車１６によって一体的に回転される。偏心つかみは、したがって、ウエハＷが固定される半径方向内側の閉位置と、ウエハＷが解放される半径方向外側の開位置との間でいっせいに動かされる。つかみ要素１０−１〜１０−６は、（国際公開番号ＷＯ２００９／０１０３９４に対応する）共同所有の米国出願通し番号第１２／６６８，９４０号で説明されるように、又は２００９年１２月１８日に出願された共同所有の米国出願通し番号第１２／６４２，１１７号で説明されるように作成することができる。つかみ要素１０−１〜１０−６は、したがって、中心軸を中心にした枢動のために取り付けられた基部から突き出してウエハＷに接触する偏心最上方部分を含む。具体的には、歯車の歯１６は、チャック上方ボディの裏側に中心合わせされ、その周縁の歯車の歯を介し、各ピン１０−１〜１０−６の基部に形成された歯車の歯に同時に係合する。ピン１０−１〜１０−６は、スピンチャック１の周まわりに均等に分布され、少なくとも３つ、好ましくは６つ提供される。

上方液体吐出器５０が、上方から処理液を供給し、例えば（国際公開番号ＷＯ２００６／００８２３６に対応する）共同所有の米国特許第７，８９１，３１４号で説明されるように、様々な異なる処理液を吐出するための複数の異なる液体吐出ノズルを組み入れることができる。上方液体吐出器５０は、ウエハＷがスピンチャック上で回転されるのにともなってウエハＷの上向き表面全域に処理液を広がらせるのを助けるために、ウエハＷの半径方向に動かせることが好ましい。

図４の詳細では、ウエハＷが、加熱アセンブリ２の上表面の上方に位置決めされることがわかる。その一方で、加熱アセンブリ２の下表面は、ギャップ３２によって、チャック１の上表面から離されている。したがって、チャック１及びウエハＷがそろって回転される間、ケース１４を静止ノズル２０に一体化された加熱アセンブリ２は、静止したままである。

ケース１４は、赤外線加熱素子１２によって生成される赤外線放射に対して高い透明度（すなわち、高い透過率）を有する材料の板１８によって覆われている。好ましくは、板１８は、石英ガラスで形成される。板１８は、そうでなければ加熱素子１２に接触するかもしれない熱いイソプロピルアルコールなどのプロセス液をケース１４から締め出すために、ケース１４との間に液密シールを形成することが好ましい。

この実施形態での加熱素子１２は、二重壁石英管３４の形態をとることが好ましく、該石英管は、アルゴンガスの環境のなかで二重璧石英管３４の内部に密閉された１対のタングステン加熱コイ３６を内包している。加熱素子１２は、更に、その下半分に、加熱素子１２によって生成される赤外線放射を反射する材料であるコーティング又は層３８を含むことが好ましい。このようなコーティング３８は、例えば、金のような金属であってよい、又は不透明な人工水晶材料の膜のような非金属であってよい。

この実施形態での加熱素子１２は、１０００ｎｍ±３００ｎｍに最大ピークを有する赤外線放射を発することが好ましい。これらの波長は、本装置のなかで処理されるウエハの材料であることが多いシリコンによるが吸収が高い領域に対応している。好ましくは、赤外線ヒータは、赤外線スペクトルが発せられるように、及びその赤外線放射の少なくとも５０％をシリコンウエハのシリコンが吸収するように、選択され動作される。

次に、図５を参照すると、本発明にしたがった装置の第２の実施形態は、対応するケース１４’に囲まれたおおよそＵ字型の赤外線加熱素子１２’を含む加熱アセンブリ２’を含む。図６は、適所にあってケース１４’とともに赤外線加熱素子１２’を封入するための囲いを形成する透明な石英ガラスのカバー１８’を示している。図５及び図６の実施形態は、これ以外は、先の実施形態との関連で上述されたとおりである。

以下では、ウエハＷを処理するためのプロセスが説明される。例えば３００ｍｍシリコンウエハであるウエハＷが、図１〜４のスピンチャック１の上に置かれ、つかみ要素１０−１〜１０−６によってしっかり保持される。スピンチャックは、例えば５００ｒｐｍのスピン速度で回転される。加熱されたイソプロピルアルコールを含む乾燥用の液体が、１５００ｍｌ／分の体積流量でノズル５０を通じてウエハ上表面の中央に供給される。同時に、ウエハを所望の温度に加熱するために、赤外線加熱アセンブリ２が作動される。

イソプロピルアルコール溶液を７２℃の温度で適用して乾燥させたときに、３００ｍｍウエハが、約６５℃の温度に一様に加熱されうること、及びこれが、ウエハ上に形成された１０：１を超えるアスペクト比の超顕微鏡的構造のパターン崩壊を防ぐ働きをすることが、実験的な検査を通じてわかった。より一般的には、本発明にしたがった装置は、好ましい赤外線加熱素子における２〜４ｋＷの加熱エネルギ範囲に対応する５０〜１００℃のウエハ加熱温度範囲にわたって用いられることが好ましい。

更に、本発明にしたがった装置は、±５℃の繰り返し精度と、±５℃のウエハ温度均一性と、それぞれ僅か５秒程度のウエハ加熱時間及びウエハ冷却時間とを達成することができる。

本発明は、その好ましい各種の実施形態との関連で説明されてきたが、これらの実施形態は、単に、発明を解説するために提供されたものであり、添付の特許請求の範囲の真の範囲及び趣旨によって与えられる保護範囲を制限するための名目として使用されてはならない。
［適用例１］
ウエハ状物品を処理するための装置であって、
ウエハ状物品を所定の向きで保持するためのスピンチャックであって、前記ウエハ状物品の下表面は、前記スピンチャックの上表面から所定の距離だけ離される、スピンチャックと、
少なくとも１つの赤外線ヒータを含む加熱アセンブリであって、前記赤外線ヒータは、前記スピンチャックの前記上表面の上方に、且つ前記スピンチャック上に搭載されたときの前記ウエハ状物品の下に取り付けられ、前記加熱アセンブリは、前記スピンチャックの回転との関係において静止している、加熱アセンブリと、
を備える、装置。
［適用例２］
適用例１に記載の装置であって、更に、
前記スピンチャック上に位置決めされたウエハ状物品の下向き表面に向かって上方へ流体を向かわせるための少なくとも１つのノズルを含む下方ノズルアセンブリを備える、装置。
［適用例３］
適用例２に記載の装置であって、
前記加熱アセンブリは、前記下方ノズルアセンブリのケースと一体化されたケースを含む、装置。
［適用例４］
適用例１に記載の装置であって、
前記スピンチャックは、更に、前記スピンチャックによって保持されるウエハ状物品の周縁に係合可能であるように位置決めされた一連の周縁上向き突出つかみ要素を含み、前記上向き突出つかみ要素のそれぞれは、前記スピンチャックの回転の軸に平行な軸を中心にして枢動可能である、装置。
［適用例５］
適用例４に記載の装置であって、
前記上向き突出つかみ要素のそれぞれは、前記つかみ要素の枢動の際に、ウエハ状物品に係合する半径方向内向きの位置から、ウエハ状物品を解放する半径方向外向きの位置へ移動可能である偏心つかみを含む、装置。
［適用例６］
適用例１に記載の装置であって、
半導体ウエハの枚葉式ウェット処理のためのプロセスモジュールである装置。
［適用例７］
適用例１に記載の装置であって、
前記加熱アセンブリは、曲線状の構成を有する少なくとも１つの管状赤外線加熱素子を含む、装置。
［適用例８］
適用例７に記載の装置であって、
前記少なくとも１つの管状赤外線加熱素子は、７００〜１３００ｎｍの範囲に最大ピークを有する赤外線放射を発する、装置。
［適用例９］
適用例７に記載の装置であって、
前記少なくとも１つの管状赤外線加熱素子は、その裏側に反射性のコーティングを含み、それによって、赤外線放射を前記加熱アセンブリの上方へ向かわせる、装置。
［適用例１０］
ウエハ状物品を処理するためのプロセスであって、
ウエハ状物品を所定の向きでスピンチャック上に位置決めすることを含み、前記ウエハ状物品の第１の表面は、下向きであり、前記スピンチャックの上表面から所定の距離だけ離され、前記ウエハ状物品と、前記スピンチャックの前記上表面との間には、赤外線加熱アセンブリが位置決めされることと、
前記ウエハ状物品の、上向きの第２の表面上へ、前記スピンチャックのなかで前記ウエハ状物品が回転している間に少なくとも１つの上方ノズルから処理流体を吐出させることと、
前記吐出中に、前記ウエハ状物品を前記赤外線加熱アセンブリによって加熱することであって、前記赤外線加熱アセンブリは、前記スピンチャック及び前記ウエハ状物品の回転に相対的に静止した状態に維持されることと、
を備える、プロセス。
［適用例１１］
適用例１０に記載のプロセスであって、
前記加熱アセンブリは、曲線状の構成を有する少なくとも１つの管状赤外線加熱素子を含む、プロセス。
［適用例１２］
適用例１１に記載のプロセスであって、
前記ウエハ状物品は、シリコン基板を含み、前記少なくとも１つの管状赤外線加熱素子は、７００〜１３００ｎｍの範囲に最大ピークを有する赤外線放射を発する、プロセス。
［適用例１３］
適用例１０に記載のプロセスであって、
ウエハ状物品を前記スピンチャック上に位置決めすることは、一連のつかみ要素のそれぞれによって前記ウエハ状物品の周縁に係合することを含み、前記つかみ要素は、それぞれ、前記スピンチャックの回転の軸に平行な軸を中心にして枢動可能であるボディを含む、プロセス。
［適用例１４］
適用例１０に記載のプロセスであって、
前記ウエハ状物品の前記第１の表面上へ吐出される処理流体は、イソプロピルアルコールを含む液体であり、前記加熱アセンブリは、前記ウエハ状物品を５０〜１００℃、好ましくは６０〜８０℃、より好ましくは６５〜７５℃の温度に加熱する、プロセス。
［適用例１５］
適用例１４に記載のプロセスであって、
イソプロピルアルコールを含む前記液体は、３０℃を超える温度に、好ましくは６０℃を超える温度に加熱される、プロセス。

Claims (14)

1. ウエハ状物品を処理するための装置であって、
   ウエハ状物品を所定の向きで保持するためのスピンチャックであって、前記ウエハ状物品の下表面は、前記スピンチャックの上表面から所定の距離だけ離される、スピンチャックと、
   少なくとも１つの赤外線ヒータを含む加熱アセンブリであって、前記赤外線ヒータは、前記スピンチャックの前記上表面の上方に、且つ前記スピンチャック上に搭載されたときの前記ウエハ状物品の下に取り付けられ、前記加熱アセンブリは、前記スピンチャックの回転との関係において静止している、加熱アセンブリと、
   前記スピンチャック上に位置決めされた前記ウエハ状物品の下向き表面の中央部に向かって上方へ流体を向かわせるための少なくとも１つのノズルを含む下方ノズルアセンブリと、
   を備える、装置。
2. 請求項１に記載の装置であって、
   前記加熱アセンブリは、前記下方ノズルアセンブリのケースと一体化されたケースを含む、装置。
3. 請求項１に記載の装置であって、
   前記スピンチャックは、更に、前記スピンチャックによって保持されるウエハ状物品の周縁に係合可能であるように位置決めされた一連の周縁上向き突出つかみ要素を含み、前記上向き突出つかみ要素のそれぞれは、前記スピンチャックの回転の軸に平行な軸を中心にして枢動可能である、装置。
4. 請求項３に記載の装置であって、
   前記上向き突出つかみ要素のそれぞれは、前記つかみ要素の枢動の際に、ウエハ状物品に係合する半径方向内向きの位置から、ウエハ状物品を解放する半径方向外向きの位置へ移動可能である偏心つかみを含む、装置。
5. 請求項１に記載の装置であって、
   半導体ウエハの枚葉式ウェット処理のためのプロセスモジュールである装置。
6. 請求項１に記載の装置であって、
   前記加熱アセンブリは、曲線状の構成を有する少なくとも１つの管状赤外線加熱素子を含む、装置。
7. 請求項６に記載の装置であって、
   前記少なくとも１つの管状赤外線加熱素子は、７００〜１３００ｎｍの範囲に最大ピークを有する赤外線放射を発する、装置。
8. 請求項６に記載の装置であって、
   前記少なくとも１つの管状赤外線加熱素子は、その裏側に反射性のコーティングを含み、それによって、赤外線放射を前記加熱アセンブリの上方へ向かわせる、装置。
9. ウエハ状物品を処理するためのプロセスであって、
   ウエハ状物品を所定の向きでスピンチャック上に位置決めすることを含み、前記ウエハ状物品の第１の表面は、下向きであり、前記スピンチャックの上表面から所定の距離だけ離され、前記ウエハ状物品と、前記スピンチャックの前記上表面との間には、赤外線加熱アセンブリが位置決めされることと、
   前記ウエハ状物品の、上向きの第２の表面上へ、前記スピンチャックのなかで前記ウエハ状物品が回転している間に少なくとも１つの上方ノズルから処理流体を吐出させることと、
   前記吐出中に、前記ウエハ状物品を前記赤外線加熱アセンブリによって加熱することであって、前記赤外線加熱アセンブリは、前記スピンチャック及び前記ウエハ状物品の回転に相対的に静止した状態に維持されることと、
   前記スピンチャック上に位置決めされた前記ウエハ状物品の前記第１の表面の中央部に向かって上方へ流体を向かわせるための少なくとも１つのノズルを含む下方ノズルアセンブリから前記流体を前記第１の表面の前記中央部へ向かわせることと、
   を備える、プロセス。
10. 請求項９に記載のプロセスであって、
    前記加熱アセンブリは、曲線状の構成を有する少なくとも１つの管状赤外線加熱素子を含む、プロセス。
11. 請求項１０に記載のプロセスであって、
    前記ウエハ状物品は、シリコン基板を含み、前記少なくとも１つの管状赤外線加熱素子は、７００〜１３００ｎｍの範囲に最大ピークを有する赤外線放射を発する、プロセス。
12. 請求項９に記載のプロセスであって、
    ウエハ状物品を前記スピンチャック上に位置決めすることは、一連のつかみ要素のそれぞれによって前記ウエハ状物品の周縁に係合することを含み、前記つかみ要素は、それぞれ、前記スピンチャックの回転の軸に平行な軸を中心にして枢動可能であるボディを含む、プロセス。
13. 請求項９に記載のプロセスであって、
    前記ウエハ状物品の前記第１の表面上へ吐出される処理流体は、イソプロピルアルコールを含む液体であり、前記加熱アセンブリは、前記ウエハ状物品を５０〜１００℃、好ましくは６０〜８０℃、より好ましくは６５〜７５℃の温度に加熱する、プロセス。
14. 請求項１３に記載のプロセスであって、
    イソプロピルアルコールを含む前記液体は、３０℃を超える温度に、好ましくは６０℃を超える温度に加熱される、プロセス。

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