JP6072541B2 - 窒化物半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Claims (5)
- a)窒化物半導体を含み発光性を有する光半導体積層を成長した成長基板と、支持基板とが、該光半導体積層を挟んで対向するサンドウィッチ構造体を準備する工程と、
b)前記光半導体積層に、前記成長基板側から、1パルス照射では前記光半導体積層が分解せず、2パルス照射で前記光半導体積層が分解する条件を有するパルスレーザ光を照射し、前記光半導体積層全面に2パルス未満で照射される領域が残らないように前記パルスレーザ光を走査し、前記成長基板に接する前記光半導体積層の界面部全面を分解して、前記成長基板と前記光半導体積層とを分離する工程と、
を含む窒化物半導体素子の製造方法。 - 前記工程b)は、
b1)前記パルスレーザ光が前記光半導体積層の界面部を1パルスで照射する領域を単位照射領域としたとき、相互に隣接する前記単位照射領域が部分的に重なるように、前記パルスレーザ光をラスター走査して、前記光半導体積層の界面部全面に、2パルス以上照射され、網状もしくは格子状の全体的平面形状を有する多重照射領域と、1パルス照射され、前記多重照射領域を除く領域に画定される単発照射領域と、を形成する工程と、
b2)前記単発照射領域に、前記パルスレーザ光を照射する工程と、
を含む請求項1記載の窒化物半導体素子の製造方法。 - 前記サブ工程b2)において、前記光半導体積層の界面部の周縁より内側に位置する単発照射領域に、前記パルスレーザ光を照射した後に、前記光半導体積層の界面部の周縁に位置する単発照射領域に、前記パルスレーザ光を照射する請求項2記載の窒化物半導体素子の製造方法。
- 前記光半導体積層は、前記成長基板表面と平行する平面にC面を有する六方晶構造を有し、
前記サブ工程b1)において、前記パルスレーザ光のエッジライン方向は、前記光半導体積層のM面に沿う方向からずれている請求項2または3記載の窒化物半導体素子の製造方法。 - 前記光半導体積層は、GaN系結晶を含み、
前記パルスレーザ光は、前記光半導体積層が光吸収する波長であり、照射エネルギ密度が800mJ/cm2 より大きく825mJ/cm2 以下の範囲内である請求項1〜4いずれか1項記載の窒化物半導体素子の製造方法。
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