JP2005311034A - 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 表面に凹凸溝を有する基板と、基板の凹凸溝を有する表面上に形成されている複数の金属層からなる多層金属層と、多層金属層上に形成されている、p型窒化物半導体層と、窒化物半導体発光層と、n型窒化物半導体層と、を含む、窒化物半導体発光素子とこの窒化物半導体発光素子の製造方法である。
【選択図】 図1
Description
図1に、本発明の窒化物半導体発光素子の好ましい一例の模式的な断面図を示す。この窒化物半導体発光素子1000は、表面に複数の凹凸溝2が形成されているp型の導電性のSi基板1と、このSi基板1の凹凸溝2が形成されている表面上に形成されている第1の金属層31と第2の金属層32とからなる多層金属層3と、p型窒化物半導体層としてのp型窒化物半導体コンタクト層8およびp型窒化物半導体クラッド層7と、窒化物半導体発光層6と、n型窒化物半導体層としてのn型窒化物半導体クラッド層5とを含む。そして、n型窒化物半導体クラッド層5の表面上にn電極10が形成されており、n電極10の表面上にAuワイヤ12が形成されている。
図7に、本発明の窒化物半導体発光素子の好ましい他の一例の模式的な断面図を示す。この窒化物半導体発光素子2000においては、表面に複数の凹凸溝2が形成されているCuW基板11を用いていることに特徴がある。
上記実施の形態1および実施の形態2においては、p型窒化物半導体層、窒化物半導体発光層およびn型窒化物半導体層が多層金属層側からこの順序で形成されているが、本発明においてはこれらの層の形成の順序は特に限定されない。
Claims (6)
- 表面に凹凸溝を有する基板と、前記基板の前記凹凸溝を有する表面上に形成されている複数の金属層からなる多層金属層と、前記多層金属層上に形成されている、p型窒化物半導体層と、窒化物半導体発光層と、n型窒化物半導体層と、を含む、窒化物半導体発光素子。
- 前記基板は、Si、GaAsおよびGaPからなる群のうち少なくとも1種類からなる導電性の基板であることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記基板は、CuW、CuAgおよびCuMoからなる群のうち少なくとも1種類からなることを特徴とする、請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記多層金属層上に前記p型窒化物半導体層が形成されていることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記凹凸溝が複数形成されていることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
- 第1の基板の表面に凹凸溝を形成し前記第1の基板の前記凹凸溝が形成された表面上に第1の金属層を形成する工程と、第2の基板上にn型窒化物半導体層と、窒化物半導体発光層と、p型窒化物半導体層と、第2の金属層とを形成する工程と、前記第1の金属層と前記第2の金属層とを接合する工程と、前記第2の基板を除去する工程と、を含む、窒化物半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004125357A JP5041653B2 (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004125357A JP5041653B2 (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005311034A true JP2005311034A (ja) | 2005-11-04 |
JP5041653B2 JP5041653B2 (ja) | 2012-10-03 |
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ID=35439453
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004125357A Expired - Fee Related JP5041653B2 (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5041653B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
US7439551B2 (en) | 2004-07-08 | 2008-10-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride-based compound semiconductor light emitting device |
US7554124B2 (en) | 2004-09-02 | 2009-06-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride-based compound semiconductor light emitting device, structural unit thereof, and fabricating method thereof |
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US8835938B2 (en) | 2006-09-08 | 2014-09-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same |
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-
2004
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---|---|
JP5041653B2 (ja) | 2012-10-03 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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