JP5041653B2

JP5041653B2 - 窒化物半導体発光素子およびその製造方法

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Publication number: JP5041653B2
Application number: JP2004125357A
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Inventors: 俊雄幡
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Priority date: 2004-04-21
Filing date: 2004-04-21
Publication date: 2012-10-03
Anticipated expiration: 2024-04-21
Also published as: JP2005311034A

Description

本発明は窒化物半導体発光素子およびその製造方法に関し、特に基板と金属層との密着性を向上させた窒化物半導体発光素子およびその製造方法に関する。

窒化物半導体は、バンドギャップが大きく、また窒素と化合しているＩｎ（インジウム）、Ａｌ（アルミニウム）やガリウム（Ｇａ）などの金属の濃度を変化させることによってバンドギャップを変化させることができる。そのため、近年、発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザダイオード（ＬＤ）などの発光素子に窒化物半導体を利用することが注目されている。

図１３に、従来の窒化物半導体発光素子の一例の模式的断面図を示す（たとえば、特許文献１参照）。この従来の窒化物半導体発光素子においては、ｐ電極１０７が形成された導電性のｐ型ＧａＡｓ基板１００上に、第１の金属層１０１と、第２の金属層１０２と、アクセプタ不純物がドープされたＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）よりなるｐ型窒化物半導体層１０３と、Ｉｎ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ≦１）よりなる窒化物半導体発光層１０４と、ドナー不純物がドープされたＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１）よりなるｎ型窒化物半導体層１０５と、ｎ電極１０６とがこの順序で形成されている。このように、窒化物半導体層の上下に電極を形成することによって、窒化物半導体発光素子のサイズを小さくすることができ、１つのウエハからより多くの窒化物半導体発光素子を得ることができる。

この従来の窒化物半導体発光素子は、以下のようにして製造される。まず、図１４の模式的断面図に示すように、サファイア基板１１０上に、ｎ型窒化物半導体層１０５、窒化物半導体発光層１０４、ｐ型窒化物半導体層１０３および第２の金属層１０２をこの順序で形成する。この第２の金属層１０２の最表面にはＡｕ薄膜が形成されている。

一方、図１５の模式的断面図に示すように、ｐ型ＧａＡｓ基板１００の表面上に第１の金属層１０１を形成する。この第１の金属層１０１の最表面にはＡｕ薄膜が形成されている。

次いで、図１６の模式的断面図に示すように、図１４に示すサファイア基板１１０の第２の金属層１０２と図１５に示すｐ型ＧａＡｓ基板１００の第１の金属層１０１とを加熱しながら圧着することによって接合してウエハを形成する。そして、サファイア基板１１０を除去した後、ｐ型ＧａＡｓ基板１００上にｐ電極１０７を、ｎ型窒化物半導体層１０５上にｎ電極１０６をそれぞれ形成した後に個々の窒化物半導体発光素子に分割することによって、図１３に示す窒化物半導体発光素子が完成する。

しかしながら、この窒化物半導体発光素子においては、ｐ型ＧａＡｓ基板１００と第１の金属層１０１とが剥離しやすい。ｐ型ＧａＡｓ基板１００と第１の金属層１０１とが剥離した場合には、サファイア基板１１０を除去することができないため、窒化物半導体発光素子を製造することができない。また、ｐ型ＧａＡｓ基板１００と第１の金属層１０１とが部分的に剥離した場合には製造プロセス中に溶剤、レジストまたはエッチング液などが染み込んで剥離を拡大させたり、第１の金属層１０１を破壊することがある。したがって、窒化物半導体発光素子の歩留まりが悪くなるという問題があった。また、ｐ型ＧａＡｓ基板１００と第１の金属層１０１との密着性が悪い場合には、ｎ電極１０６にＡｕワイヤをボンディングしたときにｐ型ＧａＡｓ基板１００と第１の金属層１０１との間に剥離が発生し、窒化物半導体発光素子の動作電圧が上昇し、信頼性も悪化するという問題もあった。
特開平９−８４０３号公報

本発明の目的は、動作電圧の上昇を抑制し、信頼性および歩留まりを向上させた窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供することにある。

本発明は、基板上に積層された金属層と、ｐ型窒化物半導体層と窒化物半導体発光層とｎ型窒化物半導体層とをこの順序で含む窒化物半導体層積層体と、が接合して形成されてなる窒化物半導体発光素子において、基板と、基板の表面に形成されている凹凸溝と、基板の凹凸溝を有する表面上に形成されている金属層を含む多層金属層と、多層金属層上に形成されているｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層上に形成されている窒化物半導体発光層と、窒化物半導体発光層上に形成されているｎ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層上に形成されているｎ電極と、を含み、凹凸溝がストライプ状に形成されている窒化物半導体発光素子である。ここで、本発明の窒化物半導体発光素子においては、上述したこれらの層の間に他の層が含まれていてもよい。また、本発明の窒化物半導体発光素子において、上述したこれらの層は、単一の層だけでなく複数の層からなっていてもよい。

また、本発明の窒化物半導体発光素子において、基板は、Ｓｉ（シリコン）、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）およびＧａＰ（リン化ガリウム）からなる群のうち少なくとも１種類からなる導電性の基板であることが好ましい。

また、本発明の窒化物半導体発光素子において、基板は、ＣｕＷ（銅タングステン合金）、ＣｕＡｇ（銅銀合金）およびＣｕＭｏ（銅モリブデン合金）からなる群のうち少なくとも１種類からなることが好ましい。

また、本発明の窒化物半導体発光素子においては、多層金属層上にｐ型窒化物半導体層が形成されていることが好ましい。

また、本発明の窒化物半導体発光素子においては、凹凸溝が複数形成されていることが好ましい。

さらに、本発明は、基板上に、第１の金属層と、第２の金属層と、ｐ型窒化物半導体層と、窒化物半導体発光層と、ｎ型窒化物半導体層とがこの順序で形成されてなる窒化物半導体発光素子の製造方法において、第１の基板の表面にストライプ状に凹凸溝を形成する工程と、第１の基板の凹凸溝が形成された表面上に第１の金属層を形成する工程と、第２の基板上にｎ型窒化物半導体層と、窒化物半導体発光層と、ｐ型窒化物半導体層と、第２の金属層とをこの順序で形成する工程と、第１の金属層と第２の金属層とを接合する工程と、第２の基板を除去する工程と、を含む、窒化物半導体発光素子の製造方法である。ここで、本発明の窒化物半導体発光素子の製造方法においては、第１の金属層を形成する工程と、サファイア基板上に第２の金属層を形成する工程の順序は特に限定されず、これらの工程の先後はどちらでもよく、これらの工程を同時に行なってもよい。

本発明によれば、動作電圧の上昇を抑制し、信頼性および歩留まりを向上させた窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供することができる。

以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本願の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。また、本明細書において、窒化物半導体としては、たとえばＩｎＡｌＧａＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）の式で表わされる窒化物半導体が用いられるものとする。

（実施の形態１）
図１に、本発明の窒化物半導体発光素子の好ましい一例の模式的な断面図を示す。この窒化物半導体発光素子１０００は、表面に複数の凹凸溝２が形成されているｐ型の導電性のＳｉ基板１と、このＳｉ基板１の凹凸溝２が形成されている表面上に形成されている第１の金属層３１と第２の金属層３２とからなる多層金属層３と、ｐ型窒化物半導体層としてのｐ型窒化物半導体コンタクト層８およびｐ型窒化物半導体クラッド層７と、窒化物半導体発光層６と、ｎ型窒化物半導体層としてのｎ型窒化物半導体クラッド層５とを含む。そして、ｎ型窒化物半導体クラッド層５の表面上にｎ電極１０が形成されており、ｎ電極１０の表面上にＡｕワイヤ１２が形成されている。

この窒化物半導体発光素子は、たとえば以下のようにして製造される。まず、図２の模式的断面図に示すように、Ｓｉ基板１の表面に複数の凹凸溝２をストライプ状に形成する。複数の凹凸溝２は、たとえばフッ酸系のエッチング液を用いてフォトエッチングを行なうことにより形成される。ここで、Ｓｉ基板１と第１の金属層３１の密着性および窒化物半導体発光素子の製造効率の向上の観点から、凹凸溝２の幅Ｗは２μｍ以上２０μｍ以下であり、深さｄは０．１μｍ以上４μｍ以下であることが好ましい。また、凹凸溝２は１つよりも複数形成されている方がＳｉ基板１と第１の金属層３１の密着性の向上を図ることができる点で好ましい。また、フォトエッチングの容易さの観点からは凹凸溝２はストライプ状に形成されることが好ましい。

次に、図３の模式的断面図に示すように、第１の基板としてのＳｉ基板１の凹凸溝２が形成されている表面上に第１の金属層３１を形成する。ここで、第１の金属層３１の形成は、たとえばＥＢ法（電子ビーム蒸着法）などを用いて、たとえば厚さ約１５ｎｍのＴｉ層、厚さ約１５０ｎｍのＡｌ層、厚さ約５０ｎｍのＭｏ層および厚さ約３μｍのＡｕ層からなる複数の金属層を凹凸溝２側からこの順序で形成することなどによって行なわれる。

他方、図４の模式的断面図に示すように、第２の基板としてのサファイア基板９上にたとえばｎ型ＧａＮ（ＳｉをドーピングしたＧａＮまたはＳｉをドーピングしたｎ型ＧａＮ）からなる厚さ約２０ｎｍの窒化物半導体バッファ層４、厚さ約５μｍのｎ型窒化物半導体クラッド層５、ＭＱＷ（多重量子井戸）構造の厚さ約５０ｎｍの窒化物半導体発光層６、厚さ約１５ｎｍのｐ型窒化物半導体クラッド層７および厚さ約２５０ｎｍのｐ型窒化物半導体コンタクト層８をこの順序で形成する。ここで、これらの窒化物半導体層の形成にはたとえばＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）などが用いられる。

そして、ｐ型窒化物半導体コンタクト層８の表面上に第２の金属層３２を形成する。ここで、第２の金属層３２の形成は、たとえばＥＢ法などを用いて、ｐ型窒化物半導体コンタクト層８の表面上にたとえば厚さ約３ｎｍのＰｄ層、厚さ約１５０ｎｍのＡｇ層、厚さ約５０ｎｍのＭｏ層、厚さ約１００ｎｍのＡｕ層および厚さ約３μｍのＡｕＳｎ層をｐ型窒化物半導体コンタクト層８側からこの順序で形成することなどによって行なわれる。また、ＡｕＳｎ層中のＳｎの含有量は、第１の金属層３１と第２の金属層３２との接合強度を向上させる観点からＡｕＳｎ層全体の質量の約２０質量％とする。

次いで、図５の模式的断面図に示すように、図３に示すＳｉ基板１の凹凸溝２が形成されている表面上に形成された第１の金属層３１と、図４に示すサファイア基板９の上に形成された第２の金属層３２とを接合して多層金属層３が形成されたウエハを形成する。ここで、多層金属層３の形成は、第１の金属層３１と第２の金属層３２とを接触させた後、たとえば共晶接合法を用いて、この接触部分をたとえば約２７０℃に加熱し、この接触部分にたとえば約２００Ｎの圧力をかけた後に冷却することによって行なわれる。

続いて、図６の模式的断面図に示すように、サファイア基板９および窒化物半導体バッファ層４を除去する。ここで、サファイア基板９および窒化物半導体バッファ層４の除去は、たとえば波長３５５ｎｍのＹＡＧ−ＴＨＧ（Third Harmonic Generation）レーザをサファイア基板９側から照射して熱分解することなどによって行なわれる。

そして、露出したｎ型窒化物半導体クラッド層５の表面上にｎ電極１０を形成する。次いで、ｎ電極１０の表面上にＡｕワイヤ１２を形成した後に、個々の窒化物半導体発光素子に分割されて図１に示す窒化物半導体発光素子が得られる。

このように、本発明においては、基板１の表面に複数の凹凸溝２を形成しているためＳｉ基板１と第１の金属層３１との接合面の面積が大きくなる。したがって、Ｓｉ基板１と第１の金属層３１との密着性が向上する。特に、上記のように凹凸溝２がストライプ状に形成されている場合には、Ｓｉ基板１の表面と水平な方向へ第１の金属層３１がずれにくくなるため、Ｓｉ基板１と第１の金属層３１とが剥離しにくくなる。これにより、本発明の窒化物半導体発光素子の動作電圧の上昇を抑制し、信頼性が向上する。また、製造プロセス中における溶剤などの染み込みによるＳｉ基板１と第１の金属層３１との剥離や第１の金属層３１の破壊が減少するため歩留まりも向上する。

ここで、ｐ型の導電性のＳｉ基板１においては、Ｓｉ基板１中のｐ型ドーパント濃度が１０¹⁶個／ｃｍ³以上１０²²個／ｃｍ³以下であることが好ましい。Ｓｉ基板１中のｐ型ドーパント濃度がこの範囲内にある場合には、Ｓｉ基板１と金属層３１との間のオーミック接触およびＳｉ基板１とＳｉ基板１の裏面側に設置され得る金属からなる電極との間のオーミック接触が良好となる傾向にある。

また、Ｓｉ基板１の凹凸溝２側の表面および／またはＳｉ基板１の凹凸溝２側でない側の表面にボロンなどのｐ型ドーパントがイオン注入（ion implantation)などの方法により注入されてｐ+層が形成されてもよい。これにより、本発明の窒化物半導体発光素子の順方向電圧を低下させることができ、ひいては本発明の窒化物半導体発光素子の信頼性を向上させることができる。

（実施の形態２）
図７に、本発明の窒化物半導体発光素子の好ましい他の一例の模式的な断面図を示す。この窒化物半導体発光素子２０００においては、表面に複数の凹凸溝２が形成されているＣｕＷ基板１１を用いていることに特徴がある。

この窒化物半導体発光素子は、たとえば以下のようにして製造される。まず、図８の模式的断面図に示すように、たとえばフッ酸系のエッチング液を用いてフォトエッチングを行なうことにより、第１の基板としてのＣｕＷ基板１１の表面に複数の凹凸溝２をストライプ状に形成する。ここで、ＣｕＷ基板１１と第１の金属層３１の密着性および窒化物半導体発光素子の製造効率の向上の観点から、凹凸溝２の幅Ｗは２μｍ以上２０μｍ以下であり、深さｄは０．５μｍ以上４μｍ以下であることが好ましい。

次に、図９の模式的断面図に示すように、ＣｕＷ基板１１の凹凸溝２が形成されている表面上に第１の金属層３１を形成する。ここで、第１の金属層３１の形成は、たとえばＥＢ法などにより、凹凸溝２上にたとえば厚さ約１５ｎｍのＴｉ層、厚さ約１５０ｎｍのＡｌ層、厚さ約３０ｎｍのＭｏ層および厚さ約１μｍのＡｕ層からなる複数の金属層を凹凸溝２側からこの順序で形成することなどによって行なわれる。

他方、図１０の模式的断面図に示すように、ＭＯＣＶＤ法などにより、サファイア基板９上にたとえばｎ型ＧａＮ（ＳｉをドーピングしたＧａＮまたはＳｉをドーピングしたｎ型ＧａＮ）からなる厚さ約３０ｎｍの窒化物半導体バッファ層４、厚さ約７μｍのｎ型窒化物半導体クラッド層５、ＭＱＷ構造の厚さ約５０ｎｍの窒化物半導体発光層６、厚さ約１５ｎｍのｐ型窒化物半導体クラッド層７および厚さ約２００ｎｍのｐ型窒化物半導体コンタクト層８をこの順序で形成する。

そして、ｐ型窒化物半導体コンタクト層８の表面上に第２の金属層３２を形成する。ここで、第２の金属層３２の形成は、たとえばＥＢ法などによりｐ型窒化物半導体コンタクト層８の表面上にたとえば厚さ約３ｎｍのＰｄ層、厚さ約２００ｎｍのＡｇ層、厚さ約５０ｎｍのＭｏ層、厚さ約１００ｎｍのＡｕ層および厚さ約３μｍのＡｕＳｎ層をｐ型窒化物半導体コンタクト層８側からこの順序で形成することなどによって行なわれる。ここでも、ＡｕＳｎ層中のＳｎの含有量は、第１の金属層３１と第２の金属層３２との接合強度を向上させる観点からＡｕＳｎ層全体の質量の約２０質量％とする。

次いで、図１１の模式的断面図に示すように、図９に示すＣｕＷ基板１１の凹凸溝２が形成された表面上に形成された第１の金属層３１と、図１０に示すサファイア基板９上に形成された第２の金属層３２とを接合して多層金属層３が形成されたウエハを形成する。ここで、第１の金属層３１と第２の金属層３２との接合は、第１の金属層３１と第２の金属層３２とを接触させた後、たとえば共晶接合法を用いて、この接触部分をたとえば約３２０℃に加熱し、この接触部分にたとえば約２００Ｎの圧力をかけた後に冷却することによって行なわれる。

続いて、図１２の模式的断面図に示すように、サファイア基板９と窒化物半導体バッファ層４の一部とを除去する。ここで、サファイア基板９と窒化物半導体バッファ層４の一部との除去は、たとえば波長３５５ｎｍのＹＡＧ−ＴＨＧレーザをサファイア基板９側から照射して熱分解することなどによって行なわれる。

そして、除去されずに残っている窒化物半導体バッファ層４の表面上にｎ電極１０を形成する。次いで、ｎ電極１０上にＡｕワイヤ１２を形成した後に、個々の窒化物半導体発光素子に分割されて図７に示す窒化物半導体発光素子が得られる。

ここでは、熱伝導率の良好なＣｕＷ基板１１を用いているので、サファイア基板９と窒化物半導体バッファ層４の一部とを除去する際にＹＡＧ−ＴＨＧレーザの照射によって生じる熱を外部に効率良く逃がすことができる。これにより、窒化物半導体発光層６が熱によって受けるダメージを少なくすることができる。

また、ＣｕＷ基板１１の表面に複数の凹凸溝２を形成しているためＣｕＷ基板１１と第１の金属層３１との接合面の面積が大きくなる。したがって、ＣｕＷ基板１１と第１の金属層３１との密着性が向上する。特に、上記のように凹凸溝２がストライプ状に形成されている場合には、ＣｕＷ基板１１の表面と水平な方向へ第１の金属層３１がずれにくくなるため、ＣｕＷ基板１１と第１の金属層３１とが剥離しにくくなる。これにより、本発明の窒化物半導体発光素子の動作電圧の上昇を抑制することができ、信頼性も向上する。また、製造プロセス中における溶剤などの染み込みがなくなるため歩留まりも向上する。さらに、この場合には基板が金属からなることから、本発明の窒化物半導体発光素子に大きな電流を流すことができるため高出力の窒化物半導体発光素子を得ることができる。

（その他）
上記実施の形態１および実施の形態２においては、ｐ型窒化物半導体層、窒化物半導体発光層およびｎ型窒化物半導体層が多層金属層側からこの順序で形成されているが、本発明においてはこれらの層の形成の順序は特に限定されない。

また、上記実施の形態１においては、基板として導電性のＳｉ基板を用いているが、導電性のＳｉ、ＧａＡｓおよびＧａＰからなる群のうちの少なくとも１種類の基板を用いることができる。

また、上記実施の形態２においては、基板としてＣｕＷ基板を用いているが、ＣｕＷ、ＣｕＡｇおよびＣｕＭｏからなる群のうちの少なくとも１種類の基板を用いることができる。この場合には、基板の熱伝導率が良好であるためＹＡＧ−ＴＨＧレーザの照射によって生じる熱を外部に効率良く逃がすことができ、窒化物半導体発光層が熱によって受けるダメージを少なくすることができる傾向にある。

また、上記実施の形態１および実施の形態２においては、窒化物半導体発光層の構造をＭＱＷ構造としているが、ＳＱＷ（単一量子井戸）構造としてもよい。

また、上記実施の形態１および実施の形態２において、凹凸溝はストライプ形状に形成されているが、凹凸溝の形状および配列は特に限定されないことは言うまでもない。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明は、窒化物半導体を利用した発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザダイオード（ＬＤ）などの窒化物半導体発光素子に好適に利用される。

本発明の窒化物半導体発光素子の好ましい一例の模式的な断面図である。本発明に用いられるＳｉ基板に凹凸溝を形成した後の好ましい一例の模式的な断面図である。本発明に用いられるＳｉ基板の凹凸溝が形成された表面上に第１の金属層を形成した後の好ましい一例の模式的な断面図である。本発明に用いられるサファイア基板上に第２の金属層を形成した後の好ましい一例の模式的な断面図である。図３に示す第１の金属層と、図４に示す第２の金属層とを接合して多層金属層を形成した後のウエハの好ましい一例の模式的な断面図である。図５に示すサファイア基板と窒化物半導体バッファ層を除去した後のウエハの好ましい一例の模式的な断面図である。本発明の窒化物半導体発光素子の好ましい他の一例の模式的な断面図である。本発明に用いられるＣｕＷ基板に凹凸溝を形成した後の好ましい一例の模式的な断面図である。本発明に用いられるＣｕＷ基板の凹凸溝が形成された表面上に第１の金属層を形成した後の好ましい一例の模式的な断面図である。本発明に用いられるサファイア基板上に第２の金属層を形成した後の好ましい一例の模式的な断面図である。図９に示す第１の金属層と、図１０に示す第２の金属層とを接合して多層金属層を形成した後のウエハの好ましい一例の模式的な断面図である。図１１に示すサファイア基板と窒化物半導体バッファ層の一部とを除去した後のウエハの好ましい一例の模式的な断面図である。従来の窒化物半導体発光素子の一例の模式的な断面図である。従来のサファイア基板上に第２の金属層を形成した後の模式的な断面図である。従来のｐ型ＧａＡｓ基板上に第１の金属層を形成した後の模式的な断面図である。図１４に示す第２の金属層と図１５に示す第１の金属層とを接合して形成されたウエハの模式的な断面図である。

符号の説明

１Ｓｉ基板、２凹凸溝、３多層金属層、４窒化物半導体バッファ層、５ｎ型窒化物半導体クラッド層、６，１０４窒化物半導体発光層、７ｐ型窒化物半導体クラッド層、８ｐ型窒化物半導体コンタクト層、９，１１０サファイア基板、１０，１０６ｎ電極、１１ＣｕＷ基板、１２Ａｕワイヤ、３１，１０１第１の金属層、３２，１０２第２の金属層、１００ｐ型ＧａＡｓ基板、１０３ｐ型窒化物半導体層、１０５ｎ型窒化物半導体層、１０７ｐ電極。

Claims

基板上に積層された金属層と、ｐ型窒化物半導体層と窒化物半導体発光層とｎ型窒化物半導体層とをこの順序で含む窒化物半導体層積層体と、が接合して形成されてなる窒化物半導体発光素子において、
前記基板と、
前記基板の表面に形成されている凹凸溝と、
前記基板の前記凹凸溝を有する表面上に形成されている前記金属層を含む多層金属層と、
前記多層金属層上に形成されている前記ｐ型窒化物半導体層と、
前記ｐ型窒化物半導体層上に形成されている前記窒化物半導体発光層と、
前記窒化物半導体発光層上に形成されている前記ｎ型窒化物半導体層と、
前記ｎ型窒化物半導体層上に形成されているｎ電極と、を含み、
前記凹凸溝がストライプ状に形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
前記基板は、Ｓｉ、ＧａＡｓおよびＧａＰからなる群のうち少なくとも１種類からなる導電性の基板であることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
前記基板は、ＣｕＷ、ＣｕＡｇおよびＣｕＭｏからなる群のうち少なくとも１種類からなることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
前記多層金属層上に前記ｐ型窒化物半導体層が形成されていることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
前記凹凸溝が複数形成されていることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
基板上に、第１の金属層と、第２の金属層と、ｐ型窒化物半導体層と、窒化物半導体発光層と、ｎ型窒化物半導体層とがこの順序で形成されてなる窒化物半導体発光素子の製造方法において、
第１の基板の表面にストライプ状に凹凸溝を形成する工程と、
前記第１の基板の前記凹凸溝が形成された表面上に前記第１の金属層を形成する工程と
、
第２の基板上に前記ｎ型窒化物半導体層と、前記窒化物半導体発光層と、前記ｐ型窒化物半導体層と、前記第２の金属層とをこの順序で形成する工程と、
前記第１の金属層と前記第２の金属層とを接合する工程と、
前記第２の基板を除去する工程と、を含む、窒化物半導体発光素子の製造方法。