JP6072427B2 - ナノメートル(nm)級の厚さの導電層と誘電体層を交互に積層したセーベック/ペルティ効果を利用した熱−電気変換装置 - Google Patents
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Description
次式で示される電圧が発生する。
SAとSBは、材料Aと材料Bに関連するセーベック係数(熱起電力とも称する)である。
電圧は、μV/Kのオーダーで発生する。セーベック係数は、材料と、その絶対温度と、その構造に依存する。セーベック効果は、異なる2つの材料から構成される回路(サーモカップル)の電位差を利用して温度差を測定する装置を製造する際にも、利用される。ある数の熱電対を直列に並べること(サーモパイル)により、電気エネルギーを生成することもできる。
T=θD/5 (2)
ここで、θDは、デバイ温度(Debye temperature)である。
θD以下の温度においては、エネルギーを移送するのに利用されるフォノンが少なくなり、
θD以上の温度においては、フォノンはエネルギーを失う傾向にある。その原因は、フォノン同士の連続する衝突であり、フォノンと電子の連続する衝突ではない。
Z=S2δ/κ (3)
ここで、κは材料の熱伝導率であり、δは導電率である。
メリット係数を増やには、式(3)で分子を最大にするか分母を最小にする。分母を解析すると上記の式は次のように書ける。
ここで−qは電荷でありサフィックスphはホノンに関しelは電子に関する。
Wiedemann-Franzの式によれば、Lは2.44×10−8WΩ/K2でほぼ一定である。その理由は、金属中では熱伝導率と導電率(σ=1/ρ)の比率は、同一温度Tでほとんど一定だからである。良好な熱電子材料を得るために、kel即ちLT/ρは、kphよりもはるかに小さくなければならない。即ち伝熱は、電子の伝熱に寄与する寄与分に支配されてはならないということである。
そのため、セーベック効果を利用する素子に使用される半導体材料のドーピングは、伝熱性に影響を及ばさずに高い導電性を確保しなければならない。
分子は次式となる。
ここでNV−Cは、使用されるドーピング材料に依存する適宜のバンドの状態の密度であり、Nd(=1/qμρ)は、活性ドーパント濃度である。
Sは、抵抗によって変わるが、それは指数関数的に(に即ち大幅な減速率で)変わる。
特許文献1は、ナノサイズの細長い構造を製造するのに用いられる従来の製造方法よりも単純な方法を開示する。この方法は、依然として、リソグラフ処理、異方性エッチング、真空中での等方性堆積プロセスを必要とする。
この基本的な条件を放熱表面を以下のように構成することと組み合わせることにより、熱電子係数が大幅に増分することが観測された。この構成とは、放熱表面を膜に対し温度勾配の方向に対し平滑にせず並行にし、即ち、nm級のプロファイルの不規則性で粗くし、表面における実質的な後方非弾性散乱(net backward inelastic scattering)の強化により、温度勾配の方向に反射されたホノン移動を明確にすることである。
iXOx→(i−x)X+xXOi
ここでiは整数で、xは分数である。Siの場合には、前の反応は次の化学式で表される。
Si1+xO2→xSi+SiO2
この堆積プロセスは、平面化された堆積を形成し、そのnm級の表面粗さは、熱成長の誘電体フィルムあるいは堆積された誘電体酸化物が、導電層の上に形成され、最終的に、nm級以下の大きさのクラスタの層に、導電層と誘電体層のインターフェイスに必要とされるnm級の粗さを形成する。
2SiOx→(2−x)Si+xSiO2
これを図2に示す。
C:ドープしたシリコン半導体製の層
D:誘電体層
Claims (8)
- 電気回路にそれぞれ接続される高温側金属領域と低温側金属領域とを対向して有するセーベック−ペルティ効果を有する導電性の膜からなる積層構造において、
前記積層構造は、導電層と誘電体層を連続的に交互に積層して構成され、
前記誘電体層は、酸化物の粒子或いは粒子のクラスタを分散させて形成された平均厚さが1−5nmの範囲内の膜の形態、或いは平均厚さが5−40nmの範囲内の連続する膜の形態で形成され、
前記導電層は、その平均厚さが5−100nmの範囲内にあり、
前記誘電体層と前記導電層とのインターフェースの表面の不規則性は、山と谷の間の平均振幅とその平均周期は、5−20nmの範囲内にある
ことを特徴とするセーベック/ペルティ効果を利用した積層体。 - 前記導電層の材料は、SiとGeとその合金から構成されるグループに属するドープした半導体材料である
ことを特徴とする請求項1記載の積層体。 - 前記導電層は、ドープした多結晶シリコンであり、
前記誘電体層は、前記ドープした多結晶シリコンの酸化表面部分である
ことを特徴とする請求項1記載の積層体。 - 請求項1に記載したセーベック/ペルティ効果を利用した積層体を製造する方法に於いて、前記誘電体層の平均厚さが5−40nmの範囲内にある場合、
(a)基板上に平均厚さが5−100nmの範囲内の導電層を形成するために、多結晶導電体を、CVD法で堆積するステップと、
(b)堆積した前記導電層の表面に、平均厚さが5−40nmの範囲内の誘電体層を不規則に成長させる為に、前記堆積した多結晶導電体を、1000℃で酸素雰囲気で加熱して、酸化させるステップと、
(c)所望の厚さの積層体が得られるまで、前記ステップ(a)、(b)を繰り返すステップと、
を有する
ことを特徴とするセーベック/ペルティ効果を利用した積層体の製造方法。 - 請求項1に記載したセーベック/ペルティ効果を利用した積層体を製造する方法に於いて、前記誘電体層の平均厚さが1−5nmの範囲内にある場合、
(a)基板上に平均厚さが5−100nmの範囲内の導電層を形成するために、多結晶導電体を、CVD法で堆積するステップと、
(b)堆積した前記導電層の表面に、平均厚さが1−5nmの範囲内の準化学量論的組成の酸化物層を成長させる為に、前記堆積した多結晶導電体を、室温の空気に曝して、酸化させるステップと、
(c)所望の厚さの積層体が得られるまで、前記ステップ(a)、(b)を繰り返すステップと、
(d)前記積層体を加熱するステップと、
を有し、
前記ステップ(d)により、前記準化学量論的組成の酸化物を導電体と誘電体層に熱的に変換し、前記多結晶導電体のマトリックスの粒界に、前記誘電体層の酸化物の粒子又はそのクラスタを分散させる
ことを特徴とするセーベック/ペルティ効果を利用した積層体の製造方法。 - 前記多結晶導電体は、ドープした多結晶シリコンであり、
前記ドープした多結晶シリコンは、PH3,AsH3,B2H6,から選択されたドーパントのプリカーサーで混合したSiH4をとN2の希釈物を600−800℃の温度で供給することにより、堆積される
ことを特徴とする請求項4又は5記載の製造方法。 - 前記(d)ステップは、900−1000℃の温度で、60分以上行われる
ことを特徴とする請求項5記載の製造方法。 - 基板上に多層の積層構造を有するセーベック/ペルティ効果を利用した熱−電気変換装置において、
前記積層構造は、電気回路にそれぞれ接続される高温側金属領域と低温側金属領域とを対向して有する導電膜を有し、
前記積層構造は、導電層と誘電体層を連続的に交互に積層して構成され、
前記誘電体層は、酸化物の粒子或いは粒子のクラスタを分散させて形成された平均厚さが1−5nmの範囲内の膜の形態、或いは平均厚さが5−40nmの範囲内の連続する膜の形態で形成され、
前記導電層は、その平均厚さが5−100nmの範囲内にあり、
前記誘電体層と前記導電層とのインターフェースの表面の不規則性は、山と谷の間の平均振幅とその平均周期は、5−20nmの範囲内にある
ことを特徴とするセーベック/ペルティ効果を利用した熱−電気変換装置。
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