JP6070897B2 - 液晶表示素子 - Google Patents

Description

本願発明は、誘電率異方性が負のネマチック晶組成物を用い、高透過率、高開口率に特徴を有するＦＦＳモードの液晶表示装置に関する。

表示品質が優れていることから、アクティブマトリクス方式液晶表示素子が、携帯端末、液晶テレビ、プロジェクタ、コンピューター等の市場に出されている。アクティブマトリクス方式は、画素毎にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）あるいはＭＩＭ（メタル・インシュレータ・メタル）等が使われており、この方式に用いられる液晶化合物あるいは液晶組成物は、高電圧保持率であることが重要視されている。また、更に広い視角特性を得るためにＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ：垂直配向）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｅｎｄ， Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モードと組み合わせた液晶表示素子や、より明るい表示を得るためにＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モードの反射型の液晶表示素子が提案されている。この様な液晶表示素子に対応するために、現在も新しい液晶化合物あるいは液晶組成物の提案がなされている。

現在スマートホン用の液晶ディスプレイとしては、高品位で、視覚特性に優れるＩＰＳモードの液晶表示素子の一種であるフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｍｏｄｅ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＦＦＳモード液晶表示装置）が広く用いられている（特許文献１、特許文献２参照）。ＦＦＳモードは、ＩＰＳモードの低い開口率及び透過率を改善するため導入された方式であり、用いられている液晶組成物としては、低電圧化がし易いことから誘電率異方性が正のｐ型液晶組成物を用いた材料が広く用いられている。また、ＦＦＳモードの用途の大部分が携帯端末であるため、さらなる省電力化の要求は強く液晶素子メーカはＩＧＺＯを用いたアレイの採用等盛んな開発が続いている。

一方、現在ｐ型材料を用いている液晶材料を、誘電率異方性が負のｎ型材料とすることによっても、透過率を改善することが可能となる（特許文献３参照）。これは、ＦＦＳモードがＩＰＳモードとは異なり完全な平行電界を生じるわけでは無く、ｐ型材料を用いた場合は画素電極に近い液晶分子はフリンジの電界に沿って液晶分子の長軸が傾くため透過率が悪化することによる。これに対しｎ型液晶組成物を用いた場合には、ｎ型組成物の分極方向が分子短軸方向にあることから、フリンジ電界の影響は、液晶分子を長軸に沿って回転させるのみで分子長軸は平行配列が維持されるため、透過率の低下は生じない。

しかし、ｎ型液晶組成物はＶＡ用液晶組成物としては一般的であるが、ＶＡモードとＦＦＳモードでは、配向の方向、電界の向き、必要とされる光学特性のいずれの点を取っても異なる。さらに、ＦＦＳモードの液晶表示素子は、後述するように電極の構造に特徴を有し、ＶＡモードでは二つの基板の双方に電極を有するのに対して、ＦＦＳモードではアレイ基板のみに電極を有している。そのため、焼き付きや滴下痕といった、従来の技術から効果の予測のつけにくい課題については、全く知見が無い状態である。従って、単純にＶＡ用に使用される液晶組成物を転用しても、今日求められるような高性能な液晶表示素子を構成することは困難であり、ＦＦＳモードに最適化したｎ型液晶組成物の提供が求められている。

特開平１１−２０２３５６号公報 特開２００３−２３３０８３号公報 特開２００２−３１８１２号公報

本発明の課題は、誘電率異方性（Δε）、粘度（η）、ネマチック相−等方性液体の転移温度（Ｔ_ＮＩ）、低温でのネマチック相安定性、回転粘度（γ_１）等の液晶表示素子としての諸特性に優れ、ＦＦＳモードの液晶表示素子に用いることにより優れた表示特性を実現可能なｎ型液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供することにある。

本願発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討し、ＦＦＳモードの液晶表示素子に最適な種々の液晶組成物の構成を検討した結果、特定の液晶化合物を含有する液晶組成物の有用性を見出し本願発明の完成に至った。

本願発明は、対向に配置された第一の透明絶縁基板と、第二の透明絶縁基板と、前記第一の基板と第二の基板との間に液晶組成物を含有する液晶層を挟持し、
前記第一基板上に、透明導電性材料からなる共通電極と、マトリクス状に配置される複数個のゲートバスライン及びデータバスラインと、
前記ゲートバスラインとデータバスラインとの交差部に設けられる薄膜トランジスタと、該トランジスタにより駆動され透明導電性材料からなる画素電極とを各画素毎に有し、
前記液晶層と、前記第一基板と第二基板のそれぞれの間にホモジニアス配向を誘起する配向膜層を有し、各配向膜の配向方向は平行であり、
前記画素電極と共通電極とはこれらの電極間にフリンジ電界を形成するために、前記画素電極と共通電極との間の電極間距離：Ｒが前記第一の基板と第二の基板との距離：Ｇより小さく、
前記共通電極は、前記第一基板のほぼ全面に、前記画素電極より第一基板に近い位置に配置され、
前記液晶組成物が、負の誘電率異方性を有し、下記一般式（ｉ）、一般式（ｉｉ）、及び一般式（ｉｉｉ）

（式中、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｒ^ｉｉ１、Ｒ^ｉｉ２、Ｒ^ｉｉｉ１及びＲ^ｉｉｉ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、また、該基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子又は塩素原子に置換されても良く、Ａ^ｉ１、Ａ^ｉ２、Ａ^ｉｉ１、Ａ^ｉｉ２、Ａ^ｉｉｉ１及びＡ^ｉｉｉ２はそれぞれ独立して
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、Ｚ^ｉ１、Ｚ^ｉ２、Ｚ^ｉｉ１、Ｚ^ｉｉ２、Ｚ^ｉｉｉ１及びＺ^ｉｉｉ２はそれぞれ独立して単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２ＣＦ_２−を表すが、Ｚ^ｉ１の少なくとも１つは−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２ＣＦ_２−を表わし、Ｚ^ｉｉｉ３は−ＣＨ_２−又は酸素原子を表し、Ｘ^ｉｉ１は水素原子又はフッ素原子を表し、ｍ^ｉ１、ｍ^ｉ２、ｍ^ｉｉ１、ｍ^ｉｉ２、ｍ^ｉｉｉ１及びｍ^ｉｉｉ２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表し、ｍ^ｉ１＋ｍ^ｉ２は０、１、２又は３であるが、ｍ^ｉ１＋ｍ^ｉ２が１、２又は３である場合、ｍ^ｉ１は１、２又は３を表し、ｍ^ｉｉ１＋ｍ^ｉｉ２及びｍ^ｉｉｉ１＋ｍ^ｉｉｉ２は１、２又は３であり、Ａ^ｉ１〜Ａ^ｉｉｉ２、Ｚ^ｉ１〜Ｚ^ｉｉｉ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）で表される化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物と、一般式（ＩＶ）

（式中、Ｒ^４４及びＲ^４５はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−で置換されてよく、該基中の１つ又は２つ以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子又は塩素原子に置換されても良く、Ａ^４１〜Ａ^４３はそれぞれ独立して
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、Ｚ^４１及びＺ^４２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、ｍ^４１は０〜２の整数を表し、Ａ^４１及びＺ^４１が複数存在する場合、それらは同一であっても、異なっていてもよい。）で表される化合物から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する液晶表示素子を提供する。

本発明のＦＦＳモードの液晶表示素子は高速応答性に優れ、表示不良の発生が少ない特徴を有し、優れた表示特性を有する。本発明の液晶表示素子は、液晶ＴＶ、モニター等の表示素子に有用である。

本発明の液晶表示素子の構成の一例を模式的に示す図 図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図 図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図 配向膜４により誘起された液晶の配向方向を模式的に示す図 図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域の他の例を拡大した平面図 図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した他の例の断面図 液晶表示素子の電極構成を拡大した平面図

前述の通り、本願発明は、ＦＦＳモードの液晶表示素子に最適なｎ型液晶組成物を見出したものである。以下、まず、本発明における液晶組成物の実施の態様について説明する。
（液晶層）
本発明における液晶組成物は、一般式（ｉ）、一般式（ｉｉ）、及び一般式（ｉｉｉ）で表される化合物を１種または２種以上含有する。

一般式（ｉ）、一般式（ｉｉ）及び一般式（ｉｉｉ）で表される化合物は、誘電率異方性（Δε）が負でその絶対値が３よりも大きな化合物であることが好ましい。

一般式（ｉ）、一般式（ｉｉ）及び一般式（ｉｉｉ）中、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉｉ１及びＲ^ｉｉｉ１はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。Ｒ^ｉ２、Ｒ^ｉｉ２及びＲ^ｉｉｉ２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜４のアルコキシ基が更に好ましい。表示素子の応答速度の改善を重視する場合はアルケニル基が好ましく、電圧保持率等の信頼性を重視する場合にはアルキル基が好ましい。

また、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｒ^ｉｉ１、Ｒ^ｉｉ２、Ｒ^ｉｉｉ１及びＲ^ｉｉｉ２が結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｒ^ｉｉ１、Ｒ^ｉｉ２、Ｒ^ｉｉｉ１及びＲ^ｉｉｉ２が結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。

Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｒ^ｉｉ１、Ｒ^ｉｉ２、Ｒ^ｉｉｉ１及びＲ^ｉｉｉ２がアルケニル基の場合、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点は環との連結点を表す。）

液晶表示素子の透過率向上のためには、特にｍ^ｉ１＋ｍ^ｉ２が２又は３の場合、Ｒ^ｉ１又はＲ^ｉ２の少なくとも一つ以上の基が、式（Ｒ２）以外の基であることが好ましく、アルキル基又はアルコキシ基であることがより好ましい。同様に、ｍ^ｉｉ１＋ｍ^ｉｉ２が２又は３の場合、Ｒ^ｉｉ１又はＲ^ｉｉ２の少なくとも一つ以上の基が式（Ｒ２）以外の基であることが好ましく、アルキル基又はアルコキシ基であることがより好ましい。また、ｍ^ｉｉｉ１＋ｍ^ｉｉｉ２が２又は３の場合、Ｒ^ｉｉｉ１又はＲ^ｉｉｉ２の少なくとも一つ以上の基が式（Ｒ２）以外の基であることが好ましく、アルキル基又はアルコキシ基であることがより好ましい。

一般式（ｉ）、一般式（ｉｉ）及び一般式（ｉｉｉ）中、Ａ^ｉ１、Ａ^ｉ２、Ａ^ｉｉ１、Ａ^ｉｉ２、Ａ^ｉｉｉ１及びＡ^ｉｉｉ２はそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、Ａ^２１はトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、

トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すことがより好ましい。

Ｚ^ｉ１、Ｚ^ｉ２、Ｚ^ｉｉ１、Ｚ^ｉｉ２、Ｚ^ｉｉｉ１及びＺ^ｉｉｉ２はそれぞれ独立して−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合を表すことが好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は単結合が更に好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−又は単結合が特に好ましい。Ｚ^ｉ１の少なくとも１つは−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２ＣＦ_２−を表わすが、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、又は−ＣＦ_２ＣＦ_２が好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−、又は−ＣＨ_２ＣＨ_２−が更に好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−が特に好ましい。

ｍ^ｉ１、ｍ^ｉ２、ｍ^ｉｉ１、ｍ^ｉｉ２、ｍ^ｉｉｉ１及びｍ^ｉｉｉ２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表し、ｍ^ｉ１＋ｍ^ｉ２は０、１、２又は３であるが、ｍ^ｉ１＋ｍ^ｉ２が１、２又は３を表す場合、ｍ^ｉ１は１、２又は３を表し、ｍ^ｉｉ１＋ｍ^ｉｉ２及びｍ^ｉｉｉ１＋ｍ^ｉｉｉ２は１、２又は３であるが、ｍ^ｉ１＋ｍ^ｉ２、ｍ^ｉｉ１＋ｍ^ｉｉ２及びｍ^ｉｉｉ１＋ｍ^ｉｉｉ２は１又は２であることが好ましい。

一般式（ｉ）で表される化合物として、一般式（ｉ−１）で表される化合物を１種又は２種以上含有することが好ましい。

（式中、Ａ^ｉ１１、Ａ^ｉ１２及びＡ^ｉ１３はそれぞれ独立して１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すが、１，４−シクロへキシレン基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられても良く、１，４−フェニレン基中に存在する１個の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子又は塩素原子に置換されても良く、ｍ^ｉ１１及びｍ^ｉ１２はそれぞれ独立して０又は１を表し、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｚ^ｉ１及びＺ^ｉ２は、それぞれ独立して一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｚ^ｉ１及びＺ^ｉ２と同じ意味を表す。）
一般式（ｉ−１）で表される化合物は、一般式（ｉ−１Ａ）、一般式（ｉ−１Ｂ）又は一般式（ｉ−１Ｃ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ａ^ｉ１１及びＺ^ｉ１は、それぞれ独立して一般式（ｉ−１）におけるＲ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ａ^ｉ１１及びＺ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ａ^ｉ１１、Ａ^ｉ１２及びＺ^ｉ１は、それぞれ独立して一般式（ｉ−１）におけるＲ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ａ^ｉ１１、Ａ^ｉ１２及びＺ^ｉ１と同じ意味を表す。）

（式中、ｍ^ｉ１３は１又は２を表し、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ａ^ｉ１１、Ａ^ｉ１２、Ａ^ｉ１３、Ｚ^ｉ１、Ｚ^ｉ２及びｍ^ｉ１１は、それぞれ独立して一般式（ｉ−１）におけるＲ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ａ^ｉ１１、Ａ^ｉ１２、Ａ^ｉ１３、Ｚ^ｉ１、Ｚ^ｉ２及びｍ^ｉ１１と同じ意味を表す。）
一般式（ｉ−１Ａ）で表される化合物としては、下記一般式（ｉ−１Ａ−１）〜一般式（ｉ−１Ａ−４）で表される化合物が好ましく、一般式（ｉ−１Ａ−１）で表される化合物、及び一般式（ｉ−１Ａ−４）で表される化合物であることがより好ましく、一般式（ｉ−１Ａ−１）で表される化合物が更に好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、それぞれ独立して一般式（ｉ−１）におけるＲ^ｉ１及びＲ^ｉ２と同じ意味を表す。）
一般式（ｉ−１Ｂ）で表される化合物としては、下記一般式（ｉ−１Ｂ−１）〜一般式（ｉ−１Ｂ−７）で表される化合物であることが好ましく、一般式（ｉ−１Ｂ−１）、一般式（ｉ−１Ｂ−３）で表される化合物、及び一般式（ｉ−１Ｂ−６）で表される化合物であることがより好ましく、一般式（ｉ−１Ｂ−１）で表される化合物、及び一般式（ｉ−１Ｂ−３）で表される化合物であることが更に好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、それぞれ独立して一般式（ｉ−１）におけるＲ^ｉ１及びＲ^ｉ２と同じ意味を表す。）
一般式（ｉ−１Ｃ）で表される化合物としては、下記一般式（ｉ−１Ｃ−１）〜一般式（ｉ−１Ｃ−４）で表される化合物であることが好ましく、一般式（ｉ−１Ｃ−１）、及び一般式（ｉ−１Ｃ−２）で表される化合物であることがより好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２は、それぞれ独立して一般式（ｉ−１）におけるＲ^ｉ１及びＲ^ｉ２と同じ意味を表す。）
また、一般式（ｉ）で表される化合物本発明は、一般式（ｉ−１Ｄ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^ｉ１及びＲ^ｉ２はそれぞれ独立して一般式（ｉ−１）におけるＲ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ａ^ｉ１１及びＺ^ｉ１と同じ意味を表す。）
一般式（ｉ−１Ｄ）で表される化合物としては、下記一般式（ｉ−１Ｄ−１）〜一般式（ｉ−１Ｄ−１４）で表される化合物であることが好ましい。

本発明に係る液晶組成物において一般式（ｉ−１Ｄ）で表される化合物の含有量は、下限値としては１質量％が好ましく、２質量％がより好ましく、上限値としては１５質量％が好ましく、１２質量％がより好ましく、１０質量％が更に好ましく、８質量％が特に好ましく、７質量％が最も好ましい。

一般式（ｉｉ）で表される化合物は、一般式（ｉｉ−１Ａ）、一般式（ｉｉ−１Ｂ）又は一般式（ｉｉ−１Ｃ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^ｉｉ１、Ｒ^ｉｉ２、Ｚ^ｉｉ１及びＸ^ｉｉ１は、それぞれ独立して一般式（ｉｉ）におけるＲ^ｉｉ１、Ｒ^ｉｉ２、Ｚ^ｉｉ１及びＸ^ｉｉ１と同じ意味を表し、Ａ^ｉｉ１ｃ及びＡ^ｉｉ１ｄはそれぞれ独立して１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すが、１，４−シクロへキシレン基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられても良く、１，４−フェニレン基中に存在する１個の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子又は塩素原子に置換されても良く、Ｚ^ｉｉ１ｃ及びＺ^ｉｉ１ｄはそれぞれ独立して単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２ＣＦ_２−を表す。）
一般式（ｉｉ−１Ａ）又は一般式（ｉｉ−１Ｂ）で表される化合物において、Ｚ^ｉｉ１は単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＣＨ_２ＣＨ_２を表すことが好ましい。

一般式（ｉｉ−１Ｃ）で表される化合物は、下記一般式（ｉｉ−１Ｃ−１）〜一般式（ｉ−１Ｃ−６）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^ｉｉ１及びＲ^ｉｉ２は、それぞれ独立して一般式（ｉｉ）におけるＲ^ｉｉ１及びＲ^ｉｉ２と同じ意味を表す。）
一般式（ｉｉｉ）で表される化合物は、一般式（ｉｉ−１Ａ）、一般式（ｉｉ−１Ｂ）又は一般式（ｉｉ−１Ｃ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^ｉｉｉ１、Ｒ^ｉｉｉ２及びＺ^ｉｉｉ１は、それぞれ独立して一般式（ｉｉｉ）におけるＲ^ｉｉｉ１、Ｒ^ｉｉｉ２及びＺ^ｉｉｉ１と同じ意味を表し、Ａ^{ｉｉｉ１ｃ}及びＡ^{ｉｉｉ１ｄ}はそれぞれ独立して１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すが、１，４−シクロへキシレン基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられても良く、１，４−フェニレン基中に存在する１個の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子又は塩素原子に置換されても良く、Ｚ^{ｉｉｉ１ｃ}及びＺ^{ｉｉｉ１ｄ}はそれぞれ独立して単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２ＣＦ_２−を表す。）
一般式（ｉｉｉ−１Ａ）又は一般式（ｉｉｉ−１Ｂ）で表される化合物において、Ｚ^ｉｉｉ１は単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−又は−ＣＨ_２ＣＨ_２を表すことが好ましい。

一般式（ｉｉｉ−１Ｃ）で表される化合物は、下記一般式（ｉｉ−１Ｃ−１）〜一般式（ｉ−１Ｃ−３）で表される化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^ｉｉｉ１及びＲ^ｉｉｉ２は、それぞれ独立して一般式（ｉｉｉ）におけるＲ^ｉｉｉ１及びＲ^ｉｉｉ２と同じ意味を表す。）
本発明の液晶組成物において、一般式（ｉ）〜（ｉｉｉ）で表される化合物を２種以上含有する場合は、一般式（ｉ）〜（ｉｉｉ）で表される化合物のうちいずれかの式のみから選ばれる化合物を２種以上含有してもよいし、一般式（ｉ）〜（ｉｉｉ）で表される化合物から選ばれる２つ以上の式から選ばれる化合物を２種以上含有してもよい。

本発明の液晶組成物は、一般式（ｉ）で表される化合物を１種又は２種以上含有することが好ましく、一般式（ｉ−１Ａ）、一般式（ｉ−１Ｂ）又は一般式（ｉ−１Ｃ）で表される化合物を１種又は２種以上含有することが好ましく、２種から１０種含有することがより好ましい。

更に詳述すると、一般式（ｉ−１Ａ）、一般式（ｉ−１Ｂ）及び一般式（ｉ−１Ｃ）は一般式（ｉ−１Ａ−１）、一般式（ｉ−１Ｂ−１）及び一般式（ｉ−１Ｃ−１）で表される化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有することが好ましく、一般式（ｉ−１Ａ−１）で表される化合物及び一般式（ｉ−１Ｂ−１）で表される化合物の組み合わせであることがより好ましい。

一般式（ｉ）、一般式（ｉｉ）、及び一般式（ｉｉｉ）で表される化合物の含有量の総量は１０から９０質量％であることが好ましく、１５から９０質量％が更に好ましく、２０から９０質量％が更に好ましく、２０から８０質量％が更に好ましく、３０から８０質量％が更に好ましく、４５から８０質量％が更に好ましく、４５から７５質量％が特に好ましい。

より具体的には、一般式（ｉ）、一般式（ｉｉ）、及び一般式（ｉｉｉ）で表される化合物の含有量の総量は、組成物中に下限値として、１質量％（以下組成物中の％は質量％を表す。）以上含有することが好ましく、５％以上含有することが好ましく、１０％以上含有することが好ましく、１３％以上含有することが好ましく、１５％以上含有することが好ましく、１８％以上含有することが好ましく、２０％以上含有することが好ましく、２３％以上含有することが好ましく、２５％以上含有することが好ましく、２８％以上含有することが好ましく、３０％以上含有することが好ましく、３３％以上含有することが好ましく、３５％以上含有することが好ましく、３８％以上含有することが好ましく、４０％以上含有することが好ましい。また、上限値として、９５％以下含有することが好ましく、９０％以下含有することが好ましく、８８％以下含有することが好ましく、８５％以下含有することが好ましく、８３％以下含有することが好ましく、８０％以下含有することが好ましく、７８％以下含有することが好ましく、７５％以下含有することが好ましく、７３％以下含有することが好ましく、７０％以下含有することが好ましく、６８％以下含有することが好ましく、６５％以下含有することが好ましく、６３％以下含有することが好ましく、６０％以下含有することが好ましく、５５％以下含有することが好ましく、５０％以下含有することが好ましく、４０％以下含有することが好ましい。

本発明における液晶組成物は、一般式（ＩＶ）で表される化合物を１種又は２種以上含有する。

一般式（ＩＶ）において、Ｒ^４４及びＲ^４５はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基であることが好ましく、直鎖であることが好ましい。表示素子の応答速度の改善を重視する場合はアルケニル基が好ましく、電圧保持率等の信頼性を重視する場合にはアルキル基が好ましい。Ｒ^４４及びＲ^４５がアルケニル基の場合、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。

（各式中の黒点は環との連結点を表す。）
Ｒ^４４及びＲ^４５の組み合わせは特に限定されないが、両方がアルキル基を表すもの、いずれか一方がアルキル基を表し、他方がアルケニル基を表すもの、又は、いずれか一方がアルキル基をあらわし、他方がアルコキシを表すもの、又はいずれか一方がアルキル基をあらわし、他方がアルケニルオキシ基を表すものであることが好ましい。信頼性を重視する場合にはＲ^４４及びＲ^４５はともにアルキル基であることが好ましく、化合物の揮発性を低減させることを重視する場合にはアルコキシ基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合には少なくとも一方はアルケニル基であることが好ましい。

液晶表示素子の透過率向上のためには、特にｍ^４１が１又は２の場合、Ｒ^４４又はＲ^４５の少なくとも一つ以上の基が、式（Ｒ２）以外の基であることが好ましく、アルキル基又はアルコキシ基であることがより好ましい。

Ａ^４１〜Ａ^４３はΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、それぞれ独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の何れかの構造

が好ましく、

がより好ましい。

Ｚ^４１及びＺ^４２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−が更に好ましく、応答速度を重視する場合には単結合が特に好ましい。

ｍ^４１は１又は２の整数を表すことが好ましい。Ａ^４１及びＺ^４１が複数存在する場合、それらは同一であっても、異なっていてもよい。

一般式（ＩＶ）で表される化合物は単独で用いてもよいが、組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類であり、８種類であり、９種類であり、１０種類以上である。

本発明の組成物において、一般式（ＩＶ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

一般式（ＩＶ）で表される化合物の含有量は、１質量％から８０質量％であることが好ましく、１質量％から７０質量％であることが好ましく、１質量％から６０質量％であることが好ましく、１０質量％から５０質量％であることが好ましく、１０質量％から４０質量％であることが好ましく、１５質量％から４０質量％であることが好ましい。

より具体的には、一般式（ＩＶ）で表される化合物の含有量は、組成物中に下限値として、０．５質量％（以下組成物中の％は質量％を表す。）以上含有することが好ましく、１％以上含有することが好ましく、３％以上含有することが好ましく、５％以上含有することが好ましく、８％以上含有することが好ましく、１０％以上含有することが好ましく、１３％以上含有することが好ましく、１５％以上含有することが好ましく、１８％以上含有することが好ましく、２０％以上含有することが好ましい。また、上限値として、８０％以下含有することが好ましく、７０％以下含有することが好ましく、６５％以下含有することが好ましく、６０％以下含有することが好ましく、５５％以下含有することが好ましく、５０％以下含有することが好ましく、４５％以下含有することが好ましく、４０％以下含有することが好ましく、３８％以下含有することが好ましく、３５％以下含有することが好ましく、３３％以下含有することが好ましく、３０％以下含有することが好ましく、２８％以下含有することが好ましく、２５％以下含有することが好ましい。

一般式（ＩＶ）で表される化合物として、一般式（ＩＶ−１）で表される化合物を１種又は２種以上含有することが好ましい。

（式中、Ｒ^４１１及びＲ^４１２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ａ^４１１は１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表し、ｋは１又は２を表すが、ｋが２の場合２つのＡは同一であっても異なっていてもよい。）
一般式（ＩＶ−１）で表される化合物の合計含有量は、１質量％から８０質量％であることが好ましく、１質量％から７０質量％であることが好ましく、１質量％から６０質量％であることが好ましく、１０質量％から５０質量％であることが好ましく、１０質量％から４０質量％であることが好ましく、１５質量％から４０質量％であることが好ましい。

より具体的には、一般式（ＩＶ−１）で表される化合物の含有量は、組成物中に下限値として、０．５質量％（以下組成物中の％は質量％を表す。）以上含有することが好ましく、１％以上含有することが好ましく、３％以上含有することが好ましく、５％以上含有することが好ましく、８％以上含有することが好ましく、１０％以上含有することが好ましく、１３％以上含有することが好ましく、１５％以上含有することが好ましく、１８％以上含有することが好ましく、２０％以上含有することが好ましい。また、上限値として、８０％以下含有することが好ましく、７０％以下含有することが好ましく、６５％以下含有することが好ましく、６０％以下含有することが好ましく、５５％以下含有することが好ましく、５０％以下含有することが好ましく、４５％以下含有することが好ましく、４０％以下含有することが好ましく、３８％以下含有することが好ましく、３５％以下含有することが好ましく、３３％以下含有することが好ましく、３０％以下含有することが好ましく、２８％以下含有することが好ましく、２５％以下含有することが好ましい。

一般式（ＩＶ−１）で表される化合物としては、具体的には、例えば下記一般式（ＩＶ−１ａ）から一般式（ＩＶ−１ｆ）で表される化合物群で表される化合物が挙げられる。

（式中、Ｒ^４１１及びＲ^４１２は、それぞれ独立して一般式（ＩＶ−１）におけるＲ^４１１及びＲ^４１２と同じ意味を表す。）
Ｒ^４１１及びＲ^４１２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルコキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルコキシ基を表すことがより好ましい。又、Ｒ^４１１及びＲ^４１２は同一でも異なっていても良いが、異なった置換基を表すことが好ましい。

一般式（ＩＶ−１ａ）〜一般式（ＩＶ−１ｆ）で表される化合物群から選ばれる化合物は、１種〜１０種含有することが好ましく、１種〜８種含有することが特に好ましく、１種〜５種含有することが特に好ましく、２種以上の化合物を含有することも好ましい。一般式（ＩＶ−１ａ）で表される化合物を含有することが好ましい。一般式（ＩＶ−１ａ）で表される化合物において、Ｒ^４１１がアルケニル基を表す場合は、例えば、一般式（ＩＶ−１ａ１）

（式中、Ｒ^４１３は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ^４１４は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有することが好ましい。

一般式（ＩＶ−１ａ１）で表される化合物は、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

一般式（ＩＶ−１ａ１）で表される化合物を含有する場合は、一般式（ＩＶ−１ａ１）で表される化合物の液晶組成物中の含有率として、下限値としては１質量％が好ましく、５質量％が好ましく、１５質量％がより好ましく、２０質量％が更に好ましく、２３質量％が特に好ましく、２５質量％が最も好ましく、上限値としては７０質量％が好ましく、６０質量％がより好ましく、５５質量％が更に好ましく、５２質量％が特に好ましく、５０質量％が最も好ましい。より具体的には、応答速度を重視する場合には下限値としては２０質量％が好ましく、３０質量％がより好ましく、３５質量％が更に好ましく、３８質量％が特に好ましく、３５質量％が最も好ましく、上限値としては７０質量％が好ましく、６０質量％がより好ましく、５５質量％が更に好ましく、５２質量％が特に好ましく、５０質量％が最も好ましく、より駆動電圧を重視する場合には下限値としては５質量％が好ましく、１５質量％がより好ましく、２０質量％が更に好ましく、２３質量％が特に好ましく、２５質量％が最も好ましく、上限値としては６０質量％が好ましく、５０質量％がより好ましく、４５質量％が更に好ましく、４２質量％が特に好ましく、４０質量％が最も好ましい。一般式（ＩＶ−１ａ１）で表される化合物の割合は、液晶組成物における一般式（ＩＶ）で表される化合物の合計含有量の内、一般式（ＩＶ−１ａ１）で表される化合物の含有量が下限値としては６０質量％が好ましく、７０質量％がより好ましく、７５質量％が更に好ましく、７８質量％が特に好ましく、８０質量％が最も好ましく、上限値としては９０質量％が好ましく、９５質量％がより好ましく、９７質量％が更に好ましく、９９質量％が特に好ましく、１００質量％が好ましい。

また、一般式（ＩＶ−１ａ１）で表される化合物以外の一般式（ＩＶ−１ａ）から一般式（ＩＶ−１ｅ）で表される化合物としては、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

これらの中でも、式（ＩＶ−１ａ１−２）、式（ＩＶ−１ａ１−４）、式（ＩＶ−１ａ１−６）、式（Ｉ−１ａ２）〜式（ＩＶ−１ａ７）、式（ＩＶ−１ｂ２）、式（ＩＶ−１ｂ６）、式（ＩＶ−１ｄ１）、式（ＩＶ−１ｄ２）、式（ＩＶ−１ｄ３）、式（ＩＶ−１ｅ２）、式（ＩＶ−１ｅ３）及び式（ＩＶ−１ｅ４）で表される化合物が好ましい。

また、一般式（ＩＶ）で表される化合物は、下記一般式（ＩＶ−２）から一般式（ＩＶ−７）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^４１５及びＲ^４１６はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表す。）
また、一般式（ＩＶ）で表される化合物として、一般式（ＩＶ−８）、一般式（ＩＶ−９）又は一般式（ＶＩ−１０）で表される化合物を１種又は２種以上含有することも好ましい。

（式中、Ｒ^４１５及びＲ^４１６はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ｘ^４１およびＸ^４２はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｘ^４１およびＸ^４２のいずれか一つはフッ素原子であり、他の一つは水素原子である。）
また、一般式（ＩＶ）で表される化合物として、一般式（ＩＶ−１１−１）から一般式（ＩＶ−１１−３）で表される化合物を１種又は２種以上含有しても良い。

また、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物として、一般式（Ｎ−００１）で表される化合物を１種又は２種以上含有しても良い。

（式中、Ｒ^Ｎ１及びＲ^Ｎ２はそれぞれ独立して炭素原子数１から８のアルキル基、炭素原子数１から８のアルコキシル基、炭素原子数２から８のアルケニル基又は炭素原子数２から８のアルケニルオキシル基を表し、Ｌ^１及びＬ^２はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、ＣＨ_３又はＣＦ_３を表す。ただし、Ｌ^１及びＬ^２の両方がフッ素原子を表すものを除く。）
Ｒ^Ｎ１及びＲ^Ｎ２は、炭素原子数１から５のアルキル基を表すことが好ましい。

本発明における液晶組成物は、更に、一般式（ＬＣ６）で表される化合物を１種または２種以上含有することが好ましい。

（式中、Ｒ^ＬＣ６１及びＲ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜１５のアルケニル基を表し、該基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−Ｏ−又は−Ｓ−に置換されても良く、また、該基中に存在する１個又は２個以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子又は塩素原子に置換されても良く、Ａ^ＬＣ６１及びＡ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、ｍ^ＬＣ６１及びｍ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表し、ｍ^ＬＣ６１＋ｍ^ＬＣ６２は１、２又は３であり、Ａ^ＬＣ６１及びＡ^ＬＣ６２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）
一般式（ＬＣ６）において、Ｒ^ＬＣ６１は炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数２から７のアルケニル基、炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から５のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から５のアルケニルオキシ基がより好ましく、炭素原子数１から５のアルキル基又は炭素原子数２から５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２から５のアルキル基又は炭素原子数２から３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。Ｒ^ＬＣ６２は炭素原子数１から７のアルキル基、炭素原子数１から７のアルコキシ基、炭素原子数２から７のアルケニル基、炭素原子数２から７のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１から５のアルキル基、炭素原子数１から５のアルコキシ基、炭素原子数２から５のアルケニル基又は炭素原子数２から５のアルケニルオキシ基がより好ましく、炭素原子数１から４のアルコキシ基が更に好ましい。Ｒ^ＬＣ６１及びＲ^ＬＣ６２がアルケニル基の場合、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点は環との連結点を表す。）

液晶表示素子の透過率向上のためには、特にｍ^ＬＣ６１＋ｍ^ＬＣ６２が２又は３の場合、Ｒ^ＬＣ６１又はＲ^ＬＣ６２の少なくとも一つ以上の基が、式（Ｒ２）以外の基であることが好ましく、アルキル基又はアルコキシ基であることがより好ましい。

Ａ^ＬＣ６１及びＡ^ＬＣ６２はそれぞれ独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基を表すことが好ましい。

一般式（ＬＣ６）で表される化合物の含有量は０から５０質量％であることが好ましく、０から４０質量％が更に好ましく、０から３０質量％が更に好ましく、１から２０質量％が特に好ましい。

より具体的には、一般式（ＬＣ６）で表される化合物の含有量は、組成物中に下限値として、０質量％（以下組成物中の％は質量％を表す。）以上含有することが好ましく、０．５％以上含有することが好ましく、１％以上含有することが好ましく、２％以上含有することが好ましく、３％以上含有することが好ましく、４％以上含有することが好ましく、５％以上含有することが好ましく、１０％以上含有することが好ましく、１５％以上含有することが好ましく、２０％以上含有することが好ましく、２５％以上含有することが好ましく、３０％以上含有することが好ましく、３５％以上含有することが好ましく、３８％以上含有することが好ましく、４０％以上含有することが好ましい。また、上限値として、９５％以下含有することが好ましく、９０％以下含有することが好ましく、８８％以下含有することが好ましく、８５％以下含有することが好ましく、８３％以下含有することが好ましく、８０％以下含有することが好ましく、７８％以下含有することが好ましく、７５％以下含有することが好ましく、７３％以下含有することが好ましく、７０％以下含有することが好ましく、６８％以下含有することが好ましく、６５％以下含有することが好ましく、６３％以下含有することが好ましく、６０％以下含有することが好ましく、５５％以下含有することが好ましく、５０％以下含有することが好ましく、４０％以下含有することが好ましく、３０％以下含有することが好ましく、２０％以下含有することが好ましい。

一般式（ＬＣ６）で表される化合物として、一般式（ＩＩ）で表される化合物を１種または２種以上含有することが好ましい。

（式中、Ｒ^３及びＲ^４は及び炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、Ｂは１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又はテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基を表すが、Ｂが１，４−フェニレン基を表す場合、該１，４−フェニレン基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよく、ｍは０、１又は２を表すが、ｍが２の場合２つのＢは同一であっても異なっていてもよい。）
一般式（ＩＩ）で表される化合物で表される化合物の液晶組成物中の含有量として、下限値としては０質量％が好ましく、０．５質量％が好ましく、１％以上が好ましく、３質量％以上が好ましく、５質量％以上が好ましく、１０質量％が好ましく、２０質量％がより好ましく、２５質量％が更に好ましく、２８質量％が特に好ましく、３０質量％が最も好ましく、上限値としては８５質量％が好ましく、７５質量％がより好ましく、７０質量％が更に好ましく、６７質量％が特に好ましく、６５質量％が最も好ましい。

一般式（ＩＩ）で表される化合物は次に記載する一般式（ＩＩａ）〜一般式（ＩＩｃ）

（式中、Ｒ^３１〜Ｒ^３４及びＲ^４１〜Ｒ^４４は炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表す。）
で表される化合物群の中から少なくとも１種以上選ばれることが好ましいが、２種以上選ばれることがより好ましい。

一般式（ＩＩａ）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＩＩａ−１）〜式（ＩＩａ−８）

で表される化合物が好ましいが、式（ＩＩａ−１）〜式（ＩＩａ−４）で表される化合物がより好ましく、式（ＩＩａ−１）及び式（ＩＩａ−３）で表される化合物が更に好ましい。

一般式（ＩＩａ）で表される化合物は、下限値としては０質量％が好ましく、０．５質量％が好ましく、１％以上が好ましく、３質量％以上が好ましく、５質量％以上が好ましく、上限値としては４５質量％が好ましく、３５質量％がより好ましく、３０質量％が更に好ましく、２７質量％が特に好ましく、２５質量％が最も好ましい。

一般式（ＩＩａ）で表される化合物を４種以上使用する場合には、式（ＩＩａ−１）〜式（ＩＩａ−４）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩａ−１）〜式（ＩＩａ−４）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩａ１）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましい。

一般式（ＩＩａ）で表される化合物を３種使用する場合には、式（ＩＩａ−１）、式（ＩＩａ−２）及び式（ＩＩａ−３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩａ−１） 、式（ＩＩａ−２）及び式（ＩＩａ−３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩａ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

一般式（ＩＩａ）で表される化合物を２種使用する場合には、式（ＩＩａ−１）及び式（ＩＩａ−３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩａ−１）及び式（ＩＩａ−３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩａ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

一般式（ＩＩｂ）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＩＩｂ−１）〜式（ＩＩｂ−９）

で表される化合物が好ましいが、式（ＩＩｂ−１）〜式（ＩＩｂ−４）、式（ＩＩｂ−７）、式（ＩＩｂ−８）および式（ＩＩｂ−９）で表される化合物がより好ましく、式（ＩＩｂ−１）〜式（ＩＩｂ−３）、式（ＩＩｂ−７）、式（ＩＩｂ−８）および式（ＩＩｂ−９）で表される化合物が更に好ましく、式（ＩＩｂ−１）、式（ＩＩｂ−３）、式（ＩＩｂ−７）、式（ＩＩｂ−８）および式（ＩＩｂ−９）で表される化合物が特に好ましい。

一般式（ＩＩｂ）で表される化合物を４種以上使用する場合には、式（ＩＩｂ−１）〜式（ＩＩｂ−４）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩｂ−１）〜式（ＩＩｂ−４）で表される化合物の含有量が、（ＩＩｂ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

一般式（ＩＩｂ）で表される化合物を３種使用する場合には、（ＩＩｂ−１）〜式（ＩＩｂ−３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩｂ−１）〜式（ＩＩｂ−３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩｂ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

一般式（ＩＩｂ）で表される化合物を２種使用する場合には、式（ＩＩｂ−１）及び式（ＩＩｂ−３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩｂ−１）及び式（ＩＩｂ−３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩａ２）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

一般式（ＩＩｃ）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＩＩｃ−１）〜（ＩＩｃ−４）

で表される化合物が好ましいが、式（ＩＩｃ−１）又は式（ＩＩｃ−２）で表される化合物が好ましい。

一般式（ＩＩｃ）で表される化合物を２種以上使用する場合には、式（ＩＩｃ−１）及び式（ＩＩｃ−２）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩｃ−１）及び式（ＩＩｃ−２）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩｃ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

一般式（ＩＩｄ）または一般式（ＩＩｅ）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＩＩｄ−１）〜（ＩＩｄ−４）および式（ＩＩｅ−１）〜（ＩＩｅ−４）

で表される化合物が好ましい。

本発明に係る液晶組成物において一般式（ＩＩｄ）で表される化合物の含有量は、下限値としては１質量％が好ましく、２質量％がより好ましく、上限値としては１５質量％が好ましく、１２質量％がより好ましく、１０質量％が更に好ましく、８質量％が特に好ましく、７質量％が最も好ましい。

本発明に係る液晶組成物において一般式（ＩＩｅ）で表される化合物の含有量は、下限値としては１質量％が好ましく、２質量％がより好ましく、上限値としては１５質量％が好ましく、１２質量％がより好ましく、１０質量％が更に好ましく、８質量％が特に好ましく、７質量％が最も好ましい。

また、一般式（ＬＣ６）で表される化合物として、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物を含有することが好ましい。ただし、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は、一般式（ＩＩ）で表される化合物を除くものとする。

（式中Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、Ａ^１及びＡ^２はそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基又はテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基を表すが、Ａ^１及び／又はＡ^２が１，４−フェニレン基を表す場合、該１，４−フェニレン基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよく、また、シクロヘキサン環の炭素原子（−ＣＨ_２−）の１つ以上が酸素原子に置換されてもよく、ｎ^１及びｎ^２はそれぞれ独立して、０、１、２又は３を表すが、ｎ^１＋ｎ^２は１〜３であり、Ａ^１、Ａ^２、Ｚ^１及びはＺ^２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよいが、ｎ^１が１又は２でありｎ^２が０でありＲ^７と直接結合するＡ^１が１，４−シクロへキシレン基である化合物を除く。）
一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の液晶組成物中の含有量として、下限値としては０質量％が好ましく、０．５質量％が好ましく、１％以上が好ましく、２質量％が好ましく、３質量％がより好ましく、４質量％が更に好ましく、５質量％が特に好ましく、上限値としては４５質量％が好ましく、３５質量％がより好ましく、３０質量％が更に好ましく、２７質量％が特に好ましく、２５質量％が最も好ましい。

一般式（ＩＩＩ）において、Ｒ^７及びＲ^８は、結合する環構造がシクロヘキサン又はテトラヒドロピランである時はアルキル基又はアルケニル基であることが好ましく、ベンゼンである時はアルキル基、アルコキシ基又はアルケニル基であることが好ましい。シクロヘキサン又はテトラヒドロピランである時は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜８のアルキル基を表すことがより好ましく、炭素原子数３〜５のアルキル基を表すことがより好ましく、炭素原子数３又は５のアルキル基を表すことが更に好ましく、直鎖であることが好ましい。また、一般式（ＩＩＩ）において、Ｒ^７及びＲ^８は、結合する環構造がベンゼンである時は、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数３〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜４のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数３又は５のアルキル基又は炭素原子数２又は４のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数２又は４のアルコキシ基を表すことが更に好ましく、直鎖であることが好ましい。

表示素子の応答速度の改善を重視する場合はアルケニル基が好ましく、電圧保持率等の信頼性を重視する場合にはアルキル基が好ましい。アルケニル基としては次に記載する式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。

（各式中の黒点は環との連結点を表す。）
Ａ^１及びＡ^２はそれぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基又はテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基が好ましい。

Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して粘度の低減を重視する場合には単結合が好ましく、Δεの絶対値を大きくすることを重視する場合には−ＯＣＨ_２−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、又は−ＣＦ_２Ｏ−が好ましく、酸素原子が２，３−ジフルオロベンゼン−１，４−ジイル基に連結するように配置されることが好ましい。

ｎ^１＋ｎ^２は２以下が好ましく、粘度の低減を重視する場合には１が好ましく、Ｔ_ｎｉを重視する場合やΔｎの増大を重視する場合には２が好ましい。

一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は次に記載する一般式（ＩＩＩａ１）及び（ＩＩＩａ２）

（式中、Ｒ^７ａ１及びＲ^７ａ２、Ｒ^８ａ１及びＲ^８ａ２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
ｎ^ａ２は０又は１を表し、Ａ^１ａ２は１，４−シクロヘキシレン基、１，４−フェニレン基又はテトラヒドロピラン−２，５−ジイル基を表し、一般式（ＩＶａ１）及び一般式（ＩＶａ２）中の１，４−フェニレン基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。）
で表される化合物群の中から選ばれることが好ましい。

一般式（ＩＩＩａ１）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＩＩＩａ１−１）〜式（ＩＩＩａ１−８）

で表される化合物が好ましいが、式（ＩＩＩａ１−１）〜式（ＩＩＩａ１−４）で表される化合物がより好ましく、式（ＩＩＩａ１−１）及び式（ＩＩＩａ１−３）で表される化合物が更に好ましく、式（ＩＩＩａ１−１）で表される化合物が特に好ましい。

一般式（ＩＩＩａ１）で表される化合物を４種以上使用する場合には、式（ＩＩＩａ１−１）〜式（ＩＩＩａ１−４）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩＩａ１−１）〜式（ＩＩＩａ１−４）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩＩａ１）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

一般式（ＩＩＩａ１）で表される化合物を３種使用する場合には、式（ＩＩＩａ１−１）〜式（ＩＩＩａ１−３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩＩａ１−１）〜式（ＩＩＩａ１−３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩＩａ１）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

一般式（ＩＩＩａ１）で表される化合物を２種使用する場合には、式（ＩＩＩａ１−１）及び式（ＩＩＩａ１−３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩＩａ１−１）及び式（ＩＩＩａ１−３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩＩａ１）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

一般式（ＩＩＩａ２）で表される化合物は具体的には次に記載する一般式（ＩＩＩａ２−１）〜一般式（ＩＩＩａ２−９）

（式中、Ｒ^７は一般式（ＩＩＩ）におけるＲ^７と同じ意味を表し、Ｒ^８は一般式（ＩＩＩ）におけるＲ^８と同じ意味を表す。）
で表される化合物が好ましい。

一般式（ＩＩＩａ２）で表される化合物を使用する場合には、式（ＩＩＩａ２−１）で表される化合物を使用することが好ましいが、式（ＩＩＩａ２−１）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩＩａ２）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

一般式（ＩＩＩａ２）におけるＲ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基を表すことが更に好ましく、直鎖であることが好ましく、Ｒ^７及びＲ^８が共にアルキル基である場合には、それぞれの炭素原子数は異なっている方が好ましい。

更に詳述すると、Ｒ^７がプロピル基を表しＲ^８がエチル基を表す化合物又はＲ^７がブチル基を表しＲ^８がエチル基を表す化合物が好ましい。

また、液晶表示素子の透過率向上のために、Ｒ^７又はＲ^８の少なくとも一つ以上の基がアルキル基又はアルコキシ基であることがより好ましい。

本願における１，４−シクロヘキシレン基はトランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましい。

本発明の液晶組成物は一般式（ｉ）〜一般式（ｉｉｉ）で表される化合物群から選ばれる化合物及び一般式（ＩＶ）で表される化合物の合計の含有量が、５０から９９質量％であることが好ましく、５５〜９９質量％であることが更に好ましく、６０〜９９質量％であることが更に好ましく、６５〜９９質量％であることが更に好ましく、７０〜９９質量％であることが更に好ましく、７５〜９９質量％であることが特に好ましい。

より具体的には、一般式（ｉ）〜一般式（ｉｉｉ）で表される化合物群から選ばれる化合物及び一般式（ＩＶ）で表される化合物の合計の含有量は、組成物中に下限値として、３０質量％（以下組成物中の％は質量％を表す。）以上含有することが好ましく、３５％以上含有することが好ましく、４０％以上含有することが好ましく、４５％以上含有することが好ましく、５０％以上含有することが好ましく、５５％以上含有することが好ましく、６０％以上含有することが好ましく、６５％以上含有することが好ましく、７０％以上含有することが好ましく、７５％以上含有することが好ましく、７８％以上含有することが好ましく、８０％以上含有することが好ましく、８３％以上含有することが好ましく、８５％以上含有することが好ましく、９０％以上含有することが好ましく、９１％以上含有することが好ましい。また、上限値として、１００％以下含有することが好ましく、９９％以下含有することが好ましく、９５％以下含有することが好ましく、９０％以下含有することが好ましく、８５％以下含有することが好ましく、８０％以下含有することが好ましく、７５％以下含有することが好ましく、７０％以下含有することが好ましく、６５％以下含有することが好ましく、６０％以下含有することが好ましく、５５％以下含有することが好ましく、５０％以下含有することが好ましい。

本発明の液晶組成物において、一般式（ｉ）〜一般式（ｉｉｉ）で表される化合物群から選ばれる化合物及び一般式（ＬＣ６）で表される化合物の合計の含有量は１０から９０質量％であることが好ましく、２０から８０質量％が更に好ましく、３０から７０質量％が特に好ましい。

より具体的には、一般式（ｉ）〜一般式（ｉｉｉ）で表される化合物群から選ばれる化合物及び一般式（ＬＣ６）で表される化合物の含有量は、組成物中に下限値として、１質量％（以下組成物中の％は質量％を表す。）以上含有することが好ましく、５％以上含有することが好ましく、１０％以上含有することが好ましく、１３％以上含有することが好ましく、１５％以上含有することが好ましく、１８％以上含有することが好ましく、２０％以上含有することが好ましく、２３％以上含有することが好ましく、２５％以上含有することが好ましく、２８％以上含有することが好ましく、３０％以上含有することが好ましく、３３％以上含有することが好ましく、３５％以上含有することが好ましく、３８％以上含有することが好ましく、４０％以上含有することが好ましい。また、上限値として、９５％以下含有することが好ましく、９０％以下含有することが好ましく、８８％以下含有することが好ましく、８５％以下含有することが好ましく、８３％以下含有することが好ましく、８０％以下含有することが好ましく、７８％以下含有することが好ましく、７５％以下含有することが好ましく、７３％以下含有することが好ましく、７０％以下含有することが好ましく、６８％以下含有することが好ましく、６５％以下含有することが好ましく、６３％以下含有することが好ましく、６０％以下含有することが好ましく、５５％以下含有することが好ましく、５０％以下含有することが好ましく、４０％以下含有することが好ましい。

本願発明の液晶組成物は、分子内に過酸（−ＣＯ−ＯＯ−）構造等の酸素原子同士が結合した構造を持つ化合物を含有しないことが好ましい。

液晶組成物の信頼性及び長期安定性を重視する場合にはカルボニル基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して５質量％以下とすることが好ましく、３質量％以下とすることがより好ましく、１質量％以下とすることが更に好ましく、実質的に含有しないことが最も好ましい。

分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を多くすることが好ましく、分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して８０質量％以上とすることが好ましく、９０質量％以上とすることがより好ましく、９５質量％以上とすることが更に好ましく、実質的に分子内の環構造がすべて６員環である化合物のみで液晶組成物を構成することが最も好ましい。

液晶組成物の酸化による劣化を抑えるためには、環構造としてシクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、シクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

液晶組成物の酸化による劣化を抑えるためには、連結基として−ＣＨ＝ＣＨ−を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、当該化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

粘度の改善及びＴ_ＮＩの改善を重視する場合には、水素原子がハロゲンに置換されていてもよい２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を少なくすることが好ましく、前記２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

本発明の組成物に含有される化合物が、側鎖としてアルケニル基を有する場合、前記アルケニル基がシクロヘキサンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は２〜５であることが好ましく、前記アルケニル基がベンゼンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は４〜５であることが好ましく、前記アルケニル基の不飽和結合とベンゼンは直接結合していないことが好ましい。また、液晶組成物の安定性を重視する場合には、側鎖としてアルケニル基を有しかつ２，３−ジフルオロベンゼン−１，４−ジイル基を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、当該化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

本発明の液晶組成物は、上述の化合物以外に、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶や、酸化防止剤、紫外線吸収剤、赤外線吸収剤等の添加剤を含有しても良い。

本発明に使用できる添加剤として以下が好ましい。

（式中、ｎは０から２０の整数を表す。）
本発明における液晶組成物の誘電率異方性Δεの値は負の誘電率異方性を有し、誘電率異方性の絶対値は２以上である。誘電率異方性Δεの値は、２５℃において、−２．０から−６．０であることが好ましく、−２．５から−５．０であることがより好ましく、−２．５から−４．０であることが特に好ましいが、更に詳述すると、応答速度を重視する場合には−２．５〜−３．４であることが好ましく、駆動電圧を重視する場合には−３．４〜−４．０であることが好ましい。

本発明における液晶組成物の屈折率異方性Δｎの値は、２５℃において、０．０８から０．１３であることが好ましいが、０．０９から０．１２であることがより好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合は０．１０から０．１２であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合は０．０８から０．１０であることが好ましい。

本発明における液晶組成物の回転粘度（γ_１）は１５０以下が好ましく、１３０以下がより好ましく、１２０以下が特に好ましい。

本発明における液晶組成物では、回転粘度と屈折率異方性の関数であるＺが特定の値を示すことが好ましい。

（式中、γ_１は回転粘度を表し、Δｎは屈折率異方性を表す。）
Ｚは、１３０００以下が好ましく、１２０００以下がより好ましく、１１０００以下が特に好ましい。

本発明における液晶組成物のネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）は、６０℃以上であり、好ましくは７５℃以上であり、より好ましくは８０℃以上であり、さらに好ましくは９０℃以上である。

本発明の液晶組成物は、１０^１２（Ω・ｍ）以上の比抵抗を有することが必要であり、１０^１３（Ω・ｍ）が好ましく、１０^１４（Ω・ｍ）以上がより好ましい。

本発明の液晶組成物は、上述の化合物以外に、用途に応じて、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶、酸化防止剤、紫外線吸収剤などを含有しても良いが、液晶組成物の化学的な安定性が求められる場合には塩素原子をその分子内に有さないことが好ましく、液晶組成物の紫外線などの光に対する安定性が求められる場合にはナフタレン環などに代表される共役長が長く紫外領域に吸収ピークが存在する縮合環等をその分子内に有さないことが望ましい。
（液晶表示素子）
上記のような本発明の液晶組成物は、ＦＦＳモードの液晶表示素子に適用される。以下、図１〜６を参照にして、本発明に係るＦＦＳモードの液晶表示素子の例を説明する。

図１は、液晶表示素子の構成を模式的に示す図である。図１では、説明のために便宜上各構成要素を離間して記載している。本発明に係る液晶表示素子１０の構成は、図１に記載するように、対向に配置された第一の透明絶縁基板２と、第二の透明絶縁基板７との間に挟持された液晶組成物（または液晶層５）を有するＦＦＳモードの液晶表示素子であって、該液晶組成物として前記本発明の液晶組成物を用いたことに特徴を有するものである。第一の透明絶縁基板２は、液晶層５側の面に電極層３が形成されている。また、液晶層５と、第一の透明絶縁基板２及び第二の透明絶縁基板７のそれぞれの間に、液晶層５を構成する液晶組成物と直接当接してホモジニアス配向を誘起する一対の配向膜４を有し、該液晶組成物中の液晶分子は、電圧無印加時に前記基板２，７に対して略平行になるように配向されている。図１および図３に示すように、前記第一の基板２および前記第二の基板７は、一対の偏光板１，８により挟持されてもよい。さらに、図１では、前記第二の基板７と配向膜４との間にカラーフィルタ６が設けられている。

すなわち、本発明に係る液晶表示素子１０は、第一の偏光板１と、第一の基板２と、薄膜トランジスタを含む電極層３と、配向膜４と、液晶組成物を含む液晶層５と、配向膜４と、カラーフィルタ６と、第二の基板７と、第二の偏光板８と、が順次積層された構成である。第一の基板２と第二の基板７はガラス又はプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。２枚の基板２、７は、周辺領域に配置されたエポキシ系熱硬化性組成物等のシール材及び封止材によって貼り合わされていて、その間には基板間距離を保持するために、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子等の粒状スペーサーまたはフォトリソグラフィー法により形成された樹脂からなるスペーサー柱が配置されていてもよい。

図２は、図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。図３は、図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図である。図２に示すように、第一の基板２の表面に形成されている薄膜トランジスタを含む電極層３は、走査信号を供給するための複数のゲートバスライン２６と表示信号を供給するための複数のデータバスライン２５とが、互いに交差してマトリクス状に配置されている。なお、図２には、一対のゲートバスライン２５及び一対のデータバスライン２４のみが示されている。

複数のゲートバスライン２６と複数のデータバスライン２５とにより囲まれた領域により、液晶表示装置の単位画素が形成され、該単位画素内には、画素電極２１及び共通電極２２が形成されている。ゲートバスライン２６とデータバスライン２５が互いに交差している交差部近傍には、ソース電極２７、ドレイン電極２４およびゲート電極２８を含む薄膜トランジスタが設けられている。この薄膜トランジスタは、画素電極２１に表示信号を供給するスイッチ素子として、画素電極２１と連結している。また、ゲートバスライン２６と並行して、共通ライン２９が設けられる。この共通ライン２９は、共通電極２２に共通信号を供給するために、共通電極２２と連結している。

薄膜トランジスタの構造の好適な一態様は、例えば、図３で示すように、基板２表面に形成されたゲート電極１１と、当該ゲート電極１１を覆い、且つ前記基板２の略全面を覆うように設けられたゲート絶縁層１２と、前記ゲート電極１１と対向するよう前記ゲート絶縁層１２の表面に形成された半導体層１３と、前記半導体層１７の表面の一部を覆うように設けられた保護膜１４と、前記保護層１４および前記半導体層１３の一方の側端部を覆い、かつ前記基板２表面に形成された前記ゲート絶縁層１２と接触するように設けられたドレイン電極１６と、前記保護膜１４および前記半導体層１３の他方の側端部を覆い、かつ前記基板２表面に形成された前記ゲート絶縁層１２と接触するように設けられたソース電極１７と、前記ドレイン電極１６および前記ソース電極１７を覆うように設けられた絶縁保護層１８と、を有している。ゲート電極１１の表面にゲート電極との段差を無くす等の理由により陽極酸化被膜（図示せず）を形成してもよい。

前記半導体層１３には、アモルファスシリコン、多結晶ポリシリコンなどを用いることができるが、ＺｎＯ、ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、ＩＴＯ等の透明半導体膜を用いると、光吸収に起因する光キャリアの弊害を抑制でき、素子の開口率を増大する観点からも好ましい。

さらに、ショットキー障壁の幅や高さを低減する目的で半導体層１３とドレイン電極１６またはソース電極１７との間にオーミック接触層１５を設けても良い。オーミック接触層には、ｎ型アモルファスシリコンやｎ型多結晶ポリシリコン等のリン等の不純物を高濃度に添加した材料を用いることができる。

ゲートバスライン２６やデータバスライン２５、共通ライン２９は金属膜であることが好ましく、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ又はその合金がより好ましく、Ａｌ又はその合金の配線を用いる場合が特に好ましい。また、絶縁保護層１８は、絶縁機能を有する層であり、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、ケイ素酸窒化膜等で形成される。

図２及び図３に示す実施の形態では、共通電極２２はゲート絶縁層１２上のほぼ全面に形成された平板状の電極であり、一方、画素電極２１は共通電極２２を覆う絶縁保護層１８上に形成された櫛形の電極である。すなわち、共通電極２２は画素電極２１よりも第一の基板２に近い位置に配置され、これらの電極は絶縁保護層１８を介して互いに重なりあって配置される。画素電極２１と共通電極２２は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性材料により形成される。画素電極２１と共通電極２２が透明導電性材料により形成されるため、単位画素面積で開口される面積が大きくなり、開口率及び透過率が増加する。

画素電極２１と共通電極２２とは、これらの電極間にフリンジ電界を形成するために、画素電極２１と共通電極２２との間の基板に水平方向の電極間距離：Ｒが、第一の基板２と第二の基板７との距離：Ｇより小さくなるように形成されている。ここで、電極間距離：Ｒは各電極間の基板に水平方向の距離を表す。図３には、平板状の共通電極２２と櫛形の画素電極２１とが重なり合っているため、電極間距離：Ｒ＝０となる例が示されており、電極間距離：Ｒが第一の基板２と第二の基板７との距離（すなわち、セルギャップ）：Ｇよりも小さくなるため、フリンジの電界Ｅが形成される。したがって、ＦＦＳ型の液晶表示素子は、画素電極２１の櫛形を形成するラインに対して垂直な方向に形成される水平方向の電界と、放物線状の電界を利用することができる。画素電極２１の櫛状部分の電極幅：ｌ、及び、画素電極２１の櫛状部分の間隙の幅：ｍは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子が全て駆動され得る程度の幅に形成することが好ましい。

カラーフィルタ６は、光の漏れを防止する観点で、薄膜トランジスタおよびストレイジキャパシタ２３に対応する部分にブラックマトリックス（図示せず）を形成することが好ましい。

電極層３、及び、カラーフィルタ６上には、液晶層５を構成する液晶組成物と直接当接してホモジニアス配向を誘起する一対の配向膜４が設けられている。配向膜４は、例えば、ラビング処理されたポリイミド膜であり、各配向膜の配向方向は平行である。ここで、図４を用いて、本実施形態における配向膜４のラビング方向（液晶組成物の配向方向）について説明する。図４は、配向膜４により誘起された液晶の配向方向を模式的に示す図である。本発明においては、負の誘電率異方性を有する液晶組成物が用いられる。したがって、画素電極２１の櫛形を形成するラインに対して垂直な方向（水平電界が形成される方向）をｘ軸としたときに、該ｘ軸と液晶分子３０の長軸方向とのなす角θが、概ね０〜４５°となるように配向されることが好ましい。図３に示す例では、ｘ軸と液晶分子３０の長軸方向とのなす角θが、概ね０°の例が示されている。このように液晶の配向方向を誘起するのは、液晶表示装置の最大透過率を高めるためである。

また、偏光板１及び偏光板８は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラストが良好になるように調整することができ、それらの透過軸がノーマリブラックモードで作動するように、互いに直行する透過軸を有することが好ましい。特に、偏光板１及び偏光板８のうちいずれかは、液晶分子３０の配向方向と平行な透過軸を有するように配置することが好ましい。また、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。

上記のような構成のＦＦＳ型の液晶表示装置１０は、薄膜ＴＦＴを介して画素電極２１に画像信号（電圧）を供給することで、画素電極２１と共通電極２２との間にフリンジ電界を生じさせ、この電界によって液晶を駆動する。すなわち、電圧を印加しない状態では、液晶分子３０は、その長軸方向が、配向膜４の配向方向と平行になるように配置している。電圧を印加すると、画素電極２１と共通電極２２との間に放物線形の電界の等電位線が画素電極２１と共通電極２２の上部にまで形成され、液晶層５内の液晶分子３０は、形成された電界に沿って液晶層５内を回転する。本発明では、負の誘電率異方性を有する液晶分子３０を用いるため、液晶分子３０の長軸方向が、発生した電界方向に直行するように回転する。画素電極２１の近くに位置する液晶分子３０はフリンジ電界の影響を受けやすいものの、負の誘電率異方性を有する液晶分子３０は分極方向が分子の短軸にあることから、その長軸方向が配向膜４に対して直行する方向に回転することはなく、液晶層５内の全ての液晶分子３０の長軸方向は、配向膜４に対して平行方向を維持できる。したがって、正の誘電率異方性を有する液晶分子３０を用いたＦＦＳ型の液晶表示素子に比べて、優れた透過率特性を得ることができる。

図１〜図４を用いて説明したＦＦＳ型の液晶表示素子は一例であって、本発明の技術的思想から逸脱しない限りにおいて、他の様々な形態で実施することが可能である。例えば、図５は、図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図の他の例である。図５に示すように、画素電極２１がスリットを有する構成としてもよい。また、スリットのパターンを、ゲートバスライン２６又はデータバスライン２５に対して傾斜角を持つようにして形成してもよい。

また、図６は、図２におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図の他の例である。図６に示す例では、櫛形あるいはスリットを有する共通電極２２を用いており、画素電極２１と共通電極２２との基板に水平方向の電極間距離はＲ＝αとなる。さらに、図３では共通電極２２がゲート絶縁膜１２上に形成されている例が示されていたが、図６に示されるように、共通電極２２を第一の基板２上に形成して、ゲート絶縁膜１２を介して画素電極２１を設けるようにしてもよい。画素電極２１の電極幅：ｌ、共通電極２２の電極幅：ｎ、及び、電極間距離：Ｒは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子が全て駆動され得る程度の幅に適宜調整することが好ましい。

また、図７に示すように、画素電極４１及び共通電極４２が同一面上に離間して噛合した状態で設けられていてもよい。図７に示す構造のＦＦＳ型表示素子においても、基板に水平方向の電極間距離Ｒが、第一の基板２と第二の基板７との距離：Ｇより小さくなるように形成される。

本発明に係るＦＦＳモードの液晶表示素子は、特定の液晶組成物を用いているため、高速応答と表示不良の抑制を両立させることができる。

また、ＦＦＳモードの液晶表示素子は、第一の基板２と第二の基板７との間に液晶層５を注入する際、例えば、真空注入法又は滴下注入（ＯＤＦ：Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）法等の方法が行われるが、本願発明においては、ＯＤＦ法において、液晶組成物を基板に滴下した際の滴下痕の発生を抑えることができる。なお、滴下痕とは、黒表示した場合に液晶組成物を滴下した痕が白く浮かび上がる現象と定義する。

滴下痕の発生は、注入される液晶材料に大きな影響を受けるものであるが、さらに、表示素子の構成によってもその影響は避けられない。ＦＦＳモードの液晶表示素子においては、表示素子中に形成される薄膜トランジスター、及び、櫛形やスリットを有する画素電極２１等は、薄い配向膜４、あるいは薄い配向膜４と薄い絶縁保護層１８等しか液晶組成物を隔てる部材が無いことから、イオン性物質を遮断しきれない可能性が高く、電極を構成する金属材料と液晶組成物の相互作用による滴下痕の発生を避けることができなかったが、ＦＦＳ型の液晶表示素子において本願発明の液晶組成物を組み合わせて用いることにより、効果的に滴下痕の発生が抑えられる。

また、ＯＤＦ法による液晶表示素子の製造工程においては、液晶表示素子のサイズに応じて最適な液晶注入量を滴下する必要があるが、本願発明の液晶組成物は、例えば、液晶滴下時に生じる滴下装置内の急激な圧力変化や衝撃に対する影響が少なく、長時間にわたって安定的に液晶を滴下し続けることが可能であるため、液晶表示素子の歩留まりを高く保持することもできる。特に、最近流行しているスマートフォンに多用される小型液晶表示素子は、最適な液晶注入量が少ないために最適値からのずれを一定範囲内に制御すること自体が難しいが、本願発明の液晶組成物を用いることにより、小型液晶表示素子においても安定した液晶材料の吐出量を実現できる。

以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。

実施例中、測定した特性は以下の通りである。

Ｔ_ＮＩ ：ネマチック相−等方性液体相転移温度（℃）
Δｎ ：２５℃における屈折率異方性
Δε ：２５℃における誘電率異方性
η ：２０℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）
γ_１ ：２５℃における回転粘度（ｍＰａ・ｓ）
ＶＨＲ：周波数６０Ｈｚ，印加電圧１Ｖの条件下で６０℃における電圧保持率（％）
焼き付き ：
液晶表示素子の焼き付き評価は、表示エリア内に所定の固定パターンを１０００時間表示させた後に、全画面均一な表示を行ったときの固定パターンの残像のレベルを目視にて以下の４段階評価で行った。

◎残像無し
○残像ごく僅かに有るも許容できるレベル
△残像有り許容できないレベル
×残像有りかなり劣悪
滴下痕 ：
液晶表示装置の滴下痕の評価は、全面黒表示した場合における白く浮かび上がる滴下痕を目視にて以下の４段階評価で行った。

◎残像無し
○残像ごく僅かに有るも許容できるレベル
△残像有り許容できないレベル
×残像有りかなり劣悪
プロセス適合性 ：
プロセス適合性は、ＯＤＦプロセスにおいて、定積計量ポンプを用いて１回に５０ｐＬずつ液晶を滴下することを１０００００回行い、次の「０〜１００回、１０１〜２００回、２０１〜３００回、・・・・９９９０１〜１０００００回」の各１００回ずつ滴下された液晶量の変化を以下の４段階で評価した。

◎変化が極めて小さい（安定的に液晶表示素子を製造できる）
○変化が僅かに有るも許容できるレベル
△変化が有り許容できないレベル（斑発生により歩留まりが悪化）
×変化が有りかなり劣悪（液晶漏れや真空気泡が発生）
低温での溶解性：
低温での溶解性評価は、液晶組成物を調製後、２ｍＬのサンプル瓶に液晶組成物を１ｇ秤量し、これに温度制御式試験槽の中で、次を１サイクル「−２０℃（１時間保持）→昇温（０．１℃／毎分）→０℃（１時間保持）→昇温（０．１℃／毎分）→２０℃（１時間保持）→降温（−０．１℃／毎分）→０℃（１時間保持）→降温（−０．１℃／毎分）→−２０℃」として温度変化を与え続け、目視にて液晶組成物からの析出物の発生を観察し、以下の４段階評価を行った。

◎６００時間以上析出物が観察されなかった。

○３００時間以上析出物が観察されなかった。

△１５０時間以内に析出物が観察された。

×７５時間以内に析出物が観察された。
尚、実施例において化合物の記載について以下の略号を用いる。
（側鎖）
−ｎ −Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１ 炭素原子数ｎの直鎖状アルキル基
−Ｏｎ −ＯＣ_ｎＨ_２ｎ＋１ 炭素原子数ｎの直鎖状アルコキシ基
−Ｖ −ＣＨ＝ＣＨ_２ ビニル基
−Ｖｎ −ＣＨ＝Ｃ−Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１ 炭素原子数（ｎ＋１）の１−アルケン
（連結基）
−ＣＦ_２Ｏ− −ＣＦ_２−Ｏ−
−ＯＣＦ_２− −Ｏ−ＣＦ_２−
−１Ｏ− −ＣＨ_２−Ｏ−
−Ｏ１− −Ｏ−ＣＨ_２−
−２− −ＣＨ_２−ＣＨ_２−
−ＣＯＯ− −ＣＯＯ−
（環構造）

（実施例１〜９（液晶組成物１〜９））
次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物１）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

液晶組成物１〜９を用いて、ＴＶ用として一般的であるセル厚３．０μｍのＦＦＳモードの液晶表示素子を作製した。液晶組成物の注入は、滴下法にて行い、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った。

尚、含有量の左側の記号は、上記化合物の略号の記載である。

液晶組成物１〜９は、ＴＶ用液晶組成物として実用的な範囲のＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物１〜９を用いて、ＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、電圧保持率、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、極めて優れた評価結果を示した。

（比較例１〜９）
液晶組成物１〜９を用いて、ＴＶ用として一般的であるセル厚３．５μｍの垂直配向液晶表示素子（ＶＡモードの液晶表示素子）を作製した。

実施例１〜９においてそれぞれ作製したＦＦＳモードの液晶表示素子と、比較例１〜９においてそれぞれ作成したＶＡモードの液晶表示素子について、透過率、コントラスト比、応答速度の比較を行った。その結果を次に示す。なお、実施例１，２及び比較例１，２の液晶表示素子における透過率は、それぞれのモードにおける液晶組成物注入前の素子の透過率を１００％とした際の値である。

液晶組成物１〜９を用いて作製されたＦＦＳモードの表示素子（実施例１〜９）は、同じ液晶組成物を用いて作成されたＶＡモードの液晶表示素子（比較例１〜９）に比べ、最高透過率、コントラスト比及び応答速度いずれにおいても優れた特性を示した。

（実施例１０〜１５（液晶組成物１０〜１５））
液晶組成物１〜９と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物１０〜１５）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

液晶組成物１０〜１５を用いて、実施例１〜９と同様にＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った結果を同じ表に示す。

液晶組成物１０〜１５は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物１０〜１５を用いて、実施例１〜９と同様のＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、電圧保持率、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、ＴＶ用液晶組成物として実用的な評価結果を示した。

（比較例１０〜１５）
液晶組成物１０〜１５を用いて、比較例１〜９と同様のＶＡモードの液晶表示素子を作製した。

実施例１０〜１５においてそれぞれ作製したＦＦＳモードの液晶表示素子と、比較例１０〜１５において作成したＶＡモードの液晶表示素子について、透過率、コントラスト比、応答速度の比較を行った。その結果を次に示す。

液晶組成物１０〜１５を用いて作製されたＦＦＳモードの表示素子（実施例１０〜１５）は、同じ液晶組成物を用いて作成されたＶＡモードの液晶表示素子（比較例１０〜１５）に比べ、最高透過率、コントラスト比及び応答速度いずれにおいても優れた特性を示した。

（実施例１６〜１９（液晶組成物１６〜１９））
液晶組成物１〜９と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物１６〜２３）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

液晶組成物１６〜１９を用いて、実施例１〜９と同様にＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った結果を同じ表に示す。

液晶組成物１６〜１９は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物１６〜１９を用いて、実施例１〜９と同様のＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、電圧保持率、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、ＴＶ用液晶組成物として実用的な評価結果を示した。

（比較例１６〜１９）
液晶組成物１６〜１９を用いて、比較例１〜９と同様のＶＡモードの液晶表示素子を作製した。

実施例１６〜１９においてそれぞれ作製したＦＦＳモードの液晶表示素子と、比較例１６〜１９において作成したＶＡモードの液晶表示素子について、透過率、コントラスト比、応答速度の比較を行った。その結果を次に示す。

液晶組成物１６〜１９を用いて作製されたＦＦＳモードの表示素子（実施例１６〜１９）は、同じ液晶組成物を用いて作成されたＶＡモードの液晶表示素子（比較例１６〜１９）に比べ、最高透過率、コントラスト比及び応答速度いずれにおいても優れた特性を示した。

（実施例２０〜２３（液晶組成物２０〜２３））
液晶組成物１〜９と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物２０〜２３）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

液晶組成物２０〜２３を用いて、実施例１〜９と同様にＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った結果を同じ表に示す。

液晶組成物２０〜２３は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物２０〜２３を用いて、実施例１〜９と同様のＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、電圧保持率、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、ＴＶ用液晶組成物として実用的な評価結果を示した。

（比較例２０〜２３）
液晶組成物２０〜２３を用いて、比較例１〜９と同様のＶＡモードの液晶表示素子を作製した。

実施例２０〜２３においてそれぞれ作製したＦＦＳモードの液晶表示素子と、比較例２０〜２３において作成したＶＡモードの液晶表示素子について、透過率、コントラスト比、応答速度の比較を行った。その結果を次に示す。

液晶組成物２０〜２３を用いて作製されたＦＦＳモードの表示素子（実施例２０〜２３）は、同じ液晶組成物を用いて作成されたＶＡモードの液晶表示素子（比較例２０〜２３）に比べ、最高透過率及び応答速度いずれにおいても優れた特性を示した。

１，８ 偏光板
２ 第一の基板
３ 電極層
４ 配向膜
５ 液晶層
６ カラーフィルタ
７ 第二の基板
１１ ゲート電極
１２ ゲート絶縁膜
１３ 半導体層
１４ 絶縁層
１５ オーミック接触層
１６ ドレイン電極
１７ ソース電極
１８ 絶縁保護層
２１ 画素電極
２２ 共通電極
２３ ストレイジキャパシタ
２５ データバスライン
２７ ソースバスライン
２９ 共通ライン

Claims (7)

1. 対向に配置された第一の透明絶縁基板と、第二の透明絶縁基板と、前記第一の基板と第二の基板との間に液晶組成物を含有する液晶層を挟持し、
   前記第一基板上に、透明導電性材料からなる共通電極と、マトリクス状に配置される複数個のゲートバスライン及びデータバスラインと、
   前記ゲートバスラインとデータバスラインとの交差部に設けられる薄膜トランジスタと、該トランジスタにより駆動され透明導電性材料からなる画素電極とを各画素毎に有し、
   前記液晶層と、前記第一基板と第二基板のそれぞれの間にホモジニアス配向を誘起する配向膜層を有し、各配向膜の配向方向は平行であり、
   前記画素電極と共通電極とはこれらの電極間にフリンジ電界を形成するために、前記画素電極と共通電極との間の電極間距離：Ｒが前記第一の基板と第二の基板との距離：Ｇより小さく、電極間距離（Ｒ）が０であり、
   前記共通電極は、前記第一基板のほぼ全面に、前記画素電極より第一基板に近い位置に配置され、
   前記液晶組成物が、負の誘電率異方性を有し、下記一般式（ｉ）、一般式（ｉｉ）、及び一般式（ｉｉｉ）
   

   

   （式中、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｒ^ｉｉ１、Ｒ^ｉｉ２、Ｒ^ｉｉｉ１及びＲ^ｉｉｉ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
   Ａ^ｉ１、Ａ^ｉ２、Ａ^ｉｉ１、Ａ^ｉｉ２、Ａ^ｉｉｉ１及びＡ^ｉｉｉ２はそれぞれ独立して
   （ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
   （ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
   （ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
   からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
   Ｚ^ｉ１、Ｚ^ｉ２、Ｚ^ｉｉ１、Ｚ^ｉｉ２、Ｚ^ｉｉｉ１及びＺ^ｉｉｉ２はそれぞれ独立して単結合、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２ＣＦ_２−を表すが、Ｚ^ｉ１の少なくとも１つは−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−又は−ＣＦ_２ＣＦ_２−を表わし、Ｚ^ｉｉｉ３は−ＣＨ_２−又は酸素原子を表し、Ｘ^ｉｉ１は水素原子又はフッ素原子を表し、ｍ^ｉ１、ｍ^ｉ２、ｍ^ｉｉ１、ｍ^ｉｉ２、ｍ^ｉｉｉ１及びｍ^ｉｉｉ２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表し、ｍ^ｉ１＋ｍ^ｉ２は１、２又は３であるが、ｍ^ｉ１＋ｍ^ｉ２が１、２又は３である場合、ｍ^ｉ１は１、２又は３を表し、ｍ^ｉｉ１＋ｍ^ｉｉ２及びｍ^ｉｉｉ１＋ｍ^ｉｉｉ２は１、２又は３であり、Ａ^ｉ１〜Ａ^ｉｉｉ２、Ｚ^ｉ１〜Ｚ^ｉｉｉ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）で表される化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物と、一般式（ＩＶ）
   

   

   （式中、Ｒ^４４及びＲ^４５はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−で置換されてよく、該基中の１つ又は２つ以上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子又は塩素原子に置換されても良く、Ａ^４１〜Ａ^４３はそれぞれ独立して
   （ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）
   （ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）及び
   （ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
   からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、Ｚ^４１及びＺ^４２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−又は−ＣＦ_２Ｏ−を表し、ｍ^４１は０〜２の整数を表し、Ａ^４１及びＺ^４１が複数存在する場合、それらは同一であっても、異なっていてもよい。）
   で表される化合物から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有し、
   一般式（ＩＶ）として、ｍ^４１が１を表す化合物を１種又は２種以上含有する液晶表示素子。
2. 一般式（ｉ）として、一般式（ｉ−１）
   

   

   （式中、Ａ^ｉ１１、Ａ^ｉ１２及びＡ^ｉ１３はそれぞれ独立して１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すが、１，４−シクロへキシレン基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられても良く、１，４−フェニレン基中に存在する１個の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子又は塩素原子に置換されても良く、ｍ^ｉ１１及びｍ^ｉ１２はそれぞれ独立して０又は１を表し、Ｒ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｚ^ｉ１及びＺ^ｉ２は、それぞれ独立して一般式（ｉ）におけるＲ^ｉ１、Ｒ^ｉ２、Ｚ^ｉ１及びＺ^ｉ２と同じ意味を表す。）
   で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項１に記載の液晶表示素子。
3. 一般式（ＩＶ）で表される化合物として、一般式（ＩＶ−１）
   

   

   （式中、Ｒ^４１１及びＲ^４１２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基を表し、Ａ^４１１は１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表し、ｋは１又は２を表すが、ｋが２の場合２つのＡは同一であっても異なっていてもよい。）で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項１又は請求項２記載の液晶表示素子。
4. 一般式（ＩＶ−１）で表される化合物として、下記一般式（ＩＶ−１ａ）
   

   

   （式中、Ｒ^４１１及びＲ^４１２はそれぞれ独立して一般式（ＩＶ−１）におけるＲ^４１１及びＲ^４１２と同じ意味を表す。）で表される化合物を１種又は２種以上含有する請求項３に記載の液晶表示素子。
5. 更に、一般式（ＬＣ６）
   

   

   （式中、Ｒ^ＬＣ６１及びＲ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、Ａ^ＬＣ６１及びＡ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して
   （ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
   （ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
   （ｃ） （ｃ）ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
   からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、ｍ^ＬＣ６１及びｍ^ＬＣ６２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表し、ｍ^ＬＣ６１＋ｍ^ＬＣ６２は１、２又は３であり、Ａ^ＬＣ６１及びＡ^ＬＣ６２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）
   で表される化合物群から選ばれる化合物を１種又は２種以上含有する請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
6. 前記画素電極が櫛形であるか又は、スリットを有する請求項１〜５のいずれか一項に記載の液晶表示素子。
7. 液晶組成物に添加剤を混合することにより得られる液晶組成物を使用した請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の液晶表示素子。

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