JP6057379B2 - 窒化銅微粒子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
(1)一次粒子の粒径が1〜100nmであり、かつ分解温度が常圧(ただし、VIII族金属触媒の存在下を除く)で300℃以下である窒化銅微粒子。
(2)二次粒子の粒径が1μm以下である上記(1)に記載の窒化銅微粒子。
(3)示差熱天秤分析において70℃〜300℃の範囲に重量減少を伴う分解温度を持つ
上記(1)または(2)に記載の窒化銅微粒子。
(4)電子顕微鏡観察において、二次粒子が球状である上記(1)〜(3)のいずれかに
記載の窒化銅微粒子。
(5)粉末X線回折において、CuKα線で21.5〜24.5°および31.0〜34.0°、39.0〜42.0°、46.0〜49.0°のいずれかの領域に少なくとも一つ以上の窒化銅由来の回折ピークを持つ上記(1)〜(4)のいずれかに記載の窒化銅微粒子。
(6)銅源および窒素源、または銅源、窒素源および保護剤を、溶媒または分散媒に溶解
または分散させ、ついで加熱することにより上記(1)〜(5)のいずれかに記載の窒化
銅微粒子を製造することを特徴とする窒化銅微粒子の製造方法。
(7)銅源が、無機銅塩、有機銅塩および銅錯体から選ばれる1種以上を含む上記(6)
に記載の窒化銅微粒子の製造方法。
(8)窒素源が、アンモニアガスまたはアンモニウム塩化合物、尿素、尿素誘導体化合物
、硝酸塩化合物、アミン化合物、およびアジ化化合物から選ばれる1種以上を含む上記(
6)または(7)に記載の窒化銅微粒子の製造方法。
(9)銅源および窒素源が、結合または配位した窒素含有銅錯体である上記(6)〜(8
)のいずれかに記載の窒化銅微粒子の製造方法。
(10)保護剤が、少なくとも1つ以上のカルボキシル基、アミノ基および/またはヒド
ロキシル基を有する化合物であることを特徴とする上記(6)〜(9)のいずれかに記載
の窒化銅微粒子の製造方法。
(11)溶媒が、沸点100℃以上の有機溶媒である上記(6)〜(10)のいずれかに
記載の窒化銅微粒子の製造方法。
(12)加熱温度が100〜250℃である上記(6)〜(11)のいずれかに記載の窒
(13)溶媒に対する銅源の濃度が、Cu1+またはCu2+換算で0.0001〜1
mol/Lの濃度である上記(6)〜(12)のいずれかに記載の窒化銅微粒子の製造方
法。
(14)上記(1)に記載の窒化銅微粒子を含む配線用インク材料。
(15)上記(14)に記載の配線用インク材料を塗布してなる被印刷基材。
トリフルオロアセチルアセトナト銅、アクリル酸銅、プロピオール酸銅、メタクリル酸銅、クロトン酸銅、イソクロトン酸銅、オレイン酸銅、リシノレン酸銅、安息香酸銅、トルイル酸銅、ナフトエ酸銅、桂皮酸銅、などを例示できる。また、炭素数1〜20の直鎖状または分岐状、環状の飽和または不飽和炭化水素鎖にカルボキシル基が2つ以上結合している多価カルボキシルタイプも挙げられる。例えば、フマル酸銅、マレイン酸銅、フタル酸銅、イソフタル酸銅、テレフタル酸銅、蓚酸銅、マロン酸銅、琥珀酸銅、グルタル酸銅、アジピン酸銅、ピメリン酸銅、スベリン酸銅、アゼライン酸銅、セバシン酸銅、等が例示できる。
ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デカニルアミン、シクロヘキシルアミン、2−メチルシクロヘキシルアミン、アリルアミン、オレイルアミン、アニリン、トルイジン、エチルアニリン等を例示できる。また、分子内に2以上の1級から4級のアミノ基を有する多価アミン化合物も挙げられ、ジアミンとしては、ジアミノブタン、ヘキサメチレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、m−キシリジンジアミン、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、トルイレンジアミン、4,4′−ジアミノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、3,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ジアミノビフェニル、3,3′−ジメチル−4,4′−ジアミノビフェニル、4,4′−ジアミノジフェニルスルフィド、2,6−ジアミノナフタレン、4,4′−ビス(p−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン、4,4′−ビス(m−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン、4,4′−ビス(p−アミノフェノキシ)ベンゾフェノフェン、4,4′−ビス(m−アミノフェノキシ)ベンゾフェノフェン、4,4′−ビス(p−アミノフェニルメルカプト)ベンゾフェノン、4,4′−ビス(p−アミノフェニルメルカプト)ジフェニルスルホン等を、トリアミンとしては、4,4′,4″−トリアミノトリフェニルメタン、トリアムテレン等を具体的に例示することができる。また、多価アミン化合物は、ヘキサメチレンジアミンなどの脂肪族多価アミンとp−フェニレンジアミンなどの芳香族多価アミンに大別することができる。
不飽和の炭化水素鎖Rに1つのカルボキシル基が結合している化合物であり、R−COOHの化学構造式で表される。
本発明の窒化銅微粒子は、上記のように、示差熱天秤分析(常圧)において、70℃〜300℃の範囲に重量(質量)減少を伴う分解温度を持つ。この窒化銅微粒子は印刷により配線を行うことが可能であり、大気や水に対して耐酸化性があるので、印刷などによりフィルム上に配線を描画し、300℃以下の熱処理後に導電性を示す材料を提供し得る。
すなわち、窒化銅微粒子を配線用インク材料として高分子基板またはフィルム等を被印刷基材として塗布後、加熱処理を行う際、被印刷機材が熱による損傷、たとえば溶融及び/または変形、分解、炭化を受けない温度で処理できるという利点をもたらす。
以上のように、本発明によれば、本発明の窒化銅微粒子を含む配線用インク材料、この配線用インク材料を塗布してなる被印刷基材、ならびにこの被印刷基材を300℃以下で熱処理することにより、窒化銅微粒子から金属銅膜が形成されてなる被印刷基材を提供し得る。配線用インク材料の被印刷基材への塗布は、インクジェット法、スプレー法、静電噴霧法、孔版法、シルクスクリーン法等を用いて、常法により行うことができる。熱処理後に得られる金属銅膜は、導電性を示すが、用いる窒化銅微粒子の一次粒径を、50nm以下、好ましくは30nm以下、もっと好ましくは20nm以下、最も好ましくは10nm以下に、微細化すること等により、たとえば10−5Ω程度までの実用的な導電性を付与し得る。
実施例1
酢酸銅(II)(0.5mmol)の1―オクタノール溶液(50mL)を三口フラスコ内で調製した。アンモニアガスを吹き込みながら230℃のオイルバスを用いて、溶液温度190℃で1時間、加熱して、赤紫色沈殿物を確認した。この沈殿物を遠心沈殿によりろ別し、n−ヘキサンを用いて数回洗浄した後、真空乾燥を行った。この粉体を粉末エックス線回折装置(マックサイエンス社のM21X:40kV、200mA、CuKα)を用いて結晶相を分析(XRD測定)し、透過型電子顕微鏡(TEM)観察(FEI社のTECNAI G2、加速電圧200kV、エミッション電流8μA)を行った。
熱分解測定は、示差熱天秤((株)リガクのThermo plus EVOII:昇温速度5℃/分、アルミナ標準試料、Ar気流中、常圧または減圧(600Pa))で測定した。
実施例2
酢酸銅(II)(0.5mmol)の1−ノナノール溶液(50mL)を三口フラスコ内で調製した。アンモニアガスを吹き込みながら230℃のオイルバスを用いて、溶液温度190℃で1時間、加熱して赤紫色沈殿物を確認した。この沈殿物を遠心沈殿によりろ別し、n−ヘキサンを用いて数回洗浄した後、真空乾燥を行った。この粉体をXRD測定およびTEM観察を行った。
実施例3
オクタン酸銅(II)(0.28mmol)の1―オクタノール溶液(20mL)を三口フラスコ内で調製した。アンモニアガスを吹き込みながら230℃のオイルバスを用いて、190℃で1時間、加熱して黒色沈殿物を確認した。この沈殿物を遠心沈殿によりろ別し、n−ヘキサンを用いて数回洗浄した後、真空乾燥を行った。この粉体のXRD測定およびTEM観察を行った。
実施例4
オクタン酸銅(II)(0.28mmol)およびノニルアミン(1mmol)の1−オクタノール溶液(20mL)を三口フラスコ内で調製した。アンモニアガスを吹き込みながら230℃のオイルバスを用いて、190℃で1時間、加熱して黒色沈殿物を確認した。この沈殿物を遠心沈殿によりろ別し、n−ヘキサンを用いて数回洗浄したのち、真空乾燥を行った。この粉体のXRD測定およびTEM観察を行った。
実施例5
ミリスチン酸銅(II)(0.28mmol)の1−オクタノール溶液(20mL)を三口フラスコ内で調製した。アンモニアガスを吹き込みながら230℃のオイルバスを用いて、190℃で1時間、加熱して黒色沈殿物を確認した。この沈殿物を遠心沈殿によりろ別し、n−ヘキサンを用いて数回洗浄した後、真空乾燥を行った。この粉体のXRD測定およびTEM観察を行った。
実施例6
ラウリン酸銅(II)(0.28mmol)の1―オクタノール溶液(20mL)を三口フラスコ内で調製した。アンモニアガスを吹き込みながら230℃のオイルバスを用いて、190℃で1時間、加熱して黒色沈殿物を確認した。この沈殿物を遠心沈殿によりろ別し、n−ヘキサンを用いて数回洗浄した後、真空乾燥を行った。この粉体のXRD測定およびTEM観察を行った。
実施例7
オクタン酸銅(II)(0.28mmol)のドデカン溶液(20mL)を三口フラスコ内で調製した。アンモニアガスを吹き込みながら230℃のオイルバスを用いて、190℃で1時間、加熱して黒色沈殿物を確認した。この沈殿物を遠心沈殿によりろ別し、n−ヘキサンを用いて数回洗浄した後、真空乾燥を行った。この粉体のXRD測定およびTEM観察を行った。
実施例8
アジ化アンミン銅(II)(0.1mmol)の1―オクタノール溶液(10mL)を三口フラスコ内で調製した。アンモニアガスを吹き込みながら220℃のオイルバスを用いて、180℃で1時間、加熱して黒色沈殿物を確認した。沈殿物は遠心沈殿によるろ別後、n−ヘキサンを用いて数回洗浄した後、真空乾燥を行った。これら粉体のXRD測定およびTEM観察を行った。
実施例9
アジ化アンミン銅(II)(0.2mmol)およびヘキシルアミン(1mmol)の1―オクタノール溶液(10mL)を三口フラスコ内で調製した。アンモニアガスを吹き込みながら220℃のオイルバスを用いて、180℃で1時間、加熱して黒色沈殿物を確認した。沈殿物は遠心沈殿によるろ別後、n−ヘキサンを用いて数回洗浄した後、真空乾燥を行った。これら粉体のXRD測定およびTEM観察を行った。
実施例10
酢酸銅(II)(0.5mmol)および酢酸アンモニウム(5mmol)の1−ノナノール溶液(50mL)を三口フラスコ内で調製した。窒素ガスを吹き込みながら230℃のオイルバスを用いて、溶液温度190℃で1時間、加熱して赤紫色沈殿物を確認した。この沈殿物を遠心沈殿によりろ別し、n−ヘキサンを用いて数回洗浄したのち、真空乾燥を行った。この粉体をXRD測定およびTEM観察を行った。
Claims (15)
- 一次粒子の粒径が1〜100nmであり、かつ分解温度が常圧(ただし、VIII族金属触媒の存在下を除く)で300℃以下である窒化銅微粒子。
- 二次粒子の粒径が1μm以下である請求項1に記載の窒化銅微粒子。
- 示差熱天秤分析において70℃〜300℃の範囲に重量減少を伴う分解温度を持つ請求
項1または2に記載の窒化銅微粒子。 - 電子顕微鏡観察において、二次粒子が球状である請求項1〜3のいずれか1項に記載の
窒化銅微粒子。 - 粉末X線回折において、CuKα線で21.5〜24.5°および31.0〜34.0°、39.0〜42.0°、46.0〜49.0°のいずれかの領域に少なくとも一つ以上の窒化銅由来の回折ピークを持つ請求項1〜4のいずれか1項に記載の窒化銅微粒子。
- 銅源および窒素源、または銅源、窒素源および保護剤を、溶媒または分散媒に溶解また
は分散させ、ついで加熱することにより請求項1〜5のいずれか1項に記載の窒化銅微粒
子を製造することを特徴とする窒化銅微粒子の製造方法。 - 銅源が、無機銅塩、有機銅塩および銅錯体から選ばれる1種以上を含む請求項6に記載
の窒化銅微粒子の製造方法。 - 窒素源が、アンモニアガスまたはアンモニウム塩化合物、尿素、尿素誘導体化合物、硝
酸塩化合物、アミン化合物、およびアジ化化合物から選ばれる1種以上を含む請求項6ま
たは7に記載の窒化銅微粒子の製造方法。 - 銅源および窒素源が、結合または配位した窒素含有銅錯体である請求項6〜8のいずれ
か1項に記載の窒化銅微粒子の製造方法。 - 保護剤が、少なくとも1つ以上のカルボキシル基、アミノ基および/またはヒドロキシ
ル基を有する化合物であることを特徴とする請求項6〜9のいずれか1項に記載の窒化銅
微粒子の製造方法。 - 溶媒が、沸点100℃以上の有機溶媒である請求項6〜10のいずれか1項に記載の窒
化銅微粒子の製造方法。 - 加熱温度が100〜250℃である請求項6〜11のいずれか1項に記載の窒化銅微粒
子の製造方法。 - 溶媒に対する銅源の濃度が、Cu1+またはCu2+換算で0.0001〜1 mol
/Lの濃度である請求項6〜11のいずれか1項に記載の窒化銅微粒子の製造方法。 - 請求項1に記載の窒化銅微粒子を含む配線用インク材料。
- 請求項14に記載の配線用インク材料を塗布してなる被印刷基材。
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