JP6056312B2 - 半導電性セラミックス焼結体 - Google Patents
半導電性セラミックス焼結体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6056312B2 JP6056312B2 JP2012206882A JP2012206882A JP6056312B2 JP 6056312 B2 JP6056312 B2 JP 6056312B2 JP 2012206882 A JP2012206882 A JP 2012206882A JP 2012206882 A JP2012206882 A JP 2012206882A JP 6056312 B2 JP6056312 B2 JP 6056312B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase
- sintered body
- ceramic sintered
- semiconductive ceramic
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 66
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 42
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 29
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 157
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 20
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- YDZQQRWRVYGNER-UHFFFAOYSA-N iron;titanium;trihydrate Chemical group O.O.O.[Ti].[Fe] YDZQQRWRVYGNER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 3
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229920005822 acrylic binder Polymers 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011505 plaster Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000009774 resonance method Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
- C04B35/111—Fine ceramics
- C04B35/117—Composites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/71—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
- C04B2235/3234—Titanates, not containing zirconia
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
- C04B2235/3267—MnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3272—Iron oxides or oxide forming salts thereof, e.g. hematite, magnetite
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5463—Particle size distributions
- C04B2235/5472—Bimodal, multi-modal or multi-fraction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
- C04B2235/85—Intergranular or grain boundary phases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
Description
従って、本発明は、種々の特性に優れる半導電性セラミック焼結体の提供をその目的としている。特に、静電気除去または帯電防止を可能とする導電性に優れ、また機械的特性または経時的安定性に優れる半導電性セラミックス焼結体の提供をその目的としている。
半導電性セラミック焼結体であって、
主相と、該主相間に存在する導電相とを含んでなり、
前記主相が、Al2O3粒子を含んでなるセラミックス焼結相であり、
前記導電相が、前記主相に対するその面積が0%より大きく10%を超えず、
前記導電相が、Mn、FeおよびTiから選ばれる少なくとも2つ以上を含み、かつその組成がMn/(Ti+Mn+Fe)>0.08またはMn/Ti>0.15の関係を満たしていることを特徴とするものである。
半導電性セラミックス焼結体
本発明の半導電性セラミックス焼結体は、主相と、該主相間に存在する導電相とを含んでなり、前記主相が、Al2O3粒子を含んでなるセラミックス焼結相であり、前記導電相が、前記主相に対するその面積が0%より大きく10%を超えず、前記導電相が、Mn、FeおよびTiから選ばれる少なくとも2つ以上を含み、かつその組成がMn/(Ti+Mn+Fe)>0.08またはMn/Ti>0.15の関係を満たしていることを特徴とするものである。
本発明の半導電性セラミックス焼結体の製造方法について記載する。導電性物質となる原料であるMnO2、Fe2O3、TiO2について純度が95%以上で、3種類の原料それぞれの平均粒径が5μm以下のものを使用することが好ましい。さらに好ましくは3μm以下であり、よりさらに好ましくは1μm以下である。本発明による半導電性セラミックス焼結体の焼結機構は好ましくは液相焼結であり、5μmを超える平均粒径では、その導電性物質の部分が液相となったときに成形体に液相が拡散していき残存気孔となる。添加量は3種の合計が25wt%以下とすることが好ましい。さらに好ましくは23wt%以下であり、よりさらに好ましくは21wt%以下である。25wt%以下の量を添加すると、機械的物性を損なわず、導電相と主相であるAl2O3との熱膨張差により残留応力の発生やクラックの発生の懸念がない。
(焼結体導電相の面積比)
焼結体の導電相の面積比分析をレーザー顕微鏡により実施した。レーザー顕微鏡には島津製OLS4000を使用した。観察範囲は480μm×480μmとし、該範囲における輝度像を撮影した。導電相は遷移金属を含むことから輝度が高く、画像解析によって高輝度部分を導電相として分離することが可能である。画像解析にはWinROOF V6.5を使用した。レーザー顕微鏡によって得られた像をモノクロ化し、単色閾値170〜210での二値化によって導電相を分離し面積比を解析した。面積比はポア部分を除いた総面積に対する導電相の面積の割合とした。サンプルの作製条件はEFMによる観察と同様に鏡面研磨したものを用いた。
焼結体の導電相の組成分析を走査型電子顕微鏡により実施した。走査型電子顕微鏡にはFEI製Quanta250を使用した。測定条件は、SEM観察条件(SE,BE)は、加速電圧は10kV、ワーキングディスタンスは8mm、スポットは4、倍率は2000倍である。EDS分析条件は、加速電圧は10kV、ワーキングディスタンスは10mm、スポットは7、倍率は2000倍、画素数は256×220、フレーム時間は2000、Rateは4、ドリフト補正ズーム係数は2である。導電相の組成分析には、Thermo Fisher Scientific製の解析ソフトNORAN SYSTEM7を使用した。上記倍率で撮影した画像において元素マッピング分析を行い、組成比別に相を分離し、導電相に該当する相の組成比を得た。サンプルの作製条件はEFMによる観察と同様に鏡面研磨したのち、白金蒸着を行い作製した。
焼結体に結晶相が存在するかどうか、また存在する場合における当該結晶相の同定はX線回折装置により実施することができる。X線回折装置には、例えばPANalytical製X’PertPROを使用することができる。また、焼成体のX線回折によるピーク強度の測定条件は、X線出力(CuKα線)は45kV、40mAとし、走査範囲は27°から34°、走査速度は0.005°/s、走査時間は1s/0.005°として行うことができる。また、ピーク強度を相対比較するため、以下の手法を用いることができる。すなわち、各サンプルに高純度金属珪素粉(純度99.9999%)を1wt%物理混合する。測定した金属珪素の(111)面に帰属するピーク強度とその半値幅からピーク面積Xを算出し、イルメナイトの(104)面に帰属するピーク強度とその半値幅からピーク面積Yを算出し、Y/Xに100を乗じたものをその相対面積比とする。各ピーク強度は、各ピーク角度の近傍の最大ピーク高さとする。
表面抵抗値測定には、三菱化学製ハイレスタ-UP(MCP-HT450)を使用し、測定を実施した。測定環境は、測定温度23±1℃、湿度50%以下である。サンプル測定用プローブにはURプローブ(MCP-HTP12)を使用した。測定条件は、印加電圧を1000Vとし、印加後60s表面抵抗値が安定するまで待ち、表面抵抗値を測定した。サンプルの表、裏の2回測定し、その平均値をその焼結体の表面抵抗値とした。サンプルの作製条件は、焼結体の表面から厚み1mmを♯80の砥石で研削し、作製した。
ヤング率を共振法にて測定し、比重をアルキメデス法により測定し、前者を後者で除した値を比剛性として算出した。ヤング率の測定には、日本テクノプラス製JE-RT3を使用した。また、アルキメデス法による比重測定には、天秤にザルトリウス製CP224Sを使用した。
アルキメデス法により測定した乾重(乾燥重量)、水中重量(水中での重量)、および飽水重(水中重を測定したサンプルを乾いた布で拭いたときの重量。開気孔があれば乾重より重くなる。)により算出した。算出方法は、飽水重から乾重を引き、その値を乾重で除した値に100を乗じる。
実施例1、11および12について、レーザー顕微鏡、SEM、EFM、およびXRDによる画像撮影を行った。
図1は、実施例1における、第1相に導電性物質で構成される導電相の中に海島状にAl2O3粒子が存在し、第2相にAl2O3粒子で構成される主相中に存在する前記第1相と同じ組成を持ち、かつ第1相同士を三次元的に繋ぐ構造の導電相を有する微構造をレーザー顕微鏡により撮影した画像である。
焼結体の導電相の可視化を電気力顕微鏡(EFM)により実施した。本発明における導電相とは、半導電性セラミックス焼結体において電荷が移動できる相を指し、原子間力顕微鏡(AFM)の電気力顕微鏡モードを用いて漏洩電界勾配像として観察することができる。電気力顕微鏡には、Bruker製AFM(DI社D-3100)を使用した。観察範囲は65μm×65μm、測定条件は、Analog2は6V、Scan rateは0.8Hz、Lift scan heightは1nmとした。サンプルの作製条件は、BUEHLER製自動研磨機を用い、粒径1μmの砥粒でバフ研磨し、鏡面仕上げをして、アセトンで超音波洗浄を行い作製した。
・Phase1:Feを含むアルミナによる相。
・Phase2:Fe、Mn、Tiによるイルメナイト相を形成している。この相が導電性に寄与している。
・Phase3:Mnリッチの相。
・Phase4:Mn、Feのスピネルを形成している相。この相も導電性に寄与している。
・Phase5:Tiリッチの相。
・Phase6:Mnを含むアルミナによる相。
Claims (12)
- Al 2 O 3 およびSiO 2 を少なくとも含んでなる半導電性セラミック焼結体であって、
主相と、該主相間に存在する導電相とを含んでなり、
前記主相が、Al2O3粒子を含んでなるセラミックス焼結相であり、
前記導電相が、前記主相に対するその面積が0%より大きく10%を超えず、
前記導電相が、Mn、FeおよびTiから選ばれる少なくとも2つ以上を含み、かつその組成がMn/(Ti+Mn+Fe)>0.08またはMn/Ti>0.15の関係を満たしていることを特徴とする、半導電性セラミックス焼結体。 - 前記導電相が、FeおよびTiを含むものである、請求項1に記載の半導電性セラミックス焼結体。
- 前記導電相が、さらにMnを含むものである、請求項2に記載の半導電性セラミックス焼結体。
- 前記導電相が、MnおよびTiを含むものである、請求項1に記載の半導電性セラミックス焼結体。
- 前記半導電性セラミックス焼結体の表面抵抗率が1013[Ω/□]以下である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導電性セラミックス焼結体。
- 前記半導電性セラミックス焼結体の比剛性率が60[GPa]以上である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導電性セラミックス焼結体。
- 前記半導電性セラミックス焼結体の吸水率が0.1%以下である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導電性セラミックス焼結体。
- SiO 2 の量が10wt%以下である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導電性セラミックス焼結体。
- SiO 2 の量が8wt%以下である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導電性セラミックス焼結体。
- SiO 2 の量が6wt%以下である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導電性セラミックス焼結体。
- SiO 2 がガラス相として存在している、請求項1〜10のいずれか一項に記載の半導電性セラミックス焼結体。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載の半導電性セラミックス焼結体により形成されてなる、液晶または半導体製造装置用構造部材。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012206882A JP6056312B2 (ja) | 2011-12-02 | 2012-09-20 | 半導電性セラミックス焼結体 |
TW101141495A TWI496759B (zh) | 2011-12-02 | 2012-11-08 | Semi - conductive ceramic sintered body |
KR1020120137723A KR101415121B1 (ko) | 2011-12-02 | 2012-11-30 | 반도전성 세라믹스 소결체 |
US13/690,183 US8736024B2 (en) | 2011-12-02 | 2012-11-30 | Semiconductive ceramic sintered compact |
EP12195061.2A EP2599758B1 (en) | 2011-12-02 | 2012-11-30 | Semiconductive ceramic sintered compact |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011264389 | 2011-12-02 | ||
JP2011264389 | 2011-12-02 | ||
JP2012206882A JP6056312B2 (ja) | 2011-12-02 | 2012-09-20 | 半導電性セラミックス焼結体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013136504A JP2013136504A (ja) | 2013-07-11 |
JP6056312B2 true JP6056312B2 (ja) | 2017-01-11 |
Family
ID=47351458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012206882A Active JP6056312B2 (ja) | 2011-12-02 | 2012-09-20 | 半導電性セラミックス焼結体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8736024B2 (ja) |
EP (1) | EP2599758B1 (ja) |
JP (1) | JP6056312B2 (ja) |
KR (1) | KR101415121B1 (ja) |
TW (1) | TWI496759B (ja) |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5424118B1 (ja) * | 1968-10-18 | 1979-08-18 | ||
US4714640A (en) * | 1986-02-04 | 1987-12-22 | General Electric Co. | (Alumina electrically conductive) guide article |
US7253869B1 (en) * | 1993-06-30 | 2007-08-07 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Silicon-on-sapphire display with audio transducer and method of fabricating same |
JP3359489B2 (ja) | 1996-03-29 | 2002-12-24 | 京セラ株式会社 | 導電性セラミックス |
JP4248833B2 (ja) * | 2002-09-12 | 2009-04-02 | 株式会社ソディック | セラミックス及びその製造方法 |
CN101061079A (zh) | 2002-11-22 | 2007-10-24 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 氧化锆韧化的氧化铝esd安全陶瓷组合物、元件、及其制造方法 |
JP5189786B2 (ja) | 2007-04-19 | 2013-04-24 | 株式会社ニッカトー | 導電性アルミナ質焼結体 |
JP5188226B2 (ja) * | 2007-10-29 | 2013-04-24 | 京セラ株式会社 | 耐摩耗性磁器および摺動部材ならびにポンプ |
CN101842332B (zh) | 2007-10-29 | 2014-05-21 | 京瓷株式会社 | 耐磨损性陶瓷及滑动部件以及泵 |
-
2012
- 2012-09-20 JP JP2012206882A patent/JP6056312B2/ja active Active
- 2012-11-08 TW TW101141495A patent/TWI496759B/zh active
- 2012-11-30 US US13/690,183 patent/US8736024B2/en active Active
- 2012-11-30 EP EP12195061.2A patent/EP2599758B1/en active Active
- 2012-11-30 KR KR1020120137723A patent/KR101415121B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2599758B1 (en) | 2020-06-10 |
KR101415121B1 (ko) | 2014-07-04 |
TW201329014A (zh) | 2013-07-16 |
EP2599758A1 (en) | 2013-06-05 |
US20130140679A1 (en) | 2013-06-06 |
US8736024B2 (en) | 2014-05-27 |
JP2013136504A (ja) | 2013-07-11 |
TWI496759B (zh) | 2015-08-21 |
KR20130062241A (ko) | 2013-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9136031B2 (en) | Alumina sintered body, member including the same, and semiconductor manufacturing apparatus | |
JP5998787B2 (ja) | 半導電性セラミックス焼結体 | |
JP2005314215A (ja) | 緻密質コーディエライト焼結体及びその製造方法 | |
JP5593529B2 (ja) | 黒色ジルコニア強化アルミナセラミックスおよびその製造方法 | |
WO2020235651A1 (ja) | 複合焼結体、静電チャック部材、静電チャック装置および複合焼結体の製造方法 | |
JP2004018296A (ja) | アルミナ質焼結体及びその製造方法 | |
JP4871567B2 (ja) | 多孔質導電性ジルコニア質焼結体およびそれよりなる真空チャック部材 | |
JP5303345B2 (ja) | 導電性ジルコニア焼結体 | |
JP6526889B1 (ja) | セラミックス層と銅粉ペースト焼結体の積層体 | |
JP2001064080A (ja) | 窒化珪素焼結体及びその製造方法 | |
JP6056312B2 (ja) | 半導電性セラミックス焼結体 | |
KR100989230B1 (ko) | 정전척 | |
JP2008266069A (ja) | 導電性アルミナ質焼結体 | |
JP2004244273A (ja) | セラミックス焼結体 | |
CN110167902B (zh) | 热处理用载置部件 | |
JP6015012B2 (ja) | 静電チャック部材 | |
JP4368975B2 (ja) | 高耐電圧性アルミナ基焼結体およびその製造方法 | |
KR102036555B1 (ko) | 열전소재 및 이의 제조방법 | |
Murakami et al. | Microanalysis of grain boundary on low-temperature sintered Pb (Zr, Ti) O3 ceramics with complex oxide additives | |
JP2008288428A (ja) | 静電チャック | |
JP6911953B1 (ja) | 抵抗調整低導電性アルミナジルコニア複合セラミックスおよびその製造方法 | |
KR102014164B1 (ko) | 열전소재 및 이의 제조방법 | |
JP6426416B2 (ja) | 圧電セラミックス及びその製造方法 | |
JP2024005959A (ja) | セラミック基板 | |
JP2001089243A (ja) | 窒化アルミニウム質セラミックス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150914 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160624 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160809 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161007 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6056312 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |