JP6038584B2 - 非接合的に格納される半導体デバイス - Google Patents
非接合的に格納される半導体デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP6038584B2 JP6038584B2 JP2012226517A JP2012226517A JP6038584B2 JP 6038584 B2 JP6038584 B2 JP 6038584B2 JP 2012226517 A JP2012226517 A JP 2012226517A JP 2012226517 A JP2012226517 A JP 2012226517A JP 6038584 B2 JP6038584 B2 JP 6038584B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- internal cavity
- semiconductor die
- semiconductor
- device package
- die
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 128
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 10
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/053—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body
- H01L23/055—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having an insulating or insulated base as a mounting for the semiconductor body the leads having a passage through the base
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/0045—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure
- B81B7/0048—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure between the MEMS die and the substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/0061—Packages or encapsulation suitable for fluid transfer from the MEMS out of the package or vice versa, e.g. transfer of liquid, gas, sound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0264—Pressure sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/146—Mixed devices
- H01L2924/1461—MEMS
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15151—Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16151—Cap comprising an aperture, e.g. for pressure control, encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/162—Disposition
- H01L2924/16251—Connecting to an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. cap-to-substrate
Description
一実施形態において、前記格納体は、複数の電気接点により内部キャビティおよび外部を規定する。前記複数の電気接点は、それぞれ、前記内部キャビティから前記外部へと延びる。前記半導体ダイは前記内部キャビティ内に収容され、複数のワイヤーボンドにより、前記半導体ダイが前記電気接点へと可撓的に接続される。前記ワイヤーボンドのたわみにより調整された前記格納体に関し、前記半導体が前記格納体の前記内部キャビティ内を自由に移動することが可能となり、これにより、前記格納体と前記半導体間との間のパッケージング応力および歪みを軽減することが可能となる。
Claims (16)
- 半導体デバイスパッケージであって、
格納体であって、前記格納体が、内部キャビティおよび外部を複数の電気接点と共に規定し、前記複数の電気接点がそれぞれ、前記内部キャビティから前記外部へと延びる、格納体と、
前記内部キャビティ内に複数のワイヤーボンドによって収容された半導体ダイであって、前記複数のワイヤーボンドが、前記半導体ダイを前記電気接点へと可撓的に接続させ、前記ワイヤーボンドのたわみにより調整された前記格納体に関して、前記半導体が前記格納体の前記内部キャビティ内を自由に移動することが可能となり、これにより、前記格納体と前記半導体間との間のパッケージング応力および歪みを軽減することが可能となる、半導体ダイと、を含む、半導体デバイスパッケージ。 - 前記内部キャビティが複数の内面を含み、前記半導体ダイが複数のダイ表面を含み、前記複数のダイ表面がそれぞれ、前記内部キャビティの前記内面それぞれに対向し、前記内部キャビティの各内面および前記ダイ表面が、相互に接触している場合であっても相互に移動できるように構成される、請求項1に記載の半導体デバイスパッケージ。
- 前記内部キャビティが複数の内面を含み、前記半導体ダイと前記内面との間に隙間空間が規定され、自由に相互移動している前記半導体ダイと前記内部キャビティの表面との間の任意の接触面を促進するために、前記隙間空間に潤滑流体が少なくとも部分的に充填される、請求項1に記載の半導体デバイスパッケージ。
- 前記半導体ダイの少なくとも3本の軸の並進運動が前記内部キャビティに対して可能となるのに十分な隙間が前記内部キャビティと前記半導体ダイとの間に形成される、請求項1に記載の半導体デバイスパッケージ。
- 前記隙間の寸法が、前記半導体ダイの外側格納フィーチャに対する位置および空間アライメントおよび配向を所定の程度で維持することで前記ワイヤーボンドを過度のたわみに起因する損傷から保護するために、3本の軸全てにおける前記内部キャビティに対して前記半導体ダイの移動が所定の程度まで制限できるような寸法である、請求項4に記載の半導体デバイスパッケージ。
- 前記格納体がキャップに取り付けられたベースを含み、前記ベースが、前記電気接点と、前記内部キャビティの少なくとも1つの表面とを含み、前記キャップが、前記内部キャビティの少なくとも1つの表面を含む、請求項1に記載の半導体デバイスパッケージ。
- 前記半導体ダイがMEMS圧力センサーを含み、前記格納体のベースおよびキャップのうち少なくとも1つはアパチャを含み、前記アパチャが、前記内部キャビティから内部を貫通して前記外部へと延び、前記アパチャが、前記MEMS圧力センサーへの雰囲気圧力の連通のためにダイヤフラムによって被覆される、請求項6に記載の半導体デバイスパッケージ。
- 半導体デバイスパッケージであって、
格納体であって、前記格納体が、内部キャビティおよび外部を複数の電気接点と共に規定し、前記複数の電気接点がそれぞれ、前記内部キャビティから前記外部へと延びる、格納体と、
複数の可撓性ワイヤーボンドを介して前記格納体の前記電気接点と電気通信する半導体ダイであって、前記ワイヤーボンドが、前記格納体と前記半導体ダイとの間の唯一の固定接続であり、前記ワイヤーボンドのたわみにより調整された前記格納体に関して、前記半導体が前記格納体の前記内部キャビティ内を自由に移動することが可能となり、これにより、前記格納体と前記半導体間との間のパッケージング応力および歪みが軽減される、半導体ダイと、を含む、半導体デバイスパッケージ。 - 前記内部キャビティが複数の内面を含み、前記半導体ダイが複数のダイ表面を含み、前記複数のダイ表面が、それぞれ、前記内部キャビティの前記内面にそれぞれ対向し、前記内部キャビティの各内面および前記ダイ表面が、相互に接触している場合であっても相互に移動できるように構成および適合される、請求項8に記載の半導体デバイスパッケージ。
- 前記内部キャビティが複数の内面を含み、前記半導体ダイと前記内面との間に隙間空間が画定され、自由に相互移動している前記半導体ダイと前記内部キャビティの表面との間の任意の接触面を促進するために、前記隙間空間に潤滑流体が少なくとも部分的に充填される、請求項8に記載の半導体デバイスパッケージ。
- 前記半導体ダイの少なくとも3本の軸の並進運動が前記内部キャビティに対して可能となるのに十分な隙間が前記内部キャビティと前記半導体ダイとの間に形成される、請求項8に記載の半導体デバイスパッケージ。
- 前記隙間の寸法が、前記半導体ダイの外側格納フィーチャに対する位置および空間アライメントおよび配向を所定の程度で維持することで前記ワイヤーボンドを過度のたわみに起因する損傷から保護するために、3本の軸全てにおける前記内部キャビティに対して前記半導体ダイの移動が所定の程度まで制限できるような寸法である、請求項11に記載の半導体デバイスパッケージ。
- 前記格納体がキャップに取り付けられたベースを含み、前記ベースが、前記電気接点と、前記内部キャビティの少なくとも1つの表面とを含み、前記キャップが、前記内部キャビティの少なくとも1つの表面を含む、請求項8に記載の半導体デバイスパッケージ。
- 前記半導体ダイがMEMS圧力センサーを含み、前記格納体のベースおよびキャップのうち少なくとも1つはアパチャを含み、前記アパチャが、前記内部キャビティから内部を貫通して前記外部へと延び、前記アパチャが、前記MEMS圧力センサーへの雰囲気圧力
の連通のためにダイヤフラムによって被覆される、請求項13に記載の半導体デバイスパッケージ。 - 半導体デバイスパッケージであって、
格納体であって、前記格納体が、内部キャビティおよび外部を複数の電気接点と共に規定し、前記複数の電気接点がそれぞれ、前記内部キャビティから前記外部へと延びる、格納体と、
前記内部キャビティ内に収容された半導体ダイであって、前記半導体ダイが前記内部キャビティから取り外されており、かつ前記内部キャビティに接着されていない状態であり、これにより、前記格納体と前記半導体ダイとの間のパッケージング応力および歪みが緩和される、半導体ダイと、を含む、半導体デバイスパッケージにおいて、 前記内部キャビティが複数の内面を含み、前記半導体ダイと前記内面との間に隙間空間が規定され、自由に相互移動している前記半導体ダイと前記内部キャビティの表面との間の任意の接触面を促進するために、前記隙間空間に潤滑流体が少なくとも部分的に充填される、半導体デ
バイスパッケージ。 - 半導体デバイスパッケージであって、
格納体であって、前記格納体が、内部キャビティおよび外部を複数の電気接点と共に規定し、前記複数の電気接点がそれぞれ、前記内部キャビティから前記外部へと延びる、格納体と、
前記内部キャビティ内に収容された半導体ダイであって、前記半導体ダイが前記内部キャビティから取り外されており、かつ前記内部キャビティに接着されていない状態であり、これにより、前記格納体と前記半導体ダイとの間のパッケージング応力および歪みが緩和される、半導体ダイと、
を含む、半導体デバイスパッケージにおいて、
前記半導体ダイの少なくとも3本の軸の並進運動が前記内部キャビティに対して可能となるのに十分な隙間が前記内部キャビティと前記半導体ダイとの間に形成され、前記隙間の寸法が、前記半導体ダイの外側格納フィーチャに対する位置および空間アライメントおよび配向を所定の程度で維持することでワイヤーボンドを過度のたわみに起因する損傷から保護するために、3本の軸全てにおける前記内部キャビティに対して前記半導体ダイの移動が所定の程度まで制限できるような寸法である、半導体デバイスパッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/272,613 US8436433B1 (en) | 2011-10-13 | 2011-10-13 | Unattached contained semiconductor devices |
US13/272,613 | 2011-10-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013089959A JP2013089959A (ja) | 2013-05-13 |
JP6038584B2 true JP6038584B2 (ja) | 2016-12-07 |
Family
ID=47325783
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012226517A Active JP6038584B2 (ja) | 2011-10-13 | 2012-10-12 | 非接合的に格納される半導体デバイス |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8436433B1 (ja) |
EP (1) | EP2581936B1 (ja) |
JP (1) | JP6038584B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2840375A1 (en) * | 2013-08-19 | 2015-02-25 | Sensirion AG | Device with a micro- or nanoscale structure |
EP2871455B1 (en) | 2013-11-06 | 2020-03-04 | Invensense, Inc. | Pressure sensor |
EP3367082A1 (en) | 2013-11-06 | 2018-08-29 | Invensense, Inc. | Pressure sensor |
US9261425B2 (en) * | 2014-01-02 | 2016-02-16 | Rosemount Aerospace Inc. | High temperature pressure sensor |
JP6637896B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2020-01-29 | エムシー10 インコーポレイテッドMc10,Inc. | 電子デバイス用の可撓性を有するマルチパート封止ハウジングを備えるコンフォーマルなicデバイス |
DE102014014103A1 (de) * | 2014-09-30 | 2016-03-31 | Hella Kgaa Hueck & Co. | Sensormodul zur Messung eines Druckes eines Fluides mit mindestens einer auf einem Schaltungsträger angeordneten elektronischen Schaltung, insbesondere einem integrierten Schaltkreis und mindestens einem Druckmesschip |
US10477354B2 (en) | 2015-02-20 | 2019-11-12 | Mc10, Inc. | Automated detection and configuration of wearable devices based on on-body status, location, and/or orientation |
EP3614115A1 (en) | 2015-04-02 | 2020-02-26 | InvenSense, Inc. | Pressure sensor |
US9969614B2 (en) * | 2015-05-29 | 2018-05-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | MEMS packages and methods of manufacture thereof |
US10278281B1 (en) * | 2015-10-30 | 2019-04-30 | Garmin International, Inc. | MEMS stress isolation and stabilization system |
CN105668507A (zh) * | 2016-01-22 | 2016-06-15 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | Mems芯片的封装结构及封装方法 |
EP3420732B8 (en) | 2016-02-22 | 2020-12-30 | Medidata Solutions, Inc. | System, devices, and method for on-body data and power transmission |
US10132705B2 (en) | 2016-07-19 | 2018-11-20 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | Low-stress floating-chip pressure sensors |
US10447347B2 (en) | 2016-08-12 | 2019-10-15 | Mc10, Inc. | Wireless charger and high speed data off-loader |
US10481025B2 (en) | 2017-01-26 | 2019-11-19 | Rosemount Aerospace Inc. | Piezoresistive sensor with spring flexures for stress isolation |
US11225409B2 (en) | 2018-09-17 | 2022-01-18 | Invensense, Inc. | Sensor with integrated heater |
CN113785178A (zh) | 2019-05-17 | 2021-12-10 | 应美盛股份有限公司 | 气密性改进的压力传感器 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1843626A2 (en) * | 2000-04-26 | 2007-10-10 | Hosiden Corporation | Semiconductor electret capacitor microphone |
US7439616B2 (en) * | 2000-11-28 | 2008-10-21 | Knowles Electronics, Llc | Miniature silicon condenser microphone |
KR100675026B1 (ko) * | 2003-11-05 | 2007-01-29 | 주식회사 비에스이 | 메인 pcb에 콘덴서 마이크로폰을 실장하는 방법 |
EP1638366B1 (en) * | 2004-09-20 | 2015-08-26 | Sonion Nederland B.V. | A microphone assembly |
DE202005001559U1 (de) * | 2005-01-31 | 2005-05-19 | Microelectronic Packaging Dresden Gmbh | Chipaufbau für stressempfindliche Chips |
DE102005008512B4 (de) * | 2005-02-24 | 2016-06-23 | Epcos Ag | Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon |
JP4568202B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2010-10-27 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
DE102005050398A1 (de) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Epcos Ag | Gehäuse mit Hohlraum für ein mechanisch empfindliches elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung |
TWI370101B (en) * | 2007-05-15 | 2012-08-11 | Ind Tech Res Inst | Package and packaging assembly of microelectromechanical sysyem microphone |
US8148808B2 (en) * | 2007-08-13 | 2012-04-03 | Lv Sensors, Inc. | Partitioning of electronic packages |
US20110042137A1 (en) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Honeywell International Inc. | Suspended lead frame electronic package |
US20110160609A1 (en) * | 2009-12-29 | 2011-06-30 | Stone Robert T | Method and system for monitoring pressure in a body cavity |
-
2011
- 2011-10-13 US US13/272,613 patent/US8436433B1/en active Active
-
2012
- 2012-09-25 EP EP12185965.6A patent/EP2581936B1/en active Active
- 2012-10-12 JP JP2012226517A patent/JP6038584B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2581936A3 (en) | 2016-12-21 |
US8436433B1 (en) | 2013-05-07 |
JP2013089959A (ja) | 2013-05-13 |
EP2581936A2 (en) | 2013-04-17 |
EP2581936B1 (en) | 2020-08-26 |
US20130093030A1 (en) | 2013-04-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6038584B2 (ja) | 非接合的に格納される半導体デバイス | |
US10611628B2 (en) | MEMS isolation platform with three-dimensional vibration and stress isolation | |
US9446944B2 (en) | Sensor apparatus and method for producing a sensor apparatus | |
US8643127B2 (en) | Sensor device packaging | |
US20080277747A1 (en) | MEMS device support structure for sensor packaging | |
JP2005538551A (ja) | 応力除去手段を具備するマイクロチップ | |
JP2010276508A (ja) | 加速度センサー素子およびこれを有する加速度センサー | |
JP2011106955A (ja) | 加速度センサ、及び加速度センサの製造方法 | |
JP4835058B2 (ja) | センサパッケージ | |
WO2007020701A1 (ja) | 加速度センサ装置 | |
JP6807486B2 (ja) | 圧力センサ構成およびその製造方法 | |
US10132705B2 (en) | Low-stress floating-chip pressure sensors | |
US20070228499A1 (en) | MEMS device package with thermally compliant insert | |
US20130320466A1 (en) | Package for Damping Inertial Sensor | |
JP2006302943A (ja) | マイクロ構造体 | |
US10843917B2 (en) | Micromechanical device having a decoupled micromechanical structure | |
JP2010085143A (ja) | 加速度センサー | |
CN103196593B (zh) | 谐振式微机械压力传感器及传感器芯片的低应力组装方法 | |
JP2008224525A (ja) | 3軸加速度センサー | |
JP2010107240A (ja) | 1軸加速度センサ及びそれを用いた3軸加速度センサ | |
JP2020030212A (ja) | センサパッケージ、およびセンサパッケージの製造方法 | |
JP4706634B2 (ja) | 半導体センサおよびその製造方法 | |
JP5299353B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5821158B1 (ja) | 複合センサデバイス | |
JPWO2007020700A1 (ja) | 加速度センサ装置およびセンサ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150415 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160804 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20160804 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160913 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160916 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161006 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161102 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6038584 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |