JP6033116B2 - Laminated wafer processing method and adhesive sheet - Google Patents

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Description

本発明は、ウェーハに複数のチップが配設された積層ウェーハの加工方法および該加工方法に用いて好適な粘着シートに関する。   The present invention relates to a method for processing a laminated wafer in which a plurality of chips are arranged on a wafer, and an adhesive sheet suitable for use in the processing method.

複数の半導体デバイスを１つのパッケージに集積する手法の１つに、複数の半導体デバイスチップを三次元方向に積層して実装するＣｏＷ（Chip on Wafer）等の三次元実装が知られている。ＣｏＷは、ウェーハ上にチップが積層された積層ウェーハのウェーハを個々のチップごとに分割することで、チップ上にチップが積層された積層チップを形成するものである（特許文献１参照）。   As one method for integrating a plurality of semiconductor devices in one package, three-dimensional mounting such as CoW (Chip on Wafer) is known in which a plurality of semiconductor device chips are stacked and mounted in a three-dimensional direction. CoW forms a stacked chip in which chips are stacked on a chip by dividing a wafer of a stacked wafer in which chips are stacked on a wafer into individual chips (see Patent Document 1).

一方、この種のウェーハを分割するには、切削装置の切削ブレードをウェーハに切り込ませる機械加工によるダイシングが一般的である（特許文献２参照）。また、近年では、レーザビーム照射によりウェーハ内部に改質層を形成した後、ウェーハに外力を付与して改質層を分割起点として分割する方法が開発され（特許文献３参照）、その方法において外力を付与するためにウェーハに貼着した粘着シートを拡張する技術が提案されている（特許文献４参照）。   On the other hand, in order to divide this type of wafer, dicing by machining in which a cutting blade of a cutting device is cut into the wafer is generally used (see Patent Document 2). In recent years, a method has been developed in which a modified layer is formed inside a wafer by laser beam irradiation, and then an external force is applied to the wafer to divide the modified layer using a division starting point (see Patent Document 3). A technique for expanding an adhesive sheet attached to a wafer in order to apply an external force has been proposed (see Patent Document 4).

特開２０１２−２０９５２２号公報JP 2012-209522 A 特開２００７−２１４２０１号公報JP 2007-214201 A 特許第３４０８８０５号公報Japanese Patent No. 3408805 特開２０１０−０３４２５０号公報JP 2010-034250 A

ところで、内部に配線や電極等が作り込まれたインターポーザウェーハが、三次元実装を実現するウェーハとして実用化されている。このようなインターポーザウェーハに複数のチップを積層した積層ウェーハを個々のチップに分割して得た積層チップにおいては、インターポーザウェーハに形成されたバンプ等の電極に対し特性検査を行う場合がある。そのため、積層チップに分割された後には、インターポーザウェーハ側を上面とし、チップ側を粘着シートで支持して、該検査を可能にする必要がある。したがって、通常実施されているようにウェーハ側すなわちインターポーザウェーハ側に粘着シートを貼着して分割した場合には、ウェーハ分割後、チップ側に粘着シートを貼着してウェーハ側の粘着シートを剥離させるといった粘着シートの転写工程を実施すれば積層チップのインターポーザウェーハに対する検査が可能となる。しかしながら、この転写工程は手間がかかり生産性の低下を招くものであった。   By the way, an interposer wafer in which wirings, electrodes, and the like are formed is put into practical use as a wafer that realizes three-dimensional mounting. In a laminated chip obtained by dividing a laminated wafer obtained by laminating a plurality of chips on such an interposer wafer into individual chips, characteristics inspection may be performed on electrodes such as bumps formed on the interposer wafer. Therefore, after being divided into laminated chips, it is necessary to make the inspection possible by using the interposer wafer side as an upper surface and supporting the chip side with an adhesive sheet. Therefore, if the adhesive sheet is attached to the wafer side, that is, the interposer wafer side and divided as usual, the adhesive sheet on the chip side is peeled off after the wafer is divided. If the transfer process of the pressure-sensitive adhesive sheet is performed, the interposer wafer of the laminated chip can be inspected. However, this transfer process is time-consuming and causes a decrease in productivity.

そこで、積層ウェーハのチップ側に粘着シートを貼着し、インターポーザウェーハ側を露出させた状態でインターポーザウェーハを分割することで粘着シートの転写の必要を解消することが可能である。しかし、積層ウェーハにおいては外周部にチップが積層されないため、インターポーザウェーハ側にはチップ領域と外周部との間に段差があり、このため、チップ側に粘着シートを貼着した場合、インターポーザウェーハの外周部が粘着シート側に撓んでしまう現象が生じる。   Therefore, it is possible to eliminate the need for the transfer of the adhesive sheet by sticking the adhesive sheet to the chip side of the laminated wafer and dividing the interposer wafer with the interposer wafer side exposed. However, in the laminated wafer, since chips are not laminated on the outer peripheral portion, there is a step between the chip region and the outer peripheral portion on the interposer wafer side. Therefore, when an adhesive sheet is stuck on the chip side, the interposer wafer The phenomenon that an outer peripheral part bends to the adhesive sheet side arises.

このようにインターポーザウェーハの外周部に撓みが生じると、上記分割起点をインターポーザウェーハに形成して分割する場合において、撓み量によっては該分割起点をチップ領域と外周部との境界部分に適切に形成することができないといった問題が生じる。例えば分割起点がレーザビーム照射による改質層である場合には集光点にずれが生じて改質層が形成されず、また、分割起点がレーザ加工あるいは切削加工による溝である場合には溝の深さが不十分となる。そして、例え分割起点が形成されたとしても、上記特許文献４に記載される粘着シートの拡張によるウェーハの分割方法では、上記段差があることによってインターポーザウェーハの外周部に粘着シートが十分に貼着されないため、チップ領域と外周部との境界部分には拡張による外力が該境界部分に伝わりにくく、最外周部の積層チップは分割することができないといった問題が生じる。   In this way, when the outer periphery of the interposer wafer is bent, when the above dividing starting point is formed on the interposer wafer and divided, the dividing starting point is appropriately formed at the boundary between the chip region and the outer peripheral part depending on the amount of bending. The problem of not being able to do occurs. For example, when the division starting point is a modified layer by laser beam irradiation, the condensing point is displaced and the modified layer is not formed, and when the division starting point is a groove formed by laser processing or cutting, a groove is formed. The depth of becomes insufficient. And even if the division starting point is formed, in the method of dividing a wafer by expanding the pressure-sensitive adhesive sheet described in Patent Document 4, the pressure-sensitive adhesive sheet is sufficiently adhered to the outer peripheral portion of the interposer wafer due to the step. Therefore, an external force due to expansion is hardly transmitted to the boundary portion between the chip region and the outer peripheral portion, and there is a problem that the laminated chip in the outermost peripheral portion cannot be divided.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その主な技術的課題は、ウェーハに複数のチップが積層された積層ウェーハにおいて、チップ側を粘着シートに貼着した状態でもウェーハを確実に個々の積層チップへと分割することができる積層ウェーハの加工方法および粘着シートを提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and the main technical problem thereof is that in a laminated wafer in which a plurality of chips are laminated on a wafer, the wafer can be reliably secured even when the chip side is adhered to an adhesive sheet. An object of the present invention is to provide a laminated wafer processing method and an adhesive sheet that can be divided into individual laminated chips.

本発明の積層ウェーハの加工方法は、ウェーハと、交差する複数の分割予定ラインで区画された該ウェーハの表面の各領域にそれぞれ積層されたチップと、を備え、複数の該チップが積層されたチップ領域と、該チップ領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、該チップ領域と該外周余剰領域との間に段差が形成された積層ウェーハの加工方法であって、前記積層ウェーハの前記チップ側に粘着シートを貼着する粘着シート貼着ステップと、該粘着シート貼着ステップを実施した後、前記積層ウェーハにおけるウェーハの裏面側から前記分割予定ラインに対応する領域に沿って分割起点を形成する分割起点形成ステップと、該分割起点形成ステップを実施した後、前記積層ウェーハに外力を付与して前記分割起点を起点に前記ウェーハを分割する分割ステップと、を備え、前記粘着シートは、基材層と、該基材層上に配設された糊層と、前記積層ウェーハの前記外周余剰領域に対応して該糊層上に形成された突起部と、を有し、少なくとも該突起部の上面は前記ウェーハに対して接着性を有し、前記粘着シート貼着ステップを実施した後、前記積層ウェーハの前記チップが前記粘着シートの前記糊層に貼着されるとともに、前記外周余剰領域が前記突起部で支持された状態で前記積層ウェーハに前記分割起点形成ステップと前記分割ステップとが実施されることを特徴とする（請求項１）。   A method for processing a laminated wafer according to the present invention includes a wafer and chips stacked in each region on the surface of the wafer partitioned by a plurality of intersecting scheduled lines, and the plurality of chips are stacked. A method for processing a laminated wafer, comprising: a chip region; and an outer peripheral surplus region surrounding the chip region, wherein a step is formed between the chip region and the outer surplus region, wherein the chip of the laminated wafer After carrying out the pressure-sensitive adhesive sheet sticking step for sticking the pressure-sensitive adhesive sheet to the side, and the pressure-sensitive adhesive sheet sticking step, the division starting point is formed along the region corresponding to the division line from the back side of the wafer in the laminated wafer After performing the division starting point forming step and the division starting point forming step, an external force is applied to the laminated wafer to divide the wafer from the division starting point. The adhesive sheet is formed on the glue layer corresponding to the outer peripheral surplus region of the laminated wafer, and a glue layer disposed on the glue layer. And at least the upper surface of the protrusion has adhesiveness to the wafer, and after performing the adhesive sheet attaching step, the chip of the laminated wafer is the adhesive sheet. The division starting point forming step and the dividing step are performed on the laminated wafer in a state where the outer peripheral surplus region is supported by the protrusions while being attached to the adhesive layer. ).

本発明の積層ウェーハの加工方法では、粘着シート貼着ステップでチップ側に粘着シートを貼着された積層ウェーハは、粘着シートの突起部の上面が積層ウェーハの段差よりも外周側の外周余剰領域に接着し、該外周余剰領域が突起部で支持された状態となる。したがってウェーハの外周余剰領域が粘着シート側に撓むことが抑えられ、その結果、ウェーハに分割起点を形成して外力付与によりウェーハを積層チップに分割するにあたり、分割起点を適切に形成することが可能となる。したがって積層ウェーハのチップ側を粘着シートに貼着した状態でもウェーハを個々のチップへと分割することができ、とりわけ、粘着シートを拡張してウェーハを分割する場合に最外周部の積層チップも分割することができる。また、ウェーハを分割する前に積層ウェーハのチップ側に粘着シートを貼着するため、ウェーハ側に粘着シートを貼着した状態で分割する場合に必要となる粘着シートの転写工程が不要となる。   In the laminated wafer processing method of the present invention, the laminated wafer having the adhesive sheet adhered to the chip side in the adhesive sheet adhering step, the upper surface of the protruding portion of the adhesive sheet is the outer peripheral surplus area on the outer peripheral side than the step of the laminated wafer. And the outer peripheral surplus region is supported by the protrusions. Therefore, it is possible to prevent the outer peripheral area of the wafer from being bent toward the adhesive sheet, and as a result, when the division starting point is formed on the wafer and the wafer is divided into the laminated chips by applying external force, the division starting point can be appropriately formed. It becomes possible. Therefore, even when the chip side of the laminated wafer is attached to the adhesive sheet, the wafer can be divided into individual chips. Especially when the adhesive sheet is expanded and the wafer is divided, the outermost laminated chip is also divided. can do. In addition, since the pressure-sensitive adhesive sheet is attached to the chip side of the laminated wafer before dividing the wafer, the transfer process of the pressure-sensitive adhesive sheet, which is necessary when dividing the wafer with the pressure-sensitive adhesive sheet attached to the wafer side, becomes unnecessary.

本発明の前記分割ステップでは、前記粘着シートを拡張することで前記ウェーハに外力を付与する形態を含む（請求項２）。この形態では、上記のようにウェーハの最外周部の積層チップも他の積層チップと同様に分割することができる。   The dividing step of the present invention includes a mode in which an external force is applied to the wafer by expanding the pressure-sensitive adhesive sheet (Claim 2). In this embodiment, as described above, the laminated chip at the outermost peripheral portion of the wafer can be divided in the same manner as other laminated chips.

また、前記分割起点形成ステップでは、前記ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを照射して該ウェーハ内部に改質層を形成する形態を含む（請求項３）。   The split starting point forming step includes a mode in which a modified layer is formed inside the wafer by irradiating the wafer with a laser beam having a wavelength having transparency.

次に、本発明の粘着シートは、上記請求項１〜３に記載の積層ウェーハの加工方法で使用される粘着シートであって、基材層と、該基材層上に配設された糊層と、前記積層ウェーハの前記外周余剰領域に対応して該糊層上に形成された突起部と、を有し、少なくとも該突起部の上面が前記積層ウェーハの前記ウェーハに対して接着性を有することを特徴とする。   Next, the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is a pressure-sensitive adhesive sheet used in the method for processing a laminated wafer according to any one of claims 1 to 3, and includes a base material layer and a paste disposed on the base material layer. And a projection formed on the glue layer corresponding to the outer peripheral surplus area of the laminated wafer, and at least the upper surface of the projection is adhesive to the wafer of the laminated wafer. It is characterized by having.

本発明によれば、ウェーハに複数のチップが積層された積層ウェーハにおいて、チップ側を粘着シートに貼着した状態でもウェーハを確実に個々の積層チップへと分割することができる積層ウェーハの加工方法および粘着シートが提供されるといった効果を奏する。   According to the present invention, in a laminated wafer in which a plurality of chips are laminated on a wafer, the method for processing a laminated wafer can reliably divide the wafer into individual laminated chips even when the chip side is attached to an adhesive sheet. And there exists an effect that an adhesive sheet is provided.

本発明の一実施形態に係る加工方法で分割される積層ウェーハの（ａ）斜視図、（ｂ）側面図、（ｃ）一部拡大平面図である。It is the (a) perspective view, (b) side view, and (c) partial enlarged plan view of the laminated wafer divided | segmented with the processing method which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る粘着シートの（ａ）斜視図、（ｂ）一部拡大断面図である。It is (a) perspective view of the adhesive sheet which concerns on one Embodiment of this invention, (b) It is a partially expanded sectional view. 一実施形態の加工方法で粘着シートに貼着されるフレームおよび積層ウェーハを分解状態で示す斜視図である。It is a perspective view which shows the flame | frame and laminated wafer which are affixed on an adhesive sheet with the processing method of one Embodiment in an exploded state. 同加工方法の粘着シート貼着ステップを示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the adhesive sheet sticking step of the processing method. 同加工方法の分割起点形成ステップを示す（ａ）側断面図、（ｂ）改質層形成の詳細を示す図である。It is the (a) sectional side view which shows the division | segmentation starting point formation step of the processing method, (b) The figure which shows the detail of modified layer formation. 分割起点形成ステップを経てウェーハ内部に改質層が形成された積層ウェーハの一部側断面図である。It is a partial sectional view of the laminated wafer in which the modified layer is formed inside the wafer through the division starting point forming step. 一実施形態の加工方法の分割ステップを示す側断面図である。It is a sectional side view which shows the division | segmentation step of the processing method of one Embodiment.

［１］積層ウェーハ
図１は、一実施形態で個々の積層チップに分割される積層ウェーハ１を示している。積層ウェーハ１は、内部に配線や電極等が作り込まれた円板状のインターポーザウェーハ（以下、ウェーハと略称する）１０の表面１０ａに多数の矩形状のチップ１５が積層されたものである。チップ１５は半導体デバイス等であり、各チップ１５は、図１（ｃ）に示すように格子状の分割予定ライン１１でウェーハ１０の表面１０ａに区画された矩形状の各領域１２に積層されている。ウェーハ１０は予め裏面１０ｂ側が研削されて所定厚さに薄化加工されている。 [1] Laminated wafer FIG. 1 shows a laminated wafer 1 divided into individual laminated chips in one embodiment. The laminated wafer 1 is obtained by laminating a large number of rectangular chips 15 on a surface 10a of a disk-shaped interposer wafer (hereinafter abbreviated as a wafer) 10 in which wirings, electrodes and the like are formed. The chip 15 is a semiconductor device or the like, and each chip 15 is stacked on each rectangular region 12 partitioned on the surface 10a of the wafer 10 by a lattice-shaped division line 11 as shown in FIG. Yes. The wafer 10 is previously thinned to a predetermined thickness by grinding the back surface 10b side in advance.

積層ウェーハ１は、多数のチップ１５が積層された略矩形状のチップ領域１Ａと、チップ１５が積層されない外周部の外周余剰領域１Ｂとに分けられる。チップ１５の厚さは例えば１００μｍ程度であり、したがって図１（ｂ）に示すように、チップ領域１Ａとチップ領域１Ａを囲繞する外周余剰領域１Ｂとの間には、チップ１５の厚さに応じた段差１６が形成されている。   The laminated wafer 1 is divided into a substantially rectangular chip area 1A in which a large number of chips 15 are laminated, and an outer peripheral surplus area 1B in an outer peripheral portion where the chips 15 are not laminated. The thickness of the chip 15 is, for example, about 100 μm. Therefore, as shown in FIG. 1B, between the chip region 1A and the outer peripheral surplus region 1B surrounding the chip region 1A, the thickness of the chip 15 depends on the thickness. A step 16 is formed.

［２］粘着シート
図２は、上記積層ウェーハ１に貼着される一実施形態の粘着シート２を示している。この粘着シート２は、図２（ｂ）に示すように、ＰＯ（ポリオレフィン）、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ＰＥ（ポリエチレンテレフタレート）等の柔軟性を有する樹脂シートからなる基材層２１の片面に、ゴム系あるいはアクリル系の樹脂からなる糊層２２が形成されたものである。この粘着シート２の糊層２２側には、環状の突起部３が配設されている。 [2] Adhesive Sheet FIG. 2 shows an adhesive sheet 2 of one embodiment that is adhered to the laminated wafer 1. As shown in FIG. 2B, the pressure-sensitive adhesive sheet 2 is formed on one side of a base material layer 21 made of a resin sheet having flexibility such as PO (polyolefin), PVC (polyvinyl chloride), PE (polyethylene terephthalate). A paste layer 22 made of a rubber or acrylic resin is formed. An annular protrusion 3 is disposed on the adhesive layer 22 side of the adhesive sheet 2.

突起部３は、ウェーハ１０の外周余剰領域１Ｂに対応する大きさを有しており、図２（ｂ）に示すように一定の幅を有する断面矩形状に形成されている。突起部３の内径は、積層ウェーハ１のチップ領域１Ａよりも大きく、かつ、ウェーハ１０の外径よりも小さい範囲に設定され、また突起部３の外径は、ウェーハ１０の外径よりも大きく設定されている。   The protrusion 3 has a size corresponding to the outer peripheral surplus region 1B of the wafer 10, and is formed in a rectangular cross section having a certain width as shown in FIG. The inner diameter of the protrusion 3 is set to be larger than the chip region 1A of the laminated wafer 1 and smaller than the outer diameter of the wafer 10, and the outer diameter of the protrusion 3 is larger than the outer diameter of the wafer 10. Is set.

突起部３は、図２（ｂ）に示すように粘着シート２と同様の構成、すなわち上記ＰＯ、ＰＶＣ等の柔軟性を有する樹脂からなる基材層３１上に糊層３２が形成されたテープで構成されたものが用いられ、粘着シート２の糊層２２上に基材層３１側が貼着して配設される。したがって突起部３の上面は糊層３２で形成され、接着性を有している。突起部３の厚さは、積層ウェーハ１の上記段差１６の高さ、すなわちチップ１５の厚さと同じ程度に設定される。すなわち、突起部３を構成するためのテープの厚さはチップ１５の厚さに応じて選択するものとし、また、チップ１５より薄いテープの場合には、複数のテープを積層させることでチップ１５の厚さと同等の突起部３を構成する。   As shown in FIG. 2B, the protrusion 3 has the same structure as the pressure-sensitive adhesive sheet 2, that is, a tape in which a paste layer 32 is formed on a base material layer 31 made of a flexible resin such as PO and PVC. The base material layer 31 side is adhered and disposed on the adhesive layer 22 of the pressure-sensitive adhesive sheet 2. Therefore, the upper surface of the protrusion 3 is formed of the glue layer 32 and has adhesiveness. The thickness of the protrusion 3 is set to the same level as the height of the step 16 of the laminated wafer 1, that is, the thickness of the chip 15. That is, the thickness of the tape for constituting the protrusion 3 is selected according to the thickness of the chip 15. In the case of a tape thinner than the chip 15, a plurality of tapes are laminated to form the chip 15. Protrusions 3 equivalent to the thickness of are formed.

［３］加工方法
次に、上記積層ウェーハ１のウェーハ１０を分割予定ライン１１に沿って分割して多数の積層チップを得る一実施形態に係る加工方法を説明する。 [3] Processing Method Next, a processing method according to an embodiment in which the wafer 10 of the laminated wafer 1 is divided along the division line 11 to obtain a large number of laminated chips will be described.

［３−１］粘着シート貼着ステップ
はじめに、図３に示すハンドリング用の環状のフレーム４を上記粘着シート２の突起部３の周囲に配設する。フレーム４は、ステンレス等の剛性を有する金属板等からなるもので、内周縁が円形状に形成されており、内径は突起部３の外径よりも大きく形成されている。フレーム４は突起部３と同心状に位置付けられて、図４に示すように粘着シート２の糊層２２に貼着される。 [3-1] Adhesive Sheet Adhesion Step First, an annular frame 4 for handling shown in FIG. 3 is disposed around the protrusion 3 of the adhesive sheet 2. The frame 4 is made of a metal plate having rigidity such as stainless steel, and has an inner peripheral edge formed in a circular shape, and has an inner diameter larger than the outer diameter of the protrusion 3. The frame 4 is positioned concentrically with the protrusion 3 and is attached to the adhesive layer 22 of the adhesive sheet 2 as shown in FIG.

続いて図４に示すように、フレーム４付きの粘着シート２に、積層ウェーハ１のチップ１５側を貼着する。すなわち、図４（ａ）に示すように、チップ１５を突起部３の内側の粘着シート２の糊層２２に対面させ、かつ、外周余剰領域１Ｂが突起部３に対応するように積層ウェーハ１を粘着シート２に対面配置し、この状態から図４（ｂ）に示すように各チップ１５を糊層２２に貼着するとともに、ウェーハ１０の表面１０ａ側の外周余剰領域１Ｂを突起部３の糊層３２に貼着する。これにより積層ウェーハ１においては各チップ１５が糊層２２に貼着されてウェーハ１０の裏面１０ｂが露出し、また、ウェーハ１０の表面１０ａ側の外周余剰領域１Ｂが突起部３の糊層３２に貼着されて該突起部３で支持された状態となる。突起部３の厚さはチップ１５の厚さと同程度であるため、ウェーハ１０の外周余剰領域１Ｂは粘着シート２側に撓まず、チップ領域１Ａと同じ平面上に位置してウェーハ１０全体が平坦に保持される。なお、フレーム４付きの粘着シート２に積層ウェーハ１を貼着した状態を得る手順としては上記に限られず、例えば積層ウェーハ１を粘着シート２に貼着してからフレーム４を粘着シート２に貼着してもよい。   Subsequently, as shown in FIG. 4, the chip 15 side of the laminated wafer 1 is attached to the adhesive sheet 2 with the frame 4. That is, as shown in FIG. 4A, the laminated wafer 1 is arranged so that the chip 15 faces the adhesive layer 22 of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 inside the protruding portion 3 and the outer peripheral surplus region 1B corresponds to the protruding portion 3. Is placed facing the adhesive sheet 2, and from this state, as shown in FIG. 4 (b), each chip 15 is adhered to the adhesive layer 22, and the outer peripheral surplus region 1B on the surface 10a side of the wafer 10 is formed on the protrusion 3 Adhere to the glue layer 32. As a result, in the laminated wafer 1, each chip 15 is adhered to the glue layer 22 to expose the back surface 10 b of the wafer 10, and the outer peripheral surplus area 1 B on the front surface 10 a side of the wafer 10 is formed on the glue layer 32 of the protrusion 3. Affixed and supported by the protrusion 3. Since the thickness of the protruding portion 3 is approximately the same as the thickness of the chip 15, the outer peripheral surplus area 1B of the wafer 10 does not bend toward the adhesive sheet 2 side, and is located on the same plane as the chip area 1A so that the entire wafer 10 is flat. Retained. The procedure for obtaining the state in which the laminated wafer 1 is adhered to the adhesive sheet 2 with the frame 4 is not limited to the above. For example, the laminated wafer 1 is adhered to the adhesive sheet 2 and then the frame 4 is adhered to the adhesive sheet 2. You may wear it.

［３−２］分割起点形成ステップ
次に、積層ウェーハ１のウェーハ１０の裏面１０ｂ側から分割予定ライン１１に対応する領域に沿って分割起点を形成する。分割起点は、例えばレーザ加工や切削加工による溝が挙げられるが、ここではレーザ加工による改質層を分割起点とするものとし、その改質層を次のように形成する。 [3-2] Division start point formation step Next, a division start point is formed along the region corresponding to the division line 11 from the back surface 10b side of the wafer 10 of the laminated wafer 1. Examples of the division starting point include grooves formed by laser processing or cutting. Here, a modified layer formed by laser processing is used as a division starting point, and the modified layer is formed as follows.

図５に示すように、保持手段５に裏面１０ｂ側を露出させて積層ウェーハ１を保持し、ウェーハ１０に対して透過性を有する波長のレーザビームＬをレーザ照射手段６から分割予定ライン１１に沿って照射することで、ウェーハ１０の内部に改質層１０ｃを形成する。図５（ｂ）に示すようにレーザビームＬの集光点は裏面１０ｂから所定深さに位置付けられ、これによってウェーハ１０の内部に分割予定ライン１１に沿って改質層１０ｃが形成される。改質層１０ｃは、ウェーハ１０内の他の部分よりも強度が低下した特性を有し、ウェーハ１０に外力が付与されると分割起点となってウェーハ１０が分割予定ライン１１に沿って分割される。   As shown in FIG. 5, the laminated wafer 1 is held by exposing the back surface 10 b side to the holding unit 5, and a laser beam L having a wavelength that is transmissive to the wafer 10 is applied from the laser irradiation unit 6 to the scheduled division line 11. By irradiating along, the modified layer 10 c is formed inside the wafer 10. As shown in FIG. 5B, the condensing point of the laser beam L is positioned at a predetermined depth from the back surface 10 b, thereby forming the modified layer 10 c along the planned division line 11 inside the wafer 10. The modified layer 10c has a characteristic in which the strength is lower than that of other portions in the wafer 10. When an external force is applied to the wafer 10, the modified layer 10c becomes a division starting point and the wafer 10 is divided along the scheduled division line 11. The

分割予定ライン１１に沿ったレーザビームＬの走査は保持手段５とレーザ照射手段６とを水平方向に相対移動させることでなされるが、ここでは保持手段５側が移動するものとしている。なお、レーザ照射手段６側が移動するものとしてもよく、保持手段５とレーザ照射手段６の双方が移動する構成であってもよい。   The scanning of the laser beam L along the scheduled division line 11 is performed by relatively moving the holding means 5 and the laser irradiation means 6 in the horizontal direction, and here, the holding means 5 side is assumed to move. The laser irradiation means 6 side may be moved, and both the holding means 5 and the laser irradiation means 6 may be moved.

保持手段５は、積層ウェーハ１を保持する水平な保持面５１ａを有する円板状の保持テーブル５１の周囲にフレーム４を保持する複数のクランプ機構５２が配設されたもので、積層ウェーハ１は粘着シート２を介して保持面５１ａに載置され、フレーム４がクランプ機構５２で挟持されることで粘着シート２に径方向外側に張力が付与された状態で保持手段５に保持される。   The holding means 5 is provided with a plurality of clamp mechanisms 52 for holding the frame 4 around a disc-like holding table 51 having a horizontal holding surface 51 a for holding the laminated wafer 1. The pressure-sensitive adhesive sheet 2 is placed on the holding surface 51a, and the frame 4 is held by the clamp mechanism 52, so that the pressure-sensitive adhesive sheet 2 is held by the holding means 5 in a state in which tension is applied radially outward.

保持手段５は、一方向（図５で左右方向）および該一方向に直交する他方向に移動可能に、かつ、中心を回転軸として回転可能に支持され、一方、レーザ照射手段６は固定的に支持されている。そして保持手段５を移動させて加工送りしながらレーザ照射手段６から分割予定ライン１１に沿ってレーザビームＬを照射することで、一方向に延びる分割予定ライン１１に沿ってウェーハ１０の内部に改質層１０ｃが形成され、他方向に移動させることでレーザビームを照射する分割予定ライン１１の割り出しを行うことができる。また、保持手段５を９０°回転させることで、未加工の分割予定ライン１１にレーザビームＬを照射することができる。   The holding means 5 is supported so as to be movable in one direction (left-right direction in FIG. 5) and in another direction orthogonal to the one direction and rotatable about the center as a rotation axis, while the laser irradiation means 6 is fixed. It is supported by. Then, the laser beam L is irradiated from the laser irradiation means 6 along the scheduled division line 11 while moving the holding means 5 and feeding it, so that the wafer 10 is reformed along the planned division line 11 extending in one direction. The quality layer 10c is formed, and by moving it in the other direction, it is possible to determine the division line 11 to be irradiated with the laser beam. Further, by rotating the holding means 5 by 90 °, it is possible to irradiate the unprocessed division line 11 with the laser beam L.

［３−３］分割ステップ
図６に示すように、上記分割起点形成ステップで全ての分割予定ライン１１に沿ってウェーハ１０内に改質層１０ｃを形成したら、保持手段５から積層ウェーハ１を搬出し、図７に示す拡張装置７に積層ウェーハ１を搬入する。 [3-3] Dividing Step As shown in FIG. 6, when the modified layer 10 c is formed in the wafer 10 along all the scheduled dividing lines 11 in the dividing starting point forming step, the laminated wafer 1 is unloaded from the holding means 5. Then, the laminated wafer 1 is carried into the expansion device 7 shown in FIG.

拡張装置７は、ウェーハ１０が載置される円筒テーブル７１と、円筒テーブル７１の周囲に配設された環状の昇降テーブル７２を備えている。円筒テーブル７１の外径は粘着シート２の突起部３よりも大径で、水平な上端開口部に粘着シート２を介して積層ウェーハ１が載置されるようになっている。昇降テーブル７２は円筒テーブル７１と同心状に、かつ、昇降可能に配設されており、エア圧や油圧を用いた流体圧シリンダ装置７３のピストンロッド７４が伸縮することによって昇降するようになっている。昇降テーブル７２には周方向に間隔をおいて複数のクランプ機構７５が配設されている。   The expansion device 7 includes a cylindrical table 71 on which the wafer 10 is placed, and an annular lifting table 72 disposed around the cylindrical table 71. The outer diameter of the cylindrical table 71 is larger than the protrusion 3 of the adhesive sheet 2, and the laminated wafer 1 is placed on the horizontal upper end opening via the adhesive sheet 2. The lifting table 72 is arranged concentrically with the cylindrical table 71 so as to be movable up and down, and moves up and down as the piston rod 74 of the fluid pressure cylinder device 73 using air pressure or hydraulic pressure expands and contracts. Yes. A plurality of clamping mechanisms 75 are arranged on the lifting table 72 at intervals in the circumferential direction.

分割ステップを実施するには、図７（ａ）に示すように昇降テーブル７２の高さ位置を円筒テーブル７１の上端開口部と同じとし、円筒テーブル７１の上端開口部に粘着シート２を介して積層ウェーハ１を載置するとともに、フレーム４をクランプ機構７５で挟持して固定し、粘着シート２を水平な状態として積層ウェーハ１を円筒テーブル７１上にセットする。続いて図７（ｂ）に示すように各シリンダ装置７３のピストンロッド７４を同期させて縮小し、昇降テーブル７２を下降させる。   In order to carry out the dividing step, as shown in FIG. 7A, the height position of the elevating table 72 is made the same as the upper end opening of the cylindrical table 71, and the upper end opening of the cylindrical table 71 is interposed through the adhesive sheet 2. The laminated wafer 1 is placed, and the frame 4 is sandwiched and fixed by the clamp mechanism 75, and the laminated wafer 1 is set on the cylindrical table 71 with the adhesive sheet 2 in a horizontal state. Subsequently, as shown in FIG. 7B, the piston rod 74 of each cylinder device 73 is contracted and reduced, and the lifting table 72 is lowered.

昇降テーブル７２が下降すると粘着シート２は径方向外側に引っ張られて拡張され、粘着シート２の拡張に伴い、ウェーハ１０には径方向外側に一様に引っ張られる外力が付与される。するとウェーハ１０は改質層１０ｃを起点として分割予定ライン１１に沿って分割され、積層ウェーハ１は、分割されたウェーハ１０上に１つのチップ１５が積層された個々の積層チップ１ｃに分割される。   When the elevating table 72 is lowered, the pressure-sensitive adhesive sheet 2 is expanded by being pulled outward in the radial direction. As the pressure-sensitive adhesive sheet 2 is expanded, an external force that is uniformly pulled outward in the radial direction is applied to the wafer 10. Then, the wafer 10 is divided along the scheduled division line 11 starting from the modified layer 10c, and the laminated wafer 1 is divided into individual laminated chips 1c in which one chip 15 is laminated on the divided wafer 10. .

以上で分割ステップは終了し、この後、粘着シート２にチップ１５が貼着された状態の各積層チップ１ｃは、裏面１０ｂが露出しているウェーハ１０に形成されている例えばバンプ等の電極に対し特性検査が実施される。該検査後、積層チップ１ｃは粘着シート２からピックアップされて次の工程に移される。   The division step is thus completed, and thereafter, each laminated chip 1c in a state where the chip 15 is adhered to the adhesive sheet 2 is applied to an electrode such as a bump formed on the wafer 10 where the back surface 10b is exposed. A characteristic inspection is performed. After the inspection, the laminated chip 1c is picked up from the adhesive sheet 2 and moved to the next step.

［４］一実施形態の作用効果
上記一実施形態によれば、粘着シート貼着ステップでチップ１５側に粘着シート２を貼着された積層ウェーハ１は、粘着シート２の突起部３の上面の糊層３２が積層ウェーハ１の段差１６よりも外周側であってウェーハ１０の表面１０ａ側の外周余剰領域１Ｂに接着し、外周余剰領域１Ｂが突起部３で支持された状態となる。したがって、ウェーハ１０の外周余剰領域１Ｂは突起部３に当接することで粘着シート２側に撓むことが抑えられる。 [4] Effects of One Embodiment According to the one embodiment, the laminated wafer 1 having the pressure-sensitive adhesive sheet 2 bonded to the chip 15 side in the pressure-sensitive adhesive sheet bonding step is formed on the upper surface of the protrusion 3 of the pressure-sensitive adhesive sheet 2. The glue layer 32 is adhered to the outer peripheral surplus region 1B on the outer peripheral side than the step 16 of the laminated wafer 1 and on the surface 10a side of the wafer 10, and the outer peripheral surplus region 1B is supported by the protrusions 3. Therefore, the outer peripheral surplus area 1B of the wafer 10 can be prevented from being bent toward the pressure-sensitive adhesive sheet 2 by contacting the protrusion 3.

この状態で分割起点形成ステップを実施することにより、チップ領域１Ａと外周余剰領域１Ｂとの境界部分である最外周部の分割予定ライン１１にもウェーハ１０内の所定深さ位置に集光点が位置付けられてレーザビームＬが照射され、改質層１０ｃが適切に形成される。また、突起部３の上面が糊層３２によってウェーハ１０の表面１０ａ側の外周余剰領域１Ｂに接着しているため、分割ステップでの粘着シート２の拡張時には最外周部の分割予定ライン１１にも拡張による外力が十分に伝わり、最外周部の積層チップ１ｃも他の積層チップ１ｃと同様に分割することができる。   By carrying out the division start point forming step in this state, a condensing point is also formed at a predetermined depth position in the wafer 10 in the division line 11 at the outermost peripheral portion which is a boundary portion between the chip region 1A and the outer peripheral surplus region 1B. Positioned and irradiated with the laser beam L, the modified layer 10c is appropriately formed. In addition, since the upper surface of the protrusion 3 is bonded to the outer peripheral surplus region 1B on the surface 10a side of the wafer 10 by the adhesive layer 32, when the adhesive sheet 2 is expanded in the dividing step, it is also formed on the planned dividing line 11 in the outermost peripheral portion. The external force due to the expansion is sufficiently transmitted, and the outermost multilayer chip 1c can be divided in the same manner as the other multilayer chips 1c.

また、積層ウェーハ１のチップ１５側に粘着シート２を貼着してウェーハ１０を分割するため、分割ステップ後の積層ウェーハ１ｃに対しては粘着シート２が貼着されたままの状態でウェーハ１０の裏面１０ｂに対する上記特性検査を続けて行うことができる。したがってウェーハ１０側に粘着シート２を貼着した状態で分割する場合に必要となる粘着シートの転写工程が不要となり、生産性の向上が図られる。   In addition, since the adhesive sheet 2 is attached to the chip 15 side of the laminated wafer 1 to divide the wafer 10, the wafer 10 is kept attached to the laminated wafer 1c after the dividing step. The above-described characteristic inspection can be continuously performed on the back surface 10b. Therefore, the transfer process of the pressure-sensitive adhesive sheet, which is necessary when the pressure-sensitive adhesive sheet 2 is divided with the pressure-sensitive adhesive sheet 2 adhered to the wafer 10 side, becomes unnecessary, and the productivity is improved.

なお、図２（ｂ）で示した本実施形態の突起部３の構成は一例であり、本発明の突起部は、積層ウェーハ１の外周余剰領域１Ｂに対応した大きさでチップ１５程度の厚さを有し、上面が接着性を有する構成であればよいものである。例えば、ＵＶ（紫外線）硬化型樹脂を粘着シート２の糊層２２上に外周余剰領域１Ｂに対応する大きさで形成して突起部を配設し、ウェーハ１０が粘着シート２に貼着された後、突起部にＵＶを照射してウェーハ１０の外周余剰領域１Ｂに接着するようにしてもよい。この場合には、突起部を形成するＵＶ硬化型樹脂はＵＶ照射後にも接着性が残るようなものを用い、粘着シート２側の粘着層２２はＵＶ照射を受けてもチップ１５への接着性を保持するためにＵＶ硬化型ではなく感圧式のものが好適である。突起部をＵＶ硬化型樹脂で形成する場合には、連続する環状に形成すると分割ステップで粘着シート２の拡張がＵＶ硬化型樹脂からなる突起部で規制される場合があるため、拡張が可能なようにドット状に配設するとよい。また、粘着シート２の糊層２２を局所的に厚く形成して環状の突起部３を糊層２２と同一の素材で形成してもよい。いずれの場合も粘着シート２に対面する上面は接着性を有するものとする。   The configuration of the protrusion 3 of this embodiment shown in FIG. 2B is an example, and the protrusion of the present invention has a size corresponding to the outer peripheral surplus region 1B of the laminated wafer 1 and a thickness of about the chip 15. In other words, the upper surface may have an adhesive property. For example, a UV (ultraviolet) curable resin is formed on the adhesive layer 22 of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 with a size corresponding to the outer peripheral surplus region 1 </ b> B, and the protrusions are disposed, and the wafer 10 is adhered to the pressure-sensitive adhesive sheet 2. Thereafter, the protrusions may be irradiated with UV to adhere to the outer peripheral surplus region 1B of the wafer 10. In this case, the UV curable resin that forms the protrusions is such that the adhesiveness remains even after UV irradiation, and the adhesive layer 22 on the adhesive sheet 2 side has adhesiveness to the chip 15 even when subjected to UV irradiation. In order to maintain the pressure, a pressure-sensitive type is preferable instead of the UV curable type. When the protrusion is formed of UV curable resin, if it is formed in a continuous annular shape, the expansion of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 may be restricted by the protrusion made of UV curable resin in the dividing step. It is good to arrange in a dot shape. Alternatively, the adhesive layer 22 of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 may be locally thick and the annular protrusion 3 may be formed of the same material as the adhesive layer 22. In any case, the upper surface facing the pressure-sensitive adhesive sheet 2 has adhesiveness.

また、上記実施形態のウェーハ１０はインターポーザウェーハであって、このウェーハ１０上にチップ１５を積層して積層ウェーハ１が構成されているが、例えばウェーハ１０は上記領域１２にＩＣやＬＳＩ等の電子回路からなるデバイスが形成されたデバイスウェーハとされ、デバイス上にチップ１５が積層された構成の積層ウェーハ等にも、本発明の加工方法で積層チップに分割することができる。   Further, the wafer 10 of the above embodiment is an interposer wafer, and the laminated wafer 1 is configured by stacking chips 15 on the wafer 10. For example, the wafer 10 is an electronic device such as an IC or LSI in the region 12. A device wafer in which a device composed of a circuit is formed, and a laminated wafer having a configuration in which chips 15 are laminated on the device can be divided into laminated chips by the processing method of the present invention.

１…積層ウェーハ
１Ａ…チップ領域
１Ｂ…外周余剰領域
１０…ウェーハ
１０ａ…ウェーハの表面
１０ｂ…ウェーハの裏面
１０ｃ…改質層（分割起点）
１１…分割予定ライン
１２…領域
１５…チップ
１６…段差
２…粘着シート
２１…粘着シート基材層
２２…粘着シートの糊層
３…突起部
Ｌ…レーザビーム DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Laminated wafer 1A ... Chip area | region 1B ... Periphery surplus area | region 10 ... Wafer 10a ... Wafer surface 10b ... Wafer back surface 10c ... Modified layer (division origin)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Scheduled division line 12 ... Area | region 15 ... Chip | tip 16 ... Level difference 2 ... Adhesive sheet 21 ... Adhesive sheet base material layer 22 ... Adhesive layer of adhesive sheet 3 ... Projection part L ... Laser beam

Claims (4)

ウェーハと、交差する複数の分割予定ラインで区画された該ウェーハの表面の各領域にそれぞれ積層されたチップと、を備え、複数の該チップが積層されたチップ領域と、該チップ領域を囲繞する外周余剰領域とを有し、該チップ領域と該外周余剰領域との間に段差が形成された積層ウェーハの加工方法であって、
前記積層ウェーハの前記チップ側に粘着シートを貼着する粘着シート貼着ステップと、
該粘着シート貼着ステップを実施した後、前記積層ウェーハのウェーハの裏面側から前記分割予定ラインに対応する領域に沿って分割起点を形成する分割起点形成ステップと、
該分割起点形成ステップを実施した後、前記積層ウェーハに外力を付与して前記分割起点を起点に前記ウェーハを分割する分割ステップと、を備え、
前記粘着シートは、基材層と、該基材層上に配設された糊層と、前記積層ウェーハの前記外周余剰領域に対応して該糊層上に形成された突起部と、を有し、少なくとも該突起部の上面は前記ウェーハに対して接着性を有し、
前記粘着シート貼着ステップを実施した後、前記積層ウェーハの前記チップが前記粘着シートの前記糊層に貼着されるとともに、前記外周余剰領域が前記突起部で支持された状態で前記積層ウェーハに前記分割起点形成ステップと前記分割ステップとが実施されること
を特徴とする積層ウェーハの加工方法。 A wafer and a chip stacked in each region on the surface of the wafer divided by a plurality of intersecting scheduled lines, and a chip region in which the plurality of chips are stacked and surrounds the chip region An outer peripheral surplus region, and a processing method of a laminated wafer in which a step is formed between the chip region and the outer peripheral surplus region,
An adhesive sheet attaching step of attaching an adhesive sheet to the chip side of the laminated wafer;
After performing the adhesive sheet sticking step, a split starting point forming step for forming a split starting point along a region corresponding to the split planned line from the back side of the wafer of the laminated wafer;
After performing the split starting point forming step, the split step of applying an external force to the laminated wafer to split the wafer from the split starting point,
The pressure-sensitive adhesive sheet has a base material layer, a glue layer disposed on the base material layer, and a protrusion formed on the glue layer corresponding to the excess outer peripheral area of the laminated wafer. And at least the upper surface of the protrusion has adhesiveness to the wafer,
After performing the adhesive sheet attaching step, the chip of the laminated wafer is attached to the adhesive layer of the adhesive sheet, and the outer peripheral surplus region is supported on the protruding portion on the laminated wafer. A method for processing a laminated wafer, wherein the division starting point forming step and the division step are performed. 前記分割ステップでは、前記粘着シートを拡張することで前記ウェーハに外力を付与することを特徴とする請求項１に記載の積層ウェーハの加工方法。   The laminated wafer processing method according to claim 1, wherein in the dividing step, an external force is applied to the wafer by expanding the pressure-sensitive adhesive sheet. 前記分割起点形成ステップでは、前記ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを照射して該ウェーハ内部に改質層を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の積層ウェーハの加工方法。   3. The laminated wafer according to claim 1, wherein in the division starting point forming step, a modified layer is formed inside the wafer by irradiating the wafer with a laser beam having a wavelength having transparency. Processing method. 請求項１〜３に記載の積層ウェーハの加工方法で使用される粘着シートであって、
基材層と、
該基材層上に配設された糊層と、
前記積層ウェーハの前記外周余剰領域に対応して該糊層上に形成された突起部と、を有し、
少なくとも該突起部の上面が前記積層ウェーハの前記ウェーハに対して接着性を有すること
を特徴とする粘着シート。 A pressure-sensitive adhesive sheet used in the method for processing a laminated wafer according to claim 1,
A base material layer;
A glue layer disposed on the substrate layer;
A protrusion formed on the adhesive layer corresponding to the outer peripheral surplus area of the laminated wafer,
At least the upper surface of the protrusion has adhesiveness to the wafer of the laminated wafer.
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