JP6013317B2 - 同時両面ウエハ研削盤における静水圧パッド圧力調節 - Google Patents
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Description
ウエハWに対するクランプ力は、自由領域60aでは実際上ゼロである。これらの特徴を以下に更に説明する。
更に、各々のポケットに関連する領域の剛性(stiffness)は、ポケット深さを異ならせることによって、ポケットの間で変えることができる。深いポケットは、深いポケットの領域において、浅いポケットに比べてウエハWの柔軟な(compliant)保持をもたらし、浅いポケットの領域においてウエハを強固に保持する。
研削サイクルおよび、プロセッサ351が有限要素構造分析のためのデータを収集する時間は、本発明の技術的範囲から逸脱せずに変更可能である。
(態様1)
一対の研削砥石と、その中に静水圧を有する一対の静水圧パッドとの間にウエハを保持するタイプの両面研削盤を用いて半導体ウエハを処理する方法であって、研削盤は、研削盤によって引き込まれた電流を検出するためのパターン検出ソフトウェアを含むプロセッサを含んでおり、該方法は、
ウエハをクランプする段階と、
ウエハを研削する段階と、
ウエハを研削砥石との接触から離す段階と、
各々の段階を検出するためのソフトウェアを使用し、各々の段階における静水圧を変えて、ウエハに適用されるクランプ圧力を変え、それにより処理したウエハのナノトポロジーを改善する段階と、の複数の段階を含む方法。
(態様2)
流量制御弁を通過する流速を変えることによって静水圧を変える、態様1に記載の方法。
(態様3)
各々の段階を検出するために、研削盤によって引き込まれる電流をパターン検出ソフトウェアで測定する、態様1に記載の方法。
(態様4)
研削段階において、静水圧を低下させることを更に含む、態様1に記載の方法。
(態様5)
研削段階において、静水圧を上昇させることを更に含む、態様1に記載の方法。
(態様6)
研削操作中に一対の研削砥石と一対の静水圧パッドとの間にウエハを保持するタイプの両面研削盤を用いて半導体ウエハを処理する方法であって、該方法は、
研削操作の第1段階において、静水圧パッド内に第1静水圧を確立してウエハを最初にクランプすることと、
研削操作の第2段階でウエハを研削する間に、第1圧力よりも低い第2静水圧まで静水圧を低下させることと、
研削操作の第3段階において第3静水圧まで静水圧を上昇させてウエハをクランプし、これにより処理されたウエハのナノトポロジーを改善することと、を含む方法。
(態様7)
第3静水圧は第1静水圧と実質的に等しい、態様6に記載の方法。
(態様8)
ウエハの研削中に、研削砥石によってウエハを実質的にクランプする、態様6に記載の方法。
(態様9)
静水圧を、流量制御弁の使用によって変える、態様6に記載の方法。
(態様10)
ウエハを、実質的に垂直な平面内で保持する、態様6に記載の方法。
(態様11)
両面研削盤の研削砥石によって使用される電流量を測定することを更に含む、態様6に記載の方法。
(態様12)
両面研削盤の研削砥石によって使用される、測定された電流量に基づいて、研削操作の段階を決めることを更に含む、態様11に記載の方法。
(態様13)
測定された電流が残留状態から初期状態まで増加したときに、研削操作の段階が第1段階であると決めることを更に含む、態様12に記載の方法。
(態様14)
測定された電流がそのピークレベルであるときに、研削操作の段階が第2段階であると決めることを更に含む、態様12に記載の方法。
(態様15)
測定された電流がそのピークレベルから減少したときに、研削操作の段階が第3段階であると決めることを更に含む、態様14に記載の方法。
(態様16)
一対の研削砥石と、プロセッサと、一対の静水圧パッドとを含む両面研削盤であって、
研削砥石と静水圧パッドとは、ほぼ平坦なウエハを、一対の研削砥石の間に配置されているウエハの第1部分と一対の静水圧パッドの間に配置されているウエハの第2部分とが同一平面内で保持されるように操作可能であり、
静水圧パッドは、静水圧を維持するように静水圧パッドを通過して流れる水を含み、
研削盤は、パッドを通過する水の流速を制御するための、それにより静水圧を制御するための、流量制御弁を更に含み、
流量制御弁は、プロセッサによって制御される、両面研削盤。
(態様17)
プロセッサが、研削プロセスの様々な段階を検出するためのパターン検出ソフトウェアを含んでおり、該プロセッサは、パターン検出ソフトウェアによって検出された段階に応じて、流量制御弁を通過する水の流速を制御するように動作可能である、態様16に記載の研削盤。
(態様18)
プロセッサが、研削砥石によって使用される電流量を測定するように動作可能である、態様17に記載の研削盤。
(態様19)
パターン検出ソフトウェアは、研削砥石によって使用される、測定された電気量に基づいて段階を検出する、態様18に記載の研削盤。
(態様20)
プロセッサは、パターン検出ソフトウェアが研削プロセスの研削段階を検出したときに、弁を通過する水の流速を増加するように流量制御弁を制御する、態様19に記載の研削盤。
Claims (10)
- 両面研磨盤により行われる研削操作の間に、一対の研削砥石と一対の静水圧パッドとの間にウエハを保持する種類の両面研削盤を用いて半導体ウエハを処理する方法であって、該方法が
研削操作の第1段階において、静水圧パッド内に第1静水圧を確立してウエハを最初にクランプすること、
両面研削盤の研削砥石によって使用される電流量を測定すること、
両面研削盤の研削砥石によって使用される、測定された電流量に基づいて、研削操作の3つの段階の1つを決定すること、
研削操作の第2段階でウエハを研削する間に、第1静水圧よりも低い第2静水圧まで静水圧を低下させること、および
研削操作の第3段階の間において、第3静水圧まで静水圧を上昇させて、静水圧パッドによりウエハをクランプし、それにより、処理されたウエハにおけるナノトポロジーを改善すること、を含み、
第1段階は、ウエハが静水圧パッドによってクランプされる最初の期間に対応し、
第2段階は、研削操作が除去する間のうち、最も多くの材料が除去される第2の期間に対応する、
方法。 - 第3静水圧が、第1静水圧と等しい、請求項1に記載の方法。
- 第2段階において、ウエハを研削する間、研削砥石によってウエハをクランプする、請求項1に記載の方法。
- 流れ制御弁を使用することによって静水圧を変更する、請求項1に記載の方法。
- ウエハを、垂直な平面上に保持する、請求項1に記載の方法。
- 測定された電流が残留状態から初期状態まで増加したときに、研削操作の段階が第1段階であると決定することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 測定された電流がそのピークレベルである場合に、研削操作の段階が第2段階であると決めることを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 測定された電流がそのピークレベルから減少したときに、研削操作の段階が第3段階であると決定することを更に含み、
測定された電流がそのピークレベルから減少したとの決定に応じて、静水圧を増加する、請求項7に記載の方法。 - 一対の研削砥石と、プロセッサと、一対の静水圧パッドと、流れ制御弁と、を含む両面研削盤であって、
研削砥石と静水圧パッドとが、一対の研削砥石の間に配置されたウエハの第1部分および一対の静水圧パッドの間に配置されたウエハの第2部分とを備えた平坦なウエハとを同一平面で保持するように作動でき、
プロセッサが、研削砥石によって使用される電流量を測定するように作動し、
静水圧パッドが、静水圧を維持するようにそこを通過して流れる水を含み、
流れ制御弁が、パッドを通過する水の流速を制御しそれにより静水圧を制御するように作動し、
プロセッサは、研削砥石によって使用される、測定された電気量に基づいて、切削プロセスの段階を検出するパターン検出ソフトウェアプログラムを実行し、
プロセッサは、パターン検出ソフトウェアプログラムによって検出された段階に応じて、流れ制御弁を通過する水の流速を制御するように作動する両面研削盤。 - パターン検出ソフトウェアプログラムが研削プロセスの研削段階を検出した場合に、プロセッサが、弁を通過する水の流速を増加するように流れ制御弁を制御する、請求項9に記載の研削盤。
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